DiagnostickDiagnostické metody při é metody při výrobě Si FV článkůvýrobě Si FV článků

optické vlastnostioptické vlastnosti– reflexe po texturizacireflexe po texturizaci– index lomu antireflexní vrstvyindex lomu antireflexní vrstvy

elektrické vlastnostielektrické vlastnosti– vrstvový odpor difundované vrstvyvrstvový odpor difundované vrstvy

parametry po technologických operacíchparametry po technologických operacích– tlouštka antireflexní vrstvytlouštka antireflexní vrstvy

Speciální detekční metodySpeciální detekční metody

doba života minoritních nosičů (délka difúze)doba života minoritních nosičů (délka difúze)– MWPCD (microwave photoconductance decay)MWPCD (microwave photoconductance decay)– QSSPC (quasi steady state photoconductance)QSSPC (quasi steady state photoconductance)

LBIC (light beam induced current)LBIC (light beam induced current)

dark I-V (temnotní VA charakteristika)dark I-V (temnotní VA charakteristika)

Suns Voc (závislost Vo na I) Suns Voc (závislost Vo na I)

Technologie standardních Technologie standardních monokrystalických článkůmonokrystalických článků

nejdůležitější kontrola po texturizaci, difůzi a depozici antireflexenejdůležitější kontrola po texturizaci, difůzi a depozici antireflexe

TexturizaceTexturizacetvorba pyramidtvorba pyramidslabý roztok NaOH nebo KOH a isopropylalkoholuslabý roztok NaOH nebo KOH a isopropylalkoholučistota, teplota, proudění lázně a „aktivita povrchu Si“čistota, teplota, proudění lázně a „aktivita povrchu Si“lze provádět bez odleptání defektů po řezánílze provádět bez odleptání defektů po řezání– nevynechává se kvůli kvalitě procesunevynechává se kvůli kvalitě procesu

odleptání 20-30odleptání 20-30µµmm

kontrola celkového pokrytí, homogenity a rovnoměrnostikontrola celkového pokrytí, homogenity a rovnoměrnosti– tolerance 6-10tolerance 6-10µµmm

optický nebo elektronový mikroskopoptický nebo elektronový mikroskopcelková odrazivost - spektrofotometrcelková odrazivost - spektrofotometr

Difůze – PN přechodDifůze – PN přechod

Si desky v lodičce zasunuty do křemené trubkySi desky v lodičce zasunuty do křemené trubky

teplota 700-950°C (podle požadované koncentrace)teplota 700-950°C (podle požadované koncentrace)

doba 60-90min (podle požadovaného doporu vrstvy)doba 60-90min (podle požadovaného doporu vrstvy)

kontrola 2-8 desek z každé serie – čtyřbodová metodakontrola 2-8 desek z každé serie – čtyřbodová metoda– nevynechává se kvůli kvalitě procesunevynechává se kvůli kvalitě procesu

měření koncentračního profiluměření koncentračního profilu– ECV (electrochemical c-v measurement)ECV (electrochemical c-v measurement)

Depozice antireflexní vrstvyDepozice antireflexní vrstvy

minimalizace reflexe (optický požadavek)minimalizace reflexe (optický požadavek)

minimalizace rekombinace (elektronický požadek)minimalizace rekombinace (elektronický požadek)

nejčastěji SiNnejčastěji SiNxx

– plasmatická depoziceplasmatická depozice– LPCVD (low pressure chemical vapour deposition)LPCVD (low pressure chemical vapour deposition)

tlouštka a index lomu - elipsometrietlouštka a index lomu - elipsometrie– pouze na lesklých (netexturovaných) deskáchpouze na lesklých (netexturovaných) deskách

totální optická reflexetotální optická reflexe– texturované deskytexturované desky

DDoba oba života nosičůživota nosičůMWPCD – dohasínající fotovodivostMWPCD – dohasínající fotovodivost– Pulsní IČ laser (904 nm)Pulsní IČ laser (904 nm)

QSSPC – fotovodivost v kvazistacionárním režimuQSSPC – fotovodivost v kvazistacionárním režimu– Foto flash lampa + filtryFoto flash lampa + filtry

Nosiče nejsou v objemu homogenněNosiče nejsou v objemu homogenně– Exponenciální profilExponenciální profil– V penetrační hloubce – homogenizaceV penetrační hloubce – homogenizace– Závislost na elektrických vlastnostechZávislost na elektrických vlastnostech– Závislost na povrchových vlastnostechZávislost na povrchových vlastnostech