1.Determine el voltaje de polarizacin de de VCE y la corriente le para la siguiente configuracinde divisor de voltaje de la figura 4.31.

Solucin: Obteniendo la resistencia equivalente y el voltaje de thevenin y :

Rth= R3 II R4

Obteniendo la intensidad de base:

Pero sabemos que:IC = IBIC = (140)(6.05A)IC = 0.85 mA

Una vez obtenida IB, podemos calcular VCE:

VCE = VCC IC (RC +RE)VCE = 22V (0.85mA)(10k +1.5k)VCE= 22V -9.78VVCE = 12.22V

2. En el siguiente circuito , calcule el punto de operacin y la potencia disipada en colector del transistor en reposo.Datos: F= hFE= 200 ; VEB= 0,6 V ; VEC sat= 0,1V ; ICO= 0.

Solucin: Suponiendo el transistor en activa y aplicando malla I calcularemos la IBQ:

Entonces:-VCC +VBE+IBQ(RB) + (ICQ + IBQ)R =0 .(1)Donde: IC= F(IB) + (F +1)ICO .(2)Pero: ICO=0De (1) y (2) :-VCC + VEB + IBQ(RB) +(F +1)(IBQ)R =0Despejando IBQ obtendremos que :

ICQ=F(IBQ)= 200(0.01436) =2.87mA

En la malla II calcularemos el VECQ:-VCC +VECQ +(ICQ + IBQ)R=0VECQ = VCC (ICQ + IBQ)R =15 (2.87 + 0.01436)(3) = 6.34V > 0.1V ; Q est en activaR/Punto d operacin: Q(IBQ=14,36A ;ICQ=2,87mA ;VECQ=6,34V)PC=ICQ(VECQ) = 2.87(6.34) = 18.21 mWR/ PC = 18.21mW