Estudio de la irradiancia y

8/16/2019 Estudio de la irradiancia y

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“Study of the relationship between irradiance and power generated by PVpanels based on different silicon technologies in the city of Pasto”

Tipo de estadística:

Estadística descriptiva.

¿Por qué? Debido a que se analizan como se repiten los eventos con respecto al

tiempo (irradiancia). Permite identificar que dependencia existe entre variables para poder

realizar una predicci!n acertada desde el comportamiento de unavariable que se puede controlar (potencia) con respecto a otra que solose puede medir (irradiancia).

• Inferencia estadística:

"est de #ip!tesis¿Por qué? $e decide entre o % teorías contrapuestas pero solo & de ellas explica

de manera adecuada los resultados. (traba'a el anlisis correlacionalentre la enería producida por una muestra de paneles solares basadosen silicio monocristalino* policristalino + amorfo de película delada + laradiaci!n solar en la ciudad de pasto en el a,o -&).

Población:

/eldas solares.¿Por qué? $e clasifican en % rupos. 0a primera eneraci!n que consiste en

obleas de un espesor relativamente rueso que pueden ser fabricadas

con silicio monocristalino o policristalino. 0a seunda se forma conmateriales ms delados que se fabrican con substratos flexibles comovidrio* inclu+e diversidad de materiales como silicio amorfo* silicionanocristalino elementos ornicos como carbono e #idroeno. 0a1ltima eneraci!n consiste en materiales desarrollados para me'orar laeficiencia de las celdas solares con quantum + celdas multiuni!n).

• Muestra: (solo se traba'a con esta debido a que es estadística descriptiva)/eldas solares de silicio.

• stadístico: $olo este + no parmetro porque son las características de la muestra queen este caso serían las celdas solares de silicio como se muestra en latabla & que va directamente relacionada con la fiura &. Del panel & al esmonocristal* panel 2 es policristal + el 3 es amorfo.0os valores que se muestran en la tabla corresponderían a la promediomuestra los cuales son los estndares de operaci!n dados por el fabricantede cada tipo de panel para la potencia mxima ( pmax )* volta'e de mximapotencia (V mp)* corriente de mxima potencia (I mp)* volta'e de circuito abierto(V OC )* corriente de corto circuito (I SC ).



"abla &.

4iura &.

TIP!S " "#T!S

Variables:

5rradiancia* potencia.

¿Por qué? 6l momento en que se las reistro pueden ser transformadas en unn1mero.En este caso se tendría que la irradiancia es una variable independiente +aque esta afecta a la potencia que sería la variable dependiente.

• "atos nu$%ricos:

/ontinuos¿Por qué?7a que estos son el resultado de una medici!n que esta expresada enunidades. 0as mediciones pueden tomar un con'unto infinito de valores

dentro de un rano.



/orrelaci!n panel monocristalino.

ST&#T'I#S P#&# ( #)#(ISIS " "#T!S

*onsistencia de los datos:

$i¿Por qué?Debido a que el sistema se encentra en el constante monitoreo del mes* dia+ #ora* a dems este permite determinar el comportamiento de cadavariable como la de la irradiaci!n.



7 así mismo la curva de potencia enerada por cada uno de los panelespresenta un comportamiento similar como se observa a continuaci!n.

Potencia enerada promediada en intervalos de una #ora* a,o -&normalizada con respecto al a,o.

'&#+I*!S P#&# ( #)#(ISIS " "#T!S

• 'r,fico de barras: (potencia obtenida de los paneles)$5¿Por qué?$irve para representar datos cate!ricos. 7 a cada cateoría o variable sele asocia una barra.

Potencia promedio mensual enerada por los seis paneles.



Potencia promedio enerada por los seis paneles* a,o -&

• 'r,fico de barras eficiencia de los paneles:

8ndices de eficiencia en paneles de tecnoloía monocristal* policristal +amorof.



&S-(T#"!S

• 0os paneles monocristalinos presentan la me'or eficiencia por unidad derea con un promedio del &.29 * la tecnoloía policiristalina del &&.-9 +el panel del silicio amorfo del 3.%9. a pesar que el panel de silicio amorfo

tiene una buena respuesta de potencia representada en un promedio de:atts de salida 391.97W/m2 * necesita ma+or cantidad de rea * siendo este1ltimo el ultimo parmetro con el que se realizan las mediciones para adensidad potencia.

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