Principali Parametri di Processo della Tecnologia CMOS da 0.8-µµµµm

Parametri geometrici e strutturali Parametro Simbolo Valore tipico Unità spessore dell’ossido di campo TFOX 400 nm spessore dell’ossido di gate TGOX 17 nm profondità della giunzione n+ XJN 0.3 µm profondità della giunzione p+ XJP 0.5 µm profondità della sacca n-well XJNW 4 µm resistività del substrato RSWAF 20 Ω cm

Parametri del transistore NMOS Parametro Simbolo Valore tipico Unità tensione di soglia VTON 0.70 V fattore di effetto body GAMMAN 0.80 V1/2 fattore di guadagno (µCox) KPN 95 µA/V2 drogaggio effettivo del substrato NSUBN 80 1015/cm3 mobilità effettiva UON 468 cm2/Vs

Parametri del transistore PMOS Parametro Simbolo Valore tipico Unità tensione di soglia VTOP -0.80 V fattore di effetto body GAMMAP 0.55 V1/2 fattore di guadagno (µCox) KPP 32 µA/V2 drogaggio effettivo del substrato NSUBP 38 1015/cm3 mobilità effettiva UON 158 cm2/Vs

La capacità dell’ossido, COX, è legata allo spessore dell’ossido, TGOX, da

ε ε ε ε− −= = ⋅ = = ⋅3 2 120 oxox 0COX 2.031 10 F m ( 3.9, 8.854 10 F m)

TGOX

La mobilità, UO, è legata al fattore di guadagno, KP, e alla capacità dell’ossido COX da

−

−

⋅ ⋅= = ⋅ ⋅

3 2

3 2

46.8 10 m V s NMOSKPUOCOX 15.8 10 m V s PMOS