Optowell Co., Ltd.

GaAs and InP-based epitaxial wafers

EPI wafer Product Information

Optowell Co., Ltd.

VCSEL (수직공진표면발광레이저) Epi Wafer

제품명 FP-Dip

wavelength

QWs

material

DBR

material Wafer size

Thickness

(um) Substrate

EM67-AA 660~690 nm AlGaInP/

GaInP

AlGaAs/

AlGaAs

3inch /

6 inch 350 ~ 700 GaAs

EM78-AA 770~790 nm AlGaAs/

AlGaAs

AlGaAs/

AlGaAs

3inch /

6 inch 350 ~ 700 GaAs

EM85-AA 840~860 nm AlGaAs/

GaAs

AlGaAs/

AlGaAs

3inch /

6 inch 350 ~ 700 GaAs

EM98-AA 970~990 nm GaAs/

InGaAs

AlGaAs/

AlGaAs

3inch /

6 inch 350 ~ 700 GaAs

* 레이저 파장 확장 가능합니다.

표준 VCSEL 에피웨이퍼 제품군

㈜ 옵토웰 VCSEL 에피웨이퍼 특장점 MOCVD 기법을 이용하여 에피웨이퍼를 생산합니다.

신뢰성이 매우 우수한 VCSEL 에피웨이퍼 입니다.

저출력에서부터 고출력 레이저까지 다양하게 적용이 가능합니다.

FP-Dip wavelength는 세계에서 가장 균일합니다.

표준 VCSEL 에피웨이퍼 외 650 ~ 1060 nm VCSEL 에피웨이퍼도

주문 생산됩니다.

고객디자인 QWs 설계시 material 선택폭이 넓습니다.

QWs material은 GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaAsP,

AlInGaAsP, GaInP, AlGaInP등등 다양하게 선택할 수 있습니다.

고객께서 에피구조 설계시 기술상담 해 드립니다.

고객께서 설계하신 에피구조를 성장해 드립니다.

칩 공정의뢰 및 기술상담 가능합니다.

Optowell Co., Ltd.

VCSEL (수직공진표면발광레이저) Epi Wafer

EM67-AA EM78-AA EM85-AA EM98-AA

Tolerance and Uniformity Specification

FP-Dip

wavelength

Tolerance

FP-Dip

wavelength

Uniformity

Doping Level

tolerance

Doping Level

Uniformity

Mole-fraction

(x) tolerance

Mole-fraction(x)

Uniformity

Within ±2 % <= 1% Within ±30 % <= 10% Within ±0.03 <= 0.03

Optowell Co., Ltd.

Edge emitting Lasers Epi Wafer

제품명 FP-Dip

wavelength

QWs

material Wafer size

Thickness

(um) Substrate

ED635-AA 630~640 nm AlGaInP/

GaInP

3inch /

6 inch 350 ~ 700 GaAs

ED808-AA 798~818 nm AlGaAs/

AlGaAs

3inch /

6 inch 350 ~ 700 GaAs

ED850-AA 840~860 nm AlGaAs/

GaAs

3inch /

6 inch 350 ~ 700 GaAs

ED960-AA 950~970 nm GaAs/

InGaAs

3inch /

6 inch 350 ~ 700 GaAs

* 레이저 파장 확장 가능합니다.

표준 레이저다이오드 에피웨이퍼 제품군

㈜ 옵토웰 레이저다이오드 에피웨이퍼 특장점

MOCVD 기법을 이용하여 에피웨이퍼를 생산합니다.

협력기관을 통해 신뢰성이 검증된 에피웨이퍼 입니다.

저출력에서부터 고출력 레이저까지 다양하게 적용이 가능합니다.

650 ~ 1060 nm 레이저 파장을 갖는 레이저다이오드 에피웨이퍼도

주문 생산됩니다.

고객디자인 QWs 설계시 material 선택폭이 넓습니다.

QWs material은 GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaAsP,

AlInGaAsP, GaInP, AlGaInP등등 다양하게 선택할 수 있습니다.

고객께서 에피구조 설계시 기술상담 해 드립니다.

고객께서 설계하신 에피구조를 성장해 드립니다.

칩 공정의뢰 및 기술상담 가능합니다.

Optowell Co., Ltd.

Edge emitting Lasers epi wafer

Al free InGaP/GaAsP QW이 적용된 고출력 808 nm LD 실현

신뢰성이 매우 우수한 Al free 고출력 LD

산업용/의료용 적용

Al(x)Ga]In(y)P

GaIn(x)P

[GaIn(x)P/GaAsP] QWs GaIn(x)P

Al(x)Ga]In(y)P

Al(x)GaAa

Tolerance and Uniformity Specification

Thickness

Tolerance

Thickness

Uniformity

Doping Level

tolerance

Doping Level

Uniformity

Mole-fraction

(x) tolerance

Mole-fraction(x)

Uniformity

Within ±5 % <= 3% Within ±30 % <= 10% Within ±0.03 <= 0.03

Optowell Co., Ltd.

PIN PD(포토다이오드) Epi wafer

제품명 i-layer thickness

(um)

i-layer

material Wafer size

Thickness

(um) Substrate

EP85-AA 3 ~ 4 um GaAs 3inch /

6 inch 350 ~ 700 n-type GaAs

EP85-BB 3 ~ 4 um GaAs 3inch /

6 inch 350 ~ 700

Semi-insulator

GaAs

표준 PIN PD 에피웨이퍼 제품군

㈜ 옵토웰 PIN PD 에피웨이퍼 특장점

MOCVD 기법을 이용하여 에피웨이퍼를 생산합니다.

신뢰성이 매우 우수한 PIN PD 에피웨이퍼 입니다.

i-layer 성장두께는 고객께서 선택할 수 있습니다.

i-layer GaAs 의 carrier density는 n-type로 3X1014/cm3

이하로 관리합니다.

표준 구조 외 고객께서 디자인한 PIN PD 에피웨이퍼도

주문 생산됩니다.

고객께서 에피구조 설계시 기술상담 해 드립니다.

칩 공정의뢰 및 기술상담 가능합니다.

Tolerance and Uniformity Specification

Thickness

Tolerance

Thickness

Uniformity

Doping Level

tolerance

Doping Level

Uniformity

Mole-fraction

(x) tolerance

Mole-fraction(x)

Uniformity

Within ±10 % <= 5% Within ±30 % <= 10% Within ±0.03 <= 0.03

-5 -4 -3 -2 -1 0

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

Ca

pa

cita

nce

(pF

)

Reverse Voltage(V)

Q1-1-edge(12)

Q1-3

Q1-5

Q4-6

Q4-8

Q4-10-edge(6)

Optowell Co., Ltd.

RCLED epi wafer

표준 RCLED 에피웨이퍼 제품군

제품명 FP-Dip

wavelength

QWs

material

DBR

material Wafer size

Thickness

(um) Substrate

ER65-AA 660~690 nm AlGaInP/

GaInP

AlGaAs/

AlGaAs

3inch /

6 inch 350 ~ 700 GaAs

ER85-AA 840~860 nm AlGaAs/

GaAs

AlGaAs/

AlGaAs

3inch /

6 inch 350 ~ 700 GaAs

ER94-AA 930~950 nm GaAs/

InGaAs

AlGaAs/

AlGaAs

3inch /

6 inch 350 ~ 700 GaAs

* 파장 확장 가능합니다.

㈜ 옵토웰 RCLED 에피웨이퍼 특장점

MOCVD 기법을 이용하여 에피웨이퍼를 생산합니다.

Bottom 거울층은 DBR이 적용됩니다.

신뢰성이 매우 우수한 RCLED 에피웨이퍼 입니다.

고객디자인 QWs 설계시 material 선택폭이 넓습니다.

QWs material은 GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaAsP,

AlInGaAsP, GaInP, AlGaInP등등 다양하게 선택할 수 있습니다.

고객께서 에피구조 설계시 기술상담 해 드립니다.

고객께서 설계하신 에피구조를 성장해 드립니다.

칩 공정의뢰 및 기술상담 가능합니다.

Optowell Co., Ltd.

고객디자인 주문구조 Epi wafer

1. Customer – Designed VCSELs RC-LED DBR PIN PD LDs Solar cell HBTs HEMTs Super lattice structure 2. 광 디바이스 Wavelength Range : 600 ~ 1060 nm

3. 적용가능한 Epi layer Materials 시스템 GaAs and InP-based epitaxial wafers GaAs ~ AlGaAs ~ AlAs GaAs ~ InGaAs ~ InAs InGaP ~ AlInGaP ~ AlInP GaAs ~ GaAsP InGaAs ~ InGaAsP InP ~ InGaAs ~ GaAs 4. Wafer size 주력 제품은 3 inch, 6 inch 입니다. 2 inch, 4 inch, 5 inch 대응 가능합니다.

λ

근적외선

410 nm 650 nm 780 nm 850 nm 980 nm 1.3 ㎛ 1.55 ㎛

단파장 장파장

Optowell Co., Ltd.

Si wafer 공정 서비스

Wafer : 6 “ Si wafer

Doping : p, n type

Doping Level : i-Si ~ 1E20/cm3

Thickness : 수십 nm ~ 10 um

기타 : single layer, multi-layer 가능

Si Epitaxy 서비스

Wafer : 6 “ Si wafer

Back grind : Up to 80 um (Stress relief 공정 적용: chemical etch)

Back metal : Ti, Ni, Au, Al 등등

Sawing(Dicing) : high quality (Kerf width 17 um, 22 um)

EDS : 고전압 가능 (전자소자)

Si Fab 서비스

Optowell Co., Ltd.

분석 서비스

HR-XRD 측정 및 분석

에피층의 Strain 분석.

정량 및 정석분석.

에피구조 시뮬레이션 및 평가 비교분석.

주) 옵토웰에서 생산한 모든 에피 측정 및 분석 제공.

ECV / Hall 측정 및 분석

carrier density 정보 제공

Optowell Co., Ltd.

분석 서비스

PL 평가 및 mapping

QWs 파장 측정 및 분석

2~6 inch map 가능

기타 분석서비스

Reflectance 평가 및 mapping

VCSEL과 RCLED 시뮬레이션 및 측정 분석

DBR 시뮬레이션 및 측정 분석

2~6 inch map 가능

SEM, TEM, AFM 측정 및 분석

Optowell Co., Ltd.

About us

주) 옵토웰은 벤처기업으로 V/III 화합물 반도체 IT 기반의 성장력과 생산능력을 갖춘 회사

입니다. 본사의 기술팀은 지난 15년간 꾸준히 신제품 개발과 생산 안정화를 반복하며 지속

적으로 성장하였습니다. 이러한 생산공정 기술력 및 노하우로 특히 V/III GaAs wafer 기반

하는 MOCVD 기법의 에피탁시 공정에서 세계적인 유수기관 및 기업으로부터 기술력을 인정

을 받고 있습니다.

주) 옵토웰은 이러한 자사의 기술력을 총 적용하여 주력 제품 외 고객께서 설계한 에피구조

에 대해서 주문생산하고 있습니다. 기업뿐만 아니라 연구기관 및 학교 연구소에서 연구에 필

요한 에피웨이퍼 소량 주문에 대해서도 적극 대응을 해 드리고 있습니다.

주) 옵토웰은 세계 몇 기업에서 독점하고 있는 에피웨이퍼 시장에 기술력을 바탕으로 당당

히 경쟁하고 있으며 국내 GaAs wafer 기반의 에피텍시 서비스를 통한 국가 광 산업에 크게

이바지를 하고 있습니다.

약도 및 Contact us