eMMC/eMCP SSD 持续升温—ª存市场... · 2013. 4. 12. · eMMC/eMCP、SSD 持续升温 Flash 市场缺货恐将持续产业分析报告联系方式电话：0755-86133027

2013 年 4 月 3 日

闪存市场行情概要：

闪存市场价格走势

2013 年 1-2 月 NAND Flash 市场综合价格指数累积上涨 15%，3 月上旬综合价格指数依然持续上涨走势，再

涨 18%，主要还是受上游供货紧缺持续影响。NAND Flash 相关产品闪存卡、U 盘等价格持续 3 个多月涨势，

导致部分产品高价不坠，并且价格涨幅已超出市场预期，3 月下旬部分商家获利回吐，整体价格指数表现缓

跌，下滑幅度约为 5%。

来源:中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com

闪存市场动向

厂商动态：NAND Flash 芯片厂将大部分产能都供给嵌入式（eMMC/eMCP）和 SSD 产品，并且今年对 NAND

Flash 资本支出均表现保守，纳米制程进入 1Xnm 又加大了技术难度，预期后续新产能产出有限，上游芯片

厂持续供应紧张的可能性较高。

终端应用：新智能型手机、平板电脑陆续上市且后续新品不断，带动 eMMC/eMCP 需求持续攀高。三星、英

特尔、美光等又全力提升 SSD 市场渗透率，消耗了大部分 NAND Flash 产能，NAND Flash 应用不断增加，

市场恐将持续缺货。

后市展望：3 月上旬价格表现大涨，下旬虽有缓跌但供货紧张持续，后续恐影响价格持续上涨。现在需求相

对集中且供货紧张，下游厂既遇商机又遇危机，NAND Flash 供应和 eMMC/eMCP 和 SSD 都被原厂把持，

下游厂能否持续拥有稳定货源和把握 eMMC/eMCP 和 SSD 市场商机，是长期将要面临的挑战。

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2013年1-3月深圳市场综合价格指数走势图

1月 2月 3月

中国闪存市场为您传递最前沿的市场信息

eMMC/eMCP、SSD 持续升温

Flash 市场缺货恐将持续

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目录近期闪存市场整体行情走势……………………….…………………………………...…………………………………..……………. 3

NAND Flash 相关产品价格走势 ……………………………………………………………..……………….………………..……….. 3

一、上游芯片厂 NAND Flash 供货吃紧价格看涨

二、供货紧缺闪存卡、NAND Flash 颗粒价格创 1 年新高

三、缺货影响扩大 eMMC 价格涨 SSD 价格持续下滑

四、上游芯片厂供货失衡闪存产品涨势已超出市场预期

NAND Flash 供应链厂商市场动向……………………………………………………………………………………..…….….……… 6

一、上游芯片厂 NAND Flash 投资减少新产出量有限

二、1Xnm 级、3D 架构 NAND 技术挑战大产能供应受限

三、eMMC/eMCP、SSD 产品消耗大部分 NAND Flash 产能

四、NAND Flash 供货短缺下游厂稳定货源是关键

NAND Flash 相关闪存产品应用市场…………………………………………………………………………………………..………. 9

一、三星 Galaxy S4、苹果新一代 iPhone 推升智能型手机出货量

二、中国市场智能型手机成长可期

三、国内平板芯片厂带动国产平板出货量不断提高

四、以 NAND Flash 为储存的缓存服务器或将拉开序幕

闪存市场新品展示……………………………………………………………………………………………………………...…………… 12

一、闪存产品市场

如：SSD、eMMC、U 盘等闪存产品

二、消费产品市场

如：智能型手机、平板电脑、超极本等电子产品

NAND Flash 供应链厂商月营收状况…………………………….....………………………………..…………………………..……15



3

一、近期闪存市场整体行情走势

市场缺货持续，主要是 eMMC/eMCP 和 SSD 消耗了大部分 NAND Flash

产能，加上上游芯片厂新产能产出有限，导致没有足够的 NAND Flash 芯片供

应给闪存卡(Micro SD、SD)和 U 盘(U 盘模块、USB3.0(PCBA)) 等产品，此

类闪存产品价格持续 3 个多月涨势，带动整体价格指数走高。据中国闪存市场

网价格指数走势图，2013 年 1-2 月 NAND Flash 市场综合价格指数累积上涨

15%，3 月上旬价格指数从 1639 一直上扬至 1929，再涨 18%，依然持续上

涨走势，价格指数已回到 2011 年底的水平了。

3 月上旬部分产品价格大涨，价格涨幅已超出市场预期，价格维持高价不

坠。下旬部分商家开始获利回吐，影响综合价格指数呈现缓跌之势，价格指数

基本维持在 1850 左右上下波动，下旬最大跌幅大约为 4%。展望后续价格走

势，4 月初中国清明假期和五一假期，以及新智能型手机陆续上市效应带动，

市场供不应求的情况恐加深，影响价格上涨迹象较为显著。

图 1：


二、NAND Flash 相关产品价格走势

1、上游芯片厂 NAND Flash 供货吃紧看涨价格

2012上半年NAND Flash产业陷入供过于求的困境，价格一度跌入低谷，

2012 年除了三星借助智能型手机销售营收稳定小幅增长外，大部分厂商营收

均表现不尽如人意，东芝、英特尔、SK 海力士营收表现失色，美光更是连续

几个季度缴出亏损成绩单。2012年惨状让上游芯片厂有跌价恐惧了，至于2013

年即使没有足够的产能供应，也不想出现供过于求，价格惨跌，营运亏损严重

的情况。

三星、东芝、SK Hynix 等在 2012 年下半年已减少了 NAND Flash 芯片产

出量，2013 年又大幅度的节制 NAND Flash 新产能投资额。需求端

eMMC/eMCP 在智能型手机和平板电脑出货带动下，需求数倍增长。SSD 在

PC 市场虽然不如预期，不过三星、英特尔、美光等新品出货量持续上升，同

时 SSD 逐渐向企业和服务器市场应用转移，加大了 NAND Flash 芯片的消耗

量，NAND Flash 应用市场需求突飞猛进，让 2013 年 NAND Flash 芯片供应

相对需求明显不足。2013 年 NAND Flash 芯片厂并没有大幅增加 NAND Flash

新产能的意愿，就算改生产线应对市场需求，也需要 1 季度以上的生产周期才

能开始出货，所以 2013 年上半年 NAND Flash 恐持续缺货，影响 NAND Flash

相关产品价格继续维持高位或上涨。

图 2：


1639.07

1630.27

1638.07

1685.87

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1846.36 1875.34

1882.31

1868.31

1867.91

1847.51

1832.11

1848.61

1876.01

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2013年3月深圳市场综合价格指数走势图

价格指数

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1 4 5 6 7 8 11 12 13 14 15 18 19 20 21 22 25 26 27 28 29

开盘收盘

3月深圳市场Micro SDHC 4GB(CL2-6)价格走势图

单位：人民币



4

2、供货紧缺闪存卡、NAND Flash 颗粒价格创 1 年新高

2013 年 1 月-3 月 NAND Flash 缺货严重，仅表现在闪存卡、U 盘、NAND

Flash 颗粒等产品上，影响价格持续 3 个多月的涨势，尤其是 Micro SD、NAND

Flash 颗粒价格已回到 2011 年的价位了，创 1 年新高，不过 3 月下旬价格有

小幅回落。未来几个月闪存卡和 U 盘等产品所用的 NAND Flash 供货吃紧恐

未能明显改善，涨价趋势将持续。

3 月市场缺货影响持续扩大，大部分 NAND Flash 产品涨价表现在 3 月上

旬，据中国闪存市场网报价显示，Samsung、Intel、SK Hynix、Micron 的 NAND

Flash MLC 芯片累计近 2 个月最大涨幅平均在 30%左右。例如：Samsung

32Gb MLC (GBG) 价格 3 月上旬上涨 20%，最高价站上 USD3.6 美金，累积

2 个月涨幅达 23%，下旬价格跌至 USD3.42 美金；SK Hynix 64Gb MLC (UCG)

价格 3 月上旬上涨 11%，最高价涨至USD5.02 美金，累积 2个月涨幅达 14%，

下旬下跌至 USD4.92；Samsung 16Gb MLC (GAG)涨幅更高，累积 3 个月达

54%。

NAND Flash TLC 价格在 2 月无明显波动，3 月明显表现为上扬走势，据

中国闪存市场网报价显示，Samsung 64Gb TLC (ACG)价格由 USD3.6 美金上

扬至 USD4.05 美金，大约上涨 13%。Samsung 64Gb TLC (ACG) 价格由

USD1.9 美金上扬至 USD3.72 美金，上涨 96%。

众多闪存产品中，Micro SD 价格上涨趋势最为突出，2013 年 1 月-3 月上

旬呈现大涨趋势，据中国闪存市场网报价显示，Micro SDHC 4GB(CL2-6)深圳

市场价格 3月上旬上涨至最高价人民币 25.2 元，上涨 37%，累积涨幅高达 90%，

截止 3 月底价格回落至人民币 23.5 元；Micro SDHC 8GB(CL2-6)深圳市场价

格涨至最高价人民币 29.6 元，上涨 21%，累积涨幅高达 30%，3 月底价格回

落至人民币 26.5元；Micro SD 2GB累积 3个月涨幅达 73%。SDHC4GB(CL2)、

SDHC 8GB(CL2)价格累计 3 个月涨幅分别为 20%、10%。

至于 U 盘模块、USB3.0(PCBA)产品也随着这波缺货潮，价格持续走高，

据中国闪存市场网报价显示，U 盘模块 16GB(TLC)在 3 月涨至最高价人民币

53 元，累计 3 个月涨幅达 22%；U 盘模块 32GB(TLC) 涨至最高价人民币 102

元，累计 3 个月涨幅达 13%；USB3.0(PCBA)产品由于价格偏高，而且 USB 3.0

产品目前并不是被广泛应用，所以在 1 月和 2 月未表现大幅度上扬，不过上游

缺货影响不断扩大，也影响 USB3.0(PCBA)价格在 3 月呈现大幅上扬走势，

USB3.0(PCBA) 32GB 涨至最高价人民币 99 元，价格涨 7%；USB3.0(PCBA)

64GB 涨至最高价人民币 194 元，价格涨 5%。

图 3：


图 4：


图 5：


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开盘收盘


单位：人民币

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2.6

3

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1 4 5 6 7 8 11 12 13 14 15 18 19 20 21 22 25 26 27 28

开盘收盘


单位：美金

3月香港市场Samsung 32Gb TLC (ABG)价格走势图

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开盘收盘

3月深圳市场U盘模块 16GB(TLC)价格走势图

单位：人民币



5

3、缺货影响扩大 eMMC 价格涨 SSD 价格持续下滑

2013年1月-2月eMMC市场供需平衡，价格走势平稳，但是eMMC/eMCP

需求量随新智能型手机和平板电脑出货而不断提升，MLC NAND Flash 芯片被

持续大量消耗，市场需求增长如此之快是上游芯片厂始料未及的，同时 4 核平

板芯片的发展让 eMMC 存储容量向高容量提升。上游芯片厂 NAND Flash 芯

片在 1 月-2 月还能够维持 eMMC 供应平衡，不过未来几个月 eMMC 恐将出现

明显的缺货现象。3 月 eMMC 部分产品价格有明显涨幅，也不排除 eMMC 生

产商部分 eMMC 容量已出现供货紧缺的情况。

据中国闪存市场网报价显示，eMMC 2GB MLC V4.41 产品由于市场需求

有限，价格在 3 月走势相对平稳，最低价和平均价出现 USD0.1 美金的涨价；

目前低端智能型手机均开始搭配 eMCP 4+4 为主，其内部规格为 4GB

eMMC+4Gb LPDDR2。智能手机嵌入式市场对 4GB MLC 的容量需求迅速增

加，导致市场上 4GB TSOP 和 4GB eMMC 资源锐减，价格在迅速上涨，带动

3月份eMMC 4GB平均价格上涨至USD3.45美金，价格表现为微涨，但 eMMC

供货已趋于更加紧张。而第二季度，随着联发科 6577 和 6589 平台智能手机

的迅速上量，一线手机品牌厂开始集体进攻中低端市场，会导致 4GB MLC 资

源的更加匮乏。而且国内平板市场领域，市场出现了淡季不淡现象，各芯片厂

商都开始主力推广 4 核芯片，平板搭载的 eMMC 容量都是以 8GB、16GB 为

主，此类容量的 eMMC 整体市场需求不断升温。产能持续大量消耗让部分生

产商已出现供货紧缺，影响价格在 3 月表现涨势，跟以前走势相比应该算是大

涨。3 月份 eMMC 8GB 平均价格从 USD5.95 美金上涨至 6.4 美金，上涨 8%；

eMMC 16GB 3月平均价格上涨 3%至USD 11美金；至于 eMMC 32GB产品，

目前仅表现在高端智能型手机和平板电脑上，消费者需求量有限，3 月平均价

格涨至 USD20.6 美金，表现微涨。

eMMC 和 SSD 都是 NAND Flash 产业看好的产品，eMMC 产品在 3 月表

现出微涨或平均 5%的趋势，NAND Flash 颗粒、闪存卡等产品更是出现 20%

的涨势，SSD 却依然维持微幅下滑走势。

进一步分析，三星、美光、英特尔等从 2011 年开始就把 SSD 产品作为重

点发展产品之一，由于 SSD 容量从 128GB 起跳，所用的 NAND Flash 芯片相

当大，上游芯片厂一定要预备足够的产能供 SSD 所用，倘若 SSD 因供货短缺

而造成价格上涨，在消费性产品市场及服务器市场上应用便更难扩展。再者，

如果 SSD 市场孵化夭折，恐再现 NAND Flash 供过于求的混乱局面，NAND

Flash 相关产品也将再现 2012 上半年跌势，所以上游芯片厂对 SSD 所用的

NAND Flash 不会缺货，这也是 2013 年 1 月-3 月 SSD 持续缓幅下滑的主因。

据中国闪存市场网报价显示，整体 SSD 产品 2013 年 1 月-3 月累计跌幅均在

2%以内。

图 6：


图 7:


图 8：

5.75

5.9

6.3 6.3

6.3 6.4

6.7

6.7

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6.4 6.4

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6

6.2

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3/5 3/12 3/19 3/26

最低价最高价平均价

3月香港市场eMMC 8GB MLC V4.41价格走势图

单位：美金

10.2 10.2

10.6

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11 11

11.2 11.5

10.7 10.7

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10.4

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3月香港市场eMMC 16GB MLC V4.41价格走势图

单位：美金

79 79

78.5 78.3

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3月香港市场2.5' SSD SATA3 128GB价格走势图

单位：美金




6

4、上游芯片厂供货失衡闪存产品涨势超出市场预期

据上述的价格涨幅，Micro SDHC 4GB(CL2-6)累积 3个月最高涨幅达 90%，

Micro SDHC 8GB(CL2-6)累积最高上涨 30%，Micro SD 2GB 累积最高涨幅达

73%，短短的 3 个月涨幅已创历史新高，很显然价格涨幅过大，已经超出市场

预期，而且从图 9 的历史价格数据显示，Micro SD、NAND Flash 颗粒的价格

区间以及接近 2011 年的价格位置了。

从价格大趋分析，以 Micro SDHC 产品为例，4GB 和 8GB 是中低端智能

型手机主流存储容量，随着 NAND Flash 纳米技术向 1Xnm 等级迈进，NAND

Flash 生产成本会不断下滑，Micro SD 价格也应该持续下滑才对，更何况 Micro

SD 采用 TLC NAND Flash 生产，生产成本更低，即使不是持续下滑，也不会

出现大幅度飙涨超过 50%以上，2013 年价格波动幅度已经超出了波动范围，

偏离了正常发展的趋势轨道。

部分 NAND Flash 产品不合理的涨价很可能会破坏其他闪存产品的生态

平衡，从图 9 中 2013 年 Micro SD、NAND 颗粒、eMMC 历史价格显示，Micro

SD 2GB 和 4GB 价格分别已经临近或者超过 eMMC 2GB 和 4GB 最高价和平

均价，Micro SD 市场需求已随着智能型手机转为内嵌 eMMC 存储持续萎缩，

现在 Micro SD 价格较高，导致手机系统厂采购成本增加。很多厂商可能会将

采购产品转向 eMMC 等内嵌存储，这样使 Micro SD 需求再次受到冲击，而

eMMC 将涌现出原本 Micro SD 的客户，导致 eMMC 需求量再增，原本供需

平衡的 eMMC 也将面临供货紧缺的危险。同时 MLC NAND Flash 16Gb 和

32Gb 价格也站上 USD3.05 美金、3.6 美金，增加了生产商 eMMC 生产压力，

NAND Flash 长期维持高价恐将使 eMMC 也涨价。

三、NAND Flash 供应链厂商市场动向

1、上游芯片厂 NAND Flash 投资减少新产出量有限

近期 NAND Flash 相关产品大幅度涨价，跟上游芯片厂产能产出有很大的

关系，终端应用产品智能型手机、平板电脑等移动智能设备需求量大，不仅带

动 NAND Flash 需求成长，也带动移动处理器和 Mobile DRAM 需求升温，2012

下半年上游芯片厂三星、东芝、SK 海力士等为了改善供过于求的窘境，纷纷

转换生产线生产移动处理器、Mobile DRAM 等需求量大的产品。比如三星美

国奥斯汀厂转生产系统逻辑芯片和芯片代工，SK-Hynix 清洲工厂的 M12 产线

改为生产 DRAM 与 NAND Flash 的混合生产线，等等。2012 年 NAND Flash

产出量大幅度减少，影响 2013 年 NAND Flash 芯片供应量有限。

图 9：Micro SD、eMMC、NAND 颗粒最高价和最低价数据表

来源:中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com 单位：美金

图 10:

来源: IC Insights 2013F 为预估值单位：亿美元

对于 2013 年，上游芯片厂三星、美光、海力士、东芝等对 NAND Flash

产业资本支出也均有所保留，据 IC Insights 数据显示，2013 年 NAND Flash

产业总资本支出预估降至 104 亿美元，较 2012 年减少约 6.3%。至于 2012 上

半年欲建的 NAND Flash 厂房，三星中国西安厂 2014 年才能开始投产，东芝

的 Fab 5 第二期工厂还没有竣工，美光收购尔必达要在今年 6 月才完成，新建

的厂房对现在供不应求的情况根本无法支援。

除了增加投资新建产能，就只能在生产线上转换，以前从 NAND Flash 转

换生产 DRAM 需要 2 个月时间，如今再转换生产 NAND Flash 既浪费资金，

而且从转换到生产再到出货也至少需要 1 个季度的时间，更是远水解不了近渴，

同时也将影响到其他产品生产量和供应量。

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2010 2011 2012 2013F

NAND Flash产业资本支出情况

2010 年 2011 年 2012 年 2013 年

容量高点低点高点低点高点低点高点低点

Micro

SD

2GB 4.7 3.08 3.41 2.22 2.32 1.18 3.25 1.95

4GB 7.4 4.28 5.15 3.15 3.18 1.8 3.6 2.6

NAND

颗粒

16Gb MLC

(GAG) 3.1 4.85 4.2 2.52 2.85 1.66 3.05 1.98

32Gb MLC

(GBG) - - 4.72 2.98 3.56 1.95 3.6 2.92

eMMC 2GB - - 4 3.45 3.8 2.85 3.3 2.9

4GB - - 6.5 5.1 5.6 3.1 3.65 3.1



7

2、1Xnm 级、3D 架构 NAND 技术挑战大产能供应受限

NAND Flash 芯片厂在 2013 年并不会新建产线生产 NAND Flash，现在

只有通过 NAND Flash 纳米技术增加产量，一是加紧 1Xnm 级纳米技术量产，

二是采用 3D 架构 NAND Flash 技术生产。

从 2008 年至今平均每 12 个月跨一个世代，速度超过了摩尔定律的 18 个

月，不过从 2012 年开始纳米技术转换难度加大，而且向下微缩速度减缓，间

接影响 NAND Flash 产出量。据产业人士透露，2012 年三星、东芝、美光等

在 20nm 等级左右时均出现切换不顺的情况，目前除了美光还有一点问题之外，

其他的芯片厂已经解决了。根据三星原计划 2013 年会采用 16nm 技术生产

NAND Flash，不过由于考虑到精准度和稳定性等问题，准备采用 18nm 作为

过渡技术，量产稳定后再逐渐切换到 16nm 生产，东芝/SanDisk、美光同样采

用 18nm 投产，虽然 SK Hynix 要采用 15nm 生产，不过能否顺利大批量的产

出还有待考验。

此外，NAND Flash 技术进入 1Xnm 之后，必须使用极紫外光(EUV)设备，

这样才能有效的缩小芯片尺寸和减少成本，不过极紫外光(EUV)设备采购成本

非常的高昂，如果要大规模采购的话将是一笔不菲的支出，2012 年各芯片厂

都没有大的获利，2013 年也未有大幅度增加预计支出，在此设备布局上可能

要比预期晚。

目前一体成形的 3D NAND Flash 技术包括 P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost

Scalable)，TCAT(Terabit Cell Array Transistor)，VSAT(Vertical Stacked Array

Transistor)，VG（Vertical Gate NAND）等，立体结构不仅解决了晶粒堆栈中

的干扰问题，而且减小成品芯片厚度，增加存储容量。

三星开发了 VC 型 TCAT 和 VG 型 VG-NAND 技术，可能将用于生产 3D

NAND Flash，2013 年底发布首款产品；东芝计划采用 P-BiCS 技术量产 3D

NAND Flash，样品出货预计在 2013 年下半年；SK Hynix 则使用微调

VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产 3D NAND Flash 芯片，并

将于 2013 年内完成研发工作，然后开始试产。

3D 立体堆叠芯片虽然在成本、储存密度更具优势，不过由于结构复杂，

对生产的 NAND Flash 稳定性更难把握，而且与 2D 完全不同，也许会出现一

波换机潮，设备费用也将是要考虑的问题之一。

图 11:

来源:中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com 整理

图 12: 3D VG 技术架构复杂程度展示

来源: 互联网搜集

纳米技术

厂商 2008 年 2009 年 2010 年 2011 年 2012 年 2013 年

三星

Samsung 42nm 35nm 32nm 27nm 21nm 18nm

东芝/新帝

Toshiba/SanDisk 43nm 43nm 32nm 24nm 19nm 18nm

美光

Micron 34nm 34nm 25nm 25nm 20nm 18nm

爱思开海力士

SK- Hynix 46nm 46nm 35nm 26nm 20nm 15nm



8

3、eMMC/eMCP、SSD 产品消耗大部分 NAND Flash 产能

NAND Flash 产业目前全球的 NAND Flash 供应量大约是 360 亿颗 1GB

当量，SSD 市场将消耗大约 30%的 NAND Flash 产能，智能型手机和智能终

端产品使用的高品质 MLC 及嵌入式存储（eMMC/eMCP）大约消耗 40%，

NAND Flash 产能用在 SSD 和 eMMC/eMCP 产品上大约超过 70%的份额。大

约 20%的产能用在 Micro SD、SD 卡、U 盘等产品上，其他的行业存储应用大

约消耗 10%。

三星生产 NAND Flash 主要工厂分别为 Fab12、Fab14、Fab16，另外

Austin 已转为生产逻辑芯片，中国西安工厂要在 2014 年才能投产，三星去年

NAND Flash 销售额达 37%，为最大的供应商。以三星规划，今年将大举开拓

智能型手机和平板电脑市场，曾预计 2013 年手机销量 5.1 亿台，其中智能型

手机达 3.9 亿台，平板计划 3000-4000 万台，并且三星也把 SSD 产品作为重

点发展的产品之一。同时三星有意计划在越南兴建一座厂房，主要用于生产手

机，2013 年底开始投产，预计在 2015 年之前将越南的手机总体产能提升至

2.4 亿台，由此可见三星将会持续发展自家的消费电子产品，因此对外供应的

NAND Flash 将会越来越少。

第二大 NAND Flash 供应商东芝拥有 Fab 4 和 Fab 5 两座 NAND Flash

生产工厂，满载月产能大约 50 万片 12 吋晶圆，Fab5 二期厂房还在建设中，

今年很难投产，去年 NAND Flash 销售额市占率为 31%。自从苹果与三星在

智能型手机和平板电脑产品的专利战越演越烈的催化下，苹果减少了对三星部

分 NAND Flash 的采购，转而向东芝和 SK Hynix 采购，而且东芝还要供货给

SanDisk 生产 SSD 和 eMMC 等产品，SK Hynix 也在全力发展 SSD，且所拥

有的 M11 和 M12 产能并不多，所以整体对外释出的产能也是相当有限的。

美光最近一个季度 SSD 占 NAND Flash 业务总量的 20%，再加上供给其

他 SSD 生产商的 NAND Flash，大约有 40%的 Flash 用在 SSD 上。至于英特

尔，虽然和美光合资的三个 NAND Flash 工厂的其中两个由美光收购变全资控

股，但是两者依然保持者密切的合作关系，英特尔推出的 SSD 新品数不胜数，

且更新换代 SSD 快，更需要足够的 NAND Flash 供应，英特尔 SSD 的发展加

速美光 NAND Flash 产能的消耗。

在三星、英特尔、美光、苹果等大量消耗 NAND Flash 的同时，诺基亚、

索尼、Google 等智能型手机的成长也带动 eMMC/eMCP 需求量提升，而且现

在国内手机品牌厂华为、中兴 2012 年 Q4 全球手机销量排名前五，代表着国

内手机厂商的销量日益提升。同时在全志、瑞芯微、晶晨等国内芯片厂的带动

下，国产平板电脑出货量也在持续上升。现在 eMMC 和 SSD 需求量不断提升

也超出市场预期。

图 13: SSD 和 eMMC/eMCP 产品消耗 70%的 NAND Flash


图 14:芯片厂 2012 年 NAND Flash 销售情况

2012 年 Q4 销售额 2012 年销售额 2012 年市占率（%）

三星 1992 7459 36.9

东芝 1789 6222 30.8

美光 672 2746 13.6

SK 海力士 683 2295 11.4

英特尔 484 1432 7.1

其他 14 57 0.3

总和 5634 20211 100

来源: IHS Suppli 数据单位：百万美元

4、NAND Flash 供货短缺下游厂稳定货源是关键

上游芯片厂 NAND Flash 芯片供应失衡，市场需求又相对集中，下游大部

分模组厂在 eMMC 和 SSD 产品上缺乏竞争力，闪存卡和 U 盘等产品又拿不到

足够的货，模组厂虽然在近期涨价行情下明显受惠，但是公司稳定获利以及未

来持续发展，稳定货源将是必须要解决的问题。

对于三星、诺基亚、苹果等智能型手机和平板等出货量大的系统厂来讲，

拿到足够的 NAND Flash 不成问题。现在仅智能型手机和平板电脑需求独大，

能够深耕的领域有限，对于出货量相对较小的其他系统厂来说，目前供应紧张

的局势，系统厂除了深耕产品创意，差异化凸显自我品牌之外，也将面临供货

紧缺的危险，能否拿到足够的 NAND Flash 是很多厂商急于要解决的问题。

SSD 30%

Flash/eMMC /eMCP

40%

存储产品 20%

其他 10%



9

四、NAND Flash 相关闪存产品应用市场

1、三星 Galaxy S4、苹果新一代 iPhone 推升智能型手机出货量

在智能型手机市场，三星 Galaxy 系列和苹果的 iPhone 系列产品被列为

高端产品，存储容量均搭载 16GB-64GB eMMC 产品，是智能型手机消耗

NAND Flash 的主要驱动力。

3 月三星新一代旗舰机 Galaxy S4 在 3 月 15 日发布，预计在 4 月开始正

式销售，有人称 Galaxy S4 智能型手机预购订单已超过 1000 万支，英国手机

经销商 Carphone Warehouse 也表示 Galaxy S4 预订量是 Galaxy S III 的近

4.5 倍。据 IDC 统计的历史数据显示，三星在 Galaxy S 系列和 Note 系列的手

机销售旺的带动下，2012 年 Q4 整体智能型手机销量站上 6300 万台，另有分

析师预计 2013 年以来三星每个月平均卖出 250 万台智能型手机，Q1 销量有

望突破 7000 万关卡。

至于苹果 iPhone 销售量据分析师预期 2013 年 Q1 将维持在 5000 万台左

右，苹果新一代 iPhone 可能在 6 月份发布，而且计划在第 2 季开始生产新一

代 iPhone，以往苹果新机发布总会带动苹果整体销量上升。2012 年 Q2 和 Q3

由于消费大多等待新机发布，所以销量均跌破 3000 万台，Q4 在新机 iPhone 5

的带动下销售量成长 78%至 4780 万台，可见苹果新机的冲击力有多大。

2、中国市场智能型手机成长可期

智能型手机市场规模不断的扩大，主战场开始从高端向低端蔓延，三星智

能型手机高中低市场通吃，诺基亚也推出多款低端新智能型手机抢占低端市场，

欲在中国市场、印度等新兴市场展开大战，根据 DIGITIME 统计数据，2013

年开始中国智能型手机需求量将超越功能机，内需市场将达 3.3 亿台。

在高端智能手机芯片市场具有较高地位的高通，在 2013 年也将加大中低

端智能手机领域的投入来拓展新兴市场，尤其是中国市场。高通年初发布高端

新一代骁龙 800、600 后，迅速推出 400 和 200 系列处理器攻中低端智能型手

机市场。

至于长期主攻中低端市场的联发科和展讯，联发科目前双核芯片 MT6577

营收占比最高，不过四核芯片MT6589在3月预估出货3~5百万，而且MT6572

芯片 Q1 量产，在 3 月也已交货，预估联发科 3 月智能型手机芯片出货量将冲

上 1500 万以上，作为联发科长期对手的展讯抢占市场也当仁不让，布局动作

频繁。中国市场智能型手机的成长不仅表现在芯片厂商出货量上，也体现了国

内手机品牌厂华为、中兴、联想等在智能型手机市场开始能与部分国际大厂一

较高下。

图 15:

来源: IDC 数据单位：万台 2013Q1F 为预估平均值，仅供参考

图 16: 华为、中兴 2012 年 Q4 位列全球智能手机市场份额前五

来源: IDC 数据单位：百万台

据 IDC 统计数据显示，华为、中兴能在 2012 年 Q4 全球智能型手机市占

率上排名前五，华为以 89.5%的成长率位居第三，仅次于苹果；中兴以 48.4%

的成长率排名第五，紧跟其后。虽然国内品牌厂华为、中兴与三星、苹果智能

型手机销量的差距还很大，但是他们的成长也显示出国内品牌厂可发展的潜力。

1865 2034 1707

3704

3510

2600 2690

4780 5000

1150 1730

2360

3600

4220

5020

4445

6300

7000

0

1200

2400

3600

4800

6000

7200

8400

11Q1 11Q2 11Q3 11Q4 12Q1 12Q2 12Q3 12Q4 13Q1F

苹果、三星智能型手机季度出货量统计

2012Q4

出货量

2012Q4

市占率（%）

2011Q4

出货量

2011Q4

市占率（%）

同期

增长率（%）

三星 63.7 29 36.2 22.5 76

苹果 47.8 21.8 37 23 29.2

华为 10.8 4.9 5.7 3.5 89.5

索尼 9.8 4.5 6.3 3.9 55.6

中兴 9.5 4.3 6.4 4 48.4

其他 77.8 35.5 69.2 43.1 12.4

总和 219.4 100 160.8 100 36.4



10

3、国内平板芯片厂带动国产平板出货量不断提高

除了中国市场智能型手机市场可期之外，平板市场规模从 2012 年也开始

快速发展起来，eMMC 存储容量一般从 8GB、16GB eMMC 起跳，今年主流

存储容量开始向 32GB 提升。目前全球依然以苹果的 iPad 市占率最高，不过

2012 年 Q4 市占份额已从两年前的 73%下滑至 43.6%，随之崛起的是三星、

亚马逊、华硕等平板厂，国内平板厂商从 2012 年出货也表现相当可观，成为

平板市场发展的新生力量。

国内主要的平板芯片厂有全志、瑞芯微、晶晨等，全志在 2012 年推出的

A10 芯片奠定了在平板芯片市场的基础，2012 年底推出 Cortex-A7 架构的四

核芯片 A31，2013 年已经有平板开始出货，随后又推出 A31 的双核芯片版本

—A20，预计 4 月开始出货。全志从 2012 年初单月芯片出货量 100 万片增长

到 2013 年单月出货量 500 万片，增长幅度接近 50%，成为国内平板芯片厂出

货量最大的厂商。

瑞芯微除了RK3066新品，还将推两款A9双核RK3168和RK3028芯片，

或将与 4 月上市，2012 年底推出的四核芯片 RK3188 也将很快上量，瑞芯微

从当初不到 100 万片的月出货量提升至目前月出货 250 万片，数量已经突飞

猛进。其他芯片厂晶晨月出货大约 150 万片，炬力一个月大约出货 50 万片，

而且目前炬力的芯片最具低价优势，势必推升月出货量持续走高，至于盈方微

一个月大约出货 40 万片。现在国内芯片厂均出现不同幅度的成长，累积单月

芯片出货量已超过 1000 万片，2013 年全年出货恐较 2012 年增一倍。

除了国内芯片厂，最具低价产能优势的联发科也将进入平板芯片领域，且

主攻中低价市场。据称 MTK 8377 双核开始大规模量产，MTK 8389 将在 5 月

开始大批量上市，联发科方案整合了基带芯片，主推可以通话的平板概念，势

必在国内平板市场上再掀波澜。平板市场的中低端市场还主要以使用 NAND

Flash TSOP 为主，而联发科芯片平台只支持 eMMC 或者 eMCP 的搭配，势

必大幅增加市场对 eMMC 相关产品的需求。随着双核芯片的不断普及，四核

芯片逐渐上量，双核芯片的出货量今年有望超越单核，而且芯片报价也将越来

越低，预计 2013 年将是平板出货量大爆发的一年，同时持续放大的平板市场

也将会引来其他领域的厂商转型，投入到平板市场来。

国内平板厂商主要有昂达、台电、蓝魔、酷比魔方等，以前国内大部分厂

商一直把硬件配置当作重点发展。现在全志、瑞芯微等芯片技术不断增强且成

本低廉，据中关村报价显示，昂达搭载全志 A31 四核芯片的 V972 平板售价

￥1299 元，台电 P88 平板售价更低；搭载炬力四核 ATM7029 芯片的蓝魔 W41

平板售价更在千元以下，现在低价平板也具有高端平板的配置，高性能、低价

格可以说是国内平板厂商迅速发展起来的原因之一。

图 17:

来源: 市场搜集的数据单位：万片

图 18: 中低端市场主要平板芯片厂 4 核芯片情况

来源:中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com 整理

然而，国内厂商如果过度的拼性能和价格，市场普遍出现低价格、高配置

的平板，虽然消费者起初会有新鲜感，但时间已久就会出现疲乏感，同时会使

刚刚起死回生的生态链胎死腹中，重蹈山寨机经营之路的覆辙。未来内容多样

化和软件应用的创新，利用产品的差异化突显自家品牌将是国内厂商要深深思

考的问题。

500

250

150

50 40

0

100

200

300

400

500

600

全志瑞芯微晶晨炬力盈方微

国内主要平板主控厂单月芯片出货量预估

全志瑞芯微晶晨炬力联发科

芯片型号 A31 RK3188 M8 ATM7029 MTK8389

内核架构 ARM

Cortex-A7

ARM

Cortex-A9

ARM

Cortex-A9

ARM

Cortex A9 -

核数 4 核 4 核 4 核 4 核 4 核

主频

（GHz） 1.0-1.2GHz 1.6-1.8GHz 2.0GHZ 1.5GHz 1.2GHz

代表产品昂达 V972 酷比魔方

豌豆 2 - 蓝魔 W41 -

产品售价￥1299 元 - - ￥899 元 -



11

4、以 NAND Flash 为储存的缓存服务器或将拉开序幕

除了 eMMC，对于 SSD 产品一直是备受期待的，从 2012 年开始三星、

美光、英特尔等纷纷推出消费性产品搭载的 SSD，然而 SSD 所在的消费性市

场仅限于游戏玩家、企业商用及薄型笔记本市场有需求，而且在 PC 电脑市场

SSD 和 HDD 价格相差很大。2012 年 Ultrabook 的定价都超过 6000 多元人民

币，且搭载纯 SSD 售价都在万元以上，到 2013 年初售价依然在万元左右，

SSD 在消费性产品市场的渗透率远不如预期，SSD 开始转向服务器存储市场。

PC 所用的 SSD 与服务器用的 SSD 消耗 NAND Flash 比例是 1：4。

据 IDC 统计的数据显示，包括 PC、平板和智能型手机在内，2011 年全

球智能上网设备出货量超过 9 亿台，2012 年全球智能上网设备出货量增长

29%，突破 10 亿台大关，其他电子产品也逐渐开始转向智能化，将会有更多

的上网设备出现。随着智能上网设备的增加，有利的刺激网上购物、移动社交

互动、移动存储、移动支付等各种应用迅速膨胀起来，以后这种基于互联网的

通信会更加频繁。

另据中国联通/移动今年3月公布的数据，中国联通2月新增3G用户335.9

万，累计用户达 8348.4 万；中国移动 2 月新增用户 575.1 万，由于 2G 用户

向 3G 用户转移增加，新增 3G 用户 951 万超越新增总用户。据 GSA 数据，

截至 2012 年第 4 季全球 LTE 用户数已接近 7000 万关卡，预计今年 4G LTE

全球用户数将冲破 1 亿。现在 3G 和 4G 的用户不断增加，全球 WiFi 普及率高

速增长，用户上网量及流量均呈现持续扩大的发展趋势。

移动设备成为市场主流，网络数据访问量越来越大，为了提高大量用户访

问网页、动态更新、发言、支付数据等回应速度，很多大型门户网站开始对网

络服务器架构进行升级。据说 Facebook 准备将过去以 DRAM 为储存主体的

Memcached 缓存系统，改为以 SSD 为主体的 McDipper。用 NAND Flash 作

为缓存服务器存储不仅存储容量较以前提高十几倍、回应迅速，而且断电缓存

数据不消失，这是 DRAM 永远无法做到的。

服务器缓存市场，随着智能手机、PAD、智能终端的大量普及，而且 SSD

的高速低功耗的性能体现击败了 HDD 和 DRAM 缓存，在 2013 年急剧爆发大

量的 SSD 需求。很多大型网络企业如 Facebook、Google、Microsoft 等的高

价采购 SSD，成为 Flash 原厂最佳利润产品，加上 PC 的 SSD 合计已经占据

到原厂的 30%～40%的 NAND FLASH 产能。

图:19：超极本价格对比表

品牌华硕

TAICHI 21

华硕

S46E3317CM-SL

戴尔

XPS 13

戴尔

V5460D-1618

CPU 型号 Intel 酷睿

i5 3317U

Intel 酷睿

i5 3317U

Intel 酷睿

i7 2637M

Intel 酷睿 i5

3337U

硬盘容量 256GB SSD 24GB SSD

+750GB HDD

256GB

SSD

32GB SSD

+500GB

售价（元） 11000 5000 12000 5599

来源: 中关村在线中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com 整理

图:20：全球主要智能上网设备成长规模预期

2012

出货量

2012

增长率

2013

增长率

成熟市场

2013 增长率

新兴市场

2013 增长率

台式电脑 148.4 -4.10% -4.30% -5.50% -3.50%

移动电脑 202.0 -3.40% 0.90% -3.10% 4.10%

平板电脑 128.3 78.40% 48.70% 41.40% 60.70%

智能型手机 722.4 46.10% 27.20% 15.10% 35.10%

总共 1201.1 29.10% 21.20% 13.80% 26.60%

来源: IDC 的数据中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com 整理



12

五、闪存市场新品展示

1、3 月闪存产品市场

英特尔 SSD DC P2950/Pro 1500 广颖推 SSD 新品抢升级市场宇瞻工业计算机用的 SSD

希捷推固态混合式硬盘正式出货浦科特多款 SSD 亮相 CeBIT PQI 全球最小 WTG 认证 USB 3.0

浦科特展出了基于 TLC 闪存颗粒的 SSD 产

品，该产品将采用 Marvell 88SS9187 主控

方案，东芝提供 TLC NAND Flash ，容量

128GB、256GB、512GB，读写速度最高可

达 540MB/s、465MB/s，随机读写最高则

可达 80000 IOPS、72000 IOPS。

英特尔计划推 DC P2950 系列 SSD 产品，

以及针对企业级应用 Pro 1500 系列 SSD，

P2950 将采用 25nm 的 SLC 芯片，而 Pro

1500 将采用 20nm 的 MLC 制程，并包括

480GB、350GB、240GB、180GB 和一个

80GB 型号。

广颖新推出的 2 款 SSD 产品 V55 与 S55 采

用 SATA3 传输接口，读写速度是传统硬盘的

速度，读取速度最高达每秒 550MB，写入

速度达每秒 440MB，具快速开机特性，可

大幅提升工作效率，主要抢攻个人计算机、

笔记本电脑及超薄笔记本电脑升级市场。

宇瞻推出的 SSD 分别为 AFD187 和

AFD257 型号，具有坚固外部金属外壳，还

增强了系统的可靠性和抗震动能力，配备了

三个内置的数据安全功能：全部擦除，销毁，

写保护。也支持 72 位 ECC 功能，负载平

衡和 SMART 技术，容量可扩展到 256GB。

新款 Seagate Laptop 和 Laptop Thin

SSHD 混合式硬盘兼具 SSD 的速度与传

统硬盘的容量，以低成本效益的方式提升笔

记本电脑效能。相较于前一代产品，储存效

能增强了 40 %，并可提升高达 30 %的整

体系统效能，适用于任何系统中的处理器。

PQI 近日推出一款全球最小支持 Windows

To Go 的 USB 3.0 U 盘，具体名称为 PQI

Thunder 1，所谓的 Windows To Go 功能就

是指“在 U 盘上运行 Windows 8 操作系

统”。PQI Thunder U 盘尺寸大小为 54.2 x

22.3 x 8 mm，重量仅 12g，Thunder U 盘

的储存容量为 32GB，USB 3.0 标准。



13

2、3 月消费产品市场

2.1、产品图区展示

索尼 Xperia VC LT25c 索尼 Xperia Z 索尼 Xperia SP、Xperia L HTC 二代 Butterfly

华为 Ascend G330 华为 Mate3 谷歌/托罗拉 Xphone 夏普 FIH-VKY

HTC Desire P、Q HTC 二代 Facebook 酷派炫影 s8720 联想 A630t

索尼 Xperia Tablet Z 平板华硕 Transformer AiO Wacom Cintiq 13HD 平板三星 Galaxy Tab 3 平板



14

2.2、3 月新产品参数表

2.2.1、新智能型手机产品规格表图:21

2.2.2、3 月新平板电脑、超极本产品规格表图:22

厂商

规格三星索尼华硕蓝魔

名称 Galaxy Tab 3 平板 Xperia Tablet Z 平板 Transformer AiO 平板 W25HD

发布时间 3 月 3 月 3 月 3 月

容量(GB)

SSD ---- 系统内存：2GB

4GB RAM

2GB RAM 系统内存：2GB

操作系统 Android4.2.1 Android4.1 Windows 8 与 Android 双系统 Android4.1

大小(英寸) 不详 10.1 18.4 9.7

处理器

主频 1.5GHz 并集成

Mali-400MP 图形芯片

的处理器

高通 Snapdragon APQ8064 Windows 8 是酷睿 i3 处理器

Android 平板 Tegra 3 处理器 ARM Cortex-A7 四核心处理器

上市地区 --- ---- ------ 中国

上市时间 ---- 即将上市即将上市即将发售

售价 ----- 约人民币 5600 元 1299 美元起 1299 元人民币/16GB

来源:互联网信息中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com 整理

厂商

规格三星联想 LG 宏达电索尼华为酷派

名称 GALAXY S4 mini A630t Optimus G Pro HTC Opera Xperia SP/Xperia L Mate3 酷派 8720

发布时间 3 月 3 月 3 月近期发布 3 月 3 月 3 月

容量(GB) 1GB 4GB 32GB 16GB 8GB 2GB 4GB

操作系统 Android 4.2.2 Android OS 4.0 Android OS 4.2 Android 4.1.2 Android“果冻豆” 基于 Android 4.1.2

的 Emotion UI 1.5 Android4.0

大小(英寸) 4.3 4.5 5.5 4.3 4.6/4.3 6.1 5

像素（万） 800 万 300 万 1300 万 500 万 800 万 800 万 500 万

CPU

1.6GHz 的双核处理器

四核处理器版本

（GT-I9190）

联发科 MT6517

高通 1.7GHz

Snapdragon 600 芯片/

1.5GHz 骁龙 S4

MSM8960

1.5GHz 双核处理

器

双核 1.7GHz /1GHz

高通 MSM8960 Pro

处理器

1.5GHz K3V2 处理

器双核 1.2GHz 处理器

颜色黑色，白色黑色黑白两色可选白色黑白两色可选黑白两色可选白色

首发地区 ---- 中国韩国 --- 英国中国中国

上市时间 6、7 月 3 月 3 月 ---- 2013 年第二季 3 月 3 月



15

图:23

来源:华南永昌综合证券网中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com 整理

NAND Flash 供应链厂商 2013 年 2 月营收状况

主控供应商 Controller vendor 单位：千元（台币）

营收去年同期增减增减百分比

擎泰当月 79,272 121,725 -42,453 -34.88%

本年累计 160,596 248,556 -87,960 -35.39%

群联当月 1,904,292 2,799,651 -895,359 -31.98%

本年累计 4,283,948 5,148,931 -864,983 -16.80%

联阳当月 209,761 305,100 -95,339 -31.25%

本年累计 522,671 564,852 -42,181 -7.47%

安国当月 107,452 269,688 -162,236 -60.16%

本年累计 319,393 459,998 -140,605 -30.57%

Card/USB 供应商 Card/USB vendor

创见当月 2,114,208 2,070,809 43,399 2.10%

本年累计 4,427,644 3,973,578 454,066 11.43%

威刚当月 1,687,222 2,432,772 -745,550 -30.65%

本年累计 4,336,721 4,423,827 -87,106 -1.97%

封装厂商 Assembly house

矽品当月 4,251,047 4,692,014 -440,967 -9.40%

本年累计 8,852,710 9,579,793 -727,083 -7.59%

力成当月 2,924,205 2,832,930 91,275 3.22%

本年累计 6,091,691 5,871,487 220,204 3.75%

华泰当月 650,908 920,541 -269,633 -29.29%

本年累计 1,462,780 1,843,011 -380,231 -20.63%



16

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eMMC/eMCP SSD 持续升温—ª存市场... · 2013. 4. 12. · eMMC/eMCP、SSD 持续升温 Flash 市场缺货恐将持续 产业分析报告 联系方式 电话：0755-86133027

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