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1 トヨタ自動車株式会社 パワーエレクトロニクス開発部 戸田 敬二 NEDO FORUM 2015.2.13 日米パワエレプロジェクト比較 ~FUPET応用技術調査委員会活動より~

日米パワエレプロジェクト比較 - NEDO...2015/03/06  · 2-1. 日米欧パワエレプロジェクトの比較 8 プロジェクト 名 SIPパワエレ NGPEMII Power AMERICA

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1

トヨタ自動車株式会社 パワーエレクトロニクス開発部

戸田 敬二

NEDO FORUM 2015.2.13

日米パワエレプロジェクト比較

~FUPET応用技術調査委員会活動より~

Page 2: 日米パワエレプロジェクト比較 - NEDO...2015/03/06  · 2-1. 日米欧パワエレプロジェクトの比較 8 プロジェクト 名 SIPパワエレ NGPEMII Power AMERICA

2 本日の内容

1.FUPET応用技術調査委員会紹介

2.米国のパワエレプロジェクト調査

3.新材料パワー半導体プロジェクト出口

4.自動車へのSiC実用化の進展

5.まとめ

Page 3: 日米パワエレプロジェクト比較 - NEDO...2015/03/06  · 2-1. 日米欧パワエレプロジェクトの比較 8 プロジェクト 名 SIPパワエレ NGPEMII Power AMERICA

3 1-1. 応用技術調査委員会の役割

新規ニーズの掘り起こし 10年度:スマートグリッド

11/12年度:再生可能エネルギ 13/14年度:海外プロジェクト

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4 1-2. SiC結晶の品質向上

全転位密度:EPD (個/cm2)

0

200

400

600

800

1000

1200

100 1000

貫通らせん転位密度

:TSDD(個/cm

2)

1400

10000010000

2013年12月開発品☆150mm口径基板☆TSDD~600/cm2

EPD~2000―3000/cm2

米国II-VI社2013 EPD 4900/cm2

米国CREE社2013 TSDD 830/cm2

最終目標2014年度末

中間目標2012年度末

プロジェクト開始時市販100mm口径基板TSDD~1000/cm

2

EPD~10000/cm2

米国Dow Corning社2014 TSDD 200/cm2以下

2010年時点

2015年見通し

出典:FUPET応用技術調査委員会

調査結果より

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5 1-3. SiCエピの品質向上

6インチエピの膜質でも

4インチに近い品質になった

出典:FUPET応用技術調査委員会調査結果より

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6 1-4. SiCデバイスの性能向上

出典:FUPET応用技術調査委員会調査結果より

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7 本日の内容

1.FUPET応用技術調査委員会紹介

2.米国のパワエレプロジェクト調査

3.新材料パワー半導体プロジェクト出口

4.自動車へのSiC実用化の進展

5.まとめ

Page 8: 日米パワエレプロジェクト比較 - NEDO...2015/03/06  · 2-1. 日米欧パワエレプロジェクトの比較 8 プロジェクト 名 SIPパワエレ NGPEMII Power AMERICA

8 2-1. 日米欧パワエレプロジェクトの比較

プロジェクト名

SIPパワエレ NGPEMII Power AMERICA

NY-PEMC SPEED

規模 22億円/年

5年間

$70M(DOE)

+$70M(企業)

$135M(NY州)

+$365M(企業)

12.3Mユーロ

(4年間)

期間 2014.9~

2019.3

2014.1~

2018.12

2014.7~

5年間

2014.1~

2017.12

出資 内閣府

NEDO

DOE(国)

AMO

NY州 EU

FP7

主要

メンバー

SiC

・産総研

・早稲田大学

GaN

・京都大学

・三菱化学

・住友電工

・富士電機

・他

SiC

・Cree

・X-Fab

・NCSU

GaN

・RFMD

・Avogy

・Transphom

・他

SiC

・GE

・SUNY

GaN

・IBM

・Global

Foundries

・他

SiC

・INAEL

・ABB

・BREMEN大

・NORSTEL

・Infineon

・Fraunhofer研

・他

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9 2-2. DOE新プロジェクト NGPEMII

官民連携により、

Wide Bandgap半導体を中心とした

1.パワエレ技術の市場導入を加速

2.国内の製造業の競争力を強化

・目標は、WBG半導体デバイスとパワエレ部品の大量生産を可能とする、

先進的な製造プロセスを開発する事

・この組織は、2012年3月に提案された、

National Netwark for Manufacturing Innovationの一部

・ノースカロライナ州立大学(NCSU)が率いるこのチームは、

AMOでの競争的過程を経て選定された。

→契約に10か月かかり、11月末にやっと契約締結

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10

NCSU Device

Center

Design

Analysis

Test

Application

R&D

Universities

NCSU

CPES

UCSB

ASU

FSU

Device Fabrications *1

SiC

Main Foundry

(X-Fab)

Cree

United SiC,

Monolysic

GaN

Main Foundry

(RFMD)

Avogy

Transphorm

Module Foundry

APEI

Users

ABB

Delphi

Delta Products

Vacon

John Deere

Toshiba International

etc.

National Labs

NREL

US NRL

*1 Cree, United SiC, Avogy ,Transphormなどもデバイスを供給

ユーザー

2-3. NGPEMIIプロジェクトフレームワーク

大学、国立研究所 デバイス、モジュール

大学を設計・評価の拠点としてSiC/GaN製品の裾野を拡げるための環境整備

Power AMERICAと呼ぶことになった

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11 2-4. テクニカルレディネスレベル(TRL)

Power AMERICAでは、TRL4~7にフォーカスして研究開発を推進

TRL1: 基本原理の観察と報告

TRL2: テクノロジーコンセプトやアプリケーションの明確化

TRL3: クリティカル機能や特性の分析的および実験的コンセプト証明

TRL4: 部品やブレッドボードの実験室環境での実証

TRL5: 部品やブレッドボードの相当環境での実証

TRL6: システムモデルや試作品の相当環境でのデモンストレーション

TRL7: システム試作品の実運用環境でのデモンストレーション

TRL8: 実システムの試験およびデモンストレーション

TRL9: 実システムのミッション成功を通じた実証

Ta

rge

t A

ria

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12 2-5. Power AMERICA : ヒアリング結果

ターゲットを絞り込んだため、実用化研究のみにテーマが集約された

1.TRL4~7を対象とし、米国内での製造を目的とする非常にフォーカスしたプロジェクト

→ 大学では、TRL1~3に取り組みたいので、あまりうれしくない。

2.SiCが70%、GaNが30%位であり、結果的にSiCのテーマが多くなった。

3.GaN on Siは、米国内の生産は海外との競争に勝てない。

→ 安いFab.から買えば良いので、米国内での生産にこだわらない?

4.バルクGaNは、TRL4に達しないので対象外

5.CPESは、インバイトされたがNCSUが中心でSUNY-GE連合に競り勝った。

→ CPESは、結果的に契約しなかった模様

6.モジュールは、APEIが中心になって契約

→ 契約に10か月かかり、11月末にやっと契約が結ばれた。

マネージメントは、NCSUにあるが、FREEDMとは別の小さな組織

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13 2-6. NY-PEMC:プロジェクト概要

*2014年7月15日、A. M. Cuomo州知事が発表 *New York州が$135M出資し、民間の資金を$365M集め、 $500Mのコンソーシアムを立ち上げ。

・GEが中心となり、ニューヨーク州立大学(SUNY)など、Albanyを 中心に、プロジェクトを推進。

・100社以上の企業が集まり、今後5年間で首都エリアで500人以上 の高能力者の新規雇用を生み出す。

・6インチの低コスト・高性能SiCウェーハを開発・製造し、コンソーシ アムのメンバーがこれを使った製品化を行う。

・GaNは、SEMATECHとIBMが中心となり、ロチェスターで実施。 (SiCとGaNを並行して研究開発する模様)

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14 2-7. NY-PEMC:Anticipated SiC Timeline

GEのプロセスを導入することで2年間で立ち上げる意欲的計画

出典:SUNY資料より

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15 2-8. NY-PEMC:ヒアリング結果

1.SUNYが3~5万枚/年の6インチSiCのラインを300mmラインの跡地に 8000ft2を使って、16年末までに立ち上げ → EUVステッパー1台(~100億円)より、安い投資 2.GEがプロセスエンジニア15名を投入して、MOSプロセス立上げ → GEのSiC-MOS需要は、多くても1万枚/年程度 3.ダイオードやその他のデバイスの立上げは、他企業が参画して立ち上げる ことを期待 → レシピなどの機密は、SUNYが責任を持って守る 基本のプロセスは、GEが提供したもの(第1世代のプロセス)を使える 4.出来たデバイスの製品としての品質(プロセス品質)はSUNYが保証

6インチでのSiCデバイス製造がメインでGE以外の参加がないと苦しい

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16 2-9. SPEEDプロジェクト:コンソーシアムメンバー

8か国で分散して

研究開発を実施

開発された技術の

普及や実用化支援は

FraunhoferのIISBが担当

出典:SPEEDホームページより

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17 本日の内容

1.FUPET応用技術調査委員会紹介

2.米国のパワエレプロジェクト調査

3.新材料パワー半導体プロジェクト出口

4.自動車へのSiC実用化の進展

5.まとめ

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18 3-1. 鉄道車両でのSiC普及 2014年

出典:東芝

4月 :三菱 「フルSiC適用VVVFインバータ装置」

を世界で初めて小田急が採用

(2014年4月から1000形リニューアル)

7月:JR東日本 山手線の新型車両「E235系」

がSiCパワー半導体を採用へ

(2015年3月以降試験走行、

2015年秋頃から営業運転)

9月 :東芝 SiCダイオードを採用した駆動システムを東京メトロ銀座線に納入

SiCパワー半導体を搭載する新型車両「E235系」 出典:JR東日本

全閉PMSM(左)とSiCダイオード採用のVVVFインバーター装置(右)

出典:三菱電機

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19 3-2. 自動車でのSiC実証評価

1.実験車: ベース車両 カムリ

・変更点:インバータ(外観は同じ)

Si-IGBT → SiC-MOSFET

Si-diode → SiC-JBS diode

・省エネディスプレイ

(機能追加)

Siでの消費エネルギ

マップと現在の消費

エネルギを比較表示

新材料プロジェクトのデモンストレーションとして試作し、公道走行評価実施

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20 本日の内容

1.FUPET応用技術調査委員会紹介

2.米国のパワエレプロジェクト調査

3.新材料パワー半導体プロジェクト

4.自動車へのSiC実用化の進展

5.まとめ

Page 21: 日米パワエレプロジェクト比較 - NEDO...2015/03/06  · 2-1. 日米欧パワエレプロジェクトの比較 8 プロジェクト 名 SIPパワエレ NGPEMII Power AMERICA

21 4-1. 自動車でのSiC普及

・5%の燃費向上を確認。将来は10%の燃費向上を目指す

・インバータのサイズを現行の5分の1に小型化する

・1年以内に公道実験を開始し、2020年頃に普及を目指す

Test vehicle

SiC transistor

SiC diode *Under JC08

test cycle

トヨタ自動車SiCプレスリリース(2014.5.20)

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22 4-2. FCバス概要

SiCダイオード パワーモジュール FC昇圧

コンバータ

FCスタック (燃料電池)

FCスタック 2セット

・昇圧コンバータにSiCダイオードを搭載 ・豊田市の路線バスとして1月9日より営業運行中

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23 本日の内容

1.FUPET応用技術調査委員会紹介

2.米国のパワエレプロジェクト調査

3.新材料パワー半導体プロジェクト成果

4.自動車へのSiC実用化の進展

5.まとめ

Page 24: 日米パワエレプロジェクト比較 - NEDO...2015/03/06  · 2-1. 日米欧パワエレプロジェクトの比較 8 プロジェクト 名 SIPパワエレ NGPEMII Power AMERICA

24 5. まとめ

米国のプロジェクトの良いところ ・大きなビジョンが描けている

・デモンストレーションがしっかりしている

・研究マネージメントがしっかりしている

・ベンチャービジネスを活用している

・国のプロジェクトだけでなく、州のプロジェクトも充実

・国の研究所にも競争原理が働いている

・実用化研究にしっかり取り組んでいる

・大学での人材育成が充実している

日本のプロジェクトの良いところ ・基礎研究にしっかり資金を出している

→ SiCは、スパイラルアップで長期間取り組み

・日本の企業の強い部分が活かせている

隣の芝生は

青い