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96 學年度專題製作競賽. 非揮發性記憶體薄膜特性之研究. 指導老師：許正興 博士 大學電機四甲 U9321023 何毅達 大學電機四甲 U9321010 楊淑鳳. 研究目的. 鍺具有優於矽的導電能力及載子移動率，且為最早被使用的半導體材料。我們使用溶膠凝膠法製作 GeO 2 薄膜， 探討不同熱處理方式對薄膜成長及其相關特性之影響。期望找出符合需求的薄膜以應用於記憶體元件上。. 非揮發性記憶體. - PowerPoint PPT Presentation
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96 U9321023 U9321010
GeO2
ROMRead Only MemoryFlash
-
Ge + 20ITO/Glass(3000rpm/15sec)(4000rpm/20sec)1:8(GeO2)
2500600700101.2.3. 47-cm 4.(Ge)(GeO2 )ITO/Glass
1.102. 10 3. ITO/Glass20 4.
-X
X600XRD(100)(101)ITO(110)(102)(111)(200)(Intensity)
X100XRD(101)(100)(110)(102)(200)(111)ITO(Intensity)
100700SEM
50060070075 500200100600700700600 500
200500
hard mask2mmptMetal-Insulator-Metal (MIM)
PtPtThin filmITOGlass
200700
XRD100700 SEM AFM20010nm 200700
記憶幻境 虛假記憶的實驗
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