1. Chất bán dẫn loại-N là: A) Chất bán dẫn thuần B) Chất bán dẫn pha tạp chất hóa trị 5 C) Tất cả đều sai D) Chất bán dẫn pha tạp chất hóa trị 3 2. Quá trình Doping chất bán dẫn nghĩa là: A) Chất keo được thêm vào để giữ cho vật liệu dính vào nhau. B) Tạp chất được thêm vào để tăng điện trở cho chất bán dẫn. C) Tạp chất được thêm vào để giảm điện trở cho chất bán dẫn . D) Tất cả tạp chất được loại bỏ để thu được Silicon tinh khiết. 3. Khi đo điện áp rơi trên Diode là 0.3V: A) Diode silicon B) Diode germanium . C) Diode silicon được phân cực thuận D) Diode germanium được phân cực nghịch. 4. Ranh giới giữa chất bán dẫn loại-p và loại-n được gọi là: A) Diode B) Phân cực nghịch diode C) Tiếp giáp pn D) Phân cực thuận diode. 5. Phân cực là: A) Tỷ số giữa hạt tải đa số và hạt tải thiểu số. B) Lượng dòng điện qua linh kiện. C) Đặt vào điện áp DC để điều khiển hoạt động của linh kiện. D) Tất cả đều sai. 6. Phân cực thuận diode là: A) Đặt điện áp dương vào Anod và điện áp âm vào Cathode. B) Đặt điện áp âm vào Anod và điện áp dương vào Cathode. C) Đặt điện áp dương vào miền P và điện áp âm vào miền N.
1. Cht bn dn loi-N l:A) Cht bn dn thunB) Cht bn dn pha tp cht ha
tr 5C) Tt c u saiD) Cht bn dn pha tp cht ha tr 32. Qu trnh Doping
cht bn dn ngha l:A) Cht keo c thm vo gi cho vt liu dnh vo nhau.B)
Tp cht c thm vo tng in tr cho cht bn dn.C) Tp cht c thm vo gim in
tr cho cht bn dn.D) Tt c tp cht c loi b thu c Silicon tinh khit.3.
Khi o in p ri trn Diode l 0.3V:A) Diode siliconB) Diode
germanium.C) Diode silicon c phn cc thunD) Diode germanium c phn cc
nghch.4. Ranh gii gia cht bn dn loi-p v loi-n c gi l:A) Diode B)
Phn cc nghch diodeC) Tip gip pnD) Phn cc thun diode.5. Phn cc l:A)
T s gia ht ti a s v ht ti thiu s.B) Lng dng in qua linh kin.C) t vo
in p DC iu khin hot ng ca linh kin.D) Tt c u sai.6. Phn cc thun
diode l:A) t in p dng vo Anod v in p m vo Cathode.B) t in p m vo
Anod v in p dng vo Cathode.C) t in p dng vo min P v in p m vo min
N.D) A v C.7. Khi phn cc thun th diode:A) Dn dng inB) Kha dng in.C)
in p ri lnD) Tr khng rt ln.8. Diode l tng c xem nh:A) Ngun pB) in
tr.C) Cng tcD) Tt c u ng.9. Khi transistor hot ng nh mt chuyn mch
th n hot ng trong min no?A) Min bo ha v min tch ccB) Min tt v min
tch ccC) Min bo ha v min ttD) Tt c u sai10. Datasheet ca transistor
thng k hiu DC nh l:A) hreB) hfeC) ICD) VCE11. Gi tr DC:A) Khng iB)
Thay i theo nhit .C) Thay i theo ICD) Thay i theo nhit v IC.12. BJT
l t vit tt ca:A) bipolar junction transistorB) binary junction
transistor C) both junction transistorD) base junction
transistor13. JFET l linh kin:A) n ccB) iu khin bng in p.C) iu khin
bng dng inD) A v B.14. JFET lun hot ng vi:A) Chuyn tip pn (G-S) phn
cc ngcB) Chuyn tip pn (G-S) phn cc thun.C) Cc D ni GNDD) Cc G ni cc
S.15. Khi VGS =0V, dng ID = const khi VDS t ti:A) cutoffB)VDDC)
VPD) 0V.16. to ra dng in trong mch, FET s dng:A) Ch mt loi ht dn: l
trng hoc in t t do.B) C hai loi ht dn l trng v in t t do.C) Ch mi
in t t do.D) Ch mi l trng.17. in p ng ra ca mch khuch i b ct xn l
do:A) Tn hiu ng vo qu lnB) Transistor b dn vo vng bo ha.C)
Transistor b dn vo vng ttD) Tt c u ng.18. Thay i DC dn n thay i:A)
ICB) VCEC) im lm vic QD) Tt c u ng.19. Hiu in th tip xc ca chuyn
tip pn ph thuc vo:A) Nhit v lng Doping .B) Loi cht bn dn.C) Loi cht
bn dn v lng doping, khng phi nhit .D) A v B.20. Cp in t-l trng c to
thnh bi: A) Nng lng nhitB) S ti hpC) S ion haD) Doping.21. Dng in
trong cht bn dn c to thnh bi: A) in t B) L trng C) Ion mD) in t v l
trng.22. Tp cht ha tr 3 c pha vo silicon to thnh: A) Cht bn dn
loai-pB) Cht bn dn loai-nC) Vng nghoD) Tt c u sai.23. in p trung
bnh ca ng ra chnh lu bn k c in p nh l 200V l:A) 63.7VB) 127.2VC)
141VD) 0V24. Ng vo chnh lu bn k l in p hnh Sin 60Hz, ng ra c tn s
l: A) 120 HzB) 60HzC) 30 HzD) 0 Hz.25. in p trung bnh ca ng ra chnh
lu ton k c in p nh l 75V l:A) 53VB) 47.8VC) 37.5VD) 23.9V.26. Ng vo
chnh lu ton k l in p hnh Sin 50Hz, ng ra c tn s l: A) 200 HzB) 50
HzC) 100 HzD) 0 Hz.27. Khi in p VCE o c gn bng 0 th transistor hot
ng trong vng:A) Vng ttB) Vng bo ha.C) Vng khuch iD) Bn di vng
tt.28. BJT loi pnp hot ng bnh thng th in p cc B phi............hn
so vi in p cc E v ...........hn so vi in p cc C: A) Dng, mB) Dng,
dng.C) m, dngD) m, m.29. Nng tp cht theo th t gim dn trong 3 min:A)
Min pht, min thu, min nn.B) Min nn, min thu, min phtC) Min pht, min
nn, min thuD) Min thu, min pht, min nn.30. T s gia IC vi IB l: A)
DCB) hFEC) DCD) DC hoc hFE khng phi DC
