-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
1/12
Fondamenti di Elettronica:
test, prima parte
una riduzione della corrente di drain
La formula I d= IDSS( 1-VGS /VT)2
Poich VT negativo, allora se
VGS (>0) si riduce Idcresce. Aumentanto la corrente di
drain
diminuisce la carica libera del canale.
Aumenta
un aumento della corrente di collettorePerch dalle formuline
aumentando VCEaumenta Ro. Aumentando
Ro la corrente preferir fluire per Ic (vedi schema ai piccoli
segnali).
Aumenta
Valanga
fortemente drogate
ni2/ (ND-NA)
niLa formula e' n i
2/ (ND- NA) ma aggiungendo lo stesso numero di
atomi donori e accettori questi si annullano
p=5103
cm-3
le tensioni vBE e vCB sono entrambe < 0
Zona di interdizione
-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
2/12
Source comune con resistenza di source
Base comune
amplificazione di potenza
nella zona attiva
R1 = 12 kOhm, R2 = 120 kOhm
90 kOhm
elettroni che si ricombinano con le lacune iniettate
che la regione nsia meno drogata della regione p
La regione di carica spaziale si estende dove c' MENO
drogante
Un guadagno ad emettitore comune ,b, basso
-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
3/12
Saturazione
giunzion giunzion Funzionam
Attiva inversa
L'emettitore e' quello con la freccia!La base e' ad una
tensione
minore del co llettore (Vb B > C
un substrato (bulk) drogato p
una regione di source drogata n
C)
Diminuisce (come mai?)
-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
4/12
AV = 8000
-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
5/12
VDD > 4.8V
PIB = 7mW
aumenta all'aumentare della temperatura
-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
6/12
Rin = R3+R4
Lunghezza della barretta di semiconduttore: L = 100 [m]
-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
7/12
-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
8/12
Veq -VY-Ieq*R 1=0
2. Ieq=gm*vgs+I O3. IO*r O-VY=0
Abbiamo2incogniteI OeVYchedevonosparire:
1. IO=Ieq -gm*v GS (dalla2nda)
2. (Ieq+gm*Ieq*R 1)r0=VY(dalla3a)
3. Veq -(Ieq+gm*Ieq*R 1)r0-Ieq*R 1=0
Veq=Ieq*R 1+Ieq*r 0+gm*Ieq*R 1*r 0
Req=Veq/Ieq=R 1+r 0+gm*R 1*r 0equestoquanto...=318198.5ohm
-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
9/12
b)
a)
-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
10/12
4.8 V < VDD < 9.6V
-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
11/12
847 Ohm
4.18 kW
-
7/15/2019 Fondamenti Elettronica Simulazione Esame.pdf
12/12
