NGÂN HÀNG ĐỀ THI MÔN: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

Dùng cho hệ ĐHTX ngành ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG

(60 tiết – 4 tín chỉ)

CHƯƠNG I: GIỚI THIỆU CHUNG VỀ CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ Câu hỏi loại 1: 1/ Theo lý thuyết dải năng lượng của vật chất thì độ rộng vùng cấm E

G của chất bán

dẫn có giá trị: a E

G = 0eV ÷ 2eV

b EG = 0eV

c EG > 6eV

d EG = 0eV ÷ 6eV

2/ Các tính chất vật lý điện cơ bản của chất điện môi là: hằng số điện môi ε, độ tổn hao điện môi (P

a),

độ bền về điện Eđ.t.

, nhiệt độ chịu đựng và điện trở cách điện.

a Đúng. b Sai. 3/ Dựa theo lịch sử phát triển của công nghệ điện tử thì cấu kiện điện tử được chia làm 5 loại là cấu kiện điện tử chân không, cấu kiện điện tử bán dẫn, cấu kiện vi mạch, cấu kiện điện tử nanô. a Đúng b Sai 4/ Hệ số nhiệt của điện trở suất α biểu thị: a Sự thay đổi của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi một khoảng là ∆t.

b Sự thay đổi của điện trở khi nhiệt độ thay đổi C01

c Sự thay đổi của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi C01 .

d Sự tăng của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi C01 . 5/ Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại N do: a Hạt dẫn điện tử quyết đinh. b Hạt dẫn lỗ trống quyết định. c Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định. d Các i-on âm quyết định. 6/ Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại P do:

HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG Km10 Đường Nguyễn Trãi, Hà Đông-Hà Tây

Tel: (04).5541221; Fax: (04).5540587 Website: 0Hhttp://www.e-ptit.edu.vn; E-mail: 1Hdhtx@e-ptit.edu.vn

a Hạt dẫn lỗ trống quyết định b Hạt dẫn điện tử quyết định c Các i-on âm quyết định. d Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định 7/ Các tính chất đặc trưng cho vật liệu từ là độ từ thẩm tương đối (µ

r), điện trở suất

(ρ), hệ số nhiệt của điện trở suất (α). a Đúng b Sai 8/ Tại nhiệt độ phòng, một miếng tinh thể silic nguyên chất hoạt động giống như a Chất cách điện b Chất dẫn điện kém c Một đoạn dây đồng. d Một nguồn điện 9/ Dòng điện trong chất điện môi gồm có 2 thành phần là a Dòng điện phân cực và dòng điện rò b Dòng điện khuếch tán và dòng điện phân cực. c Dòng điện phân cực và dòng điện trôi. d Dòng điện khuếch tán và dòng điện trôi 10/ Vật liệu bán dẫn quang là hợp chất đặc biệt có liên kết hai, ba hoặc bốn thành phần của các nguyên tố thuộc a Nhóm 2 và nhóm 4 b Nhóm 3 và nhóm 5. c Nhóm 4 và nhóm 5 d nhóm 3 và nhóm 6 Câu hỏi loại 2: 11/ Dòng điện trong chất bán dẫn gồm có: a Ba thành phần là dòng điện rò, dòng điện phân cực, dòng điện khuếch tán b Hai thành phần là dòng điện khuếch tán và dòng điện trôi c Hai thành phần là dòng điện khuếch tán và dòng điện chuyển dịch (dòng phân cực). d Bốn thành phần là dòng điện rò, dòng điện khuếch tán, dòng điện phân cực và dòng điện trôi 12/ Ferit từ mềm là vật liệu từ được dùng rộng rãi nhất ở tần số cao do có: a Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu thấp, giá trị cảm ứng từ bão hòa thấp b Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hòa thích hợp c Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hòa thấp d Điện dẫn suất thấp, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hòa thích hợp 13/ Ký hiệu dưới đây là của cấu kiện điện tử nào?

a Điốt bán dẫn b Cấu kiện thạch anh c Tụ điện d Không phải ký hiệu của cấu kiện điện tử 14/ Chất điện môi thụ động thường được dùng làm a Điện trở b Điện trở và tụ điện c Tụ điện và chất cách điện. d Lõi cuộn dây và biến áp Câu hỏi loại 3:

15/ Một miếng bán dẫn silic được pha thêm photpho nồng độ 315.10.5,1 −cm .

Hãy tính nồng độ hạt dẫn trong miếng bán dẫn tại nhiệt độ K0300 . (cho biết ni =

310.10.5,1 −cm ).

a Nn =

315.10.5,1 −cm ; Pn =

35.10 −cm .

b Nn =

315.10.5,1 −cm ; Pn =

35.10.5,1 −cm .

c Nn =

315.10.5,1 −cm ; Pn =

35.10.5,1 −− cm .

d Nn =

35.10 −cm ; Pn =

35.10.5,1 −cm .

16/ Đồng nguyên chất là kim loại dẫn điện tốt vì điện trở suất của nó là:

a mΩμ10

b mΩ210.3

c mΩμ6

d 0,0175 .mμΩ 17/ Thạch anh thường được dùng trong các bộ tạo dao động có tần số dao động a Rất ổn định b Rất thấp c Rất cao d Trung tần

CHƯƠNG 2: CÁC CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ THỤ ĐỘNG

Câu hỏi loại 1: 18/ Vật liệu cản điện dùng để chế tạo điện trở là a Chất cách điện b Chất dẫn điện có điện trở suất thấp c Chất dẫn điện có điện trở suất cao d Tất cả các loại vật liệu trên 19/ Trên thân điện trở thường được các nhà sản xuất ghi các tham số chính sau: Trị số điện trở, dung sai của trị số điện trở, điện áp làm việc cho phép a Sai b Đúng 20/ Tecmixto là điện trở có hệ số nhiệt mang giá trị âm a Đúng b Sai 21/ Khi sử dụng tụ điện chúng ta cần chú ý các tham số chính của chúng là: trị số dung lượng, dung sai, điện áp làm việc a Sai b Đúng 22/ Tổn thất của cuộn cảm được biểu thị trong sơ đồ mạch tương đương bởi a Một điện trở nối tiếp với cuộn dây. b Một điện trở song song với cuộn dây. c Một điện trở và một tụ điện mắc song song với cuộn dây d Một tụ điện mắc song song với cuộn dây. 23/ Biến áp cao tần dùng để truyền tín hiệu có chọn lọc thì dùng loại ghép lỏng, còn biến áp cao tần dùng để biến đổi tổng trở thì dùng loại ghép chặt a Đúng b Sai 24/ Tụ hóa là loại tụ mà chất điện môi là dung dịch hóa học a Đúng b Sai 25/ Varixto là điện trở mà trị số của nó được điều khiển bằng a Dòng điện chạy qua nó. b Nhiệt độ môi trường c Điện áp đặt lên nó d Từ trường xung quanh nó 26/ Tụ xoay có thể có nhiều ngăn. Mỗi ngăn có các lá tĩnh và các lá động chế tạo từ đồng nguyên chất, đặt xen kẽ nhau a Sai b Đúng

Câu hỏi loại 2: 27/ Một điện trở màu có các vòng màu theo thứ tự: vàng - tím - lá cây - vàng kim có trị số điện trở là a 4700 5%KΩ± b 470 10%KΩ± c 470 5%MΩ±

d 4,7 10%MΩ± 28/ “Luật điện trở” là một tham số cơ bản của: a Biến trở b Điện trở màng kim. c Điện trở than tổng hợp. d Tất cả các loại điện trở. 29/ Khi tụ điện làm việc ở tần số cao thì phải chú ý đến: a Điện áp làm việc cho phép của tụ điện. b Tổn hao công suất trong tụ thông qua hệ số tổn hao DF. c Cả 3 tham số trên. d Dung sai của tụ điện tính theo %. 30/ Các tham số kỹ thuật cơ bản của cuộn cảm là a Điện cảm (L), hệ số phẩm chất (Q), điện dung riêng của cuộn cảm (C). b Điện cảm (L), điện trở nối tiếp biểu thị tổn hao của cuộn cảm (R

S), kích thước

cuộn cảm c Điện cảm (L), tần số làm việc giới hạn (f

gh), điện dung riêng của cuộn cảm (C).

d Hệ số phẩm chất (Q), điện dung riêng của cuộn cảm (C), số vòng dây (N). 31/ Cuộn dây không lõi làm việc ở tần số cao thường yêu cầu phải có a Điện cảm cao, hệ số phẩm chất nhỏ, điện dung riêng cao ở tần số làm việc. b Điện cảm ổn định, hệ số phẩm chất cao, điện dung riêng nhỏ ở tần số làm việc c Điện cảm thích hợp, hệ số phẩm chất cao, điện dung riêng lớn ở tần số làm việc d Điện cảm ổn định, hệ số nhiệt cao, điện dung riêng lớn ở tần số làm việc 32/ Lõi trong cuộn dây ferit có thể điều chỉnh được để a Thay đổi tần số làm việc giới hạn của cuộn dây. b Thay đổi điện cảm của cuộn dây c Thay đổi tổn thất của cuộn dây d Thay đổi cả 3 tham số kỹ thuật trên 33/ Khi sử dụng điện trở ta phải biết được các tham số cơ bản nào của chúng? a Hệ số nhiệt, công suất tiêu tán và khoảng nhiệt độ làm việc b Trị số điện trở, hệ số nhiệt và dòng điện cực đại c Trị số điện trở, dung sai, điện áp làm việc cho phép. d Trị số điện trở, dung sai và công suất tiêu tán (nếu có). 34/ Khi sử dụng tụ điện ta phải biết được các tham số cơ bản nào của chúng? a Hệ số nhiệt, công suất tiêu tán và khoảng nhiệt độ làm việc b Trị số điện dung, dung sai và công suất tiêu tán c Trị số điện dung, hệ số nhiệt và dòng điện cực đại d Trị số điện dung, dung sai và điện áp làm việc cho phép

Câu hỏi loại 3: 35/ Biến áp âm tần có đáp ứng tần số không bằng phẳng trong khoảng tần số thấp dưới 100Hz và cao hơn 10KHz là do ảnh hưởng của điện cảm của cuộn sơ cấp và tổn hao năng lượng của lõi sắt từ (do điện cảm rò và điện dung phân tán giữa các vòng dây) tăng lên? a Đúng b Sai 36/ Một điện trở có ghi trị số là 1 kΩ và dung sai là 5%, hỏi trị số của điện trở có thể là bao nhiêu?

a Khoảng từ 0,95K ÷ 10,5K Ω Ω b Khoảng từ 950 ÷ 1050 Ω Ω c Khoảng từ 950 ÷ 1000Ω Ω

d Khoảng từ 1K ÷ 1,5K Ω Ω

CHƯƠNG 3: ĐIỐT BÁN DẪN Câu hỏi loại 1. 37/ Tính chất vật lý cơ bản của lớp tiếp xúc P-N là khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực thuận và phân cực ngược a Sai b Đúng 38/ Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận thì a Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm b Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng c Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng d Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm 39/ Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận, dòng điện thuận chảy qua lớp tiếp xúc là do a Các hạt dẫn đa số chuyển động trôi dưới tác dụng của điện trường tiếp xúc tạo nên. b Các hạt dẫn thiểu số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên. c Cả hạt dẫn đa số và thiểu số chuyển động trôi dưới tác động của điện trường tạo nên d Các hạt dẫn đa số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên 40/ Nguyên lý hoạt động của điốt bán dẫn dựa vào tính dẫn điện một chiều của lớp tiếp xúc P-N a Đúng b Sai 41/ Trên thực tế, điốt bán dẫn được phân cực thuận khi điện áp đặt lên điốt phải:

a AK DU U≥

b AK DU U=

c 0AKU V>

d AK DU U≤ 42/ Ký hiệu sau đây chỉ cấu kiện nào:

a Đi ốt Sốt-ky. b Đi ốt chỉnh lưu. c Đi ốt zener d Đi ốt tunen. 43/ Varicap là đi ốt bán dẫn có chức năng như môt: a Cuộn cảm b Biến áp c Điện trở d Tụ điện

44/ Đi ốt chỉnh lưu chỉ hoạt động khi ở chế độ phân cực thuận a Đúng b Sai 45/ Đặc tính cơ bản của đi ốt chỉnh lưu là a Giá trị dòng điện thuận cực đại và điện áp ngược cho phép b Giá trị dòng điện thuận cực đại và điện áp thuận cho phép. c Giá trị dòng điện thuận cực đại và nhiệt độ làm việc cho phép d Giá trị dòng điện thuận cực đại và công suất tiêu tán cực đại 46/ Dòng điện ngược bão hòa của điốt bán dẫn sẽ là:

a Xấp xỉ 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên C020 .

b Xấp xỉ 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên C010

c Xấp xỉ 3 lần đối với sự tăng nhiệt độ lên C010 .

d Xấp xỉ 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên C015 . 47/ Điốt có khả năng biến đổi dòng điện xoay chiều thành một chiều được gọi là a Điốt ổn áp. b Điốt chuyển mạch. c Điốt tunen. d Điốt chỉnh lưu. 48/ Điện áp ngược cho phép của điốt thường được chọn bằng a 0,6 U

đ.t.

b 0,5 Uđ.t.

c Uđ.t.

d 0,8 Uđ.t.

49/ Điốt Sôtky là loại điốt có lớp tiếp xúc: a Bán dẫn - bán dẫn b Bán dẫn- vật liệu từ c Bán dẫn - kim loại d Bán dẫn - chất cách điện Câu hỏi loại 2: 50/ Mối quan hệ giữa dòng điện và điện áp đặt trên đi ốt bán dẫn được biểu diễn bằng công thức:

a ⎟⎟

⎠

⎞

⎜⎜

⎝

⎛+= 10

T

AK

VU

eII với I

0 là dòng điện ngược bão hòa.

b ⎟⎟

⎠

⎞

⎜⎜

⎝

⎛=

−1

0T

AK

VU

eII với I

0 là dòng điện ngược bão hòa.

c

2

0 1⎟⎟

⎠

⎞

⎜⎜

⎝

⎛−= T

AK

VU

eII với I

0 là dòng điện ngược bão hòa

d ⎟⎟

⎠

⎞

⎜⎜

⎝

⎛−= 10

T

AK

VU

eII với I

0 là dòng điện ngược bão hòa.

51/ Điện trở động (R

i) của điốt là một tham số quan trọng, nó được tính theo công

thức

a 0IUR D

i = với I

0 là dòng điện ngược bão hòa

b M

Ti I

VR =

với IM

là dòng điện của đi ốt ở chế độ tĩnh

c M

Di I

UR =

với IM

là dòng điện tại chế độ làm việc tĩnh

d M

Ti I

VR =

với IM

là dòng điện của đi ốt ở chế độ động

52/ Điốt bán dẫn được coi như một điện trở có trị số

T

M

VRI

= khi nó hoạt động ở chế

độ a Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số cao b Phận cực ngược và với tín hiệu nhỏ c Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số thấp. d Phân cực thuận 53/ Sơ đồ tương đương của điốt bán dẫn có dạng mạch như hình vẽ dưới khi nó làm việc ở chế độ

a Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số thấp b Phân cực ngược và với tín hiệu nhỏ tần số thấp c Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số cao d Phân cực ngược và với tín hiệu nhỏ tần số cao 54/ Khi điốt phân cực ngược thì dòng điện chạy qua nó là bao nhiêu? a 0 mA b 300 mA c Không phải những giá trị trên d 1 mA

55/ Sơ đồ tương đương của một điốt phân cực thuận dưới đây được coi như

a Một nguồn điện áp thực b Một nguồn dòng lí tưởng. c Một nguồn điện áp lý tưởng d Một điện trở thực 56/ Tham số quan trọng nhất của điốt xung là a Thời gian phục hồi chức năng ngắt t

p.

b Thời gian xuống tf.

c Điện áp đánh thủng Udt

d Thời gian lên tr

57/

Sơ đồ tương đương của một điốt phân cực thuận dưới đây được coi như

a Một nguồn điện áp lý tưởng b Một nguồn dòng lí tưởng c Một điện trở thực d Một nguồn điện áp thực 58/ Sơ đồ tương đương của một đi ốt phân cực ngược dưới đây được coi như

a Một nguồn điện áp thực b Một nguồn dòng lí tưởng c Một điện trở thực d Một nguồn điện áp lý tưởng 59/ Một điốt xung có thời gian phục hồi chức năng ngắt t

p < 10ns thuộc loại

a Tốc độ nhanh b Tốc độ chậm. c Tốc độ quá chậm d Tốc độ trung bình. 60/ Điốt Sốtky là loại điốt xung có tốc độ chuyển mạch a Tốc độ nhanh

b Tốc độ chậm. c Tốc độ quá chậm d Tốc độ trung bình. Câu hỏi loại 3: 61/ Cường độ điện trường tiếp xúc (E

0) của lớp tiếp xúc P-N khi ở trạng thái cân bằng

nhiệt được xác định theo công thức:

a 20 lni

AD

nNN

KTE =

với ND, N

A là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng

b 20 lni

ADT n

NNVE =

với N

D, N

A là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng và V

T là

điện thế nhiệt

c

220 lnlni

AT

i

DT n

NVnNVE ==

với N

D, N

A là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng và V

T là

điện thế nhiệt

d A

D

N

NKTE ln0 =

với N

D, N

A là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng.

62/ Hãy tính cường độ dòng điện chạy qua đi ốt trong sơ đồ mạch dưới đây

a 0 mA b 14 mA c 20 mA. d 14 A 63/ Hãy tính công suất tiêu tán của điốt zener khi biết điện áp nguồn cung cấp U

S =

24V, điện áp trên điốt là 10V và dòng điện qua đi ốt là 20mA a 480 mW b 280 mW c 200 mW d 200 W

64/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ dưới đây với điốt silic, hãy tính dòng điện chạy trong mạch khi điot phân cực thuận

a 0 A b 9,3 mA c 9,3 A d 10 mA 65/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy cho biết giá trị điện trở là bao nhiêu để có dòng điện qua điốt xấp xỉ 10 mA?

a 1 KΩ b 430 KΩ c 500 Ω d 430 Ω 66/ Một điốt có điện áp là 0,7V và dòng điện chạy qua nó là 50mA. Hỏi công suất của nó là bao nhiêu? a 50 mW b 35 mW c 35 W d 3,5 W. 67/ Điện áp ổn định U

ô.đ (V

Z) của một điốt zener phụ thuộc vào

a Điện áp ngoài đặt lên nó b Dòng điện ngược bão hòa c Nồng độ tạp chất của chất bán dẫn d Phương pháp tỏa nhiệt cho điốt Câu hỏi loại 4: 68/ Hai điốt mắc nối tiếp. Điốt thứ nhất có điện áp phân cực là 0,75 V và điốt thứ hai có điện áp phân cực là 0,8 V.

Nếu dòng điện đi qua điốt thứ nhất là 100mA, hỏi dòng điện đi qua điốt thứ hai là bao nhiêu? a 100 mA b 140 mA c 80 mA d 120 mA 69/ Cho mạch điện như hình vẽ. Điện áp tại điểm nối giữa R

1 và R

2 đo được là 3 V.

Điện áp giữa đi ốt và điện trở 5 KΩđo được 0 V. Hỏi điều gì xảy ra trong mạch điện?

a Đi ốt bị nối tắt b Mạch hoạt động bình thường c Điện trở bị nối tắt d Đi ốt bị đứt hỏng 70/ Có hai điốt mắc nối tiếp với nhau với nguồn điện cung cấp cả mạch là 1,4V. Điốt thứ nhất có điện áp là 0,75V. Nếu dòng điện chạy qua đi ốt thứ nhất là 500mA, hỏi điốt thứ hai có công suất là bao nhiêu? a 325 mW b Cả 3 đáp án trên đều không đúng c 300 mW d 375 mW

CHƯƠNG 4: TRANZITO LƯỠNG CỰC (BJT) Câu hỏi loại 1. 71/ Trong tranzito lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong phần gốc là a Không phải hai loại hạt dẫn trên b Các điện tử tự do c Cả hai loại hạt dẫn trên. d Các lỗ trống 72/ Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc phát-gốc được a Phân cực ngược. b Phân cực thuận. c Không dẫn điện d Hoạt động ở vùng đánh thủng 73/ Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc góp-gốc được a Hoạt động ở vùng đánh thủng b Phân cực ngược. c Phân cực thuận d Không dẫn điện 74/ Phần gốc của các tranzito lưỡng cực rất mỏng và a Có độ pha tạp cao. b Có độ pha tạp thấp c Là kim loại. d Pha tạp chất là nguyên tố có hóa trị năm. 75/ Trong một tranzito loại N-P-N được phân cực ở chế độ tích cực, các điện tử trong phần phát có đủ năng lượng để vượt qua hàng rào thế năng của a Tất cả các vùng trên. b Lớp tiếp xúc phát-gốc. c Vùng tái hợp. d Lớp tiếp xúc góp-gốc. 76/ Khi một điện tử tự do tái hợp với một lỗ trống trong phần gốc của tranzito thì điện tử tự do này sẽ trở thành a Một điện tử hóa trị. b Một điện tử tự do khác. c Một hạt dẫn đa số. d Một điện tử trong vùng dẫn. 77/ Yếu tố nào quan trọng nhất để nói về dòng điện cực góp (I

C)?

a Nó rất nhỏ. b Nó xấp xỉ bằng dòng điện cực phát (I

E).

c Nó được đo bằng miliampe. d Nó bằng dòng điện cực gốc (I

B) chia cho hệ số khuếch đại dòng điện.

78/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ ngắt thì: a Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận. b Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận

c Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược d Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược. 79/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hòa thì a Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược. b Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược. c Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận. d Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận 80/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ tích cực thì a Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược. b Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận. c Cả ba trường hợp phân cực trên đều đúng d Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược 81/ Nguyên lý hoạt động của hai loại tranzito lưỡng cực P-N-P và N-P-N là hoàn toàn giống nhau kể cả nguồn cung cấp bên ngoài đặt lên các chân cực? a Sai b Đúng 82/ Trong vùng tích cực của một tranzito lưỡng cực chế tạo từ silic, điện áp gốc-phát (U

BE) là

a 0,7 V b 0,3 V c 0 V d 1 V 83/ Trong vùng bão hòa của một tranzito lưỡng cực, điện áp góp-phát (U

CE) là

a 1 V b 0,7 V c 0 V d 0,3 V 84/ Một tranzito trong mạch điện được phân cực với các điện áp tĩnh là U

BE = 0,7V;

UCE

= 0,2 V.

Hỏi tranzito đó hoạt động ở chế độ nào? a Tích cực b Bão hòa c Không phải các chế độ trên d Ngắt 85/ Một tranzito trong mạch điện được phân cực với các điện áp tĩnh là: U

BE = 0 V;

CE CU E≈ . Hỏi tranzito đó hoạt động ở chế độ nào? a Bão hòa. b Không phải các chế độ trên c Ngắt d Tích cực 86/ Tranzito được coi như một chuyển mạch khi hoạt động ở chế độ a Ngắt và bão hòa

b Ngắt và tích cực c Không phân cực d Bão hòa và tích cực. 87/ Trong tranzito lưỡng cực loại P-N-P hạt dẫn cơ bản nào tạo ra dòng điện góp? a Hạt dẫn lỗ trống b Hạt dẫn điện tử c Tất cả các loại hạt dẫn trên d Các Ion 88/ Quan hệ giữa hệ số khuếch đại dòng điện α và β được mô tả qua công thức:

a ααβ −

=1

b ααβ+

=1

c ααβ−

=1

d ααβ +

=1

Câu hỏi loại 2: 89/ Quan hệ giữa dòng điện góp và dòng điện gốc trong tranzito lưỡng cực thể hiện qua công thức a I

C = β + (β+1)I

CB0

b IC = (β+1)I

B + βI

CB0

c IC = αI

B + (α+1)I

CB0

d IC = βI

B + I

CB0

90/ Quan hệ giữa dòng điện góp và dòng điện phát trong tranzito lưỡng cực thể hiện qua công thức a I

C = αI

E + I

CB0

b IC = α(I

E + I

CB0)

c IC = αI

E - I

CB0

d IC = αI

E

91/

Một tranzito có dòng điện phát là 10 mA, dòng điện góp là 9,95 mA. Hỏi dòng

điện gốc là bao nhiêu? a 0,5 mA b 19,95 mA c 0,05 mA d 1mA≈ 92/ Dòng điện cực góp là 5 mA, dòng điện gốc là 0,02 mA. Hỏi hệ số khuếch đại dòng điện β là bao nhiệu? a 50 b 25 c 250

d 100 93/ Một tranzito có hệ số khuếch đại dòng điện là 125 và dòng điện gốc là 30μA. Hỏi dòng điện cực góp là bao nhiêu? a 37,5 mA b 3,75 A c 3,75 mA d 375 μA 94/ Tranzito trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

a Gốc chung (CB). b Phát chung (CE) c Dacling tơn d Góp chung (CC). 95/ Tranzito trong sơ đồ mạch được mắc theo cách nào?

a Góp chung (CC) b Gốc chung (CB). c Daclingtơn d Phát chung (CE). 96/ Trong mạng 4 cực dưới, tranzito được mắc theo cách nào?

a Góp chung (CC). b Gốc chung (CB) c Dacling tơn d Phát chung (CE). 97/ Trong mạng 4 cực dưới, tranzito được mắc theo cách nào?

a Daclingtơn b Phát chung (CE) c Góp chung (CC). d Gốc chung (CB). 98/ Nếu hệ số khuếch đại dòng điện β = 200 và dòng điện cực góp là 100mA thì dòng điện cực gốc sẽ là a 2 A b 0,5 mA c 20A d 2 mA 99/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết tranzito hoạt động ở chế độ nào?

a Tích cực b Bão hòa. c Không phải 3 chế độ trên d Ngắt 100/ Hãy cho biết tranzito trong mạch được mắc theo cách nào?

a Cực phát chung b Cực góp chung c Daclingtơn d Cực gốc chung Câu hỏi loại 3: 101/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy xác định điện trở tương đương R

B = R

1//R

2

a 5,866 KΩ b 170 Ω c 14 KΩ d 30 KΩ 102/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy xác định điện trở tương đương R

B = R

1//R

2 ?

a 10 KΩ b 7,5 KΩ c 5 KΩ d 20 KΩ 103/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ. Hãy xác đinh điện áp U

B?

a 7,5 V b 10 V c 5 V d 6 V 104/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết tranzito làm việc ở chế độ nào?

a Bão hòa b Ngắt c Không phải ba chế độ trên. d Tích cực 105/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào?

a Mạch định thiên hồi tiếp điện áp b Mạch định thiên cố định c Mạch định thiên hồi tiếp có ổn định nhiệt d Mạch định thiên phân áp 106/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào?

a Mạch định thiên hồi tiếp điện áp b Mạch định thiên phân áp c Mạch định thiên hồi tiếp có ổn định nhiệt d Mạch định thiên cố định có mạch ổn định nhiệt 107/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào?

a Mạch định thiên cố định b Mạch định thiên hồi tiếp điện áp có ổn định nhiệt c Mạch định thiên hồi tiếp điện áp d Mạch định thiên phân áp 108/ Cho mạch điện như hình vẽ dưới: Tranzito Q

1 có hệ số β

1 = 90, tranzito Q

2 có hệ

số β2 = 70.

Hỏi hệ số khuếch đại dòng điện của cả mạch β là bao nhiêu?

a 320 b 160 c 6300 d 20 Câu hỏi loại 4: 109/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy xác định hệ số ổn định nhiệt S của mạch nếu hệ số khuếch đại dòng điện của tranzito β = 100?

a S = 15,1 b S = 34,1 c S = 101 d S = 9,5 110/ Cho mạch điện như hình vẽ có tranzito silic và U

B = 10V; R

B = 100KΩ.

Hỏi dòng điện cực gốc IB là bao nhiêu?

a 93 μA b 100 μA c 100 mA d 93 mA 111/ Cho mạch điện như hình vẽ với dòng điện cực góp I

C = 1 mA; điện trở R

C =

3,6KΩ; và điện áp nguồn cung cấp V

C = 10V. Hỏi điện áp giữa cực góp- phát U

CE bằng bao

nhiêu?

a U

CE = 0,64 V

b UCE

= 6,4 V

c UCE

= 10 V

d UCE

= 9 V

112/ Cho mạch điện như hình vẽ với dòng điện cực góp là 1 mA; nguồn điện cung cấp V

C = 10 V;

điện áp giữa cực góp-phát UCE

= 6,4 V. Hãy xác đinh công suất của tranzito trong

mạch là bao nhiêu?

a 6,4 W b 10 mW c 10 W d 6,4 mW 113/ Hãy xác định dòng điện I

C của tranzito trong sơ đồ mạch điện sau. Tranzito chế

tạo từ silic có β =100 và ICB0

= 0mA

a 25 μA b 3,3 mA c 2,15 mA d 3,1 mA 114/ Hãy xác định điện áp U

CE của tranzito trong sơ đồ mạch dưới đây khi biết dòng

điện IC = 10 mA;

nguồn EC =10V; điện trở R

C = 470Ω; R

B = 100KΩ?

a 4,7 V b 5,3 V c 4,0 V d 6,3 V

CHƯƠNG 5: TRANZITO TRƯỜNG (FET) Câu hỏi loại 1. 115/ FET: a Có hệ số khuếch đại điện áp rất cao b Là một cấu kiện được điều khiển bằng dòng điện c Có trở kháng vào thấp d Là một cấu kiện được điều khiển bằng điện áp 116/ Để tạo ra dòng điện trong mạch, một tranzito đơn cực sử dụng a Chỉ một loại hạt dẫn: hoặc điện tử tự do, hoặc lỗ trống b Cả hai loại hạt dẫn là điện tử tự do và lỗ trống c Chỉ mỗi điện tử tự do d Chỉ mỗi hạt dẫn lỗ trống 117/ Trở kháng vào của JFET a Gần bằng 1 b Rất lớn c Không thể đoán trước được d Gần bằng zero 118/ Điện áp cực Cửa của FET thực hiện việc điều khiển a Dòng điện máng b Điện áp “ngắt” tỉ lệ c Độ rộng của kênh d Cả ba phương án còn lại 119/ Lớp tiếp xúc P-N giữa cực Nguồn và cực Cửa của JFET cần phải: a Phân cực ngược b Cả ba phương án còn lại đều sai c Phân cực thuận d Hoặc phân cực thuận, hoặc phân cực ngược 120/ Các hạt dẫn trong JFET kênh P là a Các điện tử tự do và các lỗ trống b Các điện tử tự do c Có thể là điện tử tự do hoặc có thể là lỗ trống d Các lỗ trống 121/ Để FET hoạt động đa số ta phải phân cực sao cho các tiếp xúc P-N phải phân cực thuận và các hạt dẫn phải chuyển động từ cực nguồn qua kênh về cực máng để tạo nên dòng điện trong FET? a Sai b Đúng 122/ MOSFET kênh sẵn hoạt động ở trạng thái nghèo hạt dẫn gần như a Một nguồn dòng b Một JFET c Một điện trở d Một MOSFET kênh cảm ứng

123/ MOSFET kênh cảm ứng bắt đầu dẫn khi điện áp U

GS bằng:

a Điện áp bão hòa (UDSbh

)

b Điện áp ngưỡng (UGSth

)

c Điện áp ngắt (UGSngắt

)

d Điện áp khuỷu (UB0

)

124/ Khi một JFET ở chế độ ngắt thì các lớp tiếp xúc P-N (lớp nghèo hạt dẫn) sẽ: a Dẫn điện b Chạm vào nhau c Trùm phủ lên nhau d Cách xa nhau ra 125/ Trong một JFET kênh N, khi điện áp cực cửa càng âm hơn thì kênh dẫn nằm giữa hai lớp tiếp xúc sẽ trở nên: a Hẹp hơn b Rộng hơn c Dẫn điện tốt hơn d Giầu hạt dẫn hơn 126/ Ở vùng thuần trở của đặc tuyến ra trong FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui luật a Đường cong parabol b Đường thẳng c Không thay đổi d Đường cong hypecbol 127/ Ở vùng bão hòa của đặc tuyến ra trong FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui luật a Đường cong parabol b Đường cong hypecbol c Không thay đổi d Đường thẳng 128/ Vật liệu phần Nguồn và phần Máng của MOSFET kênh cảm ứng loại N là: a Bán dẫn thuần b Kim loại c Bán dẫn tạp loại N d Bán dẫn tạp loại P 129/ Trở kháng vào của JFET có giá trị nằm trong khoảng:

a Ω÷ K)1010( 1310

b Ω÷ )1010( 1310

c Ω÷ )1010( 1513

d Ω÷ )1010( 86

130/ Trở kháng vào của MOSFET có giá trị nằm trong khoảng

a Ω÷ )1010( 1513

b Ω÷ K)1010( 1614

c Ω÷ )1010( 86

d Ω÷ )1010( 1310

131/ Vật liệu kênh dẫn của JFET kênh N là chất a Hợp kim b Bán dẫn loại N c Bán dẫn loại P d Bán dẫn thuần Câu hỏi loại 2. 132/ Muốn cho MOSFET kênh cảm ứng loại P hoạt động ta phải cấp nguồn điện phân cực sao cho

a 0⟨≤ GSthGS UU và UDS

> 0

b GSthGS UU ≤ < 0 và UDS

< 0

c 0⟩⟩ GSthGS UU và UDS

< 0

d 0⟨⟩ GSthGS UU và UDS

> 0

133/ Muốn cho MOSFET kênh cảm ứng loại N hoạt động ta phải cấp nguồn điện phân cực sao cho

a 0⟩≥ GSthGS UU và UDS

>0

b 0⟩≥ GSthGS UU và UDS

<0

c UGS

= UGSth

= 0 và UDS

= 0

d 0⟩⟨ GSthGS UU và UDS

>0

134/ Một JFET có dòng điện máng bão hòa I

Dbh = 20mA và điện áp máng bão hòa

UDSbh

= 5V.

Hỏi điện trở một chiều của JFET ở vùng thuần trở là bao nhiêu? a RD

S = 2,5 KΩ

b RDS = 250 KΩ

c RDS = 100 Ω

d RDS = 250 Ω

135/ Công thức tính dòng điện máng của tranzito trường JFET là:

a

2

0 1 ⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛−=

GSngat

GSDD U

UII

b ⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛−=

GSngat

GSDD U

UII 10

c

2

0 1 ⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛−=

GSngat

GSDD U

UKII

d

2

0 1 ⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛+=

GSngat

GSDD U

UII

136/ Tranzito 2N5902 có dòng điện máng bão hòa là 500µA và điện áp máng-nguồn bão hòa U

DSbh là 2V,

Hỏi điện trở máng RDS

trong vùng thuần trở là bao nhiêu?

a RDS = 40 Ω

b RDS = 4 KΩ

c RDS = 10 KΩ

d RDS = 100 Ω

137/ Tranzito 2N5457 có giá trị dòng điện máng bão hòa I

Dbh là 5 mA và điện áp ngắt

UGSngắt

là -6 V.

Hãy tính hệ số K khi điện áp UGS

là 0 V?

a K = 2. b K = 5. c K = 1 d K = 6. 138/ Tranzito 2N5902 có các tham số I

G là 5 pA tại điện áp U

GS bằng 20 V ở nhiệt độ

phòng. Hỏi trở kháng vào của nó là bao nhiêu ở nhiệt độ phòng?

a Ω= 1210.4VZ

b Ω= 1010.5VZ

c Ω= 910.4VZ

d Ω= 1510.4VZ 139/ Trong công thức tính dòng điện cực máng I

D = KI

D0 của JFET, hệ số K là:

a ⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛+=

GSngat

GS

UU

K 1

b

2

⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛=

GSngat

GS

UU

K

c

2

1 ⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛−=

GSngat

GS

UU

K

d

2

1 ⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛+=

GSngat

GS

UU

K

140/ Trong sơ đồ mắc cực nguồn chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn nhất của một FET có thể đạt được là:

a 150 300μ = ÷

b 10 30μ = ÷

c 1μ <

d 5 10μ = ÷ 141/ Trong sơ đồ mắc cực máng chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn nhất của một FET có thể đạt được là

a 5 10μ = ÷

b 150 300μ = ÷

c 10 30μ = ÷

d 1μ < 142/ Đặc tuyến điều khiển của FET : I

D = f(U

GS) khi U

DS không đổi là một:

a Đường cong hypecbol. b Đường thẳng. c Đường cong parabol. d Đường không xác định trước Câu hỏi loại 3. 143/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn U

DS là bao

nhiêu?

a UD

S = 11 V

b UDS = 9 V

c UDS = 17 V

d UDS = 5 V

144/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết dòng điện máng I

D là bao nhiêu?

a ID = 7,5 A b ID = 7,5 mA c ID = 17 mA d ID = 20 mA 145/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch được mắc theo cách nào?

a Phát chung. b Máng chung. c Cửa chung. d Nguồn chung 146/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

a Nguồn chung b Máng chung. c Cửa chung. d Phát chung. 147/ Tranzito trong sơ đồ được phân cực cách nào?

a Tự phân cực. b Phân cực hồi tiếp. c Phân cực phân áp. d Phân cực cố định. 148/ Hãy cho biết tranztito trong sơ đồ được phân cực theo cách nào?

a Phân cực hồi tiếp. b Phân cực cố định. c Phân cực tự cấp. d Phân cực phân áp Câu hỏi loại 4. 149/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn U

DS là bao

nhiêu?

a UD

S = 1,2 V.

b UDS = 11V.

c UDS = 4 V.

d UDS = 13,8 V

150/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn U

DS là bao

nhiêu?

a UD

S = 7,5 V.

b UDS = 9 V.

c UDS = 0 V.

d UDS = 11 V.

151/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ. Hỏi điện áp trên cực cửa là bao nhiêu nếu biết dòng điện máng là I

D = 15 mA?

a UG = 5 V b UG = 15 V c UG = 0 V d UG = 10 V 152/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ. Hỏi điện áp trên cực máng là bao nhiêu nếu biết dòng điện máng là I

D = 12 mA?

a UD = 13 V b UD = 25 V c UD = 15 V d UD = 0 V 153/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hỏi điện áp U

DS là bao nhiêu nếu biết dòng điện máng I

D = 10 mA?

a UD

S = 5 V

b UDS = 10 V

c UDS = 20 V

d UDS = 15 V

154/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hỏi dòng điện máng là bao nhiêu?

a ID = 4,72 mA b ID = 0,25 mA. c ID = 0,5 mA. d ID = 5,55 mA

CHƯƠNG 6: CẤU KIỆN THYRISTOR Câu hỏi loại 1.

155/ Thyristo có thể sử dụng như: a Một nguồn dòng. b Một bộ khuếch đại. c Một công tắc chuyển mạch d Một điện trở. 156/ Để kích thích một cấu kiện thyristo dẫn điện ta sử dụng a Hồi tiếp. b Hồi tiếp dương. c Sử dụng một dòng điện. d Tranzito lưỡng cực. 157/ Dòng điện nào sau đây có thể bật thyristo dẫn điện a Dòng điện đánh thủng. b Dòng điện duy trì I

H.

c Dòng điện ngược bão hòa. d Dòng điện kích thích I

G.

158/ Dòng điện anốt nhỏ nhất giữ cho thyristo dẫn điện được gọi là: a Dòng điện duy trì. b Dòng điện đánh thủng. c Dòng điện ngược bão hòa. d Dòng điện kích thích. 159/ Chỉnh lưu silic có điều khiển (SCR) có a Ba vùng pha tạp chất bán dẫn. b Hai lớp tiếp xúc P-N. c Bốn lớp tiếp xúc P-N. d Ba lớp tiếp xúc P-N. 160/ Để kích thích cho SCR dẫn điện người ta thường: a Dùng cái ngắt điện. b Kích thích cực điều khiển G. c Dùng dòng điện duy trì. d Dùng hiện tượng đánh thủng lớp tiếp xúc P-N. 161/ Triac tương đương với: a Hai diac mắc song song. b Điốt có bốn lớp bán dẫn. c Hai SCR mắc song song và ngược chiều nhau. d Hai SCR đấu song song và cùng chiều nhau. 162/ Điện áp cần thiết đặt lên cực phát của UJT để nó dẫn điện được gọi là: a Điện áp trũng U

V

b Điện áp đỉnh UP

c Điện áp kích khởi UK

d Điện áp đỉnh khuỷu UB0

Câu hỏi loại 2. 163/ Dùng UJT để tạo dao động xung người ta sử dụng đoạn đặc tuyến a Điện trở âm. b Điện trở dương. c Ở vùng ngắt. d Điện trở âm và điện trở dương 164/ Điện áp đỉnh của UJT được tính theo công thức a UP = U

BB + 0,7 V

b UP = η UBB

c UP = η UBB

- 0,7 V

d UP = η UBB

+ 0,7 V

165/ Điều kiện để mạch dao động phóng nạp sử dụng UJT hoạt động tốt là

a Dòng điện I > IV và tụ điện 1 0,01TF C Fμ μ> ≥

b Dòng điện I < IP và I > I

V.

c Dòng điện IV > I > I

P và tụ điện

d Dòng điện I < IP và tụ điện 1 0,01TF C Fμ μ> ≥

166/ Khi SCR đã dẫn điện, ta ngắt dòng điện điều khiển thì SCR sẽ ngừng dẫn? a Sai. b Đúng. 167/ Tác dụng của dòng điện kích thích đưa vào cực G của SCR là a Giảm hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P

1.

b Giảm hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn N1

c Gia tăng hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn P2

d Gia tăng hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P2

CHƯƠNG 7: VI MẠCH TÍCH HỢP (IC) Câu hỏi loại 1. 168/ Vi mạch tích hợp là cấu kiện có ưu điểm cơ bản: a Kích thước nhỏ. b Tiêu thụ ít năng lượng. c Độ tin cậy cao. d Tất cả các điều kể ở đây. 169/ Loại vi mạch tích hợp được sản xuất và sử dụng nhiều nhất là a Vi mạch bán dẫn. b Vi mạch màng mỏng. c Vi mạch lai. d Vi mạch màng dày. 170/ Công nghệ chế tạo vi mạch bán dẫn là: a Công nghệ plana và plana-epitaxi. b Công nghệ bốc hơi và lắng đọng trong chân không. c Kết hợp tất cả các công nghệ này. d Công nghệ quang khắc. 171/ Điốt trong vi mạch được tích hợp dưới dạng a Tranzito được nối tắt chân cực. b Điốt nguyên thể. c Một lớp tiếp xúc P=N. d Một tụ điện. 172/ Vi mạch khuếch đại thuật toán thuộc loại: a Vi mạch lai. b Vi mạch số. c Vi mạch tuyến tính. d Tổ hợp vi mạch tranzito-điốt. 173/ Tầng vào của IC khuếch đại thuật toán là bộ khuếch đại vi sai để có: a Đảm bảo an toàn cho các tranzito trong IC. b Trở kháng vào lớn và hệ số khuếch đại lớn. c Trở kháng ra nhỏ. d Dải tần số làm việc rộng. 174/ IC khuếch đại thuật toán có a Một lối vào và một lối ra. b Hai lối vào và hai lối ra. c Hai lối vào và một lối ra. d Ba lối vào và một lối ra. 175/ Một bộ khuếch đại thuật toán tốt cần có a Hệ số khuếch đại vi sai lớn và hệ số khuếch đại đồng pha lớn. b Trở kháng vào lớn và hệ số khuếch đại đồng pha lớn. c Hệ số khuếch đại vi sai lớn và hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ. d Hệ số khuếch đại vi sai nhỏ và hệ số khuếch đại đồng pha lớn. 176/ Vi mạch số hiện nay được chế tạo trên cơ sở:

a Chỉ các tranzito trường. b Các tranzito lưỡng cực và tranzito trường. c Chỉ các tranzito lưỡng cực. d Các tranzito, các tụ điện, các điện trở và cuộn dây. 177/ Vi mạch số được sử dụng rộng rãi hiện nay là loại a Họ TTL và họ CMOS. b Họ RTL. c Họ DTL. d Họ TL. 178/ Vi mạch nhớ là một cấu kiện điện tử có khả năng: a Lưu trữ dữ liệu và các chương trình điều khiển dưới dạng số nhị phân. b Lưu trữ các dữ liệu dưới dạng số nhị phân. c Lưu trữ dữ liệu và các chương trình điều khiển dưới dạng số thập phân. d Lưu trữ các chữ cái và các chữ số. 179/ ROM là bộ nhớ có khả năng đọc và viết? a Sai. b Đúng. 180/ RAM là bộ nhớ tạm thời, khi mất điện cung cấp thì tin tức trong nó bị xóa ngay? a Sai. b Đúng. 181/ EPROM là bộ nhớ: a Có thể xóa đi và viết lại. b Chỉ được viết một lần do người sản xuất. c Có khả năng đọc/viết. d Chỉ được viết một lần do người sử dụng. 182/ LSI là vi mạch tích hợp có chứa a Đến 10 phần tử. b Lớn hơn 100 phần tử. c Lớn hơn 1000 phần tử. d Từ 10 đến 100 phần tử. Câu hỏi loại 2. 183/ Bộ khuếch đại thuật toán có thể khuếch đại: a Cả tín hiệu xoay chiều (ac) và một chiều (dc). b Chỉ tín hiệu xoay chiều (ac). c Không tín hiệu xoay chiều (ac) và không tín hiệu một chiều(dc). d Chỉ tín hiệu một chiều (dc). 184/ Tầng vào của một bộ khuếch đại thuật toán thường là: a Bộ khuếch đại vi sai. b Bộ khuếch đại công suất chế độ B. c Bộ khuếch đại mắc cực phát chung (CE). d Bộ khuếch đại cao tần. 185/ Tại tần số khuếch đại đơn vị, hệ số khuếch đại điện áp của bộ khuếch đại thuật toán bằng:

a KU = K

U0.

b KU = Zero

c KU = 1.

d 0 / 2U VK K= 186/ Trở kháng vào của bộ khuếch đại thuật toán có tầng vào dùng JFET là: a Thấp. b Trung bình. c Cao. d Rất cao. 187/ Nếu hai nguồn cung cấp của một bộ khuếch đại thuật toán là ±15 V, thì điện áp ra cực đại của nó là bao nhiêu? a 15V± b 12V±

c (12 14 )V V÷± d 30V 188/ Độ dốc đặc tuyến truyền đạt của bộ khuếch đại thuật toán thể hiện a Điện áp ra. b Trở kháng vào. c Hệ số khuếch đại điện áp. d Trở kháng ra. 189/ Một bộ khuếch đại thuật toán có hệ số khuếch đại điện áp là 500.000. Nếu điện áp ra là 1 V, thì điện áp vào sẽ là a 5 mV. b 10 mV. c 2 mV. d 2 µV. 190/ Ở tần số cao hơn tần số cắt, hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại thuật toán giảm với tốc độ a 10 dB/decade

b 2/2 dB/decade c 20 dB/decade d 0,707/decade. 191/ Hệ số khuếch đại điện áp của một bộ khuếch đại thuật toán bằng 1 tại: a Tần số cắt. b Tần số dao động. c Dải tần số làm việc. d Tần số khuếch đại đơn vị. 192/ Một IC 741C có các tham số: a Trở kháng ra khoảng 75 Ω b Hệ số khuếch đại điện áp bằng khoảng 100.000 c Tất cả các tham số đã nêu ra. d Trở kháng vào khoảng 2 MΩ

Câu hỏi loại 3. 193/ Cho mạch như hình vẽ. Hỏi hệ số khuếch đại của mạch là bao nhiêu?

a Ku = 11 b Ku = -100 c Ku = -10 d Ku = 10 194/ Hệ số khuếch đại điện áp của mạch là bao nhiêu?

a Ku = -10 b Ku = 11 c Ku = -11 d Ku = 110

CHƯƠNG 8: CẤU KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ Câu hỏi loại 1. 195/ Bức xạ ánh sáng là một dạng của bức xạ điện từ có dải tần số dao động:

a Từ Hz1514 1010 ÷

b Từ Hz96 1010 ÷ .

c Từ Hz108 1010 ÷

d Từ Hz2019 1010 ÷ 196/ Vùng hồng ngoại có bước sóng : a Từ 100µm ÷ 10 mm b Từ 780 nm ÷ 100µm c Từ 380 nm ÷ 780nm d Từ 50 nm ÷ 380nm 197/ Độ dài bước sóng bức xạ của vật chất phụ thuộc vào: a Năng lượng vùng cấm. b Nồng độ tạp chất trong vật chất. c Số lượng nguyên tố hóa học có trong vật chất d Hóa trị của nguyên tố vật chất 198/ LED hồng ngoại là điốt có khả năng bức xạ a Ánh sáng cực tím. b Ánh sáng nhìn thấy. c Ánh sáng hồng ngoại. d Tất cả các loại ánh sáng kể ra ở trên. 199/ Vùng ánh sáng nhìn thấy có bước sóng a Từ 380 nm ÷ 780nm b Từ 780 nm ÷ 100µm c Từ 50 nm ÷ 380nm d Từ 100µm ÷ 10 mm 200/ LED chỉ thị là điốt có khả năng bức xạ a Tất cả các loại ánh sáng kể ra ở trên. b Ánh sáng hồng ngoại. c Ánh sáng nhìn thấy. d Ánh sáng cực tím. 201/ Các LED bức xạ ở các bước sóng khác nhau sẽ có điện áp phân cực khác nhau? a Sai. b Đúng. 202/ Khi nhiệt độ làm việc tăng thì độ dài bước sóng bức xạ của LED ngắn lại? a Đúng. b Sai. 203/ LED hồng ngoại cấu trúc dị thể kép có thêm:

a Hai lớp giam giữ hạt dẫn và một lớp giam giữ ánh sáng. b Ba lớp giam giữ hạt dẫn và ánh sáng. c Hai lớp giam giữ hạt dẫn. d Hai lớp giam giữ hạt dẫn và ánh sáng. 204/ So với vùng tái hợp, hàng rào thế năng của hai lớp giam giữ hạt dẫn trong LED dị thể kép a Thấp hơn. b Cao hơn. c Có thể cao hơn hoặc có thể thấp hơn d Bằng nhau. 205/ Chiết suất của chất bán dẫn trong vùng tích cực của LED dị thể kép là a Thấp nhất b Cao nhất. c Bằng các vùng lân cận. d Bằng zero. 206/ Hai dạng cơ bản của LED hồng ngoại cấu trúc dị thể kép dùng cho sợi quang là loại bức xạ bề mặt và loại bức xạ cạnh a Sai. b Đúng. 207/ Chất bán dẫn dùng để chế tạo LASER phải được pha tạp với nồng độ a Thấp. b Trung bình. c Không xác định d Rất cao. 208/ Cấu trúc của điốt LASER phức tạp hơn của LED cơ bản là a Có nhiều lớp giam giữ hạt dẫn hơn. b Có kích thước lớn hơn. c Có nhiều lớp bán dẫn hơn. d Có hốc cộng hưởng. 209/ Hốc cộng hưởng Fabry Perot của điốt LASER được tạo ra nhờ: a Hai cạnh bên xù xì của LASER. b Hai lớp giam giữ hạt dẫn trong cấu kiện. c Một cái hộp được chế tạo bên trong cấu kiện. d Hai gương phản chiếu được định hướng. 210/ Muốn LASER hoạt động phải cấp nguồn phân cực thuận cho cấu kiện? a Sai. b Đúng. 211/ Đặc tính quan trọng của LASER là: a Đặc tuyến truyền đạt. b Đặc tuyến vôn-ampe. c Đặc tuyến tần số. d Đặc tuyến bức xạ. 212/ Mặt chỉ thị tinh thể lỏng (LCD) là một cấu kiện bán dẫn phát quang?

a Đúng. b Sai. 213/ Để LCD hoạt động ta cần cấp cho nó một điện áp a Xoay chiều hoặc một chiều đều được. b Xoay chiều. c Xoay chiều không lẫn điện áp một chiều. d Một chiều. 214/ Vật liệu bán dẫn chế tạo điện trở quang được gọi là a Vật liệu bán dẫn nhạy quang. b Vật liệu bán dẫn suy biến. c Vật liệu bán dẫn cảm quang. d Tất cả các tên gọi trên. 215/ Điốt quang hoạt động khi nó được phân cực thuận? a Sai. b Đúng. Câu hỏi loại 2. 216/ LED chỉ thị bức xạ ánh sáng màu đỏ có điện áp phân cực thuận là: a U

D = 3,0 V

b UD = (2,0 ÷ 2,2) V

c UD = (2,4 ÷ 2,7) V

d UD = (1,6 ÷ 1,8) V

217/ LED hồng ngoại chế tạo từ chất GaAs có điện áp phân cực thuận là a U

D = (2,4 ÷ 2,7) V

b UD = (2,0 ÷ 2,2) V

c UD = (1,6 ÷ 1,8) V

d UD

= 3,0 V

218/ Nguồn sáng của LED là đẳng hướng và có độ rộng phổ a Khoảng từ (40 ÷ 100) nm. b Khoảng < 2 nm. c Khoảng từ (1 ÷ 2) nm. d Khoảng từ (2 ÷ 40) nm. 219/ LASER bán dẫn là cấu kiện có khả năng a Tạo ra ánh sáng có cường độ cao. b Tạo ra ánh sáng từ quá trình hấp thụ quang. c Tạo ra ánh sáng đẳng hướng và có độ rộng phổ lớn. d Tạo ra và khuếch đại ánh sáng đơn sắc có tính kết hợp về pha. 220/ Tham số chính của LASER là: a Hiệu suất lượng tử vi phân ngoài. b Cả ba phương án còn lại. c Tần số cộng hưởng. d Độ rộng phổ bức xạ.

221/ Chiều dài hốc cộng hưởng L của LASER lớn hơn nhiều độ dài bước sóng bức xạ nên a Có ba mốt dọc tồn tại trong LASER. b Có duy nhất một mốt dọc tồn tại trong LASER. c Có rất nhiều mốt dọc tồn tại trong LASER. d Có hai mốt dọc tồn tại trong LASER. 222/ Khi chiếu ánh sáng vào điện trở quang thì điện trở của nó: a Giảm xuống. b Tăng lên. c Không xác định d Không đổi. 223/ Độ nhạy tương đối của điện trở quang phụ thuộc vào quang phổ chiếu vào nó? a Sai. b Đúng 224/ Điốt quang hoạt động dựa trên nguyên lý: a Quá trình bức xạ và quá trình hấp thụ quang trong chất bán dẫn b Quá trình bức xạ tự phát trong chất bán dẫn. c Quá trình hấp thụ quang trong chất bán dẫn. d Quá trình bức xạ kích thích trong chất bán dẫn. 225/ Điốt quang chế tạo từ silic có độ nhạy cao ở vùng bước sóng a Từ (0,56 ÷ 0,65) µm. b Từ (1,3 ÷ 1,6) µm. c Từ (0,65 ÷ 0,85) µm. d Từ (0,85 ÷ 0,9) µm. 226/ Tại sao đi ốt quang loại PIN có độ nhạy cao hơn đi ốt quang loại tiếp xúc P-N? a Vì nó có khả năng khuếch đại dòng điện quang lên M lần. b Vì nó có lớp tiếp xúc P-N rộng hơn. c Vì nó có vùng hấp thụ quang là bán dẫn nguyên tính và khá rộng. d Vì nó được chế tạo từ chất bán dẫn có nồng độ tạp chất cao. 227/ Điốt quang thác có cấu trúc đặc biệt nhằm mục đích tạo ra vùng có điện trường mạnh gọi là vùng thác để tạo ra a Hiện tượng nhân điện tích bởi quá trình ion hóa do va chạm. b Hiện tượng nhân điện tích do phát xạ thứ cấp c Hiện tượng nhân điện tích do quá trình hấp thụ quang. d Hiện tượng tăng dòng điện quang do sự tái hợp ồ ạt của các hạt dẫn 228/ So với tranzito quang thì điốt quang có: a Tần số hoạt động thấp hơn nhưng độ nhạy cao hơn. b Tần số hoạt động cao hơn và độ nhạy cao hơn. c Tần số hoạt động cao hơn nhưng độ nhạy thấp hơn. d Tần số hoạt động và độ nhạy xấp xỉ nhau. 229/ Tế bào quang điện là cấu kiện bán dẫn có khả năng chuyển đổi tín hiệu quang sang tín hiệu điện? a Đúng. b Sai.

230/ Về mặt cấu trúc có thể coi tranzito quang như một mạch tích hợp gồm có một điốt quang và a Điốt thường. b Một tranzito thường. c Một thyristo thường. d Một LED. 231/ Trong thyristo quang, tín hiệu quang chỉ có nhiệm vụ: a Khuếch đại điện áp. b Kích cho thyristo quang dẫn điện và khuếch đại dòng điện qua nó c Khuếch đại dòng điện. d Kích cho thyristo quang dẫn điện. 232/ Cấu tạo của một bộ ghép quang gồm có a Một điốt quang và một tranzito quang. b Một điốt phát quang (LED) và một điện trở quang. c Một tế bào quang điện và một cấu kiện thu quang. d Một điốt phát quang (LED) và một cấu kiện thu quang. 233/ Tham số quan trọng nhất của bộ ghép quang là a Điện dung cách điện. b Hệ số truyền đạt dòng điện (CTR) c Điện thế cách li. d Điện trở cách điện. 234/ Dùng tranzito quang Dacling tơn nhằm mục đích a Tăng độ nhạy của tranzito quang. b Tăng tần số hoạt động. c Giảm trở kháng ra của tranzito quang. d Tăng trở kháng vào của tranzito quang. Câu hỏi loại 3. 235/ Trị số điện trở cần thiết mắc nối tiếp với LED được tính theo công thức:

a IU

R CCT =

b IUU

R DCCT

+=

c IUR D

T =

d IUU

R DCCT

−=

236/ Điều kiện để có phát laser về biên độ là: I(2L) = I(0) với I(2L)- mật độ trường quang tại Z = 2L; L- chiều dài hốc cộng hưởng; I(0)- mật độ trường quang gốc và về pha là:

12 ≠− Lje β với β- hằng số lan truyền của ánh sáng?

a Đúng. b Sai.

237/ Độ nhạy của điốt quang được tính theo công thức

a 0

.P

hIS ph ν=

b 0PI

S ph=

c .

0

phIP

S =

d phIPS .0=

238/ So với các loại điốt quang thì điốt quang thác APD yêu cầu nguồn điện cung cấp a Cũng giống như các loại điốt khác. b Cao. c Thấp và ổn định d Cao và ổn định về nhiệt. 239/ Dòng quang điện trong tranzito quang được tạo nên là do a Các hạt dẫn lỗ trống mới sinh ra trong quá trình hấp thụ quang b Các hạt điện tử tự do mới sinh ra trong quá trình hấp thụ quang.. c Các hạt dẫn từ phần phát khuếch tán sang. d Các hạt dẫn mới sinh ra do quá trình hấp thụ quang ở trong phần gốc của cấu kiện. 240/ Dòng điện quang sơ cấp I

ph của điốt quang được tính theo công thức

a

( )fp

w

ph RL

ehP

qI +⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛

+−=

−

11

10

λ

α

αν

λ

b

( )fp

w

ph RL

ehP

qI −⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛

+−=

−

11

10

λ

α

αν

λ

c

( )fp

w

ph RL

ehP

I +⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛

+−=

−

11

10

λ

α

αν

λ

d

( )fp

w

ph RL

ehP

I −⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛

+−=

−

11

10

λ

α

αν

λ

241/ Hệ số khuếch đại dòng điện quang trong điốt quang thác APD được tính theo công thức

a ( )ndtph

Mph VVI

IM/11

−==

b ( )ndtM

phph VVI

IM

/11

−==

c ( )dtph

Mph VVI

IM/1

1+

==

d ( )dtM

phph VVI

IM

/11

−==

242/ Bước sóng bức xạ đỉnh λ là một hàm của năng lượng vùng cấm biểu diễn bằng công thức

a )(24,1)(eVE

nmG

=λ

b )()(

eVEhm

G

νμλ =

c )(1240)(

eVEm

G

=μλ

d )(24,1)(eVE

mG

=μλ

243/ Hiệu suất lượng tử hóa của đi ốt quang được tính theo công thức:

a 0PI ph=η

b νη

hPqI ph

//

0

=

c νη

hPI ph

/0

=

d 0

/P

qI ph=η

244/ Một bộ ghép quang có dòng vào là 2 mA, dòng ra là 100 mA. Hỏi hệ số truyền đạt dòng điện là bao nhiêu? a 5000% b 50% c 500% d 100% Câu hỏi loại 4. 245/ Một laser chế tạo từ Ga

1-xAl

xAs với x = 0,15 thì có E

G = 1,6 eV.

Hãy tính độ dài bước sóng bức xạ ra? a λ = 775 nm b λ = 1100 nm c λ= 1300 nm d λ = 1,55 µm 246/ Năng lượng ánh sáng có bước sóng là 1550 nm là bao nhiêu electron vôn? a EG = 0,65 eV b EG = 1,43 eV c EG = 0,80 eV d EG = 0,75 eV

247/ Một laser hoạt động ở bước sóng là 1100nm có chiều dài hốc cộng hưởng L=500µm và chiết suất n = 3,7. Hỏi khoảng cách tần số bức xạ là bao nhiêu? a Δf = 50 GHz b Δf = 81 GHz c fΔ = 2,2 GHz d Δf = 68 GHz 248/ Một laser hoạt động ở bước sóng là 1100nm có chiều dài hốc cộng hưởng L=500µm và chiết suất n = 3,7. Hỏi khoảng cách bước sóng bức xạ là bao nhiêu? a Δλ = 1,1 nm b Δλ = 0,22 nm c Δλ = 0,5 nm d Δλ = 0,33 nm 249/ Một điốt quang thác (APD) có dòng điện quang sơ cấp là 0,25µA và dòng điện nhân quang là 10µA. Hỏi hệ số nhân M của điốt này là bao nhiêu? a Mp

h = 400

b Mph = 25

c Mph = 2,5

d Mph = 40

250/ Một photodiode có độ nhạy là 0,65 A/W. Nếu chiếu lên nó một công suất quang là P

0 = 10µW. Hỏi dòng quang điện là bao

nhiêu? a I

P = 6,5 µA

b IP = 0,065 µA

c IP = 6,5 mA

d IP = 10 µA