Upload
others
View
6
Download
0
Embed Size (px)
Citation preview
I.
BAKALÁŘSKÁ PRÁCE
Procesorem spínaný, regulovatelný zdroj proudu
Autor práce: Evžen Vyroubal Vedoucí práce: Ing. Matouš Bartl Plzeň 2012
II.
III.
IV.
Abstrakt
Vyroubal, Evžen. Procesorem řízený spínaný regulovatelný zdroj
proudu. Plzeň, 2012. Návrh silového spínaného zdroje proudu, který je
dimenzován na výstupní proud 50[A].Volbou vysoké spínací frekvence je
zajištěn malý rozměr spínacího transformátoru, pro spínací tranzistory bylo
použito půlmůstkové zapojení, následné usměrnění pomocí dvoucestného
usměrňovače a filtrace výstupního signálu pasivním filtrem. Spínaný zdroj
je napájen z 12[V] baterie a slouží k napájení vyvíječe brownova plynu.
Klíčová slova Spínaný zdroj proudu, vodíkový booster, vysoký proud.
V.
Abstrakt
Vyroubal, Evžen. Microprocessor controlled switching adjustable
current source [Procesorem řízený spínaný regulovatelný zdroj proudu.]
Plzeň, 2012. Designing power switching current source which is dimension
for output current about 50[A]. By choosing high switching frequency is
guaranteed small dimension of switching transformaotr , for switching
transistors was used half-bridge connection. Next step is rectifying by two-
way rectifiers and filtration output signal by passive filter. Switching source
is powered by 12 [V] battery and it’s designed for device for production
Brown’s gas.
Keywords
Switching current source, burn water, high current.
VI.
Prohlášení
Předkládám tímto k posouzení a obhajobě bakalářskou práci, zpracovanou
na závěr studia na Fakultě elektrotechnické Západočeské univerzity v Plzni.
Prohlašuji, že jsem svou závěrečnou práci vypracoval samostatně
pod vedením vedoucího bakalářské práce a s použitím odborné literatury a
dalších informačních zdrojů, které jsou všechny citovány v práci a uvedeny
v seznamu literatury na konci práce. Jako autor uvedené bakalářské práce
dále prohlašuji, že v souvislosti s vytvořením této závěrečné práce jsem
neporušil autorská práva třetích osob, zejména jsem nezasáhl nedovoleným
způsobem do cizích autorských práv osobnostních a jsem si plně vědom
následků porušení ustanovení § 11 a následujících autorského zákona č.
121/2000 Sb., včetně možných trestně-právních důsledků vyplývajících z
ustanovení § 270 trestního zákona č. 40/2009 Sb.
Také prohlašuji, že veškerý software, použitý při řešení této diplomové
práce, je legální.
V Plzni dne . . . . . / . . . . . / 2012
Evžen Vyroubal
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Podpis
VII.
Obsah………………………………………………VII.
Seznam obrázk ů………………………………….IX.
Seznam symbol ů a vzorc ů……………………...X.
Úvod……………………………………………….XII.
1. Vodíkové boostery : …………………………..1.
1.1 Princip funkce …………………………..1.
1.2 Efektivita booster ů ……………………..1.
2. Zadané a požadované parametry SZP ……..2.
2.1 Popis zdroje ……………………………..3.
3. Postupný popis návrhu spínacího zdroje ...4.
3.1 Návrh Výkonového transformátoru …………...4.
3.2 Určení převodního pom ěru ……………………..5.
3.3 Výpočet počtu závit ů na primárním a ……….. 6. sekundárním vinutí transformátoru
3.4 Výpočet induk čnosti primárního vinutí ….......6. transformátoru:
3.5 Výpočet průřezu vodi čů a hloubky vniku ……7.
3.6 Návrh spínacího tranzistorového m ůstku ...…7.
3.6.1 Dimenzování spínacích tranzistor ů.8.
3.6.2 Ochrana spínacích prvk ů …………..8.
3.7 Návrh Usm ěrňovače ……………………………..9.
3.8 Návrh Induk čnosti ……………………………….10.
3.9 Návrh Chladícího systému …………………….11.
3.9.1 Výpočet chladi če ………………………..11.
3.10 Kondenzátorové baterie ………………………12.
VIII.
3.10.1 Vstupní kapacitní baterie ………………12.
3.10.2 Výstupní kapacitní baterie …………….13.
3.11 Řídící deska ……………………………………14.
4. Měření proud ů ………………………………….14.
5. Rozbor použitých sou částek ………………..15.
5.1 Mikroprocesor ………………………………….15.
5.2 Transformátor ………………………………….16.
5.3 Spínací tranzistory …………………………….17.
5.4 Usměrňovací diody ……………………………18.
5.5 Zdroje nap ětí pro IO …………………………..19.
6. Závěr ……………………………………………..20.
Reference a použitá literatura ………………….21.
A. Přílohy
A.1 El. Schéma zapojení řídící DPS
A.2 El. Schéma zapojení hlavní DPS
A.3 Osazovací schéma řídící DPS
A.4 Osazovací schéma hlavní DPS
IX.
Seznam obrázk ů
A.1 El. Schéma zapojení řídící DPS
A.2 El. Schéma zapojení hlavní DPS
A.3 Osazovací schéma řídící DPS
A.4 Osazovací schéma hlavní DPS
Seznam symbol ů, zanček a zkratek
SZP…………………………Spínaný zdroj proudu.
BP…………………………..Bakalářská práce.
V……………………..……..Volt, jednotka napětí.
A……………………………Ampér, jednotka proudu.
W…………………………...Watt, jednotka výkonu.
LC filtr……………………...Pasivní filtr typu dolní propust.
DPS…………………………Deska plošného spoje.
JTAG……………………….Programovací konektor mikroprocesoru.
PWM……………………….Pulzně-šířkoví-modulace.
ADC………………………...Analogově-digitální převodník.
Permeabilita µ ……………..Schopnost materiálu zmagnetizovat se [H/m].
T……………………………Perioda signálu.
B……………………………Magnetická indukce [T].
SMD......................................Součástky pro povrchovou montáž.
Zdroj………………………..Zdroj napětí.
Jádro transformátoru……….Vlastní feritové jádro.
Zátěž………………………..Impedance elektrolyzéru.
Skin efekt…………………...Způsob šíření proudu při vyšších frekvencích,
(povrchový jev).
MOS-FET tranzistor………..Polem řízený tranzistor.
Kondenzátor, kapacitor……..Akumulátor náboje.
X.
Indukčnost,cívka…………..Akumulátor magnetického pole.
Odpor kanálu…………........Ohmický odpor kanálu, je-li otevřen.
Hallova sonda……………....Bezkontaktní čidlo proudu.
Low-power……………........Nízko-energeticky náročné zařízení.
Sběrnic typu harvard………..Sběrnice se složitější instrukční sadou (PC).
Bočník……………………….Způsob zapojení impedancí pro rozdělení
proudu.
Driver………………………..Zdroj vysokého proudu ke spínání tranzistorů.
Doba zotavení diod………….Doba po kterou nelze diodu zatěžovat.
VB……………………..........Vodíkový BOOSTER, zařízení, které pomocí
obohacení palivové směsi vodíkem zlepšuje
účinnost spalovacího motoru.
Elektrolyzér…………………Zařízení, které je schopno oddělit vodík a
kyslík z H2O pomocí elektrického napětí.
Půl můstkové zapojení……...Zapojení dvou paralelních větví tranzistorů na
výstupy cívky s vyvedeným středem vedení.
Obdélníkový signál…………Signál ve tvaru digitální binární informace,
disponuje stavy 1 a 0.
Galvanické oddělení………..Propojení elektricky vodivých cest, cestou
elektricky nevodivou, bez větších ztrát na
spoji.
XI.
Seznam použitých vzorc ů
3.2.1 – Určení převodního poměru.
3.3.1 – Výpočet počtu závitů na transformátoru.
3.4.1 – Výpočet indukčnosti vinutí transformátoru.
3.4.2 – Výpočet rozkmitu proudu na primárním vinutí.
3.5.1 – Výpočet průřezu vodiče.
3.5.2 – Výpočet hloubky vniku.
3.8.1 – Výpočet indukčnosti cívky.
3.9.1 – Výpočet ztrátového výkonu pro chladič.
3.9.2 – Výpočet teploty pro dimenzování chladiče.
3.10.1.1 – Výpočet kapacity vstupní kapacitní baterie.
3.10.2.1 – Výpočet kapacity výstupní kondenzátorové baterie.
5.2.1 – Síla působící v transformátoru.
XII.
Úvod
V této bakalářské práci prezentuji problematiku návrhu a konstrukce
procesorem řízeného regulovatelného, spínaného zdroje proudu o výstupní
parametrech 12[V] / 50[A] / 700[W] . Charakterem se jedná o galvanicky
neoddělený spínaný zdroj proudu (dále jen SZP), který používá pro spínání
napětí do transformátoru půlmůstkové zapojení spínacích tranzistorů.
Pro usměrnění obdélníkového impulsního signálu je použit dvoucestný
usměrňovač, který je následován filtrem typu “LC“, který se skládá
z axiálně umístěné indukčnosti a radiálně umístěné kapacity, jenž tvoří
dolno-propustní filtr.
Cílem této bakalářské práce (dále jen BP), je vytvořit odpovídající zdroj pro
vyvíječ Brownova plynu (elektrolyzér), který se nejčastěji používá pro
obohacení palivové směsi v automobilových motorech, pro dosažení
vyššího výkonu vozidla, při současném snížení spotřeby paliva.
Ochranu součástek zapojení a ochranu uživatele zde provádí procesor
pomocí měření proudů a napětí, z čehož vyhodnocuje, je-li potřebné zavřít
spínací tranzistory, řízené pomocí PWM z mikroprocesoru.
Rešerše
Při porovnání této bakalářské práce s referenční bakalářskou prací,
“Spínaný laboratorní zdroj napětí“ [1] je patrné, že zařízení které bylo
navrhováno v referenční BP nedosahuje výkonů, které splňuje tato BP, s
čímž se pojí řešení problematiky dimenzace všech součástí SZP na příslušné
proudy. Dále se pak jedná v případě této BP o konkrétní, unikátní
specializaci SZP pro napájení z autoakumulátoru a obecně pro řešení do
automobilu, což vyžaduje větší mechanickou odolnost výsledného SZP.
Procesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal ___________________________________________________________________
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.1
1. Vodíkové boostery :
[2]Volným překladem, dle známé terminologie můžeme
interpretovat název BURN WATER jako „Vodíkové boostery“ jsou to
zařízení primárně určená pro montáž do vozidel, za účelem snížení spotřeby
paliva a zvýšení výkonu motoru. Vodíkové boostery (dále jen VB) také
prodlouží životnost motoru a zlepšení jeho emisní parametry k čemuž dojde
v důsledku přidání směsi vodíku a kyslíku do nasávaného vzduchu do
motoru, jenž napomáhá rozpouštět karbonové usazeniny v motoru vozidla.
V současné době jsou VB poměrně rozšířené, především v anglicky
mluvících zemích a existuje řada firem, které se touto problematikou
zabývají. Některé dodávají hotové vyvíječe s příslušenstvím, některé
obchodují se stavebnicovými sadami a za přijatelný poplatek poskytují
podrobný návod na výrobu, instalaci a provoz VB. Příkladem takové firmy
je Water4Gas
1.1 Princip funkce [3]
Podstatou činnosti zařízení je výroba vodíku, který následně obohatí směs
určenou ke spalování v motoru. Vodík se ve VB získává elektrolýzou vody
H2O. Ovšem na rozdíl od klasických elektrolyzérů neprodukují VB
elektrolýzou vznikající plyny, tedy vodík a kyslík, odděleně, ale směs těchto
plynů, která obsahuje na každé dva atomy vodíku jeden atom kyslíku. Této
směsi se obvykle říká Brownův plyn a označuje se značkou HHO, jedná se
o oxyhydrogen, směs vodíku a kyslíku navíc zvyšuje koncentraci kyslíku v
nasávaném vzduchu a zlepšuje tak spalování, a přispívá tak ke zvýšení
výkonu motoru.
1.2 Efektivita booster ů
Úvodem věnujme několik slov klasické námitce, že booster vyrábí vodík a
kyslík s použitím elektrického proudu generovaného jeho spalováním, a že
tedy případná úspora by byla porušením zákona o zachování energie. Zde je
třeba si uvědomit, že produkovaný Brownův plyn není spalován sám o sobě,
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.2
ale že přispívá k efektivitě spalování většího množství klasického paliva.
Projevuje se zde tedy multiplikační (zesilovací) efekt, kdy
energie spotřebovaná na vývin relativně malého množství Brownova plynu
je bohatě vyvážená ziskem z efektivnějšího spalování standardního
paliva.Výrobci boosterů a prodejci návodů obvykle uvádějí snížení spotřeby
paliva o 5 až 30%, tak vysoký rozptyl hodnot má opodstatnění ve způsobu
přípravy palivové směsi.
Moderní motory, ať již benzínové nebo naftové, nemají karburátor, který
udržuje do značné míry stabilní poměr množství nasávaného vzduchu a
množství přidávaného paliva.
V případě karburátoru platí jednoduchá úvaha snížení spotřeby, při zlepšení
kvality paliva, tedy při obohacení paliva HHO. Motor podává lepší výkon,
řidič proto není nucen příliš stláčet plynový pedál, tedy při stejně rychlé
jízdě spotřebuje méně paliva.
V případě modernějších motorů, kvalitní instalací boosteru dosáhnete
úspory paliva 5 až 30% (podle typu řídící jednotky). Zvýšení výkonu se u
těchto motorů dá kalibrovat přednastavením poměru vzduchu ave
výfukových plynech (tedy úpravou napětí z lambda sondy, pomocí zařízení
typu EFIE (Electronic Fuel Injection Enhancer, v překladu Elektronický
vylepšovač vstřikování paliva).
2. Zadané a požadované parametry SZP
- Výstupní výkon Pout = 700 [W];
- Vstupní napětí Uin = 10 ~12 [V];
- Výstupní napětí maximální Uoutmax = 0 ~ 40 [V];
- Výstupní proud maximální Ioutmax = 50 [A];
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.3
2.1 Popis zdroje
Zdroj je volen koncepčně jako galvanicky neoddělený, půlmůstkový
spínací zdroj. Spínaný zdroj proudu (dále jen SZP ) není nutné
galvanicky oddělovat, jelikož v celém zařízení pracujeme s poměrně
malým napětím, vzhledem ke spínací frekvenci 100KHz jsou zařízení
opatřena kapacitory na vstupech napájení, čímž zle zamezit kolísání
napájecího napětí, přičemž je věnována zvláštní pozornost řídící DPS
s procesorem.
SZP je napájen z autobaterie která dokáže krátkodobě dodat i teoreticky
maximální požadovaný proud cca. 220 [A] , na vstupu napájecího napětí
z autobaterie do SZP je připojena baterie kondenzátorů.
Vlastní SZP používá 4 MOS-FET tranzistory, které jsou zapojeny
v půlmůstkovém zapojení, konkrétně se jedná o paralelní zapojení vždy
dvou tranzistorů, což z ekonomických důvodů umožňuje použít levnější
součástky a snižuje tím proudové zatížení na plošné spoje.
Dále je SZP osazen masivním transformátorem, který zajišťuje omezení
výstupního napětí, přičemž jej primárně zesiluje. Transformátor
umožňuje oproti jiným součástkám transformovat velké množství
proudu, který je potřebný pro vodíkový booster.
Dalším funkčním blokem je dvoucestný usměrňovač , ve které jsou opět
paralelně zdvojeny diody pro ekonomičtější výrobu zařízení, podobně
jako u spínacích tranzistorů.
A relativně posledním funkčním blokem je pasivní filtr, typu dolní
propust, který se sestává ze tlumivky a výstupní baterie kapacitorů.
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.4
3. Postupný popis návrhu spínacího zdroje:
Návrh schémat řídící a hlavní silové desky, stejně tak jako osazovací schémata v přílohách
A.1 El. Schéma zapojení řídící DPS
A.2 El. Schéma zapojení hlavní DPS A.3 Osazovací schéma řídící DPS A.4 Osazovací schéma hlavní DPS
3.1 Návrh Výkonového transformátoru
Transformátor navrhujeme zejména pro spínací frekvenci f = 100
[KHz] a pro odolnost proti vysokému proudu na primární straně. Z tohoto
důvodu byla zvolena planární koncepce transformátoru, tedy konkrétně
z důvodu potřebných ploch vedení, vzhledem k přenášenému proudu.
Planární konstrukce transformátoru je provedena pomocí jednostranných
desek plošných spojů na kterých je vytvořen patřičný počet závitů, dle
návrhu transformátoru, jenž následuje. Plocha jednoho závitu, nebo lépe
šířka jednotlivých závitů je úměrná procházejícímu proudu při zohlednění
spínací frekvence 100KHz, přičemž je nutné započítat do návrhu skin-efekt.
Dalšímy parametry, které je nutné určit je za prvé převodový poměr, který
určuje maximální výstupní napětí SZP. Za druhé počet závitů na primárním
vinutí transformátoru z proudu jenž jím protéká a z parametrů jádra
transformátoru, pomocí převodového poměru přepočteme z počtu závitů na
primárním vinutí, počet závitů na sekundárním vinutí.
Za třetí určíme indukčnost prim. vinutí pomocí počtu závitů N1 a parametrů
jádra transformátoru, stejně tak určíme indukčnost sekundárního vinutí. Ze
známých indukčností následně určíme proudová zvlnění na primárním a
sekundárním vinutí, dále maximální proud který lze očekávat na výstupu
SZP ( který je vždy ponížen o ztráty vzniklé usměrněním a filtrací proudu ).
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.5
Z datasheetu k použitému transformátorovému jádru (ETD49) se zohlednily
provozní parametry, které jsou při odečítání hodnot jádra nezbytné pro
výpočty.
Vzhledem k předpokládanému maximálnímu proudu, který může protékat
primárním vinutím transformátoru, Iinmax cca 215[A], bylo primární vinutí
koncepčně rozděleno na 2 stejná vinutí, do kterých budou spínat proud 4
výkonové tranzistory v půl-můstkovém zapojení, čímž dojde k menšímu
zatížení primárního vinutí vzhledem k rozložení proudu do zmíněných dvou
vinutí a dále je možné zapojení realizovat s tranzistory, které jsou
dimenzovány na poměrně menší proudové hodnoty.
Sekundární vinutí je taktéž rozděleno na dvě stejné poloviny vzhledem
k navazujícímu dvoucestnému usměrňovači napětí, který pro svou činnost
vyžaduje vinutí s vyvedeným středem.
Pro praktickou realizaci transformátoru je dále důležitý průřez vodičů
jednotlivých cívek, přičemž je nutné při spínací frekvenci 100[KHz]
uvažovat i vznik skin efektu .
3.2 Určení převodního pom ěru :
Převodní poměr p určíme z podílu výstupního napětí ku vstupnímu
napětí, budeme uvažovat minimální Uin a maximální Uout, pro zajištění
požadovaných výstupních hodnot I při minimálním napětí Uin, možný
nárůst Uout přes stanovenou mez Uoutmax omezíme měřením Uout
v procesoru a následně omezíme šířku spínacího impulzu tranzistorů.
-][41040
minmax ===
Uin
Uoutp
(3.2.1)
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.6
3.3 Výpočet počtu závit ů na primárním a sekundárním vinutí transformátoru N1,N2
Zohledníme možnost maximální hodnoty vstupního napětí Uin
15[V], jelikož toto napětí zde může bát naměřeno, budeme-li uvažovat
za zdroj Uin autobaterii.
Výsledný počet závitů zaokrouhlíme na nejbližší vyšší celé číslo, čímž
vneseme do výpočtů a konstrukce jisté rezervy pro případné kolísání
hodnot součástek použitých ve výpočtech jakožto konstanty.
K nepřesnosti hodnot může dojít při teplotní závislosti, působením
okolního tepla či nedostatečném chlazení součástek.
V tomto kroku výpočtů je nutné zvolit spínací frekvenci tranzistorů v
půlmůstkovém zapojení, aby bylo možné určit hodnoty nutné pro
výpočty z datasheetů použitých součástek. Pro jádro transformátoru
ETD49(3F3) vyčteme z datasheetu následující hodnoty:
][114];/[1800
];[101
];[211];[2,0 2
mmlmHr
sf
TmmSTB
ef
ef
==
====
µ
µ
][8
][2)(
)))(((
)(
)(
12
1
ZNpN
ZSBd
TUinId
SBd
lIdN
=⋅=
≅⋅⋅⋅=
⋅⋅=
- Dále provedeme
3.4 Výpočet induk čnosti primárního vinutí na transformátoru
- s počtem závitů N dle vztahu :
][74,1602
Hl
SNL
ef
R µµµ =⋅⋅=
- Z indukčnosti je možné spočítat míru zvlnění proudu, který své
vlastnosti transformuje v nepřímém poměru na sekundární vinutí
transformátoru, což zavádí zvlnění proudu na výstupu SZP.∆I1 je zvlnění
proudu na primární cívce transformátoru a ∆I2 je zvlnění proudu na
sekundární cívce.
(3.3.1)
(3.4.1)
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.7
][035.1I][14,4 12
11 A
p
IA
L
UTI
N
INMAX =∆=∆=>=⋅∆=∆
3.5 Výpočet průřezu vodi čů a hloubky vniku
Při určování průřezu vodiče vyjdeme z předpokladu že pro proud jedné
ampéry postačí průřez vodiče 4mm2 , který zde pracovně označím „r“ :
Kde SVOD je průřez vodiče, SPRIM je průřez vodiče na primárním straně
transformátoru, SSEC je průřez vodiče na sekundární straně transformátoru,
IPROT je proudu protékající vodičem, IPRIM je proudu protékající vodičem na
primární straně transformátoru, ISEC je proudu protékající vodičem na
sekundární straně transformátoru.
][34,12
];[37,49][
2..
2..
2.
mmr
IS
mmr
ISmm
r
IS
SECSEC
PRIMPRIM
PROTVOD
==
===>=
Při určování hloubky vniku, tedy skin-efektu, neboli o kolik je nutné vodič
rozšířit, v tomto případě se rozšířením vodiče myslí rozšíření cesty na DPS,
aby splňovala podmínky pro přenos daného proudu, využijeme vztahu : kde
δ je hloubka vniku, a f je frekvence spínání tranzistorů v půl-můstkovém
zapojení 100 000 [Hz] potom platí.
][23,0100000
7575mm
f≅==δ
3.6 Návrh spínacího tranzistorového m ůstku
Vzhledem ke spínací frekvenci požadujeme u výkonových spínacích
tranzistorů co nejmenší odpor kanálu, přechodu source do drain, kde by při
vysoké hodnotě ohmického odporu moli vznikat nadbytečné tepelné ztráty
výkonu.
(3.4.2)
(3.5.1)
(3.5.2)
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.8
3.6.1 Dimenzování spínacích tranzistor ů
Jako spínací prvky (dále jen SP) budou použity tranzistory
typu MOSFET označení IRL 3803 pro 140A trvale procházející proud,
nicméně vzhledem k maximální možný hodnotám proudu, který se
teoreticky (při zanedbání veškerých ztrát, především tepelných navedení)
může vyskytnou na primární straně hlavního transformátoru, tedy hodnota
kolem 220A je nutné tranzistory seřadit paralelně, což pomůže rozložit
proudovou zátěž na jednotlivé tranzistory.
Pro rozložení proudů, je tedy nutné zdvojit půlmůstkové zapojení
tranzistorů, tedy i počet primárních vinutí. Z ekonomického hlediska jde o
úspornější řešení, které snižuje výsledné náklady na stavbu zařízení na úkor
větší složitosti z konstrukčního hlediska,
jelikož spínací tranzistory pro proudy 220A se pohybují cenově kolem
500Kč a více za kus a tranzistory pro 140A lze pořídit kolem 90Kč za kus,
dále bude zapojení dimenzováno s velkou rezervou na 280A přičemž
převodní poměr transformátoru umožňuje vznik maximálně 220A proudu na
primárním vinutí.
3.6.2 Ochrana spínacích prvk ů
Vedení které napájí primární vinutí transformátoru, musí být
minimálně dimenzované na příslušnou efektivní hodnotu procházejícího
proudu, což znamená rozšíření vodivých cest na desce plošného spoje, dále
jen DPS, to ovšem zvyšuje indukčnost hlavního silového vedení do primár.
vinutí transf.
Vzhledem k vysoké indukčnost jednak samotného silového vedení a také
vinutí na transformátoru, dochází k akumulaci proudu ve vedení, dále je
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.9
nutné uvažovat velkou vstupní kapacitu, která napájí transformátor, tyto
parametry vedení způsobují akumulaci energie především v transformátoru.
Akumulovaná energie je využita pro vlastní transformaci napětí a proudů,
ale vzhledem k tomu že vysoká indukčnost na prim. straně transf.
Neumožňuje rychlou změnu velikosti proudu, dochází především na
primární straně transf. k napěťovým špičkám s opačnou polaritou, nežli je
polarita napájení prim. vinutí při sepnutí SP,
které ohrožují samotné spínací prvky, tranzistory, tedy z důvodu ochrany SP
jsou v jejich těsné blízkosti umístěny RC články ( tlumiče ), které dokáží
pohltit přebytečnou energii, při krátkodobé maximální hodnotě napětí a
proudu, která se projevuje především při spínání spínacích prvků na
frekvenci 100 [KHz] .
Jako svodová ochrana proti přepětí na SP slouží rychlá schottkyho dioda,
zapojená paralelně se spínacím kanálem spínacího tranzistoru, proti
proudovým špičkám slouží jako omezení, právě RC články, tedy rezistor
dimenzovaný na příslušný výkon a rychlý, nejčastěji keramický kondezátor.
Rezistor spaluje energii kterou při rychlých spínacích maximech
naakumuluje kondensátor.
3.7 Návrh Usm ěrňovače [4]
Usměrňovač byl zvolen vzhledem k přenášeným proudů jako
dvoucestný usměrňovač sestavený ze schottkyho diod typu „MBR4060PT“
které jsou dimenzovány na 40 [A], disponují nízkými ztrátami a jsou
konstrukčně určeny pro větší spínací frekvence, neboli mají kratší dobu
zotavení.
Pro tento typ usměrňovače byl upraven návrh transformátoru, na vyvedený
střed vinutí na sekundární straně transformátoru. Pro proudovou odolnost
která je na výstupu SZP na 50 [A] jsou diody zapojeny paralelně v obou
větvích.
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.10
3.8 Návrh Induk čnosti [5]
Indukčnost na výstupu SZP je součástí pasivního dolno-propustního
filtru, který je složen z podélně zapojené indukčnosti (tlumivky) a příčně
(paralelně k výstupním svorkám SZP) připojené výstupní kondenzátorové
baterii.
Vzhledem k povaze výstupního napětí, tedy stejnosměrnému napětí není
nutné filtr dimenzovat na konkrétní frekvenci, stejně tak v žádné vyšší míře
neškodí vodíkovému boosteru vyšší harmonické frekvence, které se mohou
vyskytnou na výstupu SZP. Nicméně výstupní filtr je zde hlavně z důvodu
odstranění výstupních harmonických frekvencí a celkově pro vyhlazení
průběhu napětí na ideálně stejnosměrné napětí, čehož nelze dokonale
dosáhnout. Snahou je tedy nastavit hraniční frekvenci filtru na co nejnižší
hodnotu.
Výpočet indukčnosti a počtu závitů cívky (tlumivky), uvažujeme
dvojnásobek B vzhledem k výpočtu poloviční periody, která ovšem
dovoluje dimenzovat tlumivku na krajní hodnoty, nebo-li maximální výkon
SZP dosáhneme právě při 50% otevření tranzistorů v můstku.
][75515)2/( 66 VsdILeeTdUdT
dILU LL
LL ⋅==⋅=⋅=>= −−
][2552.243.13230.0
75
2 4
6
ze
e
SBd
LdIN
EF
≅=⋅
=⋅⋅= −
−
][57.34
3.1314.342.30
625
47
2
0
2
H
ee
eS
lN
L
r
µ
µµ
=
⋅⋅
=
⋅⋅
=
−−
−
][15__ln
],[52/__
]/[2000_
];[115.0B indukce Magnetická
[A];1__Pr
];[2,30__
];mm[3,13_průrůř Efektivní
.
2
VUvstupnííMaximá
sTperiodyPolovina
mHtaPermeabili
T
dIrozkmitoudový
mmldélkaEfektivní
S
MAXIN
r
EF
EF
==
==
==
=
µµ
(3.8.1)
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.11
3.9 Návrh Chladícího systému :
Chlazení zařízení je založeno na principu pasivního chlazení,
s doplněním o pomocné ochlazování cirkulací vzduchu kolem chladiče, za
pomoci elektrického ventilátoru, jde tedy o koncepci profilového masivního
hliníkového chladiče, umístěného pod silovou desku.
Chladič byl z praktických důvodů navrhnut dle plochy vlastní silové desky,
slouží tedy jako pevný nosič desky, která je zatížena váhou masivního
transformátoru a podpůrných součástek, dále toto výše popsané umístění
umožňuje připevnit přímo na chladič všechny prvky, které je třeba
ochlazovat, při jejich provozu, jedná se především o spínací tranzistory a
usměrňovací diody.
Vzhledem k tepelným ztrátám ( jouleovým ztrátám) na aktivních prvcích
bylo nutné použít masivní pasivní chladič, který je částečně a záměrně
naddimenzován a pro provoz s maximálním výkonem spínaného zdroje
navíc doplněn o již zmíněný elektrický ventilátor.
3.9.1 Výpočet vlastností chladi če chladi če
Pro výpočet je nutné získat hodnoty především tepelné odolnosti
všech chlazených prvků, nejlépe z datasheetů poskytovaných výrobci
součástek. Vzhledem k tomu že v tomto spínaném zdroji jsou necitlivější
právě spínací tranzistory, budeme uvažovat právě jejich hodnoty, které
reprezentují nejméně příznivé parametry všech chlazených prvků.
Potřebná je maximální teplota na čipu tMAXCHIP = 120°C, dále tepelná
rezistivita mezi čipem a casem RTEPELN.R.CHIP-CASE = 2°C/W, maximální
teplota okolí spínacího tranzistoru tMAX.OKOLÍ = 50~70 °C a , čas sepnutí
tranzistoru tRISE = 230 us, čas vypnutí tranzistoru tFALL = 35 us , UIN.MAX =
15V, IIN.MAX = 110 A , RPROP.KANÁLU.TRANZISTORU = 0,006 Ω v neposlední
řadě ztráty PCELKOVÉ = PPROPUSTNÉ + PSPÍNACÍ [W] ,
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.12
( ) WTTT
IUP FALLRISE
MAXINMAXINP 11
4ztráty Propustné .. ≅+⋅
⋅⋅= ;
se
U
TU
TMAXIN
EFMAXIN
ON µ75,140
6514,1422.
..
=−⋅=⋅
=
WT
t
T
tRIP ONON
S 13006,0110
ztráty Spínací22
≅⋅⋅=⋅⋅=
PCELKOVÉ = 11 + 13 = 24 [W/na 1 tranzistor]
Podobně stanovíme ztráty na diodě = 9 [W/na 1 diodu.]
Celkové ztráty jsou tedy P = 24+9 =33 [W]
Ze ztrát a zadaných katalogových parametrů, lze určit teplotu chladiče na
jednotku wattu a tak vybrat vhodný materiál. Určení provedeme
z následujících vztahů :
]/[33
4
33
5054
5466120
33
33
...
..
.
.
WCP
TTT
TTTT
CPRT
CPRT
MAXCHLADMINOKOLÍMAXMAX
CHLADIČCASECASECHIPCHIPMAXMAXCHLAD
CASECHIPTEPCHLADIČCASE
CASECHIPTEPCASECHIP
°=−=−
=∆
=−=−−=°=⋅=
°=⋅=
−−
−−
−−
3.10 Kondenzátorové baterie
3.10.1 Vstupní kapacitní baterie Vstupní kapacitory slouží v tomto zapojení SZP, jako omezení
odebíraných špičkových hodnot proudu přímo ze zdroje, při vlastním
spínání tranzistorů do primárního vinutí transformátoru.
Vzhledem k vysoké předpokládané kapacitě bude nutné kombinovat
elektrolytické a svitkové kondenzátory, tedy pro vysoké spínací frekvence,
(3.9.1)
(3.9.2)
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.13
v tomto případě 100[KHz], by bylo ideální použít keramické či pouze
svitkové kondenzátory,
nicméně vzhledem k potřebné vysoké kapacitě přibližně 550[µF], která je
způsobena velkým proudem Iinmax, je neekonomické používat výhradně
keramické kondenzátory, přestože jsou ideální pro vysokofrekvenční
aplikace.
Jedná se sério-paralelní zapojení kapacitorů. Celé zapojení musí být
správně dimenzováno, vůči proudu a napětí které se může vyskytnou na
zdroji, nebo na spotřebiči, jelikož se v podstatě jedná o zapojení
kondenzátorů paralelně ke zdroji a zátěži.
Vstupní kondenzátorová baterie se vypočte za vztahu pro velikost proudu na
kondenzátoru:
][5501
2205,2ItC
6C F
e
Ut
UCI
C
CC µ=⋅=
∆⋅∆==>
∆∆=
−
Vstupní kapacitní baterie je dimenzována na 220A, což představuje
maximální špičkovou hodnotu proudu , danou převodem transformátoru,
který je 1:4 , při maximálním odebíraném proudu na výstupu SZ, 50A.
3.10.2 Výstupní kapacitní baterie
Výstupní baterie je charakterem vlastností a zapojení analogická ke
vstupní kapacitní baterii. Rozdílem je především maximální proud 50[A],
který potřebnou výslednou kapacitu baterie snižuje. Obě kapacitní baterie
jsou složeny z elektrolytických kondenzátorů,
(3.10.1.1)
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.14
které vykazují lepší proudovou odolnost a vysoké kapacity, které je potřeba
uplatnit, nicméně v oblastech spínací frekvence kolem 100[KHz] tyto
kapacitory nedokáží dostatečně rychle dodávat potřebnou energii,
z toho důvodu jsou paralelně k elektrolytickým kondenzátorům zapojeny
fóliové kondenzátory, které mají podstatně menší kapacitu, ale mají
vysokou proudovou odolnost, nicméně dokáží velmi rychle pokrývat
skokové změny v odběru energie.
Vztah pro výpočet kapacity výstupní kondenzátorové baterie :
][1251
505,2 6
Fe
U
ItC C µ=⋅=
∆⋅∆=
−
3.11 Řídící deska
Jedná se o DPS, která je osazena procesorem značky „texas
instruments s.r.o“ a to typem TMS320F28015PZA, jedná se 32 bittový
procesor, dále zde najdeme ochrané kapacitory, krystaly pro frekvenční
referenci do procesoru, tlačítko pro resetování procesoru, konektor J-TAG
pro programování mikroprocesoru a pasivní filtry typu dolní propust.
4. Měření proud ů
[6]
Proud je měřen pro řízení spínání spínacích tranzistorů a z důvodu
ochrany součástek a uživatele zařízení.
Měření proudů na primárním i sekundárním vinutí transformátoru, je
vytvořeno pomocí obvodu „ACS712ELCTR30AT“, jedná se o proudovou
sondu, která ke své funkci vyžaduje pouze 5 [V] napájecího napětí a jeden
kondenzátor, přičemž je tato součástka dimenzována na měření proudů do
30 [A].
(3.10.2.1)
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.15
Pro měření v této aplikaci, byly stanoveny proudové bočníky, vzhledem k
v nízkému vnitřnímu odporu měřící sond proudu (1,2 mΩ), byl bočník
stanoven experimentální metodou, během které byl postupně odebírán
materiál na DPS, čímž byl postupně dosažen požadovaný poměr dělení
proudu do větví bočníku.
Výše zmíněným bočníkem jsme dosáhly použitelnosti této proudové sondy
pro aplikaci při měření do 220 [A] a do 60 [A]. Proudová sonda je přímo
připojena na měřící cestu, přičemž hallova sonda, která je uvnitř integrována
odolává do 2,1 [kV] průrazného napětí.
5. Rozbor použitých sou částek
5.1 Mikroprocesor [7] Pro řízení spínání tranzistorů zapojených ve zdvojeném půl-
můstkovém zapojení, dále pak pro zajištění zpracování naměřených dat
v podobě napětí na výstupu spínaného zdroje, taká pro zpracování
naměřených hodnot proudů,
jak na straně zdroje napětí spínaného zdroje, tak na výstupní straně ze SZP
byl zvolen procesor typu TMS320F28015PZA, který je bez větších
problémů schopen takovou to úlohu splnit.
Procesor je řazen mezi 32 bittové signálové procesory s flash pamětí,
procesor nese označení LOW-POWER, označující nízkou spotřebu
elektrické energie, konkrétně pro výpočetní jádro postačí 1,8V a pro ostatní
IO (integr. obvody ) postačí 3,3V. Také je možno pomocí nastavení
jednotlivých registrů vypínat funkce, které se případně při práci dlouhodobě
či dočasně nevyužívají, což opět snižuje spotřebu.
Technologie LOW-POWER je v těchto procesorech integrována
z jednoduchého důvodu, tedy použití procesorů těchto typů při bateriovém
napájení pomocí baterií typu „AA“ a „AAA“ , kde se chceme zbavit
závislosti na síťových rozvodech napájení v zařízeních o malých rozměrech,
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.16
kde požadujeme dlouhodobější funkci zařízení a je proto velmi žádoucí
maximálně snížit odběr všech součástí včetně procesoru. Při použití
například jedné baterie velikosti „AA“ je možné dosáhnout napětí 3,3V,
které mimo jiné procesor požaduje,
například zvyšovacím step-up měničem, jakým může být například produkt
společnosti texas instruments a.s TPS61220, k němuž postačí připojit 2
SMD rezistory a 2 SMD kondenzátory a zařízení je plně funkční přičemž
podporuje low-power technologii , i samotný step-up měnič je v SMD
pouzdru 6SC70 , jenž zabírá přibližně pouhých 0,5cm2 prostoru.
Procesor je schopen pracovat s cykly až 16,6 ns/ instrukci 60MHz, pracuje
se složitějším typem instrukční sady a řízení sběrnic typu „harvard“,
programovat lze pomocí rozhraní J-TAG, disponuje až 12-cti PWM
výstupy, 12-cti bitovým ADC převodníkem, 32KB flash paměti a třemi
časovači.
5.2 Transformátor [8]
V této aplikaci SZP je zvolen planární transformátor, jehož
konstrukce je popsána v sekci „výpočet transformátoru“, pro tuto
konstrukci bylo zvoleno jádro typ „E“ tedy s označením ETD49, kde 49
značí fyzickou velikost. Jádro je vyráběno z několika materiálů, jakými jsou
například 3C3 , 3C85 , 3C90 a 3F3 .
Porovnáním katalogových údajů došlo k výběru materiálu 3F3, který
nejlépe zachovává své parametry i při spínací frekvenci 100 [KHz], která
nám umožnila použití transformátoru menších rozměrů, je také dobře
teplotně odolný,
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.17
celkově vykazuje nižší ztráty při narůstajícím pracovním kmitočtu až do
400KHz a tím i při narůstající pracovní teplotě, která je způsobena ztrátami
na transformátoru.
Součástí transformátoru je dále „kostra“, která slouží ke spojení DPS spolu
se závity transformátoru, v konečném důsledku nese celou hmotnost
transformátoru a rozkládá ji na plochu DPS.
Neposlední částí jsou klipsy, které zajistí jádro na kostře proti pohybu,
v tomto okamžiku uvažujeme síly působící na závity a jádro transformátoru,
způsobené průtokem proudu cívkami a následujícím vytvoření
magnetického toku.
Jelikož je transformátor na tuto zátěž navrhnut a dimenzován, již od
výrobců jednotlivých komponent transformátoru, není nutné tuto okolnost
nadále přibližovat. Sílu působící v transformátoru lze spočítat ze vztahu.
Kde F je síla v [N], µ je permeabilita [H/m], π je konstanta s neukončeným
desetinným rozvojem = 3.14159 , I1 je proud cívky od které počítáme sílu,
I2 je proud cívkou ( nebo vodičem) ke kterému počítáme sílu, r je poloměr
vodiče od kterého počítáme sílu a l je vzdálenost mezi cívkami (vodiči).
][2 2
1 NlIr
IlIBF ⋅⋅
⋅⋅⋅=⋅⋅=π
µ
5.3 Spínací tranzistory - ve zdvojeném půl-můstkovém zapojení:
[9]
Pro tento SZP jsou zvoleny tranzistory typu IRL 3803, jedná se o
MOS-FET tranzistory dimenzované na provoz do 140 [A] v pouzdře TO220
AB, které je určené pro připojení na chladič.
(5.2.1)
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.18
Tyto tranzistory v sobě obsahují paralelně zapojenou, mezi source a drain,
blokovací rychlou schottkyho diodu, což je výhodné z ekonomického
hlediska, jednak z hlediska dalších investic za speciální schottkyho diody,
ale i z hlediska integrace do jednoho pouzdra.
Tranzistory disponují velmi dobrým odporem kanálu 0,006 Ω, což
umožňuje zvýšit dynamiku spínání, tedy je možné použít větší spínací
frekvence tranzistoru, což by u standardního tranzistoru MOS-FET nebylo
bez navýšení především jouleových ztrát, při přeměně energie na teplo,
možné.
Tranzistory jsou dimenzovány od výrobce pouze na 140 [A], což je
nedostatečné pro aplikaci s maximálním špičkovám proudem 220 [A],
z toho důvodu je zapojení půl-můstku provedeno dvojitě, což umožní
poměrné rozložení spínaných proudů do dvou větví dle dílčích odporů větví
a sníží se tímto i zátěž na jednotlivé tranzistory,
tedy při předimenzování - konkrétně na 280 [A], se prodlouží jejich
životnost, což je z uživatelského hlediska vítané.
5.4 Usměrňovací diody: - ve dvoucestném zapojení výstupního zesilovače SZP:
[10 ]
Jedná se o schottkyho bariérové diody, určené pro
vysokofrekvenční, LOW-POWER aplikace, dimenzované na 40 [A]
s nízkými propustnými ztrátami, mají podobně jako spínací tranzistory,
uzpůsobené pouzdro podobné TO220, pro odvod tepla na chladič,
zajímavostí je fakt že plocha pro odvod tepla není kovová (není výrazně
elektricky vodivá), tedy není nutná izolace mezi chladičem a diodou.
Uvnitř je zdvojená konstrukce diody, tedy jsou zde zapojeny 2 diody, které
lze na výstupu z pouzdra v obvodovém zapojení paralelně spojit a
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.19
dosáhnout tím možného propustného proudu 2 * 20 [A], v tomto zapojení
SZP je nutné použít tuto výše zmíněnou paralelní kombinaci a navíc provést
další paralelní kombinaci dvou diod, čím dosáhneme dimenzace na proudy
80 [A], původní maximální proud,
který může protékat diodou je stanoven jen na 40[A], nicméně celkově SZP
musí být schopen na svém výstupu dodat až 50[A], z tohoto důvodu je
zapojení zdvojeno, přičemž je toto zapojení ekonomicky výhodnější, než-li
diody které jsou dimenzované na přibližně 60[A],
navíc opět dojde k prodloužení životnosti nejvíce namáhaných součástek,
podobně jako tomu bylo u tranzistorů, vzhledem k tomu že nepracují na
svých krajních limitech, což je opět přívětivé pro koncového uživatele.
5.5 Zdroje nap ětí pro IO
Pro obsluhu SZP jsou použity celkem 3 zdroje napětí a 3 drivery,
Nejprve zdroj 5 [V] „78L05“ pro napájení integrovaných obvodů, například
pro sondy proudu, referenční zdroj 3,3 [V] „REF3233“ pro mikroprocesor
na řídící desce ( pro obsluhu periferii a převodníků ),
dále pomocí napěťového děliče i 1,8 [V] , které jsou použity opět pro
procesor, pro výpočetní jednotku, toto napětí je dále filtrováno dolno-
propustním filtre typu LC, a dále je jemně stabilizováno v mikroprocesoru.
V neposlední řadě jsou zde tzvn. Drivery, tedy zdroje které na podmět
procesoru sepnout spínací tranzistory a podobně, jejich hlavní výhodou je
schopnost dodat vyšší proud, než-li je možné odebírat z mikroprocesoru,
čímž umožňují rychlejší spínání tranzistorů.
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.20
6. Závěr :
Vzhledem k tomu, že doposud není plně zprovozněna DPS pro SZP,
v této BP není zahrnuto měření na výkonové hranici, které je zadáno
v zadání BP.
Ohledně budoucího rozvoje tohoto projektu, se může jednat zejména o
rozšíření funkcí SZP například o informační display, nebo o software, který
by mohl pracovat jednak jako monitorovací stanice stavu a provozu SZP a
za druhé jako jeho nastavování pomocí sériové linky.
Dále by SZP mohl být doplněn o více ochranných prvků, proti
předimenzování součástek či pro větší bezpečnost uživatele, zejména o
prvky nezávislé na práci mikroprocesoru. Také připadá v úvahu použití více
měřících funkcí, jako jsou například teplota transformátoru, či napětí na
vstupu. Aplikace aktivního chlazení ventilátory by pomohla například zvýšit
životnost SZP jako celku. Popřípadě aplikovat na úkor větší ceny účinnější
výstupní filtr napětí a proudu.
Zdroj byl navrhován s ohledem na ekonomickou stránku jeho vlastní
výroby, nicméně některé z výše zmíněních rozšíření nevyžadují
nepřiměřené investice. V dalším rozvoji by bylo vhodné při návrhu více
adaptovat součástky pro použití v automobilu (kde jsou vystaveny
extrémním teplotám a vlhkosti).
Mikroprocesorem spínaný zdroj proudu Evžen Vyroubal
Str.21
Použitá literatura a ostatní zdroje [1] DIVÍLEK, Petr. Bakalářská práce, Spínaný laboratorní zdroj napětí. Brno, 2010. [http://www.vutbr.cz/www_base/zav_prace_soubor_verejne.php?file_id=31057 ; 30.05.12-13:00h-UTC+1]
[2] Vodíkový BOOSTER, [http://www.water4gas.com/home.php ; 30.05.12-12:00hUTC+1].
[3] Princip funkce vodíkového boosteru, [http://www.energocont.cz/AZEboostry.htm ; 30.05.12-12:00hUTC+1]
[4] Schottkyho dioda do usměrňovače-datasheet, [http://www.farnell.com/datasheets/64471.pdf ; 1.6.12-11:00h-UTC+1] [5] Feritové jádro cívky-datasheet, [http://www.ges.cz/cz/feritove-toroidni-jadro-ft-50-77-GES05500030.html ; 1.6.12-11:00h-UTC+1] [6] Sonda proudu-datasheet, [http://www.farnell.com/datasheets/87691.pdf ; 1.6.12-11:00h-UTC+1] [7] Mikroprocesor TMS -datasheet, [zdroj:
http://www.ti.com/product/tms320f28015#feature ; 29.05.12-
16:00h.UTC+1]
[8] Jádro a kostra transformátoru-datasheety, [
http://www.tme.eu/dok/e/etd49.pdf ;29.05.12.16:00h.UTC+1]- JÁDRO
[ http://www.tme.eu/html/CZ/kostry-a-prislusenstvi-pro-jadra-
etd/ramka_810_CZ_pelny.html ;29.05.12.16:00h.UTC+1]- KOSTRA
[9] Spínací tranzistory - datasheet, [http://www.tme.eu/dok/I/irl3803.pdf
;29.05.12.16:00h.UTC+1]
[10] Usměrňovací dioda -datasheet, [http://www.datasheetcatalog.org/datasheet2/a/0sdqwa00h2y1dkkptg1rkrfh7
Teoretické části práce byly inspirovány, literaturou:
Krejčiřík Alexander: Napájecí zdroje I. - základní zapojení spínaných napájecích zdrojů, 2. vydání, BEN, 1996
Pro vypracování této BP byl použit software microsoft office 2003 a program Eagle v obou případech se školní licencí Západočeské univerzity v plzni.