1

TOSHIBA

浮遊ゲート型浮遊ゲート型FlashFlashメモリの動向メモリの動向

（シリコンムービー時代に向けた低消費電（シリコンムービー時代に向けた低消費電力・大容量フラッシュメモリの可能性）力・大容量フラッシュメモリの可能性）

（（株）東芝株）東芝 セミコンダクター社セミコンダクター社

白田白田 理一郎理一郎

TOSHIBA

講演の概要講演の概要

１．各種次世代メモリの紹介

２．浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較

３．ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発戦略

デバイス技術

微細化

多値化

回路技術

４．大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向

2

TOSHIBA

各メモリのポジショニング各メモリのポジショニング

Hig

h Sp

eed

Low PowerLarge Capacity

High Speed ApplicationHigh Speed Application

Mobile ApplicationMobile Application StorageStorage

UniversalUniversal

Pseudo SRAMPseudo SRAM

Low Power SDRAMNAND FlashNAND FlashMLC NANDMLC NAND

3D ROM

FCRAMFCRAMRLDRAMDDR-Ⅱ SDRAMRambus DRAM

NOR FlashMLC NOR

Low PowerSRAM

NROM

QDR SRAMDDR SRAMSigma RAM

FeRAM

MRAM

OUM

embeddedembeddedeDRAMPLEDMFBC memory

NON VOLATILENON VOLATILENON VOLATILEVOLATILEVOLATILEVOLATILE

TOSHIBA

1.8V-2.5V18V10VProgramvoltage

1.8V-2.5V1.8V-2.7V1.8V-2.7V1.2V-1.8V1.8V-2.5VPower supply voltage

(64M/256M)

64M/128M(MLC)4G/8G

(MLC)256M/512M

36M/72M512M/1GDensity

(bit)

(8-15F2)10-20F24-6F26-12F2100-150F28F2Cell Size

(20n-100n)40n-100n>10MB/s20n-100n1n-100n15n-50nRead

20n20n--100n100n40n40n--100n100n10MB/s10us/B1n-100n15n-50nWRITE

(>1015)1012-1016105-106105-106Endurance

MRAMMRAMFeRAMFeRAMNANDNANDNORNORSRAMSRAMDRAMDRAM

Interface

PowerWrite/Read

SRAM LikeNANDSRAM LikeSRAMDRAM SRAM Like

1 / 1>10 / 1>10 / 11 / 11 / 1 >10 / 1

OUMOUM>1012

10n10n--50n50n

20n

(5-8F2)

(64M)

(1.8V-3.3V)

(>10 / 1)

(SRAM Like)

次世代メ次世代メモリ比較表モリ比較表(2003(2003～～2005)2005)

Non Volatile RAMNon Volatile RAM

>1015 >1015

1.8V-2.5V

(1.8V-3.3V)

3

TOSHIBA

次世代メ次世代メモリ比較モリ比較

＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋

－－－－－－－－－－NO

NO

＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－

－－－－－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋

AmorphousAmorphous

crystalcrystal

WL

BL

Plate (static)

WL

BL

Plate (plus)

WL

BL

WL

BL

DRAMDRAM FeRAMFeRAM MRAMMRAM OUMOUM

CapacitorCapacitor CapacitorCapacitor(Ferro electric)(Ferro electric)

MagneticMagneticTunnelTunnel

JunctionJunction

ChalcogenideChalcogenideGlassGlass記憶部記憶部

等価回路等価回路

““11”” DataData

““00”” DataData

－－－－－－－－－－Si

Si

Control Gate

Floating Gate

WL

Source

Drain

NANDNAND

FloatingFloatingGateGate

MeritMerit

DemeritDemerit

高速書き込み,読み出し低ビットコスト

スタンドバイ電流大揮発性メモリデータ保持時間

不揮発性メモリ高速書き込み,読み出しLogicとの混載

大容量化破壊読出し

不揮発性メモリ高速書き込み,読み出しLogicとの混載

書き込み電流大容量化

Logicとの混載不揮発性メモリ

書き込み電流大容量化

低ビットコスト不揮発性メモリ

書換え時間書換え回数ランダムアクセス

TOSHIBA

次世代メ次世代メモリ比較モリ比較

NORNOR ３３D MemoryD Memory NROMNROM FBCFBC

FloatingFloatingGateGate AntiAnti--FuseFuse ONOONO BodyBody記憶部記憶部

等価回路等価回路

““11”” DataData

““00”” DataData

－－－－－－－－－－Si

Si

Control Gate

Floating Gate

WL

Source

Drain

NANDNAND

FloatingFloatingGateGate

WL

Source

Drain

－－－－－－－－－－Si

SiFloating Gate

Control Gate

WL

Source

Floa

ting

WL

Source

Drain

WL

BL

＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋Insulator

WL

Si

Insulator

WL

Si

－－－－－－－－－－Si

Control Gate

SiONO

P+N+

WL

BL

P+N+Anti Fuse

MeritMerit

DemeritDemerit

不揮発性メモリ

書換え回数大容量化

低ビットコスト

OTP

低ビットコスト不揮発性メモリLogicとの混載比較的容易

書換え回数

Logicとの混載製造プロセス

揮発性メモリ

低ビットコスト不揮発性メモリ

書換え回数ランダムアクセス

SOI

SOI

4

TOSHIBA

講演の概要講演の概要

１．各種次世代メモリの紹介

２．浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較

３．ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発戦略

デバイス技術

微細化

多値化

回路技術

４．大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向

TOSHIBA

ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘ比較表ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘ比較表 --CodeCode vsvs File Storage File Storage --

ﾌｧｲﾙ記憶

用 途 要 求 性 能

小型メモリーカード- デジタルスチルカメラ- 携帯音楽機器- PDA ... 等

ファイルストレージ- シリコンディスク

• ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ時間が速い

• 消去時間が速い

• ｼﾘｱﾙﾘｰﾄﾞが速い

• ﾗﾝﾀﾞﾑｱｸｾｽ時間が遅い

ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ格納- 携帯電話- DVD- Set TOP Box

BIOS- PC 及び周辺機器

長 所 :

短 所 :

• ﾗﾝﾀﾞﾑｱｸｾｽ時間が速い

• ﾊﾞｲﾄ単位でﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ可能

• ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑが遅い

• 消去が遅い

長 所 :

短 所 :

NAND

ｺｰﾄﾞ記憶

NOR

5

TOSHIBA

Principle of FlashPrinciple of Flash

FloatingGate

Drain (Vd)Source(Vs)

ｎ＋ ｎ＋

(b) Programｐ

ControlGate

Drain(Vd)Source

(Vs)

ｐ

ｎ＋

(a)Erase

(3) Cell Condition

ｎ＋

Vth(V)

Number of bits

(2) Vt distribution

Erase

Program

Drain Current (Id)

CO

NTR

OL

GA

TE V

OLT

AG

E(Vc

g)

5V

Erase

Program

SHIFT

(1) Id-Vg

1V

0

TOSHIBA

Program / Erase MethodProgram / Erase MethodElectron Injection

-Page program - Byte program

Hot Electron

Program Current < 2-5mA

S D

VD

Vpp

FN tunneling

Program Current< 1uA

Vpp

Electron Emission

- High Speed Erase( 3ms/Block )

High VPE( 20v )

VPE

FN tunneling

- Low Speed Erase

(1s /Block)

LowVPE( 12v )

S D

VPE

Edge-FN tunneling

- High Speed Erase

(3ms/Block)

HighVPE( 20v )

S D

Poly-FN tunneling

VPE

6

TOSHIBA

Cell FunctionCell Function

FN tunnelingEdge-FN tunnelingHot Electron

NOR SANDISK AND

PROG.

ERASE

Prog. Speed

Vth

0V

20V

20V 20V

0V0V

18V

0V

-8V

6V

0V

Open

10V

-8V

-8V -8V

10V

0V

0V 7V

0V

0V

22V

12V

5V

0V

Open

0V

F

0V

12V

0.1MB/sec 0.5MB/sec

FN tunneling FN tunnelingPoly-FN tunnelingEdge-FN tunneling

Hot Electron

Vth(V)

Number

Vth(V)

Number

Vcc

Vth(V)

Number

Vcc

Vth(V)

Number

Vcc

0

0 0

0

Access Mode

2.0MB/secVery Fast2.5MB/sec

Random Serial Serial Serial

NAND

TOSHIBA

Cell ArrayCell Array

NOR SanDisk AND NAND

Erase gate(poly)

Unit Cell Unit Cell

Word line(poly) Word line(poly)

Source line(Diff. Layer)

Simplest wiringSmallest area

Word line(poly)

Bit line(metal)

Source line(Diff. Layer)

Unit Cell

Contact

Source line(Diff. Layer)

Word line(poly)

Bit line /Source line(metal)

Unit Cell

Sub Bit line (Diff. Layer)

7

TOSHIBA

Physical Bit Cell StructurePhysical Bit Cell Structure

SimplestSmallest

AND

２Ｆ

４Ｆ

２Ｆ

２Ｆ

SanDisk

３Ｆ

３Ｆ

9F2

NAND

8F2 4F2

５Ｆ

２Ｆ

NOR

Layout

Cross-section

Bit CellSize 10F2

F: Design Rule

TOSHIBA

AND String2 Diffused Lines

2F × 4F = 8F2

Common Source1.5 Diffused Lines

2F × 3F = 6F2

NAND String1 Diffused Line2F × 2F = 4F2

2F

New String0.5 Diffused Line

?4F

2F

3F

2F

2F

Is 4F2 the Final Cell Size ?

8

TOSHIBA

講演の概要講演の概要

１．各種次世代メモリの紹介

２．浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較

３．ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発戦略

デバイス技術

微細化

多値化

回路技術

４．大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向

TOSHIBAStart of Mass Production

‘93 ‘94 ‘95 ‘96 ‘97 ‘98 ‘99 ‘00 ‘01 ‘02 ‘03 ‘04

0.1

10

Cel

l Siz

e ( u

m2

)

1

LOCOS SA-STI

MLC

0.01

Multi Level Cell

Floating Gate

LOCOSTunnel Oxide

Control GateWSiONO

Control Gate ONOFloating Gate

Tunnel Oxide STI

WSi

SA-STI

0.25um

0.175um

0.13um

Cell Size TrendCell Size Trend

9

TOSHIBA

Top View NAND Flash memory cells

16 word-lines

2 select gates

Bit-linecontact

Source-linecontactActive area

STI

Ｔｏｐ View Equivalent Circuit

TOSHIBA

Low Ion / Low Ion / Ioff Ioff Ratio is AllowableRatio is Allowable

Select Transistor（shut down from BL）

3.5v

3.5v

3.5v

０v

０v

０v

０v

０v

Selected Block

Non-selected Block

Selected cell

Bit Line“１”cell “０”cell

０Ｖ

Vcg of Selected WL（Ｖ）

Ｉｃｅｌｌ

(A)

Ioff

Ion

Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ≧10

→ “１”／“０” Ｓｅｎｃｉｎｇ OK

Scaling of Gate Length is easy

Short Channel Effect is negligible !

3.5Ｖ

10

TOSHIBA

STI NAND Cell StructureSTI NAND Cell Structure

STISTI

SLSL

GC(Word Line)

Substrate

Floating Gate

TOSHIBA

STI

0.15µm

Tunnel Oxide

1st poly-Si

P-well

0.4µ

m

0.25µm 0.30µm SiN

2nd poly-Si

Mask SiN

Spacer SiN

Mask SiN

Control GateInter-poly(ONO)

(a)

(b)

(c)

(d)

プロセスフロープロセスフロー

11

TOSHIBA

ＳｅｌｆＳｅｌｆ‐‐ＡｌｉｇｎｅｄＡｌｉｇｎｅｄ ＳＴＩＳＴＩ Cell MicroCell Micro--PhotographPhotograph

STI

CG

1st FG

Cell size : 0.29μm2

2nd FG

0.3μm 0.25μm

TOSHIBA

講演の概要講演の概要

１．各種次世代メモリの紹介

２．浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較

３．ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発戦略

デバイス技術

微細化

多値化

回路技術

４．大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向

12

TOSHIBA

NAND Flash Memory NAND Flash Memory ロードマップロードマップ

19961996

128128Mb SLCMb SLC

256256Mb SLCMb SLC

512512Mb SLCMb SLC

19971997 19981998 19991999 20002000 20012001 20022002 20032003 20042004

11GbGb SLCSLC

2Gbit MLC2Gbit MLCC

apac

ityC

apac

ity

YearYear

4Gbit MLC4Gbit MLC

1Gbit MLC1Gbit MLC

0.40.4umum

0.250.25umum

0.160.16umum

0.130.13umum

Design Rule

Design Rule

Maximum Density @2LC

Maximum Density @2LC

MLC : Multi Level CellMLC : Multi Level Cell

22GbGb SLCSLC0.100.10umum

MLC NANDMLC NAND

SLC NANDSLC NAND

MLC Technology MLC Technology

Large Capacity Large Capacity

TOSHIBA

多値技術の長所・短所多値技術の長所・短所

Ｖｔｈ（Ｖ）

(0)

(1)

2値 NAND(1 bit/cell)

Number of Bit

Ｖｔｈ（Ｖ）

(1,0)

(1,1)

(0,0)(1,0)

多値 NAND(2 bit/cell)

長 所

大容量化の加速 次世代容量の先取り低コスト化の加速 メガバイト単価の圧縮

短 所

パフォーマンスの低下信頼性の低下

大ブロックサイズの導入複数ページ同時書込モードの導入多ビット訂正能力を有するECCの提供

13

TOSHIBA

講演の概要講演の概要

１．各種次世代メモリの紹介

２．浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較

３．ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発戦略

デバイス技術

微細化

多値化

回路技術

４．大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向

TOSHIBA

Ｃ２

Ｃ１Ｃ１ＢＬ０

Cell Current

ＢＬ１ ＢＬ２

ＢＬ１

ＢＬ０

∆VBL

ＢＬ２

CellCurrent

Ｃ３Ｃ３

Ｃ２

Ｃ１Ｃ１

Shielded Bitline

ＢＬ１

ＢＬ０

ＢＬ２

∆VBL ≅ 0V

ＢＬ０

ＢＬ１

ＢＬ２

ビット線シールド技術ビット線シールド技術

シールド無 シールド有

14

TOSHIBA

VSH

BL0

BL1

CLAMP

M1

PRE

N1

SEN1

SEN0

BLT0

BLT1

BLS0

BLS1

SGS

小面積・低消費電力センスアンプ小面積・低消費電力センスアンプ

TOSHIBA

センス方式センス方式

LATCH

PRE

CLAMP

Nsense

Vbl

PRE

CLAMP

Vbl

Nsense

VG1VG3

ΔVbl

ΔVbl > VG1 - VG3

Bit lin

e

Sense amplifier

VG3-VtVG1-Vt

VG3-Vt

Vdd-Vt

ΔNsense = Vdd - VG3

ΔNsense

15

TOSHIBA

NAND （FN-Tunnel ）

２０Ｖ

Ｐ (Ｓｉ-Sub)

NN

０Ｖ ０Ｖ

(Tunneling）

Ｓｉ-Sub

Floating Gate

SiO2

1Cell : ５×１０-９Ａ

Page Program

Small Current

Tunnel Electron

NAND

FN-Tunnel

Low Power

512B/2KB Program

File Application

Fast Program

１２Ｖ

Ｐ

NN

０Ｖ５Ｖ

(Hot Electron）

Large Current

1 Cell : １×１０-４Ａ

１～８ Bit Program

SiO2

Floating Gate

Ｓｉ-Sub

Hot-Electron

NOR （Hot-Electron）

NOR

Hot-Electron

High Power

Bit Program

Slow Program

Code Application

NAND technology can realize fast program.

NAND vs. NOR : Fast Program

TOSHIBA

NANDNANDフラッシュフラッシュ 高速書込技術高速書込技術

Serial Data in(512+16Byte)

①

528Byte

①Register

⑤

②Register

528Byte

⑤

528Byte

③Register

⑤

528Byte

④Register

⑤

Serial Data in

(512+16Byte)ｘ４

① ② ③ ④

2.3 MB/s

6.8 MB/s

Block Page

16Byte512Byte

①Register

②Program

Block

16

TOSHIBA

Data Load 1KB 1KB

Row

Dec

oder

Page Prog.

Total Program Time ＝ Data Load Time + Actual Program Time528B Page：Tprog. = 26.4µs + 200µs2KB Page： Tprog. = 26.4µs × 4 + 200µs

Fast Program with Write Cache

TOSHIBA

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

512B 1KB 2KB 4KB 8KB

Prog

ram

Spe

ed (M

B/s

ec)

Page Size

Without Write Cache

With Write Cache

10.56 MB/s

6.91 MB/s

1G 4G256M64M 16GAppropriate Density →

Write Cache and Page Size

17

TOSHIBA

電源高圧回路電源高圧回路 (VDC)(VDC)

周辺回路Tr.はセルのトンネル膜を使用(～2.5V)

外部電源仕様：Max 3.6V

VDC

Vext

Flash chip

条件

• ワイドレンジ

• 安定性

• 低スタンドバイパワーVint

TOSHIBA

Cell BセルＢ

Selected Cell

Cell B Stress Time ＝ １２ｍｓ

Cell A Stress Time ＝ ８４ｍｓ0V 7V

0V

20V

VM

VM

VM

20VCell A

VM (V)

Initial Vth = -2V

∆Vth (V)

1

0

0 5 10 15

∆Vth (V)

1

0

0 5 10 15

プログラム・ディスターブ・モードプログラム・ディスターブ・モード

18

TOSHIBA

Ｖfg Ｖfg

ＶpgmＶpass

Ｃchannel

Ｃtunnel

Ｃono

Ｖfg

Ｖpass

Ｃj

NANDNAND列のチャネル・カップリング容量列のチャネル・カップリング容量

TOSHIBA

Ｖpass

Ｖpass

Programming Cell

Inhibiting Cell

ＧＳＬ ０Ｖ

ＳＳＬ Ｖｃｃ

１８Ｖ

ProgramＢＬ＝０Ｖ

InhibitＢＬ＝３．３Ｖ

８Ｖ８Ｖ

０Ｖ

１８Ｖ

０Ｖ

０Ｖ０Ｖ

１８Ｖ

０Ｖ

１０Ｖ

０Ｖ

１０Ｖ

０ＶＶpgm

プログラム禁止電圧のバイアス条件プログラム禁止電圧のバイアス条件

19

TOSHIBA

Prog. StopSlow Prog. Cell

Fast Prog. Cell

No. of Program CyclesNo. of Program Cycles

Vref

VthVth

No. of Cells

5V

0V

(a) Without Verify

Vref

VthVth

No. of Cells

5V

0V

1 2 3 4 5

(b) With Verify

1 2 3 4 5

ビット毎ベリファイ方式ビット毎ベリファイ方式

TOSHIBA

０ ５０ １００ １５０ ２００Program Time（ µs ）

－２

－１

（ii）Step-up Prog. Voltage

（ii）Step-up Prog. Voltage

０

２

（i）Constant Prog. Voltage

１

Vth （ V ）

Program StartProgram Time

Electric Field

（i）Constant Prog. Voltage

(a) Program Characteristics (b) Electric Field through Tunnel Oxide

プログラム電圧固定プログラム電圧固定vs.vs.ステップ・アッププログラムステップ・アッププログラム

20

TOSHIBA

講演の概要講演の概要

１．各種次世代メモリの紹介

２．浮遊ゲートを有する各種フラッシュメモリの比較

３．ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発戦略

デバイス技術

微細化

多値化

回路技術

４．大容量フラッシュメモリの応用技術と将来方向

TOSHIBA

NAND Flash Card Line UpNAND Flash Card Line Up

SmartSmartMediaMediaTMTM

SD CardSD Card Multi MediaMulti MediaCardCard

NANDNANDFlash DriveFlash Drive

ATA CardATA CardCompactCompactFlashFlashTMTM

~2GB~2GB~2GB~2GB~1~1GBGB~128MB~128MB ~128~128MBMB ~64~64MBMBLarge CapacityLarge Capacity

Compatible w/ HDDCompatible w/ HDDLarge CapacityLarge Capacity

PC CardPC CardMid CapacityMid Capacity

Compact Compact Thin !Thin !

Lowest CostLowest CostSmallSmall

Secured Secured SmallSmallThinThin

Digital CameraMP3 , IC Recorder

Note PCNetworking Server

Mobile Phone PDA FA Robot ATM / CDPOS System

Car NAVIDigital CAM Coder

No controller inside

NAND + ControllerNAND + ControllerNANDNAND

Industrial UseIndustrial Use

Digital ConsumerDigital Consumer

21

TOSHIBA

HDD vs. Flash Cost TrendHDD vs. Flash Cost Trend

TOSHIBA

unde r

2G

2-3G 3-5G 5-10G 10-

20G

20-

40G

40-

80G

ove r

80G

1998

1999

2000

2001

2002

17 .318 .6

10 .2

2 .9

0 .70 .20 .01 .0

3 .4

11 .7

16 .0

8 .8

2 .3

0 .50 .10 .1 0 .22 .0

10 .1

14 .2

7 .6

1 .60 .3

0 .1 0 .00 .31 .8

10 .612 .1

6 .1

1 .20 .1 0 .00 .20 .1

3 .7

9 .2

12 .3

3 .9

0 .4

HDD容量

YE

AR

HDD SALES REVENUE [B$]

Source：1999 DISK/TREND Report

HDD Sales Dependent on CapacityHDD Sales Dependent on Capacity

22

TOSHIBA

0.1

1

10

100

1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005

YEAR

Price

[10K¥]

HDD ASP

512MB～

128MB～

Flash Disk Target Price

Source： (NSC)

HDD vs. FDD Price ProjectionHDD vs. FDD Price Projection

TOSHIBA

NANDNANDフラッシュドライブフラッシュドライブ

THNIDxxxxBA (2.5インチ) THNIDxxxxBB (3.5インチ)

23

TOSHIBA

・DSC台数: 1030万台 ／ 2000年1480万台 ／ 2001年2000万台／ 2002年(ｿｰｽ：日本写真機工業会）

市場規模

高画素化

ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘの大容量化がデジカメの高画質化を援護

‘96 ‘97 ‘98 ‘99 ‘00 ‘01

4MB

8MB

16MB

32MB

64MB

128MB

画素数 35万 50万 80万 150万 200万 300万 500～600万

40枚

40～30枚

36枚

52枚

64枚

80～60枚

銀塩フイルムカメラの置き換えが進む

ﾌﾗｯｼｭﾒﾓ

ﾘ容

量

1995年 カシオのQV-10出現に続き、カメラメーカ、家電メーカ参入で年率 36% で成長中

デジタルスチルカメラ市場動向デジタルスチルカメラ市場動向

TOSHIBA

シリコンオーディオ市場動向シリコンオーディオ市場動向

■ CD並の音質を1分/1メガバイトで実現MP3 / AAC / Twin VQ / Atrack3等の圧縮技術

■ ｲﾝﾀｰﾈｯﾄ配信 / CDからのRippingKiosk端末等からのダウンロード

■ 音楽著作権に対応メモリースティック / SDカード / ID付きSmartMedia

■ CD並の音質を1分/1メガバイトで実現MP3 / AAC / Twin VQ / Atrack3等の圧縮技術

■ ｲﾝﾀｰﾈｯﾄ配信 / CDからのRippingKiosk端末等からのダウンロード

■ 音楽著作権に対応メモリースティック / SDカード / ID付きSmartMedia

Diamond Multimedia

Creative

Sony

ToshibaAxiaMaxellHagiwara syscom

64Mﾊﾞｲﾄで1時間録音再生

ページプログラムによる高速書込み

・ｼﾘｺﾝｵｰﾃﾞｨｵ台数 : 270万台 ／ 2000年1000万台 ／ 2003年 ( ｿｰｽ ： 野村証券金融研究所)

市場規模 1999年 MP３プレーヤの市場導入を契機に年率 72% の成長が期待される

24

TOSHIBA

その他の市場動向その他の市場動向

携帯電話■ データ転送速度の大幅向上 (exp.CDMA2000,WCDMA)

静止画/動画、デジタルコンテンツ等の本格通信始まる

データ格納先として大容量ﾌﾗｯｼｭ / ﾘﾑｰﾊﾞﾌﾞﾙﾒﾃﾞｨｱの搭載

TV ゲーム

■ ｲﾝﾀｰﾈｯﾄ通信等の高機能化によるﾃﾞｼﾞﾀﾙｺﾝﾃﾝﾂ等の格納大容量ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘの搭載

Set Top Box

■ ｱﾌﾟﾘｹｰｼｮﾝｿﾌﾄ、ﾃﾞｼﾞﾀﾙｺﾝﾃﾝﾂ等の格納大容量ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘの搭載

PS2用ﾒﾓﾘｰｶｰﾄﾞに内蔵

任天堂

TOSHIBA

$0

$2,000

$4,000

$6,000

$8,000

$10,000

$12,000

$14,000

1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006

NOR Combo NAND

Flash Memory Market Forecast

Source: web-Feet Research

NAND market will grow $8kM in year 2006！

25

TOSHIBA

Program:

2 MB/S

20 MB/S

Only NAND Flash Can Cover this field.Only NAND Flash Can Cover this field.

NAND Development DirectionNAND Development Direction

4F2

Unit Cell

HＶ

Ｐ-Sub

NN

０Ｖ ０Ｖ

FN-Tunnel

Small Current

Low Cost

Fast Program

Ｖｔｈ（Ｖ）

(1,0)

(1,1)

(0,0)(1,0)

High Density

Ｖｔｈ（Ｖ）

(0)

(1)

Number of Bit

Fast Program

Number of Bit

TOSHIBA

Dismiss Byte ReprogramAttain Small Cell Size

Dismiss Random ReadAttain Small Cell SizeAttain Fast Program

Focus on a Few but Strong Market ConceptsFocus on a Few but Strong Market Concepts

Byte EEPROM NOR NAND ?

26

TOSHIBA

Semiconductor Company TOSHIBA

裏表紙

http://www.semicon.toshiba.co.jp