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Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 28Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc.
13ª Aula: O Transistor Bipolar de Junção
Ao final desta aula você deverá estar apto a:
-Utilizar as expressões para as correntes do transistor na análisede problemas de polarização (determinação de Is e Vs)
-Desenhar a estrutura de um transistor MOS
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Reelembrando as Expressões para as Correntesem um Transistor Bipolar na Região Ativa
iC ISev BE /V T
iB
iC
IS
ev BE /VT
iE
iC
IS
ev BE /VT
Nota: Para o transistor pnp, substitua vBE por vEB
iC iE iB (1 )iE iE
1
iC iB iE ( 1)iB
1
1
VT = tensão térmica = kT/q 25 mV a temperatura ambiente
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TBE VSC eIi /v
TBE VSE eIi /v/
Um modelo para o Transistor NPN na região ativa
Modelo (npn) para grandes sinais na região ativa!
vBE
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Polarizando transistores bipolaresna região ativa
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Polarizando transistores bipolaresna região ativa
iC ISev BE /V T
iB
iC
IS
ev BE /VT
iE
iC
IS
ev BE /VT
Nota: Para o transistor pnp, substitua vBE por vEB
iC iE iB (1 )iE iE
1
iC iB iE ( 1)iB
1
1
VT = tensão térmica = kT/q 25 mV a temperatura ambiente
Tabela 4.2 RESUMO DAS RELAÇÕES CORRENTE–TENSÃOPARA O TBJ NO MODO ATIVO
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Figure 5.15 Circuit for Example 5.1.
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= 100Is? Vs?
Exercício 5.4: Considere o circuito mostrado na Figura 4.16(a), o qual estáredesenhado na Figura 4.16(b) para lembrar ao leitor da convenção empregada no decorrer deste livro para indicar as conexões das fontes cc. Desejamos analisaresse circuito para determinar todas as tensões nodais e correntes dos ramos. Vamos supor que é especificado com um valor de 100.
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= 100Is? Vs?
Exercício 5.4
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> 50Is? Vs?Exercício 5.5
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Exercício 5.5 > 50Is? Vs?
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Na região de saturação
TBE VSC eIi /v
BC ii BCE iii VVBE 7,0
Região Ativa
Região Saturação
B
CsatFORÇADO i
i
VVsatCE 2,0
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Na região de saturação
BCE iii VVBE 7,0
B
CsatFORÇADO i
i
VVsatCE 2,0
• Assuma inicialmente ativa (se ninguém falar nada)• Confira se ativa ou saturação• Se saturação, refaça, considerando as seguintes expressões:
0,7V 0,2V
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Na região de saturaçãoBCE iii VVBE 7,0
B
CsatFORÇADO i
i
VVsatCE 2,0
0,7V0,2V
iCsat
5,164,096,0
FORÇADO
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Adequando Modelos
modo ativo
TBE VSC eIi /v
TBE VSE eIi /v/
ISE
F
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Um Transistor npn Real
EB
C
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modo ativo (jBE dir poljBC rev pol)
modo inverso (jBE rev poljBC dir pol)
Incluindo a Assimetria do Transistor npn Realno modelo
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O modelo de Ebers-Moll (EM-npn)
Modelo para grandes sinais para todas as regiões!
Este é o modelo do SPICE!!!
Exercício: Qual o Modelo EM-pnp???
