半導體與光電廠務設施 - ntut.edu.twmyweb.ntut.edu.tw/~f10870/file_dl/96up_class/03.pdf · 濕式蝕刻 wet etch 光阻剝離 stripper clean 純水蝕刻液純

半導體與光電廠務設施半導體與光電廠務設施

廠務設施工程廠務設施工程

•• 提供廠房提供廠房

•• 提供生產所需之所有公用流體及動力提供生產所需之所有公用流體及動力

•• 提供生產所需之環境提供生產所需之環境

•• 提供生產廢棄物之處理提供生產廢棄物之處理

純水系統

高純度氣供應系統

中央吸塵系統真空

系統廢水系統

製程冷卻水系統

乾燥空氣系統

局部排放廢氣系統

無塵室系統

廠務設施架構廠務設施架構

電路設計光罩設計光罩製造

黃光微影沈積及擴散金屬化

蝕刻測試切割

打線封裝最後測試

repeat several times

晶圓製造流程晶圓製造流程

IC moduleIC IC modulemodule

PHOTO

THIN FILM

ETCH(DRY, WET)

WET STATION CMP

IMPLANT

610mm

13.3“~14.1” 15“~17” 19“ 22“~32”

面板範圍裁餘部份,拋棄不用

第3.5代面板:長720mm,寬610mm

光電工業光電工業: : 產能區分產能區分

光電工業光電工業: : 產能區分產能區分

•• 4.5G: 730 x 920mm4.5G: 730 x 920mm•• 5G: 1100 x 1250mm5G: 1100 x 1250mm•• 5.5G: 1100 x 1300mm5.5G: 1100 x 1300mm•• 6G: 1500 x 1800mm6G: 1500 x 1800mm•• 7G: 1870 x 2200mm7G: 1870 x 2200mm

光電工業光電工業: TFT/LCD: TFT/LCD製造流程製造流程

光電工業光電工業: TFT/LCD: TFT/LCD製造流程製造流程

光電工業光電工業: CF: CF製造流程製造流程

光電工業光電工業: CF: CF製造流程製造流程

光電工業光電工業: LCM: LCM製造流程製造流程

BAREGLASS

初步清洗INITIAL CLEAN

ITO 濺鍍ITO SPUTTER

光阻劑塗佈PR COATING

曝光EXPOSURE

顯影DEVELOPE

純水洗劑

純水回收

廢水

特殊氣體

製程排氣

光阻劑顯影液純水

有機廢氣鹼性廢氣

光阻劑回收純水回收廢水

THINNER

有機廢液

濕式蝕刻WET ETCH

光阻剝離STRIPPER

清洗CLEAN

純水蝕刻液

純水回收廢水酸性廢氣

純水剝離劑

純水回收廢水剝離劑蒸氣

純水洗劑

有機廢液純水回收廢水

有機薄膜製作ORGANIC

LAYERPROCESS

陰極層濺鍍Mg/Ag

SPUTTER

光阻劑塗佈PR COATING

曝光EXPOSURE

顯影DEVELOPE

特殊氣體

製程排氣

光阻劑顯影液純水

有機廢氣鹼性廢氣

光阻劑回收純水回收廢水

THINNER

有機廢液

濕式蝕刻WET ETCH

光阻剝離STRIPPER

清洗CLEAN

純水蝕刻液

純水回收廢水酸性廢氣

純水剝離劑

純水回收廢水剝離劑蒸氣

純水洗劑

有機廢液純水回收廢水

檢驗/測試INSPECTION/

TEST

模組化MODULE 成品保護層製作

OVERCOAT

特殊氣體

製程排氣

光電工業光電工業: OLED: OLED製造流程製造流程

新廠初步規劃之流程新廠初步規劃之流程

•• 生產何種產品生產何種產品??製程特徵為何製程特徵為何??•• 廠址之選定廠址之選定

-- 氣候及地理條件氣候及地理條件((微震需求微震需求))-- 公用條件公用條件((水、電、天然氣、蒸汽水、電、天然氣、蒸汽))-- 運輸條件及動線運輸條件及動線

•• 產能及產程產能及產程

-- 產量大小、一次全數投入或分批投入產量大小、一次全數投入或分批投入

•• 投產時程投產時程


•• 依製程工程提出設備需求及環靜需求依製程工程提出設備需求及環靜需求

•• 並由設備工程部確認設備尺寸及公用需求並由設備工程部確認設備尺寸及公用需求

•• 由工業工程部由工業工程部(IE)(IE)依製造流程及設備尺寸放列各依製造流程及設備尺寸放列各設備設備

•• 確定以下事項確定以下事項::-- 公用流體及電力需求總量確定公用流體及電力需求總量確定-- 製造廠房尺寸決定製造廠房尺寸決定-- 從業人員總數確定從業人員總數確定-- 檢討有無法令上之限制檢討有無法令上之限制

•• 公用陣列公用陣列(Utility Matrix)(Utility Matrix)建立建立•• 潔淨區域及級別選定潔淨區域及級別選定

3ψ208/120V 3ψ208V 1ψ208V 1ψ120V 3ψ208/120V 3ψ208V 1ψ208V 1ψ120V 3ψ208/120V

0.0 132.5 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 894.8 0.0 0.0 0.0 377.0 0.0 0.0 0.0

0.0 894.8 0.0 0.0 0.0 377.0 0.0 0.0 0.0

0.0 1558.3 0.0 0.0 0.0 1131.0 0.0 0.0 0.0

0.0 1558.3 0.0 0.0 0.0 1131.0 0.0 0.0 0.0

0.0 515.5 0.0 0.0 0.0 524.5 0.0 0.0 0.0

0.0 515.5 0.0 0.0 0.0 524.5 0.0 0.0 0.0

0.0 515.5 0.0 0.0 0.0 524.5 0.0 0.0 0.0

0.0 40.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 534.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 727.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 1374.1 0.0 0.0 0.0 220.0 0.0 0.0 0.0

0.0 424.8 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 283.2 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 71.6 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 21.6 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 110.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 50.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

26.0 1254.0 0.0 0.0 0.0 320.0 0.0 0.0 0.0

0.0 233.2 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

26.0 11708.7 0.0 0.0 0.0 5129.5 0.0 0.0 0.0

0.0 7561.6 0.0 42.0 0.0 2519.0 0.0 0.0 0.0

26.0 4147.1 0.0 -42.0 0.0 2610.5 0.0 0.0 0.0

PAT2

INC

BM Phase1

Cassette Cleaner

POP

ITO

PAT1

BM Phase2

RGB Phase1

RGB Phase2

預估值

差異值

Rework

Packer

Total

Sorter

FA

QA

市電 EPS

電源容量(KVA)

工程名稱編號機台數樓層

Inspection

PS Phase1

PS Phase2

MVA

Photo Mask Cleaner

公用陣列公用陣列(Utility Matrix)(Utility Matrix)

純水超純水驅動

空氣

製程

空氣氮氣

製程

真空

製程

冷卻水

酸鹼

排氣

溶劑

排氣熱排氣水排氣

DI UPW CDA(D) CDA(P) GN2 PV PCW AEX OEX HEX GEX

(L/min) (L/min) (nl/min) (nl/min) (nl/min) (nl/min) (L/min) (m3/min) (m3/min) (m3/min) (m3/min)

0.0 110.0 2110.0 10160.0 0.0 130.0 43.0 0.0 0.0 10.0 20.0

0.0 210.0 10448.0 20490.0 120.0 2097.0 275.0 13.0 18.0 159.4 153.0

0.0 210.0 10448.0 20490.0 120.0 2097.0 275.0 13.0 18.0 159.4 153.0

0.0 630.0 30714.0 54300.0 0.0 3441.0 729.0 39.0 54.0 412.2 372.0

0.0 630.0 30714.0 54300.0 0.0 3441.0 729.0 39.0 54.0 412.2 372.0

0.0 210.0 10238.0 18100.0 0.0 1347.0 243.0 13.0 18.0 137.4 134.0

0.0 210.0 10238.0 18100.0 0.0 1347.0 243.0 13.0 18.0 137.4 134.0

0.0 210.0 10238.0 18100.0 0.0 1347.0 243.0 13.0 18.0 137.4 134.0

8.0 30.0 0.0 100.0 400.0 100.0 0.0 18.0 0.0 0.0 6.0

0.0 0.0 4800.0 4660.0 320.0 1340.0 0.0 0.0 0.0 20.0 0.0

0.0 628.0 2020.0 32040.0 0.0 60.0 43.0 0.0 0.0 10.0 111.0

0.0 160.0 5754.0 23070.0 15000.0 535.0 828.0 0.0 0.0 147.0 88.0

0.0 0.0 156.0 2760.0 0.0 264.0 0.0 0.0 0.0 76.8 0.0

0.0 0.0 104.0 1840.0 0.0 176.0 0.0 0.0 0.0 51.2 0.0

0.0 40.0 1012.0 9212.0 0.0 50.0 50.0 20.0 0.0 0.0 10.0

0.0 0.0 12.0 1212.0 0.0 50.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 40.0 0.0 15500.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 25.0 0.0

0.0 0.0 10.0 60.0 0.0 30.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

1000.0

0.0 0.0 3072.0 2180.0 780.0 401.0 0.0 0.0 0.0 19.2 20.0

0.0 8.0 3318.0 133088.0 306674.0 16740.0 18253.0 3701.0 181.0 198.0 1914.6 1707.0

0.0 8.0 3926.5 100374.0 325640.4 23461.0 15352.0 5115.5 150.0 320.0 2366.2 1355.1

PAT2

INC

BM Phase1

Cassette Cleaner

POP

ITO

PAT1

BM Phase2

RGB Phase1

RGB Phase2

預估值

Rework

Packer

Total

Sorter

FA

QA

機台設備

特殊接地

(Y/N)工程名稱

Inspection

PS Phase1

PS Phase2

MVA

Photo Mask Cleaner


斷裁廢液

排水

再利用

排水

研磨廢液

排水

顯影後水洗

水排水

顯影廢液

排水

酸鹼廢液

排水再生廢水生活廢水

顯影液

(RGB)

顯影液

(BM)

顯影液

(KOH)

A1 A1 A2 A3 W1 W2 W3 W4

(L/min) (L/min) (L/min) (L/min) (L/min) (L/min) (L/min) (L/min) (L/min) (L/min) (L/min)

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 160.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 110.0 0.0 100.0 80.0 0.0 0.0 0.0 0.0 80.0 0.0

0.0 110.0 0.0 100.0 80.0 0.0 0.0 0.0 0.0 80.0 0.0

0.0 330.0 0.0 300.0 240.0 0.0 0.0 0.0 240.0 0.0 0.0

0.0 330.0 0.0 300.0 240.0 0.0 0.0 0.0 240.0 0.0 0.0

0.0 110.0 0.0 100.0 80.0 0.0 0.0 0.0 80.0 0.0 0.0

0.0 110.0 0.0 100.0 80.0 0.0 0.0 0.0 80.0 0.0 0.0

0.0 110.0 0.0 100.0 80.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 80.0

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 40.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 420.0 208.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 160.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 40.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 40.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 1830.0 208.0 1100.0 880.0 240.0 0.0 0.0 640.0 160.0 80.0

0.0 3761.7 139.6 0.0 483.2 52.0 0.0 0.0 0.0 720.0 0.0

0.0 -1931.7 68.4 1100.0 396.8 188.0 0.0 0.0 640.0 -560.0 80.0

PAT2

INC

BM Phase1

Cassette Cleaner

POP

ITO

PAT1

BM Phase2

RGB Phase1

RGB Phase2

預估值

差異值

Rework

Packer

Total

Sorter

FA

QA

工程名稱

Inspection

PS Phase1

PS Phase2

MVA

Photo Mask Cleaner


66吋晶圓廠之吋晶圓廠之Clean Room ClassificationClean Room Classification


Cleanliness Class 100 @0.5 μm (Turbulent Flow)Class 1K @0.5 μm

Temperature ControlClass 10 / 100 AreaOther Cleanroom Area

℃22 ± 1

Humidity Control, RH% 43 ± 5

Positive Pressure, relative toambient, Pa ＞ 15

Acoustical Noise, dB(A) ＜ 65 (without equipment)

Class 10 / 100 AreaOther Cleanroom Area 45 ± 5

℃23 ± 2

Operation AreaClass 10 @0.5 μm (Laminar Flow)

Class 10K @0.5 μm

Photo

Service AreaGowning Room


114 m57.1 mCMP

ETCHING THIN FILMWET STATION

PHOTO

IMPLANT

ETCHING THIN FILMWET STATION

PHOTO

IMPLANT

IC PROCESS MICRO LAYOUTIC PROCESS MICRO LAYOUT

IC Process Tool Layout DraftIC Process Tool Layout Draft

ETCHETCH THIN FILMTHIN FILM IMPLANTIMPLANT

PHOTOPHOTO

ETCHETCH THIN FILMTHIN FILM IMPLANTIMPLANT

WET STATION

WET STATION

WET STATION

WET STATION

CMPCMP

新廠初步規劃之流程~6” Wafer FAB Tool Layout

INITIALCLEAN

ETCHINGSTRIPPER

INSPECTION&

TESTING

INSP

ECTI

ON

PHOTO

THIN FILM

PHOTO

INSPECTIONBAKE

ETCHING

CLEAN

THIN FILM

INSP

ECTI

ON

&TE

STIN

G

INSPECTION

STOCKER STOCKER

STOCKER STOCKER

STOCKER

STOCKER

STOCKER

STOCKER

STOCKER

STOCKER

STOCKER

STOCKERPRODUCT

150 m85 m

TFT PROCESS MACRO LAYOUT

新廠初步規劃之流程新廠初步規劃之流程~Marco ~Marco Layout (TFT)Layout (TFT)

ExposureExposure

PrecleanerPrecleanerMetal SputterMetal

Sputter

Coater/Developer

Coater/Developer

PECVDPECVD

StripperStripper

Inspection/Tester

Inspection/Tester

StockerStocker

Wet EtcherWet Etcher Dry EtcherDry Etcher

新廠初步規劃之流程新廠初步規劃之流程~TFT ~TFT (Array) Tool Layout(Array) Tool Layout

LCD PROCESS MACRO LAYOUT

STOCKER

STOCKER

PRECUT CLEAN PICOATING

PI IN

SPEC

TIO

N

BAKE RUBBING CLEAN

SEALDISPENSE

SPACER SPRAY

ATTACHMENT

ALI

GN

ER

SCRIBE

STOCKER

STOCKER

LC FILL

ENDSEAL

ALIGNER

CLEAN

TESTING

150 m

85 m

TFT

Color Filter

TFT-LCDPRODUCT

新廠初步規劃之流程新廠初步規劃之流程~Marco ~Marco Layout (LCD)Layout (LCD)

PrecleanerPrecleaner

PI CoatingPI Coating

RubbingRubbing

CleanerCleaner

Seal DispenseSeal Dispense

Spacer SpraySpacer SprayAlignerAligner AttachmentAttachment

Cell ScribeCell ScribeLC FillLC FillEnd SealEnd Seal

CleanerCleaner

RealignRealignTestingTesting

StockerStocker

新廠初步規劃之流程新廠初步規劃之流程~LCD (CELL) ~LCD (CELL) Tool LayoutTool Layout

lnitial Clean

BM Pattern

R Pattern

G PatternB Pattern

OC Pattern

Cr Sputter

新廠初步規劃之流程~CF Tool Layout


•• 計算各公用流體及電力，決定設備大小，並定出計算各公用流體及電力，決定設備大小，並定出所需之空間所需之空間

•• 檢討能取得之用地及預算，選用合適的建築檢討能取得之用地及預算，選用合適的建築

-- 無塵室架構無塵室架構((風管式、供風層風管式、供風層++側回風側回風、、供風層供風層++高架地板、供風層高架地板、供風層++回風層回風層))

-- 中央動力廠、支援廠房及製造廠房採分設或合併中央動力廠、支援廠房及製造廠房採分設或合併-- 是否有微震及噪音等問題是否有微震及噪音等問題

•• 規劃各建築區劃規劃各建築區劃

-- 生產要求生產要求(C/R(C/R尺寸尺寸))-- 製程使用需求製程使用需求((倉儲、進出料、檢驗倉儲、進出料、檢驗))-- 總務使用需求總務使用需求((辦公、生活辦公、生活))

PHOTO

SUBFAB

CLASS 10 K @ 0.3um

FAB A GROUND FLOOR CLEAN ROOM CLASSIFICATION

66””晶圓廠建築區劃布局晶圓廠建築區劃布局

CLASS 10(L) @ 0.3um

CLASS 100(T) @ 0.3um

CLASS 1 K @ 0.3um

CLASS 10K @ 0.3um

Photo CLASS 100(T) @ 0.3um

FAB 2ND FLOOR CLEAN ROOM CLASSIFICATION

66””晶圓廠建築區劃布局晶圓廠建築區劃布局

Utility Building 1st. FL. Equipment Layout

66””晶圓廠中央動力廠房區劃布局晶圓廠中央動力廠房區劃布局

Utility Building 2nd. FL. Equipment Layout


Utility Building Equipment Layout ( Section)



•• 電力系統電力系統::-- 常用電力與緊急電力之配比常用電力與緊急電力之配比

-- 變電站容量需求變電站容量需求

-- 是否需自設自用緊急或常備發電設備是否需自設自用緊急或常備發電設備

•• 建築支援建築支援(Building Service)(Building Service)公用系統公用系統

-- 空調需求表空調需求表

-- 消防需求消防需求

-- 給排水需求給排水需求

•• 製作基本設計書，作為進入詳細設計及施工階段之依據製作基本設計書，作為進入詳細設計及施工階段之依據

Item Room Name Area Height People Equip.Load OA

DesignTemp.

(Summer)

DesignTemp.

(Winter)

DesignHumidity

(m2) (m) watts watts watts watts W/m2 watts watts wattts RT wattts oC (DB) oC (DB) %

辦公樓 - 1FO101 員工電梯廳 64 3.0 5 1200 750 0 1920 0 3,870 1.3 4,644 26 20O102 一般電梯廳 64 3.0 10 1200 1500 0 1920 0 4,620 1.5 5,544 26 18O114 走道 61 3.0 5 1143.75 1000 0 610 0 2,754 0.9 3,305 27 16O111 走道 67 3.0 5 1256.25 1000 0 670 0 2,926 1.0 3,512 27 16O112 消防通道 86 3.0 5 1612.5 1000 0 860 0 3,473 1.1 4,167 27 16O115 Cell人員休息室 92 3.0 30 1725 3600 0 920 0 6,245 2.1 7,494 26 18O116 Cell人員儲物櫃室 92 3.0 30 1725 3600 0 920 0 6,245 2.1 7,494 26 18O113 Cell無塵更衣室 64 淨化區

O110 Cell衛生間區域 64 3.0O117 員工大廳 118 3.0 30 2212.5 4500 0 3540 0 2610 12,863 4.3 15,435 26 18

除風室2 30 不施作空調

O118 警衛室 22 3.0 3 550 360 0 660 0 1,570 0.5 1,884 26 18O119 值夜室 14 3.0 2 350 240 0 420 0 1,010 0.3 1,212 26 18O120 員工換鞋室 128 3.0 30 2400 4500 0 1280 0 8,180 2.7 9,816 26 18O125 防災中心 64 3.0 3 1200 360 0 1920 0 3,480 1.2 4,176 26 20O124 電信機房 71 3.0 1 887.5 120 7526 710 0 9,244 3.1 11,092 26O121 醫務中心 72 3.0 3 1800 450 0 2160 0 4,410 1.5 5,292 26 20O123 急救室 10 3.0 3 250 450 0 300 0 1,000 0.3 1,200 26 20O122 休息室 10 3.0 5 187.5 750 0 300 0 1,238 0.4 1,485 26 20O126 走道 56 3.0 5 1050 1000 0 560 0 2,610 0.9 3,132 27 16O127 Cell衍生製造區 649 保留區不施作空調

O129 外會談室 (數間) 85 3.0 10 2125 1500 0 2550 0 6,175 2.0 7,410 26 18O128 外會談室通道 68 3.0 3 1275 450 0 680 0 2,405 0.8 2,886 26 18O130 訪客衛生間 13 3.0

辦公室衛生間區域 64 2.6O134 訪客大廳 390 7.4 30 7312.5 4500 0 11700 0 2610 26,123 8.6 31,347 26 18O133 除風室1 30 不施作空調

O139 展示中心 64 3.0 10 1600 1500 0 640 0 3,740 1.2 4,488 26 18O138 儲藏室 x2 14 不施作空調

O137 器材室 7 不施作空調

O140 接待室 50 3.0 20 1250 3000 0 500 0 4,750 1.6 5,700 26 18O142 走廊 39 3.0 5 975 750 0 390 0 2,115 0.7 2,538 26 18O141 換鞋區 62 3.0 20 1162.5 3000 0 620 0 4,783 1.6 5,739 26 18O143 大會議室(1) 64 3.0 10 1600 1500 1720 640 0 5,460 1.8 6,552 26 18O144 小會議室 (1) 32 3.0 5 800 750 860 320 0 2,730 0.9 3,276 26 18O145 小會議室 (2) 32 3.0 5 800 750 860 320 0 2,730 0.9 3,276 26 18O147 大會議室(1) 64 3.0 10 1600 1500 1720 640 0 5,460 1.8 6,552 26 18O148 開放式辦公室 425 3.0 20 10625 2400 17200 4250 0 34,475 11.4 41,370 26 20O149 開放式辦公室 527 3.0 25 13175 3000 21500 5270 0 42,945 14.2 51,534 26 20O152 大會議室(2) 69 3.0 10 1725 1200 1720 2070 0 6,715 2.2 8,058 26 20O151 小會議室 (3) 39 3.0 5 975 600 860 1170 0 3,605 1.2 4,326 26 20O150 小會議室 (4) 39 3.0 5 975 600 860 1170 0 3,605 1.2 4,326 26 20O153 走道 41 3.0 5 768.75 1000 0 410 0 2,179 0.7 2,615 27 16O154 樓梯間 30 不施作空調

282,876

Total LoadTotal

CoolingLoad

PeopleLoad

Solar &ExternalWallLoad

LightingLoad

PartitionLoad

HVAC MATRIX

Room NameAream2 Flow

(kg/min)Density(kg/m3) Nozzle

Flow(cmh)

Density(Lpm/m2) Sprinkler

Flow(cmh)

Density(Lpm/m2)

FoamSpray

Flow(cmh)

Density(Lpm/m2)

SprayNozzl

SmokeExhaust

(cmh)Density

(cmm/m2)

1F STAFF RM 140 41 4.92 16 8392 1

1F CUSTOMERENTRANCE

1F WINDBREAK RM 261F MEETING ZONE 230 68 4.92 27 13774 11F TOILET (F) 141F TOILET (M) 81F PANTRY (F) 51F STORAGE 15 7 8.2 21F EMPLOYEE

ENTRANCE1F WINDBREAK RM 251F SHOSES LOCKER 38 19 8.2 4 2281 11F CORRIDOR 76 22 4.92 9 4530 11F TOILET (F) 171F TOILET (M) 131F PANTRY 91F SCRAP STORAGE 145 71 8.2 171F ANTEROOM 92 27 4.92 11

1F MG PREPARATIONRM 89 44 8.2 10 5359 1

1F MATERIALSTORAGE 459 226 8.2 53

1F COOLING WATERPUMP RM 243 120 8.2 28

1F VACUUM PUMPRM 676 332 8.2 78

1F CZ RM(UNDERFLOOR) 1832 901 8.2 212

1F EV1 MACHINERYRM 8 4 8.2 1




1F MAINTENANCESTAIR

1FCOOLING WATERPIT(UNDERGROUND)

103 51 8.2 12

2F EQUIPMENT I/L 87 43 8.2 10 5221 12F CORRIDOR 246 73 4.92 28 14748 12F CLEANING RM 121 60 8.2 14 7260 12F I/L 42 21 8.2 5 2520 1

2F PREPARATION RM 306 151 8.2 35 18360 1

2F CRINDING &CUTTING RM 947 466 8.2 110 56820 1

2F CZ RM 2271 1117 8.2 263 136260 12F CONTROL RM 78 38 8.2 9 4658 1

2F CONNECTINGCORRIDOR

3F RECEPTION RM 49 15 4.92 6 2965 13F PRESENTATION

RM 87 26 4.92 10 5193 13F SMOKING RM 13 6 8.2 1 763 13F RESTURANT RM 58 28 8.2 7 3465 1

Smoke Exhaust

消防區域條件需求表

Floor

Room Sprinkler System Spray SystemCO2 Extinquish System Foam System

公用系統平衡公用系統平衡

•• 水平衡圖水平衡圖

•• 全廠熱力平衡全廠熱力平衡

•• 進排氣平衡進排氣平衡

•• 電力平衡電力平衡

USF 67.0 USF 3457

480.0 USF 480.0 USF 5565.7 9377.7 USF 9888

MEP MEP

67.0 WW 3812 WW 2619

MEP 2712.0 MEP 67.0

567.7 m3/h USF 234.7 WW 234.7

USF

5152.7 375.6

USF 288.0 SNK C/R MAU MEP 288.0

2712.0 USF/SSI

5179.3 MEP 26.6 0.0 MEP 冰水系統 TM 1069.0

MEP MEP MEP 1080.0

MEP 1294.0 冷卻水塔 MEP 11.0

MEP

26.6Exhaust 21.6 洗滌塔 Exhaust 21.6

USFMEP 50.0 衛生用水 MEP 50.0

MEP

MEP 洗眼器 MEP

製程冷卻水 C/R空調一般空調 5

備註: 1. 水量單位為CMD 6061 58075 14870 生活用水 5

2. 平常無水量需求 88896 水溝排水

3. 冰水用量 50 5952 3888

4. 為T1廠用量 HV CDA

多層過濾器原水池

(FAB BF)純水系統

(CUB 1F) FAB

DI

自來水池

(FAB BF)ROR水箱

(CUB RF)

廢水廠

消防用水

蒸發/逸散損失

自來水箱

(FAB RF)

井水

自來水

2158.7 3234.7 3840

1729

1076 1035

44.6

67.7

44.7

44.7

1723.3

1056

1056

266.8

144 144

718

2 720

92

10.8

100 100

10 10

11054 20344 5184

2880 4210

4

至行政大樓

水平衡圖範例

水側熱平衡圖範例

進排氣平衡圖範例

電力單線圖範例

Documents

半導體與光電廠務設施 - ntut.edu.twmyweb.ntut.edu.tw/~f10870/file_dl/96up_class/03.pdf · 濕 式 蝕 刻 wet etch 光 阻 剝 離 stripper clean 純 水 蝕 刻 液 純

半導體與光電廠務設施 - ntut.edu.twmyweb.ntut.edu.tw/~f10870/file_dl/96up_class/03.pdf · 濕式蝕刻 wet etch 光阻剝離 stripper clean 純水蝕刻液純