射極電流擁擠效應

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授課老師 : 鄒文正 老師學生 : 董冠璋學號 :M99L0225

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•形成原因•造成之影響•改善方法•參考文獻

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形成原因

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由於 HBT 垂直式結構，使基極電流橫向流入射極，基極電流橫向流入射極之過程產生電阻與電位差，使得基 - 射極接面的電場分布不均，而使電流由射極周圍向中心遞減，因此引起射極電流聚集在邊緣，此現象稱為射極群聚現象 (Emitter crowding) 。

參考文獻• [1] 〝半導體元件物理與製程技術〞施敏著• [2] 〝 VBIC 模型應用於不同尺寸異質接面雙載子電晶體之研究〞 徐慧芬

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