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第四章 放大电路的频率响应
频率特性概述
晶体管的高频等效模型
共射组态放大电路的频率响应
多级放大电路的频率响应
1、幅频特性、相频特性
(ω)j(ω)eA(jω)A
(ω)A
(ω)
幅频特性
相频特性频率响应
频率响应:放大电路增益与输入信号频率之间的关系。
起因:放大电路中存在的耦合电容、旁路电容,晶体管的极间电容等电抗元件。
4.1 概 述
1)低频段(f<fL)
耦合电容引起的低频响应。
在集成电路中大多采用直接耦合,因此fL0。
2)中频段(fL<f<fH)
所有电抗元件都不起作用,
放大电路为纯阻网络。增益与频率无关。
3)高频段(f>fH)
晶体管结电容引起的高频
响应。
A(f)
(f)
f
f
Am0.707Am
通频带
fL fH
fLfH
低频区 中频区
高频区
中频增益
下限截止频率
上限截止频率
3dB频率
放大电路的类型
fH fH
fL
fL
低通放大电路 带通放大电路
高通放大电路 带阻放大电路
要不失真放大信号,放大电路的通频带必须大于输入信号的频率范围
2、放大电路的传输函数及波特图
传输函数:放大电路的输出与输入之间的关系,一般为增益
波特图:用来表示放大电路频率响应的图形方法
放大电路iU oUiI oI
i
ou U
UA
电压增益或电
压传输函数
iA
uiA iuA
都为频率相关函数
a) 传输函数
A(jω) 传输函数
(ω)jA(ω)eA(jω)
)(lg20))(( AdBA
)(A
(ω)
幅频
相频
传输函数放大电路
利用传输函数来定量分析放大电路的频率特性
正弦稳态分析
b) 波特图
用半对数坐标来图形表示放大电路的频率特性
波特图纵坐标(增益幅度、相移) 等分刻度
横坐标(频率) 对数坐标 101、102、103等间距刻度
w
A(w)(dB)
101 102 103 1040
10
20
w
(w)
101 102 103 1040
45
90
优点:能够表示较宽的频率范围
定性分析
波特图放大电路
传输函数
获得波特图的途径:
放大电路频率响应分析:
从放大电路得到传输函数
从传输函数得到波特图
从波特图可以定性了解放大电路的频率特性,包括截
止频率,带宽等频率指标
从传输函数可以得到定量结果
lgfA(ω)(dB) ~
c) 渐近波特图
用折线来近似逼近波特图来简化系统的波特图。
例1:
pω
jω1
1
jωRC1
1A(jω)
Ui Uo
RC
1ωp
幅频特性2
p)(ω/ω11/A(ω)
幅频当<< p时,A()1, A()(dB)=0
当>> p时,A() p/, A()(dB) =20lg( p/)
pω
jω1
1
jωRC1
1A(jω)
w
A(w)(dB)
p0.1p 10p
20lgAI
20lgAI-20
1
<< p
>> p实际曲线
近似折线
转角角频率
斜率为-20dB/十倍频
0.707
2πfH
w
p0.1p 10p
-90
-45
)ω
ω(tg(ω)
p
1A
相频
当<< 0.1p时,()0
当>>10 p时, ()-90°
当0.1 p <<10 p时, ()
近似折线 斜率为-45o/十倍频
低通电路
fL=0
fH=1/(2 πRC)
带宽:1/(2 πRC)
渐近波特图
例2:
j1
1
RCj
11
1A(jω)
z
Ui Uo
RC
1ωz
幅频特性
幅频当<< z时,A() /z, A()(dB)=20lg(/z)
当>> z时,A()1, A()(dB) 0
2z/ω)(ω11/A(ω)
j1
1
RCj
11
1A(jω)
z
z0.1z 10z
10.707
转角角频率,2πfL
斜率为20dB/十倍频
相频特性
w
z0.1z 10z
90
45
)ω
ω(tg(ω) z1
A
当<< 0.1z时,() 90°
当>>10 z时, ()0
当0.1 z <<10 z时, ()
高通电路
fH=无穷
fL=1/(2 πRC)
渐近波特图
斜率为-45o/十倍频
)ω)...(jωω)(jωω(jω
)ω)...(jωω)(jωω(jωHA(jω)
pnp2p1
zmz2z10
d. 任意传输函数的渐近波特图
幅频
相频
2n
221
2
2m
221
20
pω20lg...pω20lg
zω20lg...zω20lg20lgH
20lgA(ω)A(ω)(dB)
)p
ω(tg...)
p
ω(tg
)z
ω(tg...)
z
ω(tg(ω)
n
1
1
1
m
1
1
1A
总波特图 :传输函数中各个因子的子波特图的叠加
初始幅频
)...ωωω
...ωωω20lg(H
pnp2p1
zmz2z10
幅频特性波特图:从初始幅频出发,每碰到一个转
角频率,曲线斜率改变,改变方式:如果转角频率是分子上的,则斜率增加20dB/十倍频,如果位于分母,则斜率减小20dB/十倍频。
相频特性波特图:从0度水平线出发,经过0.1wp1后,
斜率开始改变,改变的斜率取决于各因子之间的频率间距,也即重叠情况,有几段重叠,以及正负情况,进行相加。
初始相频
0
如果wz或wp是0,则不要去乘或除。
4.2 晶体管的高频等效模型
1、密勒定理及单向化近似模型
U1 U2
Y(j)
网络 U1 U2
Y1(j) Y2(j)网络
A(jω)][1Y(jω)(jω)Y1
]A(jω)1[1Y(jω)(jω)Y2
A(jω)包含Y(j)在内的传输函数
A(j ) A(j )
beU
bI
ebr ' bIcer
ceU
cI'bbrb'
ebU '
低频h参数模型
2、晶体管高频等效电路模型
beU
bI
ebr 'ebmUg '
cer
ceU
cI'bbrb'
ebU '
eb'
m r
βg
beU
bI
ebr '
ebmUg '
cerceU
cI
C
Cb'
beU
bI
ebr '
ebmUg '
ceU
cI
C
C
高频模型
考虑BC和BE两个PN结的电容效应后得到的等效模型。在低频H参数模型的基础上增加了BC和BE间的电容。在低频时与H参数模型一致。称为混合π模型。
单向化模型(简化)
beU
bI
ebr '
ebmUg '
ceU
cI
Ct
'bbr b'
πμπt CDC)A(1CC
eb'
ce
U
UA
D:密勒效应倍增因子
用于高频分析
3、电流放大倍数的频率特性
低频时为常数,高频时与频率有关
beU
bI
ebr '
ebmUg '
ceU
cI
C
C
0Ub
c
ceI
Iβ
)C(Cjωr1
rgβ
μπeb'
eb'm
令: ebmrg '0 )(
1
' CCr eb
β
0
ω
ωj1
ββ
: 上限角频率
波特图
w
A(w)(dB)
20lg0
T
w0.1 10
-90
-45
T:特征角频率(()下降为1或0dB时所对应的角频率),即晶体管丧失电流放大能力时所对应的频率。
μπ
mβ0T CC
gωβω
从此式可以求得Cπ的值
的频率特性
j
1
0
其中:
0
00 1
)1( 0
0T
T
晶体三极管的频率特性:
频率越高,晶体管的极间电容效应越强,因此高频时需要考虑这些电容,分析放大电路时,需用高频等效电路模型
频率较低时,BE间电容,BC间电容相当于开路,此时用低频等效电路模型进行分析。
β参数也是频率相关函数,具有低通频率特性。
低频模型
4、场效应管高频等效电路模型
d
s
g
gsU
gsmUg
rds
高频模型
4.3 晶体管放大电路的频率响应
beU
bI
ebr '
ebmUg '
ceU
cI
Ct
'bbr b'VCC
us
Rc
uoRs
C1
Rb1
Rb2 Re CE
C2
RL
影响频率特性的参数:耦合电容C1,C2, 旁路电容CE,极间电容Ct。
耦合电容和旁路电路在低频时产生影响
极间电容在高频时产生影响
1)中频段---中频增益,输入电阻、输出电阻
iUebr '
ebmUg '
oU
'bbr b'
RcRL
Rb
Rs
sU
be
Lceb'm
is
i
i
is
eb'
beeb'
Lceb'm
s
ousm r
)//R(Rrg
RR
R
R
RR
r
rU
)//R(RUg
U
UA
bebi //rRR co RR
耦合电容、旁路电容相当于短路,极间电容相当于开路,此时放大电路为纯阻网络
等效电路
具有固定增益和稳定相移(180o)
2)低频段—低频增益、输入电阻、输出电阻,下限频率
iU
ebr 'ebmUg '
oU
'bbr b'
Rc
RLRb
Rs
sU
C1
Re CE
C2
1is
usmbe
Lceb'm
1is
i
s
ousl
)CR(R
1jω
jωA
r
)//R(Rrg
jωC
1RR
R
U
UA
1. 只考虑C1
1C11isp1 CR
1
)CR(R
1ω
Ri: 放大器输入电阻
RC1: C1两端的等效电阻
极间电容开路
耦合电容、旁路电容产生影响
2oL
usms
ousl
)CR(R
1jω
jωA
U
UA
2. 只考虑C2
2C22Lop 2 CR
1
)CR(R
1ω
Ro: 放大器输出电阻
RC2: C2两端的等效电阻
3. 只考虑CE
ECeE
bebse
p3 CR
1
)Cβ1
r//RR//(R
1ω
RCe: Ce两端的等效电阻
4. 当三个电容同时存在时
1)互相不影响(差别较大时)
下限频率为wp1,wp2和wp3中 大者,一般为由Ce确定的值。
2)互相影响
p32
p22
p12
L ωωωω 1.1
在低频段,具有高通特性,频率越低,电压增益越小,得到下限截止频率
3)高频增益—高频增益、输入电阻、输出电阻,上限频率
iUebr '
ebmUg '
oU
'bbr b'
RcRL
Rb
Rs
sU
Ct
tsusmLcm
ts
t
be
eb
is
iush CRjω1
1A)]//R(Rg[
jωC
1R
jωC
1
r
r
RR
RA
ebmUg '
oU
sR
RcRL
sU Ct
tsH CR
1ω
在高频段,具有低通特性,频率越
高,电压增益越小,得到上限截止频率
4)增益频率特性
w
Aus(w)(dB)
L
20lg|Ausm|
H
wL
H
-270 �
-225 �
-135 �
-90 �
tsH CR
1ω
1ω
ωj
ω
ωj
ω
ωj1
1AA
L
L
H
usmus
p32
p22
p12
L ωωωω
-20dB/十倍频
20dB/十倍频
?
共射组态放大电路的频率响应
对于一个放大电路,通过分析中频增益,下限频率和上限频率可以大致知道放大电路的频率特性。
1C11isp1 CR
1
)CR(R
1ω
2C 22Lop 2 CR
1
)CR(R
1ω
ECeE
bebse
p3 CR
1
)Cβ1
r//RR//(R
1ω
tbsbb'eb'tsH )]C//RR//(r[r
1
CR
1ω
通过改变ωp和ωH的值来展宽带宽
1)降低下限频率:增大耦合电容及等效电阻,或采用直接耦合方式
2)增大上限频率:
选择器件:结电容小
rbb’小
外参数Rs要小,采用
恒压源
增益带宽积(GBW)
GBW=|Ausmfbw|
be
Lceb'm
is
iusm r
)//R(Rrg
RR
RA
tbsbb'eb'tsH )]C//RR//(r[r
1
CR
1ω
对于一个放大电路来说,增益带宽积基本保持不变,即增大增益将使带宽变窄。
单管放大电路的分析
中频增益:通过得到放大电路中频时的交流等效电路进行分析(将所有耦合电容、旁路电容短路,将所有晶体管的极间电容开路)
上限截止频率:通过得到放大电路高频时的交流等效电路进行分析(将所有耦合电容、旁路电容短路,利用晶体管的高频等效模型替代晶体管),得到所有影响高频段的电容Ci以及该电容所在回路的等效电阻Ri,求得fHi=1/(2πRiCi)
2H
22H
21HH
1111.11
nffff
下限截止频率:通过得到放大电路低频时的交流等效电路进行分析(保留所有耦合电容、旁路电容以及影响低频段的电容,利用晶体管的低频等效模型替代晶体管),得到各个电容Ci以及该电容所在回路的等效电阻Ri,求得fLi=1/(2πRiCi)
2L
22L
21LL 1.1 nffff
带宽:
fbw=fH-fL
例: VCC(+12V)
us
Rc(3k)
uoRs(2k)
C1
Rb1(30k)
Rb2(10k)
Re(2.3k)
CE
C2
RL(3k)
=100
ReCE
Rf
(a)(b)
rbe=1.4k
1)C1=3µF,C2和Ce足够大时电路的fL
2) C1=3µF, C2=10µF, Ce=30µF时fL的大小
3)将(a)中电路射极接成(b)所示结构,Rf=300,Re=2k , Ce=30µF, C1和C2足够大,求此时fL
4)fT=150MHz,C µ=5pF,rbb’=100,求fH
4.4多级放大电路的频率响应
如果放大器由多级级联而成,那么,总增益
(ω)jn
1kuku A(ω)eω)(jA(jω)A
n
kuk
unuuu
A
AAAA
1
21
)(lg20
)(lg20)(lg20)(lg20)(lg20
n
kkk
121 )()()()()( 相频
幅频
1、多级放大器的上限频率fH
假设每级放大电路的上限频率分别为:
fH1, fH2, fH3, …, fHn
1) fH1与fH2相差较大时
fH1 < fH2 < fH3 < … < fHn并且
fH=fH1
2) 所有上限频率大小都相当时
2Hn
2H2
2H1H f
1
f
1
f
11.1
f
1
fH<fHi i=1~n
2、多级放大器的下限频率fL
假设每级放大电路的下限频率分别为:
fL1, fL2, fL3, …, fLn
1) fL1与fL2相差较大时
fL1 > fL2 > fL3 > … > fLn并且
fL=fL1
2) 所有下限频率大小都相当时
2L
22L
21LL 1.1 nffff
fL>fLi i=1~n