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2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第2章 DIPIPM のスペックについて
trr
Irr
tc(on)
10% 10% 10% 10%
90%90%
td(on)
tc(off)
td(off) tftr ( ton=td(on)+tr ) ( toff=td(off)+tf )
Ic VCE
VCIN
24
2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
0
200
400
600
800
1000
1200
0 5 10 15 20 25Carrier frequency (kHz)
Circ
uit c
urre
nt (
A)
10%
30%50%
70%90%
4-8 Tj=-20
0
200
400
600
800
1000
1200
0 5 10 15 20 25Carrier frequency (kHz)
Circ
uit c
urre
nt (
A)
10%
30%50%
70%90%
4-9 Tj=25
0
200
400
600
800
1000
1200
0 5 10 15 20 25Carrier frequency (kHz)
Circ
uit c
urre
nt (
A)
10%
30%50%
70%90%
4-10 Tj=125
25
2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
(unit: A)Duty (%) Tj
( ) fc(kHz) 10 30 50 70 90
-20
25
125
26
2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
DIP-IPM
HVIC1
HVIC2
HVIC3
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
UN
VN
WN
Fo
GND CFO
CIN
VNO
WOUT
VOUT
UOUT
UN
VN
WN
Fo
VN1
VP1
VP
VP1
WP
VUFB
UP
VUFS
VVFB
VVFS
VWFB
VWFS
VNC
CFO CIN
P
U
W
N
VP1
C3
C3
C3
C3
15V
C4(CFO)
M
C5R1
N1 A
B
C
LVIC
GNDIGBT
V
5V
SCSC
C2
C1
C2
C1
C2
C1
C1 C2,C3 0.22 2 F
DIPIPM
HVIC1
HVIC2
HVIC3
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
UN
VN
WN
Fo
GND CFO
CIN
VNO
WOUT
VOUT
UOUT
UN
VN
WN
Fo
VN1
VP1
VP
VP1
WP
VUFB
UP
VUFS
VVFB
VVFS
VWFB
VWFS
VNC
CFO CIN
P
U
W
N
VP1
C3
C3
C3
C3
15V
C4(CFO)
M
C5R1
N1 A
B
C
LVIC
GNDIGBT
V
5V
SCSC
C2
C1
C2
C1
C2
C1
C1 C2,C3 0.22 2 F
27
2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
DIP-IPM
HVIC1
HVIC2
HVIC3
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
UN
VN
WN
Fo
GND CFO
CIN
VNO
WOUT
VOUT
UOUT
UN
VN
WN
Fo
VN1
VP1
VP
VP1
WP
VUFB
UP
VUFS
VVFB
VVFS
VWFB
VWFS
VNC
CFO CIN
P
U
W
N
VP1
C3
C3
C3
C3
15V
C4(CFO)
M
C5R1
N1 A
B
C
LVIC
GNDIGBT
V
5V
SCSC
C2
C1
C2
C1
C2
C1
C1 C2,C3 0.22 2 F
28
2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
DIP-IPM
HVIC1
HVIC2
HVIC3
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
UN
VN
WN
Fo
GND CFO
CIN
VNO
WOUT
VOUT
UOUT
UN
VN
WN
Fo
VN1
VP1
VP
VP1
WP
VUFB
UP
VUFS
VVFB
VVFS
VWFB
VWFS
VNC
CFO CIN
P
U
W
N
VP1
C3
C3
C3
C3
15V
C4(CFO)
M
C5R1
N1 A
B
C
LVIC
GNDIGBT
V
5V
SCSC
VPC
C2
C1
C2
C1
C2
C1
C1 C2,C3 0.22 2 F
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
DIPIPM
HVIC1
HVIC2
HVIC3
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
VCC
UN
VN
WN
Fo
GND CFO
CIN
VNO
WOUT
VOUT
UOUT
UN
VN
WN
Fo
VN1
VP1
VP
VP1
WP
VUFB
UP
VUFS
VVFB
VVFS
VWFB
VWFS
VNC
CFO CIN
P
U
W
N
VP1
C3
C3
C3
C3
15V
C4(CFO)
M
C5R1
N1 A
B
C
LVIC
GNDIGBT
V
5V
SCSC
VPC
C2
C1
C2
C1
C2
C1
C1 C2,C3 0.22 2 F
31
2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
) RC PWM
DIP-IPM IC 2.5k (min)DIP-IPM
UP,VP,WP,UN,VN,WN
Fo
VNC(Logic)
DIP-IPM
CPU
10k
5V
33
2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
a1. =IGBT =a2. SC RC 1.5 2.0 sa3. IGBTa4. IGBTa5. Fo CFO Foa6. “L” =a7. “H” =a8. "H" IGBT
SC
SET RESET
SC
a2
a1
a3
a6 a7
a4
a8
a5
CR DELAY
N
IGBT
Ic
Fo
RC DELAY
35
2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
0
50
100
150
200
250
0 1 2 3 4 5 6 7 8Input pulse width (us)
Ic(p
eak)
(A
)
VD=16.5VVD=18.5V
IGBT SC operation area
Maximumsaturation current(VD=16.5V)
VD=15.0V
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2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
N UVDa1. UVDra2. =IGBT =a3. UVDta4. IGBTa5. Fo (Fo Fo )a6. UVDra7. =IGBT =
VD
Ic
Fo
UVDr
RESET SETRESET
UVDta1
a2
a3
a4
a6
a7
a5
P UVDB
DIPIPM (PS2186X-P)b1. UVDBrb2. =IGBT =b3. =IGBT =b4. UVDBtb5. IGBT Fob6. UVDBrb7. =IGBT =
VDB
Ic
Fo
UVDBr
RESET SETRESET
UVDBt
(Fo )
b1
b3
b4
b5
b6
b7b2
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2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
DIPIPM (PS2156X-P)
VDB
Ic
Fo
UVDBr
RESET SETRESET
UVDBt
(Fo )
c1
c2
c3
c4
c5
c6
41
2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
)100/(%2
1~2
1 DD
2sin1 xD
2)sin(1
sinxDDutyPWM
xIcpcurrentOutput
)sin)(@()( xIcpsatVcesatVce)sin)((@)1( xIcpIecpVecVec
dxxDxIcpsatVcexIcp2
)sin(1)sin)(@()sin(21
0
2
2)sin(1)sin(@)1)((sin)1((
21 dxxDxIcpVecxIcp
dxfcxIcpoffPswxIcponPsw0
))sin)(@()sin)(@((21
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2009 年 8 月
三菱半導体< DIPIPM Ver. 3 >
第4章 DIPIPMの使用方法と応用について
4trrVccIrrPsw
dxfcxIcptrrVccxIcpIrr
dxfcxIcptrrVccxIcpIrr
)sin(@)sin(@81
4)sin(@)sin(@
21
2
2