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1
光により形成する超撥水性表面
龍谷大学 理工学部 物質化学科
教授 内田 欣吾
10 mm
K. Uchida et al., Angew. Chem., Int. Ed., 2006, 45, 6470.
S S SiMeO
OMeSi
F FFF
FF
MeMe
Me
MeMe
Me
UV
Vis. SS
OMe
MeOSi
FF
FF
FF
SiMe
MeMe Me
Me
Me
Open-ring Isomer 1o Closed-ring Isomer 1c
UV Vis
SEM 1000倍
120° 163° 120°
120°163°UV
120°
最初の発見から
S S SiMeO
OMeSi
F FFF
FF
MeMe
Me
MeMe
Me
SS
OMe
MeOSi
FF
FF
FF
SiMe
MeMe Me
Me
Me
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
[1c] / ([1o]+[1c]) / %
Mel
ting
poin
t / o C
1o 1c
Mp 99.8~100.3 ℃Cubic like prism
Mp 143.2~144.1 ℃needles
The phase diagram of 1o and 1c
1o:1c=78:22
UV
Vis
相図による機構の説明
CA = 179 o CA = 163 o
170 o 以上の表面 → 垂直で密に生成・結晶サイズが小さい
Diarylethene 1 の表面 → ランダムに生成・結晶サイズが大きい
超撥水性向上のヒント
10 mm
Diaryletheneの表面の針状結晶を密に垂直に生成させる
より高い接触角を示す
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100130
140
150
160
170
180
190
200
210
Mel
ting
poin
t / o C
[2c]/([2o] + [2c]) / %
2o 2c
hMe
Me SSSS
SiSiMe
MeMe
Me
MeMehv`
F FFF
FF
F FF
FFF
S SS S
SiSiMe
MeMe
Me
MeMe
Me
Me
2o:2c=73:27
Mp = 161 ℃Cubic like prism
Mp = 202 ℃needles
2o と 2c の相図
ジアリールエテン 2 を用いた超撥水表面
F FF
FFF
S SS S
SiSiMe
MeMe
Me
MeMe
Me
Me
2o
2c
化合物2の単結晶X線構造解析の結果とその結果から予想される単結晶の形
Me
Me SSSS
SiSiMe
MeMe
Me
MeMe
F FFF
FF
= 90.00 b =102.18 g = 90.00
a = 90.00 b = 116.7 g = 90.00
P 21/c
P 2/c
a =25.378(3) b = 6.1561(8) c =23.542(3)V=3283.5
a = 15.8171(11) b = 17.8379(12) c = 11.9561(8)V = 3297.36
開環体と閉環体の結晶形
-500
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0 50 100
-500
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0 50 100
ApproachRelease
縦軸応力 nN, 横軸 nm
室温:22℃ 湿度:50%
アプローチ速度:100 nm/s
F FF
FFF
S SS S
SiSiMe
MeMe
Me
MeMe
Me
Me
Me
Me SSSS
SiSiMe
MeMe
Me
MeMe
F FFF
FF
バネ定数 : 42 N/m
2o
2c
変化を確認
AFM Measurement
0 2 4 6 8 10110
120
130
140
150
160
170
180
Conta
ct
angl
e /
o C
Time / days
3000倍 7000倍
CA = 172 ± 2.0 o
9 days
a b
12 hour
3.3 mm 1.4 mm
30 oC での結晶成長
SA = less than 1 o
SS
OMe
MeOSi
FF
FF
FF
SiMe
MeMe Me
Me
Me
Me
Me SSSS
SiSiMe
MeMe
Me
MeMe
F FFF
FF
fibrils size Lotus Effect1.0~2.0 mm diameter
10 mm lengths0.46~0.71 mm diameter
2.1~3.2 mm lengths0.20~0.35 mm diameter
2.2~2.5 mm lengths
fibrils size Petal Effect fibrils size Lotus Effect
Diarylethene 1c Diarylethene 2c at 135 oC Diarylethene 2c at 30 oC1000倍
5000倍 5000倍 5000倍
10 mm
2.0 mm 2.0 mm 2.0 mm
10 mm
1000倍
10 mm
1000倍CA = 163o
CA = 160o
CA = 172o
58 kJ mol-1Activation energy Ea
SS
OMe
MeOSi
FF
FF
FF
SiMe
MeMe Me
Me
Me
Me
Me SSSS
SiSiMe
MeMe
Me
MeMe
F FFF
FF
143 kJ mol-1Activation energy Ea
1c 2c
1000倍 1000倍10 mm 10 mm
成長した針状結晶(1c と 2c)の比較
N. Nishikawa, K. Uchida, et al. Chem. Asian. J, 2011, 6, 2400-2406
Me
Me SSSS
SiSiMe
MeMe
Me
MeMe
F FFF
FF
微小角入射X線解析
GIXD : Grazing Incidence X-ray Diffraction
Microcrystalline Surface of Diarylethene
GIXD measurements
a) b)
閉環体[013]面のピークに差が観察された
SiMe3_open 110 plane SiMe3_close 013 plane
開環体 2o 閉環体 2c
SiMe3_open 110 plane SiMe3_close 013 plane
23.609 Å 23.847 Å
11.956 Å × 5 = 59.78 Å 9.974 Å × 6 = 59.844 Å
SiMe3_open 110面とSiMe3_close 013面の関係
SiMe3_open 110面上にSiMe3_closeが013面を合わすようにエピタキシャル成長する.
3000倍 7000倍
CA = 172 ± 2.0 o
a b
3.3 mm 1.4 mm
Results at 30 oC
SA = less than 1 o
2o 2c
hMe
Me SSSS
SiSiMe
MeMe
Me
MeMehv`
F FFF
FF
F FF
FFF
S SS S
SiSiMe
MeMe
Me
MeMe
Me
Me
特許性
• 紫外光照射で針状結晶が成長し、可視光照射で融解する機能表面
• ジアリールエテン2を用いて接触角170o 以上の表面の作成可能。
• これは、2oの結晶の上に2cの針状結晶がエピタキシャル成長するためであり(基板平面に対して60°の角度)、基板によらない。
• 近赤外光を散乱するモスアイ効果を示す。
1.4 mm
F FF
FFF
S SS S
SiSiMe
MeMe
Me
MeMe
Me
Me
Me
Me SSSS
SiSiMe
MeMe
Me
MeMe
F FFF
FF
2o
2c
従来技術とその問題点
表面に超撥水加工を施す方法は、数多く知られている。テフロン加工などのより表面の自由エネルギーを下げることや、表面を凸凹構造にする方法である。
光刺激という遠隔操作により表面の濡れ性を変える方法は、表面の極性を変える方法が知られていたが、形状を変えることはできないので、制約があった。
新技術の特徴・従来技術との比較
• 従来方法と異なり、表面形状を可逆的に変えて、撥水性(濡れ性)の性質も大きく変えることに成功した。
• ガラス基板上でも、エピタキシャル成長するため、結晶の並びが良く、水滴の接触角が170 °を超える超撥水
性を達成するとともに、近赤外域の光散乱効果(モスアイ効果)も紫外・可視光で制御できた。
• 従来、このような技術は存在しなかった。
想定される用途
• 光による細胞接着・脱離技術。
• 上記以外に、光散乱効果を利用したデバイスなどが期待される。
• また、水溶性樹脂の重合成型加工等への応用も考えられる。
実用化に向けた課題
• ジアリールエテン化合物が、非常に高価であること。
• 新たな機能発現のためには、新しい誘導体を合成しなければならないが、分子構造から最終的な性能を予知できないこと。
• 実用化に向けて、耐久性の向上や結晶配列の精度を向上できるよう技術を確立する必要もあり。
22
企業への期待
• 新しい技術のため、大学研究室では創造できない新しい用途のアイデアがある可能性がある。新しい用途の提案と開発をお願いしたい。
• 製品化のための必要な要求性能を教えて頂ければ、それを目指すことにより、更にユニークな技術に発展可能。
23
本技術に関する知的財産権
• 発明の名称 :超撥水性表面構造体およびその製造方法
• 出願番号 :特願2012-174765• 公開番号 :特開2014-034583• 出願人 :学校法人龍谷大学
• 発明者 :内田欣吾
24
お問い合わせ先(必須)
龍谷大学 龍谷エクステンションセンター
産学連携コーディネーター 筒井 長徳
TEL 077-544 - 7292
FAX 077-543 - 7771
e-mail [email protected]