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TRIACS Introducción
El éxito obtenido con la introducción del tiristor convencional
en el campo de la electrónica,
indujo a los investigadores a desarrollar otro tiristor más apto
para el control de potencia decorriente alterna. El
triac (triode altern current) es un semiconductor capaz de
bloquear tensión y
conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales
principales T1 y T2. Su estructura básica,
símbolo y curva característica aparece en la figura 1. Es un
componente simétrico en cuanto a
conducción y estado de bloqueo se refiere, pues las
características en el cuadrante I de las curvas
uT2 – T1 iT2 son iguales a los del III.
Las fugas que posee en bloqueo y la caída de tensión en
conducción prácticamente iguales a las de un tiristor y el hecho
de que entra en conducción, si se
supera la tensión de ruptura en cualquier sentido, lo hace
inmune a destrucción por sobretensión.
La estructura contiene seis capas, aunque funciona siempre como
un tiristor de cuatro. En
sentido T2 - T1 conduce a través de
P1 N1P2 N2. Figura 3.2
En sentido T1 - T2 conduce a través de
P2 N1P1 N4 (Figura 3.3). La capa N3 facilita el
disparo
con intensidad de puerta negativa.
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La complicación de su estructura lo hace más delicado que un
tiristor en cuanto a
di/dt y capacidad para soportar sobreintensidades. Se fabrican
para intensidades de desde algunosamperios hasta unos 100 A
eficaces y desde 50 V hasta 1000 V de tensión de pico
repetitivo.
Modos de funcionamiento.El Triac puede ser disparado en
cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicación entre los terminales puerta y T1 de un impulso
positivo o negativo. Esto le da una
facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de
disparo. Veamos cuales son los
fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles
de disparo.
Modo I +: Terminal T2 positivo respecto a
T1
Intensidad de puerta entrante.
Funcionan las capas P1 N1P2 N2 como tiristor. La
corriente de puerta circula internamente hasta T1,
en parte por la unión P2 N2 y en parte a través de la
zona P2 (Figura 3.4.b).
Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2,
que es favoreciera en el área próxima a la puerta por la caída
de tensión que produce en P2 la circulación lateral de
corriente de puerta. Esta
caída de tensión se ha simbolizado en la figura por signos + y
-.
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Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la
unión P2 N1, que bloquea el potencial
exterior, y son acelerados por ella iniciándose la
conducción.
figuira
Modo I - : Terminal T2 positiva respecto a
T1
Intensidad de puerta saliente.
El disparo es similar al de los llamados tiristores de puerta de
unión. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1 N1P2 N3 y luego la
principal P1 N1P2 N2. Figura 3.5 a y c
El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal
actuando T1 de puerta y P de
cátodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión
positiva de T2 y polariza fuertemente la
unión P2 N2 que inyecta electrones hacia el área de
potencial positivo. La unión P2 N1 de la
estructura principal, que soporta la tensión exterior, es
invadida por electrones en la vecindad de laestructura auxiliar,
entrando en conducción. Figura 3.6 a y c
Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a
T1.
Intensidad de puerta entrante.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta
remota. Entra en conducción la
estructura P2 N1P1 N4. Figura 3.7
La inyección de electrones de N2 a P2 es igual a la
descripta en el modo I +.
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Los que alcanzan por difusión la unión P2 N1 son
absorbidos por su potencial de unión, haciéndose
mas conductora. El potencial positivo de puerta polariza mas
positiva el área de la unión P2 N1
Próxima a ella, provocándose una inyección de huecos desde P
2 a N1 que alcanza en parte la unión
N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se
produce la entrada en conducción.
Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a
T1.
Intensidad de puerta saliente.
También se dispara por el procedimiento de puerta remota,
conduciendo las capas P2 N1P1 N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más
conductora la unión P2 N1. La tensión
positiva de T1 polariza el área próxima de la unión
P2 N1 mas positiva que la próxima a la puerta.
Esta polarización inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en
parte de la unión N1P1 y la hacen pasara conducción. Figura
3.8
Los cuatro modos de disparo descriptos tienen diferente
sensibilidad, siendo los modos I + y
III - los modos más sensibles, seguidos de cerca por I -. El
modo III + es el disparo más difícil ydebe evitarse su empleo en lo
posible, por ser justamente un método no seguro.
El fabricante proporciona datos de características eléctricas en
bloqueo, conducción y de
disparo por puerta de forma similar a lo explicado para el
tiristor.
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En algunos manuales indican cual es la corriente para cada uno
de los distintos disparos, a
continuación se muestra para el BTA30-800CW3G.
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La figura de Definiciones de los cuadrantes no es la misma que
la que utilizamos, puesto que sus
ejes están referidos la corriente de compuerta
Construcción y encapsulado
La pastilla se fabrica a partir de un substrato tipo N mediante
un proceso de dopados sucesivossimilar al empleado en los
tiristores. Se utilizan máscaras para el dopado selectivo de las
áreas que
darán lugar a las zonas N2, N3 y N4. En la figura 4 puede
verse una pastilla seccionada por un plano
diametral. El espesor se ha exagerado a los fines
didácticos.
La cápsula también es igual a la empleada en los tiristores. El
tipo escogido depende de la
intensidad nominal del Triac. El encapsulado metálico de
tornillo representado en la figura 4 se
emplea en toda la gama de 5 a 100 A eficaces. Para aplicaciones
de gran consumo se usó bastanteuna cápsula metálica como la de la
figura 5 que se fija al disipador introduciéndolo a presión en
un
taladro de diámetro algo menor al de la cápsula. El sistema se
adapta bien al montaje de grandes
series con útiles especiales y se emplea en triacs de 10 a 25 A
eficaces, así como en diodos y
tiristores de intensidad parecida. Actualmente se emplea mucho
la cápsula TO – 220 en triacs de 6
a 15 A y la TO-3 de 25 a 40 Amperes.
Rapidez en el Aumento de la Corriente (di/dt) Cuando un
triac se enciende aplicando un pulso de disparo de compuerta, la
conducción no se
produce instantáneamente en toda la pastilla. La
circulación inicial de corriente está concentrada en
regiones muy pequeñas cercanas al contacto de compuerta. Se
requiere un intervalo de tiempo
breve para que la corriente se difunda lo suficiente para
que toda la pastilla este conduciendo. Si la
rapidez con la que la corriente de carga aumenta, es elevada en
comparación con la rapidez que se
difunde la corriente lateralmente a través de la pastilla, se
concentrará considerable energía en la
regiones de encendido, pudiéndose desarrollarse regiones de alta
temperatura localizada (puntos
calientes). Estos puntos calientes pueden afectar adversamente
las demás características del triac, o
en casos extremos, causar daño permanente en la pastilla
semiconductor. Por estas razones los
fabricantes de triac, especifican generalmente un valor límite
de aumento de estado ON para estos
productos.
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La forma de onda para probar la capacidad di/dt es la
siguiente:
Estos valores se especifican para un valor determinado de
corriente de compuerta.
Por ejemplo para el BTA140B600, tiene una di/dtmax =50 A/s, para
una IG = 200 mA y unaIA = 30A
Rapidez en el aumento de la tensión (dv/dt) El triac puede
sufrir la aplicación de una tensión brusca en sus terminales T1 y
T2. Los orígenes de
estas tensiones son diversos, a modo de ejemplo podríamos citar
algunos: salida de servicio de un
Trafo en la cercanías del sistema de potencia, desconexión de
otra carga inductiva (motores), cierre
de una llave con carga capacitiva o regenerativa, etc. Si este
aumento de tensión en el tiempo
(dv/dt), excede el régimen del dispositivo, el triac puede pasar
del estado OFF al estado ON en
ausencia de una corriente de compuerta. Esta conmutación es
causada por la capacitancia interna
del triac. Una tensión que aumenta rápidamente, en los
terminales principales del dispositivo, hace
pasar una corriente de carga de capacitancia a través del
dispositivo. Esta corriente de carga
dt
dvC i . es una función del aumento de la
tensión de estado OFF aplicada, la corriente de carga de
capacitancia excede la corriente de disparo de compuerta y
produce el encendido del dispositivo. Elfuncionamiento a
temperaturas de juntura elevadas reduce la aptitud del triac para
soportar una
tensión en rápido aumento (dv/dt alta) porque se requiere menor
corriente de compuerta para el
encendido. El efecto de la temperatura en dv/dt en el estado OFF
se ve en la siguiente figura:
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MÉTODOS DE DISPARO PARA TRIACS:
Circuitos RC de control de puerta El circuito de disparo
más simple para un triac se muestra en la figura 8, en la misma
el
condensador C se carga a través de R 1 y
R 2 durante la porción del semiciclo correspondiente
al
ángulo de disparo. Durante el semiciclo positivo, MT2 es
positivo respecto de MT1, y C se cargacon el positivo en su placa
superior. Cuando el voltaje en C es lo suficientemente grande
para
entregar a través de R 3 la corriente de puerta (IGT)
necesaria para disparar el triac, el triac se dispara
o ceba.
Durante el hemiciclo negativo, C se carga con el negativo en su
placa superior.
Nuevamente, cuando el voltaje a través del condensador es
lo suficiente para entregar a través de R 3
la corriente necesaria de puerta en la dirección inversa para
disparar el triac, el triac se ceba.
La velocidad de carga del condensador C se ajusta por medio de
la resistencia variable R 2.
Con una R 2 grande, la velocidad de carga es lenta,
produciendo un ángulo de disparo grande y un
promedio de corriente en la carga pequeña. Si hacemos
R 2 de pequeño valor, C se cargara
rápidamente, haciendo que la disponibilidad de corriente sea
menor, lo cual nos da como resultado
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que el triac se cebara en un corto tiempo (ángulo de disparo
pequeño), haciendo la corriente
promedio en la carga mayor que en el caso anterior.
Al igual que con los circuitos de disparo para los SCR, una red
RC simple no puede retardar
el disparo de un Triac muy por encima de los 90º. Para
establecer un rango de ajuste amplio del
ángulo de disparo, la red RC doble de la figura 9 es la mas
utilizada.Uno de los inconvenientes de este sistema es la no
repetibilidad de los eventos, por ello
existen otros métodos de disparo que más adelante veremos.
Circuitos con DIAC para control de puerta:Uno elemento
interesante desde el punto de vista del disparo del triac es el
DIAC.
El DIAC (diodo de disparo bidireccional de silicio), cuya curva
característica podemos ver en la
figura 8
La curva muestra que para voltajes aplicados en sentido directo
menores que el voltaje de
ruptura directo (+VBO), el DIAC prácticamente no permite flujo
de corriente. Una vez alcanzado
el voltaje de ruptura directo, el diac, conmuta a conducción y
la corriente aumenta rápidamente a la
vez que el voltaje a través de los terminales disminuye. Este
aumento rápido de la corriente en la
curva característica explica la habilidad del diac para producir
pulsos de corriente, lo cual nos sirve
para el disparo de Triacs o de Tiristores.
En la región de voltaje negativo, la operación es idéntica.
Cuando el voltaje aplicado en
sentido inverso es menor que el voltaje inverso de ruptura
(-VBO) el diac no permite flujo de
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corriente. Cuando el voltaje aplicado alcanza – VBO,
el diac conmuta a conducción en la dirección
opuesta.
Los diacs se fabrican de manera que son relativamente estables
con la temperatura y tienen
una pequeña tolerancia en los voltajes de ruptura. Hay una
pequeñisima diferencia entre los valores
del voltaje de ruptura directo y el voltaje de ruptura inverso
en un diac. La diferencia típica esmenor que 1 volt. Esto permite
que el circuito de disparo mantenga prácticamente iguales los
ángulos de disparo en ambos semiciclos de la fuente AC.
El funcionamiento del circuito de la figura 11 es igual al de la
figura 8 con excepción que el
voltaje en el condensador debe aumentar hasta alcanzar el
voltaje de ruptura del diac para poder
entregar corriente de puerta al triac. Para un diac, el voltaje
de ruptura sería bastante mas alto que
el necesario en la figura 8. El valor más popular del voltaje de
ruptura para los diacs es 32 V (+
VBO = +32 V,
-VBO = - 32 V. Por tanto cuando el voltaje en el condensador
llega a 32 V, en cualquiera de las
polaridades, el diac se dispara, entregando el pulso de
corriente para Conducción a la puerta del
triac. Dado que el voltaje del condensador debe alcanzar un
valor mas alto cuando se utiliza un
diac, la constante de tiempo de carga debe reducirse. Esto
significa que la figura 11 deberá tenercomponentes de valor más
pequeño (los valores de resistencias y capacidades) que los de la
figura
9.
Teoría y operación de un SBS: Hay otro dispositivo de
disparo el cual es capaz de disparar los triacs. Su nombre es el
interruptor
bilateral de silicio (Silicon Bilateral Switch), y es
popular en circuitos de control de bajo voltaje.
Los SBS tienen un voltaje de ruptura menor que el de los diacs,
es valor más común es ± 8 V. La
curva característica voltaje-corriente de un SBS es similar a la
del diac, pero el SBS tiene una
región de “resistencia negativa” más pronunciada. Es decir, su
declinación en voltaje-corriente es
más drástica después que entra en el estado de conducción
n. La figura 12 muestra
esquemáticamente un SBS. Su curva característica
voltaje-corriente se muestra en la figura 13.
Nótese que cuando el SBS conmuta al estado de conducción
el voltaje a través de sus ánodos cae
casi a cero (del orden de 1 V). Se dice que el SBS tiene un
voltaje de descenso de 7 V, porque el
voltaje entre A2 y A1 decrece en casi 7 V cuando entra en
Conducción.
La curva característica de la figura 13 es para cuando el
terminal de puerta del SBS esté
desconectado. El terminal de puerta puede utilizarse para
alterar la operación básica voltaje-
corriente de un SBS, como lo veremos enseguida. Sin embargo, el
SBS es bastante útil aun sin su
terminal de puerta, debido a su virtud de ruptura drástica de A2
a A1.
Para utilizar un SBS sin su terminal de puerta, éste debe
instalarse en lugar del diac de la
figura 11. Debido al bajo VBO del SBS, los componentes de
tiempo de la res RC tendrán queaumentarse en valor. SE preguntará
por que se quiere utilizar un SBS en un circuito de control en
lugar de un Diac. Bien, en términos generales el SBS es un
dispositivo superior comparado con el
diac. El SBS no solamente presenta unas características de
conmutación más vigorosas, como lo
indica la figura 13, sino que el SBS es más estable con
temperaturas y más simétrico y presenta una
dispersión de grupo menor que la del diac.
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Para decirlo con números, un SBS actualmente tiene un
coeficiente de temperatura del orden
de +0,02% /ºC. Esto significa que su VBO, aumenta en solamente
0,02% por grado centígrado de
cambio de temperatura, lo cual significa solamente una variación
de 0,16 V /100 ºC, que es un
índice de muy buena estabilidad térmica.
Los SBS son simétricos con un margen de casi 0,3 V. Es decir, la
diferencia en magnitud entre
+VBO y – VBO es menor que 0,3 V Esto
prácticamente proporciona ángulos de disparo idénticos en
los semiciclos positivo y negativo.
La variación de grupo que presentan los SBS es menor que 0,1 V.
Esto significa que la diferencia
en VBO entre todos los SBS de un mismo grupo es menor que
0,1 V. En contraste, la variación de
grupo de los diacs es del orden de 4 V.
El terminal de puerta de un SBS puede utilizarse para alterar su
operación básica de disparo.
Por ejemplo, si se conecta un diodo zener entre G y A1, como se
indica en la figura 14.
El voltaje directo de disparo (+VBO) cambia aproximadamente al
Vz del diodo zener. Con
un diodo zener de 3,3 V conectado, +VBO, será igual a 3,3 V +
0,6 V (hay una unión pn interna).
Esto dará:
+ VBO = 3,9 V.
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El voltaje de disparo inverso no será afectado y permanecerá en
– 8 V. Este modo de operación sería
útil si se deseara obtener ángulos de disparo diferentes para
los semiciclos positivo y negativo (lo
cual no es muy usual).
Eliminación de la histéresis del triac con un SBS.Una de las
cosas más importantes acerca de la utilización de un SBS con
terminal de puerta en los
circuitos de disparo de triacs es que puede eliminar el efecto
de histéresis o centelleo. Entendamos
primero en que consiste el problema de histeresis. La
explicación de la histeresis es un poco
complicada, así que veámosla.
Refirámonos a la figura 11. Supongamos que R 2 está
ajustada de tal forma que C no puede
descargarse completamente a los 32V en ninguna de las dos
direcciones. Es este caso, el diac nunca
se disparará y la carga estará completamente desenergizada. Si
la carga fuese almacenada, siempre
comienza un semiciclo con una carga residual de la polaridad
contraria. Es decir cuando comienza
un semiciclo positivo de la fuente AC, la carga inicial en C es
tal que su placa superior es negativa y
la inferior positiva; esta carga ha sido dejada por el semiciclo
negativo precedente. Igualmente,
cuando comienza un semiciclo negativo de la fuente de la fuente
AC, la carga inicial en C es tal quesu placa superior es positiva y
la inferior negativa, dejada por el semiciclo precedente. El efecto
de
esta carga inicial es que el condensador tomará más tiempo en
cargarse al voltaje de disparo del
diac.
Supongamos ahora que hacemos decrecer lentamente el valor de
R 2 hasta cuando el
condensador escasamente se cargue al VBO del diac. Asumamos
que la primera ruptura ocurre en el
semiciclo positivo (da lo mismo que ocurra en el semiciclo
positivo o negativo). Cuando el diac se
dispara, descarga parte de la carga + que se ha almacenado en la
placa superior de C. El camino de
descarga es a través del circuito de G a MT1 del triac. Durante
el resto del semiciclo positivo, no se
sucede más carga de C, porque el triac cortocircuita la
totalidad del circuito de disparo cuando entra
en Conducción. Por tanto cuando termina el semiciclo positivo,
comienza el próximo semiciclo
negativo y la carga + inicial en la placa superior de C es menor
de lo que fue para los semiciclos
negativos precedentes. Esta vez el condensador tiene un
“arranque rápido”, a la vez que intenta
cargarse a – VBO.
Debido a este arranque rápido, C alcanzará el valor -VBO
mas temprano en el semiciclo
negativo que para el caso de + VBO, en el precedente semiciclo
positivo. Además dado que C
perderá parte de la carga – de su placa
superior cuando el diac se dispare durante el semiciclo
negativo, comenzará el próximo semiciclo positivo con menos
carga inicial que antes. Por tanto se
disparará mas temprano en el próximo semiciclo positivo.
El resultado total de este fenómeno es: Podemos ajustar el valor
de R 2 para escasamente cebar altriac, esperando obtener
una luz muy tenue de la lámpara, pero tan pronto se sucede el
primer
cebado, todos los cebados siguientes se suceden más temprano en
el semiciclo. Es imposibleobtener un ajuste fino desde la condición
de apagado completa a la condición de encendido tenue.
En lugar de esto, la lámpara centellea.
Lo que se puede hacer, una vez que la lámpara se ha encendido,
es reajustar la resistencia R 2 a un
valor más alto para retardar el disparo del diac un poco más en
el semiciclo. En otras palabras,
debemos girar el potenciómetro hacia atrás para poder obtener
una luz verdaderamente tenue. Esto
se puede demostrar con casi cualquier atenuador luminoso
comercial en casa.
Lo que tenemos aquí es una situación en la cual un mismo valor
dado de R 2 pude producir
dos resultados completamente distintos de circuito, dependiendo
de la dirección en la cual R 2
cambien. Este fenómeno ocurre con bastante frecuencia en
electrónica y de hecho, en la naturaleza.
Su nombre es histéresis. El centelleo de un triac es un ejemplo
específico de histéresis.
La histéresis del triac puede eliminarse casi completamente con
el circuito de la figura 16.Para entender como funciona,
investiguemos la operación de SBS cuando fluye una pequeña
cantidad de corriente por su terminal de puerta. Refirámonos a
las figuras 17 y 18.
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La figura 17 muestra una resistencia R colocada en el terminal
de puerta de un SBS y una
cierta cantidad de corriente, IG, fluyendo de A2 a G. Esto
implica que el voltaje aplicado a la
resistencia es negativo respecto a A2.
Si fluye una pequeña corriente de puerta entre A2 y G, la
característica de ruptura directa se cambia
drásticamente. El voltaje +VBO cae casi a 1 V, como se
muestra en la figura 18. Esto significa queel SBS se disparará tan
pronto como el voltaje de A2 a A1 alcance 1V. Como muestra la
curva –
VBO no es afectado por la corriente de puerta de A2 a
G.
Miremos ahora la figura 16. Supongamos que R 2 está
ajustada de tal manera que el
condensador no puede alcanzar los ± 8V para disparar el SBS. El
triac no se cebará, y la lampara
estará apagada.
Durante el semiciclo positivo, C se
cargará con el positivo en su placa
superior y el negativo en la inferior.
Veamos ahora que sucede cuando la
fuente AC completa el semiciclo
positivo y se aproxima a 0 V.Cuando la línea superior de
la fuente
es cercana a cero con relación a la
línea inferior, esto significa que el
extremo superior de R 3 es cercano a
cero voltios con relación al extremo
inferior de C. Sin embargo, el
extremo superior de C es positivo
respecto a su extremo inferior es
este instante, porque el condensador
está cargado. Por tanto hay un
voltaje aplicado entre A2 y el extremo superior de R 3;
este voltaje es positivo en A2 y negativo en
el extremo superior de R 2. El diodo D1 queda polarizado
directamente y permite que fluya una
pequeña corriente de puerta al SBS. El camino es hacia el
SBS por A2 y fuera de este por G, a
través de D1, y a través de R 3. Con esta pequeña corriente
de puerta IG, aún con un pequeño voltaje
directo de A2 a A1 el SBS se dispara, vacía la carga del
condensador a través de R 4. Por tanto el
semiciclo negativo de la fuente AC comienza con el condensador
descargado casi por completo. El
resultado total es que el condensador comenzará a cargarse con
la misma carga inicial (casi cero)
independiente de sí el triac se ha cebado o no. Por tanto se
elimina la histéresis del triac.
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