Upload
others
View
2
Download
0
Embed Size (px)
Citation preview
UNIVERZA V MARIBORU
FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO,
RAČUNALNIŠTVO IN INFORMATIKO
Gregor Ogrizek
ANALIZA PROIZVODNJE ELEKTRIČNE
ENERGIJE FOTONAPETOSTNEGA SISTEMA
S SLEDENJEM SONCU
Diplomsko delo
Maribor, junij 2016
ANALIZA PROIZVODNJE ELEKTRIČNE ENERGIJE
FOTONAPETOSTNEGA SISTEMA S SLEDENJEM SONCU
Diplomsko delo
Študent: Gregor Ogrizek
Študijski program: Univerzitetni študijski program Elektrotehnika
Smer: Močnostna elektrotehnika
Mentor: red. prof. dr. Gorazd Štumberger
Maribor, junij 2016
ii
ZAHVALA
Zahvaljujem se mentorju red. prof. dr.
Gorazdu Štumbergerju za pomoč in
koristne napotke pri opravljanju
diplomskega dela.Prav tako se iskreno
zahvaljujem tudi g. Ernestu Beliču za
pomoč pri izvedbi meritev ter seveda
svoji družini, ki me je podpirala skozi
celotno obdobje mojega študija.
iii
ANALIZA PROIZVODNJE ELEKTRIČNE ENERGIJE FOTONAPETOSTNEGA
SISTEMA S SLEDENJEM SONCU
Ključne besede: fotovoltaika, sledilni sistem, proizvodnja električne energije
UDK: 621.311.243(043.2)
POVZETEK
V diplomskem delu je predstavljena primerjava proizvodnje električne energije
fotonapetostnih modulov na sledilnem sistemu FEiNA SF09 in na napremikajočem se
sistemu. Izvedena je primerjava obnašanja monokristalnih in polikristalnih modulov z
mikropretvorniki. Pri tem rezultati meritev pokažejo, da se v danem primeru polikristalni
moduli obnašajo bolje od monokristalnih.
iv
THE ANALYSIS OF ELECTRICITY GENERATION IN A PHOTOVOLTAIC
SYSTEM WITH SUN TRACKING
Key words: photovoltaics, solar tracking system, production of electricity
UDK: 621.311.243(043.2)
ABSTRACT
The diploma thesis compares the electricity generation of the photovoltaic modules on the
solar tracking system FEiNA SF09 and the fixed mounted modules. The behaviour of
monocrystalline and polycrystalline modules with micro converters is analysed. The
results of measurements clearly show that in the given case the polycrystalline modules
perform better.
v
KAZALO VSEBINE
1. UVOD .............................................................................................................................. 1
2. ZGODOVINA FOTONAPETOSTNIH CELIC .............................................................. 2
3. OPIS DVOOSNEGA SISTEMA SLEDENJU SONCU FEiNA SF09 ........................... 3
3.1 Programiranje krmilnega sistema sledilnika ............................................................... 4
4. SONČNI MODULI .......................................................................................................... 9
4.1 Polikristalne celice ....................................................................................................... 9
4.2 Monokristalne celice.................................................................................................. 10
5. UVOD V MERITVE ..................................................................................................... 12
5.1 Vplivi na karakteristike fotonapetostnih celic ........................................................... 13
5.1 Nabor fotonapetostnih modulov za izvedbo meritev ................................................. 16
5.2 Opis merilnika HT I-V 400 ....................................................................................... 19
6. REZULTATI MERITEV KARAKTERISTIK FOTONAPETOSTNIH MODULOV Z
MERILNIKOM I-V 400 ................................................................................................ 23
6.1 Monokristalni modul številka 8 (fiksna namestitev) ................................................. 27
6.2 Polikristalni modul številka 9 (fiksna namestitev). ................................................... 29
6.3 Monokristalni modul številka 14 (na sledilnem sistemu) .......................................... 31
6.4 Polikristalni modul številka 15 (na sledilnem sistemu) ............................................. 33
7. PRIMERJAVA PROIZVODNJE ELEKTRIČNE ENERGIJE
FOTONAPETOSTNEGA SISTEMA ........................................................................... 35
7.1 Primerjava proizvodnje monokristalnega in polikristalnega modula na sledilnem
sistemu ............................................................................................................................. 36
7.2 Primerjava proizvodnje fiksno pritrjenega monokristalnega in polikristalnega
modula ............................................................................................................................. 37
7.3 Primerjava proizvodnje monokristalnega modula na sledilnem sistemu in
monokristalnega modula s fiksno namestitvijo ............................................................... 38
7.4 Primerjava proizvodnje polikristalnega modula na sledilnem sistemu in
polikristalnega modula s fiksno namestitvijo .................................................................. 39
8. SKLEP ........................................................................................................................... 40
9. LITERATURA .............................................................................................................. 41
vi
KAZALO SLIK
Slika 3.1 Prikaz pomikanja sledilnega sistema FEiNA SF09 ................................................ 3
Slika 3.2 Prikaz krmilnika sledilnega sistema ....................................................................... 4
Slika 3.3 Vnašanje parametrov v naš krmilni sistem............................................................. 5
Slika 4.1 Polikristalna fotonapetostna celica ......................................................................... 9
Slika 4.2 Monokristalna fotonapetostna celica .................................................................... 10
Slika 5.1 Vpliv temperature na karakteristiko fotonapetostnega modula ............................ 14
Slika 5.2 Vpliv sončnega sevanja na karakteristiko solarne celice ..................................... 14
Slika 5.3 Glavne točke karakteristik fotonapetostnih celic ................................................. 15
Slika 5.4 Fotonapetostni sistem in označeni moduli s katerimi smo izvajali meritve ......... 17
Slika 5.5 Izvajanje meritev z merilnikom HT I-V 400 ........................................................ 20
Slika 5.6 Temperaturni senzor PT300N .............................................................................. 20
Slika 5.7 Referenčna celica HT304 ..................................................................................... 21
Slika 5.8 Sprednja stran inštumenta HT I-V 400................................................................. 21
Slika 5.9 Zgornja stran inštrumenta HT I-V 400 ................................................................. 22
Slika 6.1 Primerjava I-V karakteristik monokristalnih modulov (BISOL BMO-250): en je
fiksno nameščen, drugi pa je nameščen na sledilnem sistemu ............................................ 23
Slika 6.2 Primerjava P-V karakteristik monokristalnih modulov (BISOL BMO-250): en je
fiksno nameščen, drugi pa je nameščen na sledilnem sistemu ............................................ 24
Slika 6.3 Primerjava I-V karakteristik polikristalnih fotonapetostnih modulov (BISOL
BMU-250 Premium): en je nameščen na sledilnem sistemu drugi pa je fiksno nameščen . 25
Slika 6.4 Primerjava P-V karakteristik polikristalnih fotonapetostnih modulov (BISOL
BMU-250 Premium): en je nameščen na sledilnem sistemu drugi pa je fiksno nameščen . 26
Slika 6.5 Primerjava I-V karakteristik fiksno nameščenega monokristalnega
fotonapetostnega modula (BISOL BMO-250) pri OPC in STC ......................................... 27
Slika 6.6 Primerjava P-V karakteristik fiksno nameščenega monokristalnega
fotonapetostnega modula (BISOL BMO-250) pri OPC in STC ......................................... 28
Slika 6.7 Primerjava I-V karakteristik fiksno nameščenega polikristalnega
fotonapetostnega modula (BISOL BMU-250 Premium) pri OPC in STC .......................... 29
Slika 6.8 Primerjava P-V karakteristik fiksno nameščenega polikristalnega
fotonapetostnega modula (BISOL BMU-250 Premium) pri OPC in STC .......................... 30
Slika 6.9 Primerjava I-V karakteristik monokristalnega fotonapetostnega modula (BISOL
vii
BMO-250), nameščenega na sledilnem sistemu pri OPC in STC ....................................... 31
Slika 6.10 Primerjava P-V karakteristik monokristalnega fotonapetostnega modula (BISOL
BMO-250), nameščenega na sledilnem sistemu pri OPC in STC ....................................... 32
Slika 6.11 Primerjava I-V karakteristik polikristalnega fotonapetostnega modula (BISOL
BMU-250 Premium), nameščenega na sledilnem sistemu pri OPC in STC ....................... 33
Slika 6.12 Primerjava P-V karakteristik polikristalnega fotonapetostnega modula (BISOL
BMU-250 Premium), nameščenega na sledilnem sistemu pri OPC in STC ....................... 34
Slika 7.1 Primerjava dnevne proizvodnje vseh štirih merjenih modulov ............................ 35
Slika 7.2 Dnevna primerjava proizvodnje električne energije modula 14 (monokristalni
modul BISOL BMO-250 na sledilnem sitemu) in modula 15 (polikristalni modul BISOL
BMU-250 PREMIUM na sledilnem sistemu) ..................................................................... 36
Slika 7.3 Dnevna primerjava proizvodnje električne energije modula 8 (fiksno pritrjen
monokristalni modul BISOL BMO-250) in modula 9 (fiksno pritrjen polikristalni modul
BISOL BMU-250 PREMIUM) ........................................................................................... 37
Slika 7.4 Dnevna primerjava proizvodnje električne energije modula 8 (fiksno nameščen
monokristalni modul BISOL BMO-250) in modula 14 (monokristalni modul BISOL
BMO-250 na sledilnem sistemu) ......................................................................................... 38
Slika 7.5 Dnevna primerjava proizvodnje električne energije modula 9 (fiksno nameščen
polikristalni modul BISOL BMU-250 PREMIUM) in modula 15 (fiksno nameščen
polikristalni modul BISOL BMU-250 PREMIUM) ............................................................ 39
viii
KAZALO TABEL
Tabela 5.1 Električne lastnosti monokristalnih modulov BISOL BMO-250 pri standardnih
pogijih (STC) in pri normalnih pogojih (NOCT). ............................................................... 17
Tabela 5.2 Temperaturne lastnosti modulov BISOL BMO-250 ......................................... 18
Tabela 5.3 Mehanske lastnosti modulov BISOL BMO-250 ............................................... 18
Tabela 5.4 Električne lastnosti polikristalnih modulov BISOL BMU-250 Premium pri
standardnih pogijih (STC) in pri normalnih pogojih (NOCT). ........................................... 18
Tabela 5.5 Temperaturne lastnosti modulov BISOL BMU-250 Premium .......................... 19
Tabela 5.6 Mehanske lastnosti modulov BISOL BMU-250 Premium ................................ 19
Tabela 6.1 Primerjava rezultatov meritev monokristalnih modulov (BISOL BMO-250):
eden je fiksno nameščen, drugi pa je nameščen na sledilnem sistemu ................................ 24
Tabela 6.2 Primerjava rezultatov meritev polikristalnih fotonapetostnih modulov (BISOL
BMU-250 Premium): en je nameščen na sledilnem sistemu drugi pa je fiksno nameščen . 26
Tabela 6.3 Rezultati meritev fiksno nameščenega monokristalnega sončnega modula
(BISOL BMO-250) ............................................................................................................. 28
Tabela 6.4 Rezultati meritev fiksno nameščenega polikristalnega fotonapetostnega modula
(BISOL BMU-250 Premium) .............................................................................................. 30
Tabela 6.5 Rezultati meritev monokristalnega fotonapetostnega modula (BISOL BMO-
250), ki je nameščen na sledilnem sistemu. ........................................................................ 32
Tabela 6.6 Rezultati meritev polikristalnega fotonapetostnega modula (BISOL BMU-250
Premium), ki je nameščen na sledilnem sistemu ................................................................. 34
ix
UPORABLJENI SIMBOLI
I [A].............................................tok
U [V]............................................napetost
P [W]............................................moč
PMPP [W].......................................vršna moč
IMPP [A].........................................tok pri vršni moči
UMPP [V]........................................napetost pri vršni moči
ISC [A]...........................................kratkostični tok
UOC [V].........................................napetost odprtih sponk
PMAX [W].......................................maksimalna moč
[%]............................................učinkovitost sončne celice ali modula
α [%/ºC]........................................temperaturni koeficient toka kratkega stika
β [%/ºC]........................................temperaturni koeficient napetosti odprtih sponk
γ [%/ºC]........................................temperaturni koeficient moči
Irr [W/m2].....................................sončno sevanje
A [m2]...........................................površina sončne celice ali modula
FF..................................................faktor polnjenja
C [%]...........................................učinkovitost pretvorbe celic
M [%]..........................................učinkovitost pretvorbe modula
STC..............................................standardi testni pogoji
OPC..............................................dejanski testni pogoji
1
1. UVOD
V naslednjih letih oziroma desetletjih je pričakovati, da se bo poraba električne energije še
bistveno okrepila. Temu botruje dejstvo, da se populacija našega planeta izjemno veča in s
tem se večajo tudi potrebe po električni energije. To po nam posledično postavi vprašanja,
kot so na primer: Ali lahko zagotovimo povečano proizvodnjo električne energije brez
degradacije okolja? Ali imamo dovolj virov za zadostitev povečanih potreb? Ali lahko
zgradimo dovolj infrastrukture, ki bo omogočala proizvodnjo?
Fotovoltaika, oziroma fotonapetostna tehnika, ki fotonsko energijo pretvori v električno,
lahko bistveno prispeva k zadovoljitvi teh potreb po energiji. V preteklosti sta bili
slabosti fotovoltaike predvsem visoka cena in nerazvita tehnologija. Vendar pa je -danes po
več desetletjih raziskav tehnologija močno napredovala ter nas pripeljala do točke,
kjer fotovoltaika že vstopa na velike trge električne energije.
V diplomskem delu sem se posvetil analizi proizvodnje električne
energije fotonapetostnega (fotovoltaičnega) sistema, ki se nahaja na strehi tehniških
fakultet v Mariboru. Ta sistem je sestavljen iz sledilnega sistema FEiNA SF09 in iz
nepremičnega sistema, na katerega so nameščeni fotonapetostni moduli z mikropretvorniki.
Namen moje diplomske naloge je bila preučitev in primerjava izhodnih
karakteristik monokristalnih in polikristalnih fotonapetostnih modulov na katerih sem
izvajal meritve. Primerjavo sem izvedel za module nameščene na sledilnem sistemu kot
tudi za fiksno postavljene module.
Najprej sem v poglavju 2 na kratko zapisal pomembne dogodke, ki so skozi zgodovino
pripomogli k razvoju fotovoltaike. V poglavju 3 sem opisal sledilni sistem FEiNA SF09 in
programiranje njegovega krmilnika. Nato sem se v poglavju 4
posvetil monokristalnim in polikristalnim fotonapetostnim modulom ter njihovim
prednostim in slabostim. Poglavje 5 podaja osnovne pojme in matematične opise s
področja fotonapetostnih sistemov in opise obravnavanih fotonapetostnih modulov. Podan
je opis uporabljenega merilnika HT I-V 400 in njegovih komponent. Poglavji 6 in 7
podajata rezultate meritev in njihovo analizo, v poglavju 8 pa so podane sklepne
ugotovitve moje diplomske naloge.
2
2. ZGODOVINA FOTONAPETOSTNIH CELIC
Fotonapetostni pojav je že leta 1839 odkril francoski fizik Alexandre – Edmond Becquerel,
vendar so bili fotonapetostni sistemi (fotovoltaika) praktično neuporabni do druge polovice
20. stoletja. Prve konvencionalne fotonapetostne celice so bile proizvedene v poznih 1950-
ih. Po letu 1960 so bili v glavnem uporabljene za zagotavljanje električne energije umetnih
zemeljskih satelitov v orbiti. Leta 1970 so izboljšave v zmogljivosti in kakovosti
fotonapetostnih modulov odprle pot širjenju fotovoltaike v mnoge panoge.
Odprle so se številne možnosti za napajanje zemeljskih aplikacij na daljavo, vključno s
polnjenjem baterij za navigacijske sisteme telekomunikacijskih oprem, namenjenih
prenosu signalov ter tudi za druge nizkoenergetske naprave.
Leta 1980 je fotovoltaika postala priljubljen vir energije za potrošniške elektronske
naprave, vključno s kalkulatorji, urami, lučmi ter drugimi majhnimi baterijsko polnjenimi
aplikacijami.
Po energetski krize leta 1970 se je znatno povečal tudi interes za razvoj fotonapetostnih
sistemov za napajanje stanovanj in za komercialne potrebe.
Fotonapetostni sistemi so se začeli intenzivno uporabljati za napajanje zdravstvenih klinik
na podeželju ter za hlajenje in črpanje vode. Izjemno so se razširili tudi na področju oskrbe
z energijo samozadostnih gospodinjstev, ki so še danes velik trg za fotonapetostne sisteme.
Danes proizvodnja industrije fotonapetostnih modulov raste približno 25 odstotkov letno.
Nacionalni programi v ZDA, na Japonskem in v Evropi močno pospešujejo namestitev
fotonapetostnih elektrarn na stavbe ter njihovo vključevanje v obstoječo energetsko
infrastrukturo – električna omrežja.
3
3. OPIS DVOOSNEGA SISTEMA SLEDENJU SONCU
FEiNA SF09
Že ime samo nam pove, da se sledilni sistem FeiNA SF09 premika v dveh oseh in sicer po
azimutu ter po višini sonca. Sledenje trajektoriji sonca omogočata dva enosmerna motorja,
ki spreminjata azimut ploskve ter naklon (slika 3.1). To nam omogoča največji možni
izkoristek pri pretvorbi razpoložljive sončne energije, saj z dvoosnim sledenjem soncu ves
čas poskušamo zagotoviti vpad sončnih žarkov pod pravim kotom na fotonapetostne
module.
Na obravnavani sledilni sistem lahko pritrdimo največ 9m2 solarnih modulov (v
dimenzijah 3x3m), vendar smo mi uporabili le 3 module (dva polikristalna ter enega
monokristalnega).
Proizvajalec sledilnega sistema Feina SF09 trdi, da naj bi se proizvodnja električne
energije v primerjavi s fiksno postavljenimi sistemi povečala za 33 % letno. Pri tem bi naj
bilo povečanje poleti 50 % in pozimi 20 %. Te trditve bomo v naslednjih poglavjih vsaj
delno preverili.
.
Slika 3.1 Prikaz pomikanja sledilnega sistema FEiNA SF09
4
3.1 Programiranje krmilnega sistema sledilnika
Krmilnik sledilnega sistem FEiNA SF09 (slika 3.2) deluje tako, da ko enkrat vnesemo
parametre v krmilnik, ta začne slediti soncu po v naprej programirani trajektoriji.Vsakih X
minut (med 1 in 90, odvisno od našega vnosa) krmilnik izračuna pozicijo ter po potrebi
premakne sledilni sistem. Ko sonce zaide (naklon Sonca preko horizonta je takrat
negativen), se sledilnik obrne proti vzhodu in se postavi blizu obzorja (približno 80º glede
na vertikalo). Ko sonce vzhaja, se sledilni sistem vrne v skoraj navpični položaj. Od tega
trenutka dalje, opravlja normalno dnevno gibanje. [13]
Slika 3.2 Prikaz krmilnika sledilnega sistema
Najprej povežemo kabel številka 1 s 4 mm2 žico na spončnico znotraj škatle z elektronskim
sistemom krmilnika. Označena je z + in -, kjer sta pozitiven in negativen pol. Pri tem
moramo biti previdni, da ju ne obrnemo.
Če je razdalja med napajanjem (običajno baterijo) do sledilnega sistema krajša od 8
metrov, mora biti presek kabla 1 mm2. Če je med 8 in 22 metrov, namestimo kabel preseka
5
2,5 mm2 in če je dolžina od 22 do 40 metrov, potem se namesti kabel preseka 4 mm2.
Iz škatle z elektroniko prihajata dva kompleta kablov s priključki. Najkrajši kabel gre na
urni sistem, daljši kabel pa gre na motor nagiba.
Sedaj pritisnemo glavno stikalo in po dveh sekundah se na zaslonu prikaže naslednje:
14/05/03 10:21
LON: E001º52`25` '
LAT: N41º42`50``
Z drugimi besedami: dan, mesec, leto, ura in minuta.
Rdeči gumb (slika 3.2) uporabimo za nastavitev dneva. Vsakič, ko ga pritisnemo, se
številka poveča za eno enoto. Ko doseže 31 se ponastavi na 0. Ko je dan nastavljen,
nadaljujemo s črnim gumbom na naslednjo vrednost, ki jo je treba nastaviti: mesec.Pri tem
zopet povečujemo vrednost z rdečim gumbom in ko dosežemo željeni mesec, se s črnim
gumbom premaknemo v naslednji del, kjer spreminjamo leto. Ta postopek ponavljamo
tako dolgo, dokler niso vsi datumski in časovni podatki pravilni.
Pri tem moramo biti zgolj previdni na to, da nastavimo uro na univerzalen čas (UTC), ki za
našo zaostaja za 2 uri v poletnih mesecih ter 1 uro v drugih letnih časih. .
Po enakem postopku nastavimo zemljepisno dolžino in širino (slika 3.3). Dolžina: vzhod
(E) in zahod (W) ter za širine: severno (N) in južno (S).
Slika 3.3 Vnašanje parametrov v naš krmilni sistem
6
V vsakem trenutku se lahko premaknemo neposredno na naslednji zaslon zgolj z modrim
gumbom, če so podatki pravilni. Po izvedenih nastavitvah se prikaže sledeče:
1 01
Tilt axis
Black: vertical
Red: horizon.
Prva številka (1), ki se pojavi v zgornjem levem kotu, pomeni zgolj številko zaslona.Dva
enki ali ničli, ki pa se pojavita v zgornjem desnem kotu zaslona pa nas obveščata o stanju
obeh nasprotnih stikal. Prva številka označuje, če je aktiviran števec osi nagiba (inclination
counter), (1: povezana, 0: odklopljen). Druga številka pa označuje stanje urnega števca
(hourly counter).
Iz teh dveh številk izvemo, če katero stikalo ne deluje.
Z rdečim in črnim gumbom nastavimo položaj osi nagiba modulov dokler ne dosežemo
naklona, ki ustreza trenutnemu položaju sonca in zagotavlja pravokotni vpad sončnih
žarkov na modul. Pri tem mora biti sonce vidno.
Ponovno pritisnemo modri gumb in prikaže se naslednje:
2 01
Hourly axis
Black: east
Red: west
Številka, ki se nahaja v zgornjem levem kotu (2) nam zopet pove zgolj številko zaslona.
Drugi dve številki na zgornji desni strani zaslona pa nam prav tako kakor v prejšnjem
primeru povesta stanji stikal.
Z rdečim in črnim gumbom nastavljamo položaj urne osi (azimuta) dokler platforma ni
obrnjena proti soncu.
7
Nato vnesemo še vrednosti za solarni sistem senzorjev. S tem zagotovimo, da bo naš
solarni sistem obrnjen proti točki, iz katere prihaja največ sončne svetlobe. Tej nastavitvi
bo krmilni sistem omogočil prednost pred astronomskim programom.
Prikaže se nam naslednji zaslon:
HOR: 129
VER: 123
LLU: 085
Ko je platforma dobro osredotočena na Sonce, morata vrednosti HOR (horizontalne osi) in
VER (vertikalne osi) biti blizu 128. Vrednost LLU pomeni svetlobo. To je vrednost, ki po
našem mnenju velja za sončno vreme. Po privzetih nastavitvah ta vrednost znaša 76. Če je
dejanska vrednost svetlobe pod nastavljeno vrednostjo, solarni senzor ne deluje in sledilni
sistem obratuje v skladu z astronomskim program gibanja Sonca. S pritiskom na modri
gumb preidemo na normalno funkcijo zaslona, ki je ves čas aktivirana:
14/05/03 16:21
HOR: + 270º 0120
VER: + 022º 0001
00 00 120 243 01
Na tem zaslonu so prikazani: datum, ura in minuta. S pritiskom na črni gumb povečamo
minute ter s pritiskom na rdeči gumb jih zmanjšujemo.
Naslednja vrstica je urni položaj (azimut). 90º je, ko je sledilni sistem obrnjen proti
vzhodu, 180º je, ko je obrnjen proti jugu in 270º, ko je obrnjen proti zahodu.
V isti vrsti je prikazano število impulzov, ki jih odda merilnik položaja v tej osi od začetka
dneva. Po privzetih nastavitvah sledilnega sistema FEiNA SF09 je potrebno 267 pulzov, da
se opravi 180º premik.
Tretja vrsta je enaka drugi, vendar spremlja gibanje v navpični osi (VER). Vrednost za
navpično os (naklon) je 0 °, če je sledilni sistem postavljen povsem navpično in 90 ° če je
postavljen popolnoma vodoravno.
Številke prikazana v četrti vrsti so kontrolne številke. Zadnja številka prikazuje preostale
8
minute za izračun položaja sledilnega sistema in začne delovati, če je le možno.
S pritiskom na modri gumb se lahko vrnemo na prejšnja dva zaslona z nastavitvami
parametrov sistema za sledenje Soncu.
Podatke o geografski širini, ki smo jih potrebovali za programiranje sledilnega sistema smo
pridobili s pomočjo spletne strani Google Maps. Naš dejanski vnos geografske širine v
krmilnik je razviden tudi iz slike 3.3. Podatkov za solarni sistem senzorjev ni bilo potrebno
spreminjati zato smo jih pustili na privzetih nastavitvah.
9
4. SONČNI MODULI
Sončni moduli oz. fotonapetostni moduli, imenovani tudi fotovoltaični moduli, so osnovni
gradniki sončnih elektrarn. Sestavljeni so iz večjega števila sončnih celic. V komercialni
rabi največkrat zasledimo polikristalne, monokristalne ter amorfne fotonapetostne module.
V moji diplomski nalogi se bom predvsem posvetil monokristalnim in polikristalnim saj
sem z njimi tudi izvajal meritve.
4.1 Polikristalne celice
Prve fotonapetostne celice, ki so temeljile na polikristalnem siliciju, ki je prav tako znan
kot polisilicij (p-SI) in multi-kristalni silicij (mc-Si), so bile v komercialni rabi dosegljive
leta 1981. Za razliko od monokristalnih fotonapetostnih celic, polikristalni ne zahtevajo
Czochralskega procesa izdelave. Silicij se stali in se zlije v kvadratni kalup, ki se nato hladi
ter nareže na popolnoma kvadratne rezine (slika 4.1). [11]
Slika 4.1 Polikristalna fotonapetostna celica
Prednosti:
Postopek za izdelavo polikristalnega silicija je enostavnejši in bistveno cenejši.
Količina odpadkov silicija se v primerjavi z monokristalnimi celicami zmanjša.
Polikristalne fotonapetostne celice imajo po navadi nekoliko nižjo toplotno
toleranco od monokristalnih. To pomeni, da pri visokih temperaturah delujejo
nekoliko slabša kot monokristalne. Toplota lahko vpliva na delovanje
fotonapetostnih celic in jim tudi skrajša življenjsko dobo. Vendar pa je ta učinek
zelo majhen in večini uporabnikov ni potrebno skrbeti glede tega.
10
Slabosti:
Učinkovitost polikristalnih fotonapetostnih celic je običajno 13-16%. Zaradi nižje
čistosti silicija so polikristalne fotonapetostne celice manj učinkovite kot
monokristalne.
Manjša prostorska učinkovitost. Na splošno je treba pokriti večjo površino, da
dosežemo enako električno moč kot jo dobimo iz monokristalnih fotonapetostnih
celic. Vendar pa to ne pomeni, da vsaka monokristalna fotonapetostna celica
delujejo bolje kot tista, ki temelji na polikristalnem siliciju.
4.2 Monokristalne celice
Monokristalne fotonapetostne celice (slika 4.2) so narejene iz silicijevih kalupov, ki so
valjaste oblike. Za optimalno delovanje in nižanje stroškov proizvodnje posamezne
monokristalne celice se štiri stranice kalupov izrežejo in se dobijo silicijeve rezine. To tudi
da monokristalnim celicam značilno podobo. [11]
Slika 4.2 Monokristalna fotonapetostna celica
Prednosti:
Monokristalne fotonapetostne celice imajo najvišjo stopnjo izkoristka, saj so
narejene iz najvišje kakovosti silicija. Stopnje učinkovitosti modulov iz
monokristalnih fotonapetostnih celic so po navadi 15-20%, rekord učinkovitosti
pa trenutno drži kitajsko podjetje Trinasolar, saj so decembra 2015 z modulom
dimenzij 156x156 mm2 dosegli kar 22,13 % izkoristek [10].
11
Monokristalne silicijeve fotonapetostne celice so tudi prostorsko učinkovite.
Zaradi svojega visokega izkoristka potrebujejo najmanjši volumen v primerjavi z
vsemi drugimi vrstami. Monokristalne fotonapetostne celice proizvedejo do
štirikratno količino električne energije, ki jo proizvedejo tankoplastne sončne
fotonapetostne celice.
Monokristalne fotonapetostne celice imajo najdaljšo življenjsko dobo. Večina
proizvajalcev sončnih modulov zagotavlja 25-letno garancijo.
Po navadi se v slabših svetlobnih pogojih odrežejo bolje kot podobne polikristalne
fotonapetostne celice.
Slabosti:
Monokristalne fotonapetostne celice so najdražja vrsta komercialno uporabljenih
celic. S finančnega vidika so fotonapetostne celice, ki so izdelane iz
polikristalnega silicija, lahko boljša izbira za nekatere uporabnike.
Če so fotonapetostne celice delno pokrita z umazanijo ali snegom, se lahko
celotno vezje uniči. Pri tem je pametno razmisliti o uporabi mikro pretvornikov
namesto centralnih pretvornikov.
Za proizvodnjo monokristalnega silicija se uporablja proizvodni proces
Czochralski. Kot rezultat tega nastanejo veliki valjni kalupi in zaradi rezanja štirih
stranice le-teh konča znaten del proizvedenega silicija kot odpadek. [11]
Monokristalne fotonapetostne celice so bolj učinkoviti v toplem vremenu.
Izkoristek pada z dvigom temperature, vendar manj kot pri polikristalnih celicah.
12
5. UVOD V MERITVE
Učinkovitost (izkoristek) fotonapetostne celice (5.1) je definirana kot vršna moč Pmax (5.2),
ki jo celica proizvede (W), deljeno z gostoto moči obsevanja (W / m²) pri standardnih
testnih pogojih STC: 1000 W / m² in 25 ° C. .Tako je izkoristek fotonapetostne celice
odvisen od mnogih dejavnikov, kot sta na primer raven obsevanja in temperature. Pri tem
pa ne smemo pozabiti na polnilni faktor FF, ki je definiran s (5.3). Z njim vrednotimo
kakovost fotonapetostnih celic..
100 = MAX
rr
P
I A
(5.1)
Kjer je:
2 2
2
učinkovitost sončne celice ali modula %
sončno sevanje (v standardnih pogojih 1000W/m ) /
površina celice ali modula
Irr W m
A m
MAX MPP MPPP I U FF
(5.2)
Kjer je:
tok v točki največje moči A
napetost v točki največje moči V
faktor polnjenja
MPP
MPP
I
U
FF
MAX
SC OC
PFF
I U
(5.3)
Kjer je:
-kratkostični tok A
-napetost odprtih sponk V
SC
OC
I
U
13
Procesi proizvodnje običajno vodijo do razlik v električnih parametrih celo pri istih vrstah
celic. Poleg tega, če upoštevamo še izgube na povezavah celic ugotovimo, da je težko najti
dva identična fotonapetostna modula.
Po drugi strani pa so parametri, ki jih proizvajalci fotonapetostnih modulov navajajo,
merjeni pri STC. Ti pogoji pa se redko pojavljajo v praksi. Zato je ocena električnih
lastnosti modula ali polja težko izvedljiva in zahteva izvajanje meritev pri dejanskih
pogojih obratovanja, kjer vseh vplivnih parametrov ni mogoče zanesljivo napovedati in
ovrednotiti.
5.1 Vplivi na karakteristike fotonapetostnih celic
Teoretično ima vsak fotonapetostni modul več I-V karakteristik, ki so odvisne od
kombinacije zunanjih činiteljev. Glavni činitelji, ki vplivajo na karakteristike
fotonapetostnih modulov so temperatura celic (slika 5.1), moč sončnega sevanja (slika 5.2)
in faktor zračne mase [9].
Iz slike 5.1 vidimo, da modul izgublja napetost pri višanju temperature in posledično
zaradi Ohmovega zakona (5.4) tudi moč.
P U I (5.4)
Kjer je:
moč W
napetost V
tok A
P
U
I
14
Slika 5.1 Vpliv temperature na karakteristiko fotonapetostnega modula
Slika 5.2 Vpliv sončnega sevanja na karakteristiko solarne celice
15
Glede na navedeno, nam le merjenje I-V in P-V karakteristik omogoča ustrezno določitev
električnih parametrov fotonapetostnih modulov. Omenjene karakteristike so pomembne za
načrtovanje, namestitev in vzdrževanje sončnih elektrarn, uporabiti pa jih je mogoče tudi
za spremljanje kakovosti in procesa staranja modulov.
Glavne točke I-V in P-V karakteristik so tok kratkega stika (Isc) ali najvišji tok pri ničelni
napetosti in napetost odprtih sponk (Uoc) ali maksimalna napetost na ničelnem toku (slika
5.3).
Slika 5.3 Glavne točke karakteristik fotonapetostnih celic
Za vsako delovno točko I-V karakteristike, produkt toka in napetosti predstavlja
pripadajočo izhodno moč. Največjo moč Pmax vsakega fotonapetostnega generatorja
dosežemo tam, kjer je produkt toka in napetosti največji.
Osnovni princip določanja I-V karakteristik fotonapetostnih modulov temelji na meritvi
toka in napetosti med točko odprtih sponk UOC in točko kratkega stika ISC.
Pri tem lahko uporabimo več metod. [9]
metoda s spremenljivim uporom,
metoda kapacitivnega bremena,
metoda elektronske obremenitve,
metoda bipolarnega ojačevalca moči in
metodo štiri-kvadrantnega napajanja.
16
Pri izbiri merilne metode moramo upoštevati dejavnike kot so točnost, hitrost, enostavnost
uporabe in zanesljivost merilnega sistema.
Najpreprostejši način merjenja I-V karakteristik fotonapetostnih modulov je uporaba
spremenljivega upora. Vrednost upora se spreminja v progresivnih stopnjah od nič do
nekaj 10 k. Na tak način se zajamejo točke na I-V karakteristiki od točke kratkega stika
pa do odprtih sponk. Ta metoda temelji na principu merjenja napetosti in toka v vsakem
koraku.
5.1 Nabor fotonapetostnih modulov za izvedbo meritev
Za izvedbo meritev sem uporabil tri monokristalne in dvanajst polikristalnih
fotonapetostnih modulov slovenskega proizvajalca Bisol (slika 5.4). Od tega sta bila dva
polikristalna in en monokristalni modul nameščena na sledilnem sistemu FEiNA SF09.
Monokristalni moduli so bili tipa BISOL BMO-250, polikristalni pa tipa BMU-250
Premium.
Električne lastnosti monokristalnih modulov BISOL BMO-250 so podane v tabeli 5.1,
njihove temperaturne lastnosti v tabeli 5.2 in mehanske lastnosti v tabeli 5.3 [12].
Vse električne specifikacije za monokristalne module BISOL BMU-250 Premium so
podane v tabeli 5.4, temperaturne lastnosti v tabeli 5.5 in mehanske lastnosti v tabeli 5.6
[12].
17
Slika 5.4 Fotonapetostni sistem in označeni moduli s katerimi smo izvajali meritve
Tabela 5.1 Električne lastnosti monokristalnih modulov BISOL BMO-250 pri standardnih pogijih (STC) in pri
normalnih pogojih (NOCT).
Električne lastnosti:
STC (AM:1,5,
1000 W/m²,
temperatura
celic: 25ºC)
NOCT
(AM:1,5,
800 W/m²,
temperatura
celic: 44ºC)
Vršna moč PMPP [W] 250 185
Kratkostični tok ISC [A] 8,8 7,12
Napetost odprtih sponk UOC [V] 37,9 34,6
Tok vršne moči PMPP [W] 8,2 6,64
Napetost vršne moči UMPP [V] 30,5 27,8
Učinkovitost pretvorbe
celic C [%]
17,4
Učinkovitost pretvorbe modula M [%] 15,3
Toleranca izhodne moči [W] 0/+5
Najvišji reverzni tok [A] 18
Maksimalna sistemska napetost [V] 1.000
18
Tabela 5.2 Temperaturne lastnosti modulov BISOL BMO-250
Tabela 5.3 Mehanske lastnosti modulov BISOL BMO-250
Višina x širina x debelina [mm] 1,649 x 991 x 40
Masa [kg] 18,5
Fotovoltaične celice 60 serijsko vezanih,
156 mm x 156 mm
Električni priključki Tri obvodne diode,
združljivo z MC 4, IP 67 Cerfiticirana nominalna obremenitev 5,400 Pa
Tabela 5.4 Električne lastnosti polikristalnih modulov BISOL BMU-250 Premium pri standardnih pogijih (STC)
in pri normalnih pogojih (NOCT).
Temperaturni koeficient toka α +4,5 mA/ ºC
Temperaturni koeficient napetosti β -132 mV/ ºC
Temperaturni koeficient moči γ -0,39 %/ ºC
Temperaturni razpon -40 ºC do + 85ºC
Električne lastnosti:
STC (AM:1,5,
1000 W/m²,
temperatura
celic: 25ºC)
NOCT (AM:1,5,
800 W/m²,
temperatura celic:
44ºC)
Vršna moč PMPP [W] 250 185
Kratkostični tok ISC [A] 8,75 7,08
Napetost odprtih sponk UOC [V] 38,4 35,1
Tok vršne moči IMPP [A] 8,25 6,68
Napetost vršne moči UMPP [V] 30,3 27,7
Učinkovitost pretvorbe celic C[%] 17,1
19
Tabela 5.5 Temperaturne lastnosti modulov BISOL BMU-250 Premium
Temperaturni koeficient toka α +4,9 mA/ ºC
Temperaturni koeficient napetosti β -121 mV/ ºC
Temperaturni koeficient moči γ -0,35 %/ ºC
Temperaturni razpon -40 ºC do + 85ºC
Tabela 5.6 Mehanske lastnosti modulov BISOL BMU-250 Premium
Višina x širina x debelina [mm] 1,649 x 991 x 40
Masa [kg] 18,5
Sončne celice 60 serijsko vezanih,
156 mm x 156 mm
Električni priključki Tri obvodne diode, združljivo z MC 4, IP
67
Cerfiticirana nominalna obremenitev 5,400 Pa
5.2 Opis merilnika HT I-V 400
Za meritve fotonapetostnih modulov sem uporabil merilnik HT Italia I-V 400, ki ga kaže
slika 5.5. Ta merilnik omogoča merjenje toka, napetosti, moči in nam tudi prikaže
izmerjeno I-V karakteristiko.
Merilnik I-V 400 je idealna rešitev za redna vzdrževalna dela na fotonapetostnih sistemih,
saj je izjemno hiter in učinkovit pri odkrivanju morebitnih okvar modulov. Omogoča
izvajanje meritev na posameznem modulu in na celotnem fotonapetostnem sistemu do
maksimalne napetosti 1000V in toka 10A.
Učinkovitost pretvorbe
modula M[%]
15,3
Toleranca izhodne moči [W] 0/+5
Najvišji reverzni tok [A] 18
Maksimalna sistemska napetost [V] 1.000
20
Princip delovanja merilnika temelji na tem, da se izmerjeni podatki, ki jih dobimo pri
dejanskem izvajanju meritev (OPC) preračunajo po standardu IEC 60891[6] in se nato
pretvorijo na standardne pogoje (STC). To nam omogoča primerjavo s nazivnimi podatki,
ki jih podaja proizvajalec modulov. S primerjavo podanih vrednosti in rezultatov meritev
lahko enostavno opazimo kakšne kakovosti je merjeni modul.
Rezultate meritev je možno tudi shraniti v pomnilnik merilnika, prenesti na računalnik in
jih kasneje uporabiti za nadaljnjo obdelavo. Za obdelavo teh podatkov potrebujemo zgolj
računalniški program Topview.
Slika 5.5 Izvajanje meritev z merilnikom HT I-V 400
Da merilnik uspešno izvaja meritve, potrebujemo še:
Temperaturni senzor PT300N (slika 5.6), ki mora biti pritrjen na zadnji strani
fotonapetostnega modula. Pri izvajanju meritev moramo biti pazljivi na to, da se
temperatura senzorja ustali (to običajno traja nekaj minut)
Slika 5.6 Temperaturni senzor PT300N
21
Referenčno celico HT304 (slika 5.7), ki jo moramo pristaviti poleg merjenega
fotonapetostnega modula (mora ležati nagnjen pod enakim kotom kot je nagnjen
PV modul). Pri izvajanju meritev s HT304 moramo biti pazljivi, da izberemo
pravilni izhod, saj ima instrument en izhod za merjenje polikristalnega modula in
drugega za merjenje monokristalnega modula.
Slika 5.7 Referenčna celica HT304
Slika 5.8 Sprednja stran inštumenta HT I-V 400
23
6. REZULTATI MERITEV KARAKTERISTIK
FOTONAPETOSTNIH MODULOV Z MERILNIKOM I-
V 400
Najprej med seboj primerjamo posnete karakteristike fotonapetostnih modulov, ki so
nameščeni na sledilni sistem in tistih, ki so fiksno nameščeni. Iz tabele 6.1 je razvidno, da
sem meritev 204 opravil ob 11:27 na monokristalnem modulu in sicer na sledilnem
sistemu. Meritev 206 je bila opravljena ob 11:47 na monokristalnem modulu, ki je fiksno
nameščen. Posnete karakteristike (slika 6.1 in 6.2) so si med seboj zelo podobne, saj so bili
zunanji pogoji precej konstantni. Edino, kar morda izstopa je malenkost višja temperatura
modula pri danih OPC meritve številka 206. Ta modul je fiksno nameščen. Posledica tega
je vidno nižja napetost odprtih sponk UOC. Dodatno, na kar smo lahko pozorni, je le za
malenkost višja trenutna proizvodnja fotonapetostnega modula na sledilnem sistemu.
Razlog za to majhno razliko bi lahko bil čas opravljanja meritev. Obe karakteristiki sta bili
namreč posneti v času, ko je Sonce skoraj pravokotno glede na module, ki so nameščeni na
sledilnem sistemu in tudi glede na fiksno nameščene. Zaradi tega tudi ne prihaja do večjega
odstopanja med proizvodnjama.
Slika 6.1 Primerjava I-V karakteristik monokristalnih modulov (BISOL BMO-250): en je fiksno nameščen, drugi
pa je nameščen na sledilnem sistemu
24
Slika 6.2 Primerjava P-V karakteristik monokristalnih modulov (BISOL BMO-250): en je fiksno nameščen, drugi
pa je nameščen na sledilnem sistemu
Tabela 6.1 Primerjava rezultatov meritev monokristalnih modulov (BISOL BMO-250): eden je fiksno nameščen,
drugi pa je nameščen na sledilnem sistemu
Pmax Uoc Vmpp Impp Isc Irradiance
Module
Temp. FF alpha beta
Meas. 204 - BISOL250
MONO
5. 04. 2017 11:27
(-
14,07%)
204 Measures@OPC 183,21 33,99 26,18 7,00 7,62 901,00 44,50 71,00 0,03 -0,24
204 STC 214,83 35,78 27,85 7,71 8,39 1000,00 25,00 72,00 0,03 -0,24
204 Nominal 250,00 37,90 30,50 8,20 8,80 1000,00 25,00 75,00 0,03 -0,24
Meas. 206 - BISOL250
MONO
5. 04. 2017 11:47
(-
17,35%)
206 Measures@OPC 180,98 33,42 25,61 7,07 7,63 941,00 49,30 71,00 0,03 -0,24
206 STC 206,62 35,51 27,74 7,45 8,01 1000,00 25,00 73,00 0,03 -0,24
206 Nominal 250,00 37,90 30,50 8,20 8,80 1000,00 25,00 75,00 0,03 -0,24
25
V nadaljevanju je podana primerjava karakteristik polikristalnih modulov. Pri tem je eden
nameščen na sledilnem sistemu, drugi pa je fiksno nameščen. Iz tabele 6.2 je razvidno, da
sem meritev 205 opravil ob 11:35 na polikristalnem modulu, ki je nameščen na sledilnem
sistemu. Meritev 207 je bila opravljena ob 11:52 na fiksno nameščenem polikristalnem
modulu. Posnete karakteristike (sliki 6.3 in 6.4) so podobne, saj so bile izmerjene ob
podobnih pogojih.
Ponovno izstopa le malenkost višja temperatura modula pri danih OPC meritve številka
207 in posledično seveda nižja napetost odprtih sponk UOC. Ta modul je fiksno nameščen.
Kar se pa tiče proizvodnje v trenutku meritve teh dveh karakteristik, pa vidimo, da ima
modul, ki je nameščen na sledilnem sistemu kar za 13 W večjo proizvodnjo kakor fiksno
nameščen modul ob 11:52. Tako velika razlika ob času, ko je Sonce skoraj pravokotno na
oba modula pomeni, da polikristalni modul, ki se nahaja na sledilnem sistemu obratuje
bolje kot fiksno nameščen modul. Pri tem seveda ne smemo zanemariti 6ºC višje
temperature fiksno nameščenega modula, kar je dodaten vzrok za nižjo proizvodnjo.
Slika 6.3 Primerjava I-V karakteristik polikristalnih fotonapetostnih modulov (BISOL BMU-250 Premium): en je
nameščen na sledilnem sistemu drugi pa je fiksno nameščen
26
Slika 6.4 Primerjava P-V karakteristik polikristalnih fotonapetostnih modulov (BISOL BMU-250 Premium): en je
nameščen na sledilnem sistemu drugi pa je fiksno nameščen
Tabela 6.2 Primerjava rezultatov meritev polikristalnih fotonapetostnih modulov (BISOL BMU-250 Premium): en
je nameščen na sledilnem sistemu drugi pa je fiksno nameščen
Pmax Uoc Vmpp Impp Isc Irradiance
Module
Temp. FF alpha beta
Meas. 205 - BMU-250PREMIU
5. 04. 2017 11:35 (-3,37%)
205 Measures@OPC 220,67 34,65 27,25 8,10 8,76 981,00 44,30 73,00 0,06 -0,32
205 STC 241,58 36,74 29,58 8,17 8,82 1000,00 25,00 75,00 0,06 -0,32
205 Nominal 250,00 38,40 30,30 8,25 8,75 1000,00 25,00 74,00 0,06 -0,32
Meas. 207 - BMU-250PREMIU
5. 04. 2017 11:52 (-7,02%)
207 Measures@OPC 207,83 33,95 26,39 7,87 8,43 983,00 50,80 73,00 0,06 -0,32
207 STC 232,46 36,75 29,44 7,90 8,44 1000,00 25,00 75,00 0,06 -0,32
207 Nominal 250,00 38,40 30,30 8,25 8,75 1000,00 25,00 74,00 0,06 -0,32
27
6.1 Monokristalni modul številka 8 (fiksna namestitev)
Iz posnetih karakteristik (sliki 6.5 in 6.6 ) opazimo vidno razhajanje vršnih moči modula
med OPC in STC. V povprečju je vršna moč pri OPC približno 15 % manjša kot pri STC.
Izjema je meritev 228, kjer razlika znaša že skoraj 30 %. Temu botruje znatno zmanjšanje
sončnega sevanja v trenutku izvajanja meritve. Iz I-V karakteristike (slika 6.5) pa je prav
tako zelo lepo razvidno kakšen velik vpliv ima zmanjšanje sončnega sevanja na
kratkostičen tok ISC, saj se ta v našem primeru drastično zmanjša.
Pri meritvi 228 (tabela 6.3) opazimo, glede na druge meritve tega modula, poleg znižanja
vršne moči in nizkega kratkostičnega toka še povečano vrednost napetosti odprtih sponk
UOC. To povečanje UOC je posledica padca temperature na fotonapetostnih celicah
(temperatura se zmanjša za kar 10 stopinj). Sicer pa visoke temperature fotonapetostnih
celic poleg zmanjšanja napetosti odprtih sponk vplivajo še na povečanje kratkostičnega
toka ISC in na zmanjšanje vršne moči modula.
Slika 6.5 Primerjava I-V karakteristik fiksno nameščenega monokristalnega fotonapetostnega modula (BISOL
BMO-250) pri OPC in STC
28
Slika 6.6 Primerjava P-V karakteristik fiksno nameščenega monokristalnega fotonapetostnega modula (BISOL
BMO-250) pri OPC in STC
Tabela 6.3 Rezultati meritev fiksno nameščenega monokristalnega sončnega modula (BISOL BMO-250)
29
Iz izmerjenih vrednosti v tabeli 6.3 so njihove vrednosti preračunane na standardne testne
pogoje (1000W/m2, 25 ° C, AM: 1,5), ki kažejo, da modul deluje zelo slabo in je v
povprečju kar za 16 % slabši od nazivne moči podane s strani proizvajalca (250 W).
6.2 Polikristalni modul številka 9 (fiksna namestitev).
Iz posnetih karakteristik (sliki 6.7 in 6.8) se opazi razlika med vršnimi močmi modula pri
OPC in STC. V povprečju je vršna moč pri OPC približno 14 % manjša kot pri STC.
Pri izvajanju meritev na modulu številka 9 so bili dejanski pogoji (OPC) v treh od štirih
meritev precej konstantni in se zato tudi karakteristike pretirano ne razlikujejo. Edina
meritev, ki je nekoliko izstopala, je bila meritev številka 229 (tabela 6.4). Pri njej je viden
padec temperature na modulu za približno 10 stopinj in posledično zvišanje napetosti
odprtih sponk UOC. Podoben padec temperature smo zasledili na meritvi modula št. 8.
Slika 6.7 Primerjava I-V karakteristik fiksno nameščenega polikristalnega fotonapetostnega modula (BISOL
BMU-250 Premium) pri OPC in STC
30
Slika 6.8 Primerjava P-V karakteristik fiksno nameščenega polikristalnega fotonapetostnega modula (BISOL
BMU-250 Premium) pri OPC in STC
Tabela 6.4 Rezultati meritev fiksno nameščenega polikristalnega fotonapetostnega modula (BISOL BMU-250
Premium)
31
Iz dobljenih vrednosti in njihovega preračuna na standardne testne pogoje je razvidno, da
modul deluje dobro, in sicer povprečno le 5 % slabše od nazivne moči, podane s strani
proizvajalca.
6.3 Monokristalni modul številka 14 (na sledilnem sistemu)
Karakteristike (sliki 6.9 in 6.10), ki smo jih posneli na monokristalnem modulu številka 14
so me nekoliko presenetile. Glede na to, da se modul nahaja na sledilnem sistemu FeiNA
SF09 sem pričakoval, da bo deloval veliko bolje, vendar sem se motil. V povprečju je
njegova vršna moč pri OPC bila 12 % manjša kot pri STC in po preračunu v standardne
testne pogoje je razvidno, da modul obratuje 13,5 % slabše od nazivne moči, ki nam jo
podaja proizvajalec modula (tabela 6.5).
Slika 6.9 Primerjava I-V karakteristik monokristalnega fotonapetostnega modula (BISOL BMO-250),
nameščenega na sledilnem sistemu pri OPC in STC
32
Slika 6.10 Primerjava P-V karakteristik monokristalnega fotonapetostnega modula (BISOL BMO-250),
nameščenega na sledilnem sistemu pri OPC in STC
Tabela 6.5 Rezultati meritev monokristalnega fotonapetostnega modula (BISOL BMO-250), ki je nameščen na
sledilnem sistemu.
Delovanje modula lahko ocenimo kot slabo. Temu pripomore dejstvo, da se modul nahaja
na sledilnem sistemu in bi od njega pričakovali bistveno boljše rezultate kot od modulov,
ki so fiksno nameščeni. Med olajševalne okoliščine pa lahko prištejemo to, da smo obe
meritvi na tem modulu izvedli v času, ko je bilo sonce skoraj pravokotno na modul.
33
Zaradi tega dejstva, primerjava proizvodenj modulov na sledilnem sistemu in tistih, ki so
fiksno nameščeni v opazovanem časovnem intervalu ni smiselna. Pogoji OPC v katerih
sem izvedel obe meritvi so bili precej podobni STC, zato na karakteristikah (sliki 6.9 in
6.10) ni bistvenih odstopanj.
6.4 Polikristalni modul številka 15 (na sledilnem sistemu)
Prav tako kakor pri meritvi monokristalnega modula številka 14, sem bil nad rezultati
polikristalnega modula številka 15 rahlo presenečen. Ker se tudi ta modul nahaja na
sledilnem sistemu FeINA, sem si obetal boljše rezultate. Iz posnetih karakteristik (sliki
6.11 in 6.12) se opazi, da je bila moč sončnega sevanja v obeh meritvah približno enaka,
rahlo pa se je spremenila temperatura, saj se modul v drugi meritvi ohladi za 3ºC. To je
razvidno tudi iz tabele 6.6.
Slika 6.11 Primerjava I-V karakteristik polikristalnega fotonapetostnega modula (BISOL BMU-250 Premium),
nameščenega na sledilnem sistemu pri OPC in STC
34
Slika 6.12 Primerjava P-V karakteristik polikristalnega fotonapetostnega modula (BISOL BMU-250 Premium),
nameščenega na sledilnem sistemu pri OPC in STC
Tabela 6.6 Rezultati meritev polikristalnega fotonapetostnega modula (BISOL BMU-250 Premium), ki je
nameščen na sledilnem sistemu
V povprečju je bila vršna moč modula pri OPC 7% manjša kot pri STC. Po preračunu v
standardne testne pogoje je razvidno, da modul obratuje 4 % pod nazivno močjo, ki nam jo
podaja proizvajalec modula. Ta rezultat ni slab, vendar bi za modul, ki je pritrjen na
sledilni sistem, pričakoval še boljše rezultate.
Vsi rezultati meritev podani v poglavju 6 so bili izvedeni pod dejanskimi pogoji
obratovanja. Pri njih ni mogoče povsem izključiti dodatnih vplivnih faktorjev, kot je na
primer umazanija na površini modulov, ki bi lahko vplivala na dobljene rezultate.
35
7. PRIMERJAVA PROIZVODNJE ELEKTRIČNE
ENERGIJE FOTONAPETOSTNEGA SISTEMA
Za analiziranje proizvodnje fotonapetostnega sistema sem si izbral dan 17.3.2016, saj je
bilo vreme ta dan najbolj stabilno. Nebo je bilo jasno, skoraj popolnoma brez oblakov,
zato so podane primerjave proizvodnje fotonapetostnih modulov relevantne. Za vse
meritve sem uporabil fotonapetostne module proizvajalca BISOL (monokristalne: BISOL
BMO-250 in polikristalne: BISOL BMU-250 PREMIUM). Vse meritve so bile izvedene
na neočiščenih modulih, zato je izkoristek le-teh nekoliko manjši od vrednosti, podanih s
strani proizvajalca. Iz slike 7.1 je vidno, da ima največjo dnevno proizvodnjo polikristalni
modul, ki se nahaja na sledilnem sistemu (modul 15). Če vzamemo proizvodnjo tega
modula za 100 %, sledi da monokristalni modul, ki se prav tako nahaja na sledilnem
sistemu, proizvede le 92,5 % referenčne vrednosti. Fiksno nameščena modula pa imata
dosti nižjo proizvodnjo, in sicer monokristalni 71,3 % ter polikristalni 75,1 %.
Slika 7.1 Primerjava dnevne proizvodnje vseh štirih merjenih modulov
0
50
100
150
200
250
0:00 4:48 9:36 14:24 19:12
Pro
izve
de
na
mo
č [W
]
Čas
Primerjava dnevne proizvodnje modulov
Modul 14
Modul 15
Modul 8
Modul 9
36
7.1 Primerjava proizvodnje monokristalnega in polikristalnega modula na
sledilnem sistemu
V prvi primerjavi sem primerjal proizvodnji električne energije med modulom številka 14
(monokristalnim) in modulom številka 15 (polikristalnim) (slika 7.2) . Oba modula sta bila
nameščena na sledilni sistem FEiNA SF09.
Slika 7.2 Dnevna primerjava proizvodnje električne energije modula 14 (monokristalni modul BISOL BMO-250
na sledilnem sitemu) in modula 15 (polikristalni modul BISOL BMU-250 PREMIUM na sledilnem sistemu)
Iz primerjave je razvidno, da polikristalni modul deluje dosti bolje od monokristalnega.
Povprečna proizvodnja polikristalnega modula od 6:30 zjutraj pa do 17:30 popoldan je bila
153,7 W, medtem ko je bila povprečna proizvodnja monokristalnega modula v istem
časovnem obdobju zgolj 141,69 W. Z enostavnim izračunom ugotovimo, da polikristalni
modul številka 15 v povprečju deluje z 8 % večjo močjo od monokristalnega modula
številka 14.
0
50
100
150
200
250
0:00 2:24 4:48 7:12 9:36 12:00 14:24 16:48 19:12
Pro
izve
de
na
mo
č [W
]
Čas
Primerjava proizvodnje modula 14 in 15
Modul 14
Modul 15
37
7.2 Primerjava proizvodnje fiksno pritrjenega monokristalnega in
polikristalnega modula
V drugi primerjavi sem primerjal proizvodnji električne energije med modulom številka 8
(monokristalnim) in modulom številka 9 (polikristalnim) (slika 7.3) Oba modula sta bila
fiksno pritrjena.
Slika 7.3 Dnevna primerjava proizvodnje električne energije modula 8 (fiksno pritrjen monokristalni modul
BISOL BMO-250) in modula 9 (fiksno pritrjen polikristalni modul BISOL BMU-250 PREMIUM)
Iz primerjave je razvidno, da polikristalni modul deluje bolje od monokristalnega.
Povprečna proizvodnja polikristalnega modula od 6:30 zjutraj pa do 17:30 popoldan je bila
115,1 W, medtem ko je bila povprečna proizvodnja monokristalnega modula v istem
časovnem obdobju 109,23 W. Z izračunom ugotovimo, da polikristalni modul številka 9 v
povprečju deluje s 5,3 % večjo močjo kakor monokristalni modul številka 8.
0
50
100
150
200
250
0:00 2:24 4:48 7:12 9:36 12:00 14:24 16:48 19:12
Pro
izve
de
na
mo
č [W
]
Čas
Primerjava proizvodnje modula 8 in 9
Modul 8
Modul 9
38
7.3 Primerjava proizvodnje monokristalnega modula na sledilnem sistemu in
monokristalnega modula s fiksno namestitvijo
V tretji primerjavi sem primerjal proizvodnji električne energije med modulom številka 8
(monokristalnim) in modulom številka 14 (monokristalnim) (slika 7.4). Modul številka 8 je
bil fiksno nameščen, modul številka 14 pa je bil nameščen na sledilnem sistemu.
Slika 7.4 Dnevna primerjava proizvodnje električne energije modula 8 (fiksno nameščen monokristalni modul
BISOL BMO-250) in modula 14 (monokristalni modul BISOL BMO-250 na sledilnem sistemu)
Iz primerjave je razvidno, da modul, ki se nahaja na sledilnem sistemu proizvaja bistveno
večjo moč med 6:30 in 11:00. Po 11. uri se proizvodnja modula na sledilnem sistemu
približa proizvodnji fiksno nameščenega modula, saj se Sonce v časovnem intervalu od
11h do 13h nahaja približno pravokotno nad fiksno nameščenim modulom. Po 13.uri pa se
zopet opazi bistvena razlika v proizvodnji.
Povprečna proizvodnja monokristalnega modula na sledilnem sistemu v časovnem obdobju
od 6:30 do 17:30 znaša 141,69 W. Proizvodnja fiksno nameščenega modula pa povprečno
znaša le 109,23 W. Z izračunom ugotovimo, da monokristalni modul, ki se nahaja na
sledilnem sistemu, v povprečju proizvaja 29,7 % več moči kakor enak fiksno nameščen
modul.
0
50
100
150
200
250
0:00 4:48 9:36 14:24 19:12
Pro
izve
de
na
mo
č [W
]
Čas
Primerjava proizvodnje modula 8 in 14
Modul 8
Modul 14
39
7.4 Primerjava proizvodnje polikristalnega modula na sledilnem sistemu in
polikristalnega modula s fiksno namestitvijo
V četrti primerjavi sem primerjal proizvodnji električne energije med polikristalnima
moduloma številka 9 in številka 15 (polikristalnim) (slika 7.5). Modul številka 9 je bil
fiksno nameščen, modul številka 15 pa je bil nameščen na sledilnem sistemu.
Slika 7.5 Dnevna primerjava proizvodnje električne energije modula 9 (fiksno nameščen polikristalni modul
BISOL BMU-250 PREMIUM) in modula 15 (fiksno nameščen polikristalni modul BISOL BMU-250 PREMIUM)
Iz primerjave podanih rezultatov je razvidno, da se modula med seboj obnašata zelo
podobno kakor monokristalna modula v tretji primerjavi. Zopet je vidna največja razlika v
proizvodnji v časovnem obdobjem med 6:30 in 11:00 ter po 13.uri.
Povprečna proizvodnja polikristalnega modula na sledilnem sistemu v časovnem obdobju
od 6:30 do 17:30 je znašala 153,7 W. Proizvodnja enakega modula na fiksno nameščenem
sistemu pa je povprečno znaša le 115,1 W. Z izračunom ugotovimo, da polikristalni modul
nameščen na sledilnem sistemu v povprečju proizvaja za 33,5 % večjo moč kakor enak
fiksno nameščen modul.
0
50
100
150
200
250
0:00 4:48 9:36 14:24 19:12
Pro
izve
de
na
mo
č [W
]
Čas
Primerjava proizvodnje modula 9 in 15
Modul 9
Modul 15
40
8. SKLEP
Cilj moje diplomske naloge je bila analiza proizvodnje električne energije
fotonapetostnega sistema, ki se nahaja na strehi tehniških fakultet v Mariboru. Najprej sem
se seznanil s krmilnikom sledilnega sistema FEiNA SF09. Po podrobni preučitvi navodil
za uporabo se mi vnos parametrov v krmilnik ni zdel posebej zahteven in tudi večjih težav
pri tem nisem imel.
Naslednje je bilo na vrsti izvajanje meritev na sončnih modulih s pomočjo merilnika HT I-
V 400. Ta se uporablja za merjenje P-V in I-V karakteristik fotonapetostnih modulov. Pred
uporabo merilnika, smo morali vanj vnesti podatke o modulih na katerih smo izvajali
meritve. Vsi ti podatki so dosegljivi na spletni strani podjetja BISOL Group, d.o.o. , ki je
tudi proizvajalec merjenih modulov. Pri meritvah smo namreč uporabljali monokristalne
module tipa BISOL BMO-250 in polikristalne module tipa BISOL BMU-250 PREMIUM.
S pomočjo meritev smo ugotovili, da monokristalni moduli presenetljivo proizvajajo manj
električne energije kakor polikristalni moduli. To dejstvo je presenetljivo zato, ker smo
pričakovali ravno obratno, saj naj bi dražji monokristalni moduli imeli večji izkoristek
kakor polikristalni moduli.
Izvedli smo tudi primerjavo proizvodnje modulov pritrjenih na sledilni sistem FEiNA
SF09 in enakih modulov, ki so fiksno nameščeni. Proizvajalec sledilnega sistema FEiNA
SF09 v specifikacijah sledilnika namreč trdi, da moduli, ki so nameščeni na sledilni sistem
proizvajajo letno kar 33 % več električne energije kakor fiksno nameščeni moduli (do 20%
pozimi in do 50 % poleti). Ta trditev proizvajalca se je izkazala za resnično. Na osnovi
meritev dne 17.3.2016 smo ugotovili, da se z namestitvijo modula na sledilni sistem
povprečna moč, ki jo proizvaja modul, poveča za približno 30 % glede na enak, a fiksno
nameščen modul.
Največji problem pri izvajanju meritev mi je predstavljalo muhasto vreme. Zaradi prenizke
moči sončnega sevanja (pod 700 W/m2), nenadne pooblačitve in zaradi oblakov sem moral
izvajanje svojih meritev velikokrat ponoviti. Pri meritvah pa nisem upošteval vpliva
umazanije na površini modulov.
41
9. LITERATURA
[1] Tomas Markvart, Solar Electricty, Wiley, 2000.
[2] Ursula Eicker, Solar Technologies for buildings, Wiley, 2001.
[3] Roger Messenger, Jerry Ventre, Photovoltaic systems engineering, CRS Press, 2000.
[4] Sebastijan Seme, Optimalno sledenje fotonapetostnega sistema soncu ob upoštevanju
izgub pogonskega sklopa, doktorska disertacija, Univerza v Mariboru, 2011.
[5] Eduardo Lorenzo, Solar Electricity: Engineering of Photovoltaic Systems, Institute of
Solar Energy, Polytechnic University of Madrid, 1994.
[6] IEC 60891 Ed 2: Photovoltaic devices - Procedures for temperature and irradiance
corrections to measured I-V characteristics, International Electrotechnical Commission,
2009.
[7] Green, M. A., Solar Cells: Operating Principles, Technology and Practice, Bridge
Printery. University of New South Wales, 1992.
[8] E. Skoplaki, J.A. Palyvos, Operating temperature of photovoltaic modules: A survey of
pertinent correlation, Renewable Energy 34 (2009) 23–29.
[9] José Mário da Costa. Assessment of the IEC 60891 norm conversion methods under
outdoor test conditions. Lisbon: Faculty of Science - University of Lisbon, 2011.
[10] Trina Solar, Trina Solar Announces New Efficiency Record of 22.13% for Mono-
crystalline Silicon Solar Cell, Dostopno na:
http://ir.trinasolar.com/phoenix.zhtml?c=206405&p=irol-newsArticle&id=2122938 [16.12.2015]
[11] Lenardič Denis, Fotonapetostni sistemi: priročnik: gradniki, načrtovanja, namestitev
in vzdrževanja, druga razširjena in dopolnjena izdaja. Ljubljana: Agencija Poti, 2010.