Familia Lógica Mos y Cmos

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  • 8/18/2019 Familia Lógica Mos y Cmos

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    FAMILIAS LÓGICAS MOS Y CMOS

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    MOS Y CMOS

    DIAGRAMA 

    FUNCIONAMIENTO

    CARACTERISTICAS

     ABANICO DE SALIDA 

    RETARDO DE PROPAGACIÓN

    DISCIPACIÓN DE POTENCIA 

    MARGEN DE RUIDO

     VALORES DE VOLTAJE PARA 0 Y 1

    COMPUERTAS BÁSICA 

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    Una estructura MOS (Metal-Oxide-

    Semiconductor ) es un dispositivo

    electrónico formado por un sustrato

    de silicio dopado, sobre el cual se

    hace crecer una capa de óxido

    (SiO2). Los elementos se contactancon dos terminales metálicas

    llamadas sustrato compuerta. La

    estructura se compara con

    un condensador de placas paralelas,

    en donde se reempla!a una de las

    placas por el silicio semiconductor

    del sustrato, la otra por un metal,

    aun"ue en la práctica se usa

    polisilicio, es decir, un

    policristal de silicio.

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    FUNCIONAMIENTO

    #xisten dos tipos de transistores $OS%#&, ambos basados en la estructura $OS.

    Los $OS%#& de enriquecimiento se basan en la creación de un canal entre el

    drenador el surtidor, al aplicar una tensión en la compuerta. La tensión de la

    compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera "ue se forma una

    re'ión de inversión, es decir, una re'ión con dopado opuesto al "ue tena el sustratoori'inalmente. #l trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de

    la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de

    car'a en la re'ión correspondiente al canal. #l canal puede formarse con un

    incremento en la concentración de electrones (en un n$OS%#& o *$OS),

    o huecos (en un p$OS%#& o +$OS). e este modo un transistor *$OS se construe

    con un sustrato tipo p tiene un canal de tipo n, mientras "ue un transistor +$OS se

    construe con un sustrato tipo n tiene un canal de tipo p.

    Los $OS%#& de empobrecimiento  tienen un canal conductor en su estado de reposo,

    "ue se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión elctrica en la

    compuerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de car'a

    una disminución respectiva de la conductividad.

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    COMPUERTAS BASICAS

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    CARÁCTERÍSTICAS

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     El abanico de salida (fan-out o carga !"iade salida# de una co$uerta es$ecifica eln%ero de cargas est!ndar &ue es $osible

    conectar a la salida del CI sin degradar losni'eles lgicos (sin reducir el argen deruido#)

    En los CI CMOS t*$icaente se $ueden

    conectar de + a , cargas)

     ABA.ICO /E SA0I/A 

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    .I1E0ES 023ICOS

    VOL (MAX) 0V

    VOH (MIN) VDD

    VIL (MAX) 30% VDD

    VIH (MIN) 70% VDD

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    VOL (MAX) 0V

    VOH (MIN) VDD

    VIL (MAX) 30% VDD

    VIH (MIN) 70% VDDDe esta forma, cuando un CMO func!ona

    con VDD  " # V, ace$ta o&ta'e de entradamenor ue V

    IL(m*) " +# V como -A.O, /

    cua&u!er o&ta'e de entrada ma/or ue VIH 

    (mn) " 3# V como AL1O

    .I1E0ES 023ICOS

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    Se denoina ruido a cual&uier $erturbacinin'oluntaria &ue $uede originar un cabio nodeseado en la salida del circuito)

    0os circuitos lgicos deben tener cierta inunidad alruido la cual es definida coo 4la ca$acidad $aratolerar fluctuaciones en la tensin no deseadas en

    sus entradas sin &ue cabie el estado de salida5)

    I.MU.I/A/ A0 RUI/O

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    Si la tensin de ruido en la entrada de una $uerta6ace &ue la tensin de ni'el alto caiga $or deba7o de

     1I8*n el funcionaiento no ser! $redecible)

    /el iso odo si el ruido 6ace &ue la tensin deentrada $ara el estado ba7o $ase $or encia de 1I0!"9 se crea una condicin indeterinada)

    I.MU.I/A/ A0 RUI/O

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    0os !rgenes deruido son los isosen abos estados :de$enden de 1 //) En

     1 // ; , 19 los!rgenes de ruidoson

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    /ISIPACI2. /E POTE.CIA 

    Tal : coo coentaos9 uno de los $rinci$ales oti'os dele$leo de la lgica CMOS es su 4u: ba7o consuo de$otencia5) Cuando un circuito lgico CMOS se encuentraest!tico9 su disi$acin de $otencia es e"treadaente ba7a9

    auentando confore auenta la 'elocidad de conutacin)Se $roduce una disi$acin de $otencia /C t*$ica del CMOS de

    slo =), n> $or co$uerta cuando 1 // ; , 1 A%n en 1 // ;

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    RETAR/O /E PROPA3ACI2.

      Cuando una se@al digital $asa a tra'?s de uncircuito lgico9 sie$re e"$erienta un retardote$oral llaado tie$o de retardo de$ro$agacin) Este tie$o es u: i$ortante$or&ue liita la frecuencia !"ia a la &ue es$osible traba7ar)

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    RETAR/O /E PROPA3ACI2.

      t  PLH  (tie$o de

    $ro$agacin de ba7o aalto# es el tie$o entre undeterinado $unto deli$ulso de entrada : el

    corres$ondiente i$ulsode salida9 cuando la salidacabia de a