NJG1813KG1

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DPDT スイッチ GaAs MMIC ■特長 ● 低切替電圧 1.8V min. ● 低消費電流 0.1μA typ. ● 低挿入損失 0.45dB typ. @f=920MHz ● 高アイソレーション 30dB typ. @f=920MHz ● 0.1dB圧縮時入力電力 +30dBm typ. @f=920MHz ● 小型パッケージ 1.6 x 1.6mm, t=0.397mm ● RoHS対応、ハロゲンフリー、MSL1

■アプリケーション ● LPWA (SIGFOX, LoRaWAN, Wi-SUN)用途 ● アンテナ切替、経路切替及び汎用の切替用途

■端子配列 (ESON6-G1) ■真理値表

“H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L)

通過経路 VCTL1 VCTL2

ANT1-OUT2 ANT2-OUT1

H L

ANT1-OUT1 ANT2-OUT2

L H

■概要 NJG1813KG1 は LPWA 用途に最適な 2 ビットコントロール

DPDT スイッチです。 NJG1813KG1 は 1.8V 低切替電圧に対応、LPWA 用途で 重要な低消費電流を特長としています。 小型・薄型の ESON6-G1 パッケージを採用しています。

■端子名

番号 端子名 機能

1 ANT2 RF 端子

2 VCTL2 制御電圧入力端子

3 OUT2 RF 端子

4 OUT1 RF 端子

5 VCTL1 制御電圧入力端子

6 ANT1 RF 端子

Exposed pad GND 接地端子

(Top view)

Exposed pad

NJG1813KG1

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■品名の付け方 ■オーダーインフォメーション

製品名 パッケージ RoHS ハロゲンフリー めっき 組成 マーキング 製品重量

(mg) 最低発注数量

(pcs.)

NJG1813KG1 ESON6-G1 Yes Yes Sn-Bi 1813 3.5 3,000

■絶対最大定格

Ta=25°C, Zs=Zl=50

項目 記号 定格 単位

切替電圧 VCTL 4.5 V

入力電力 PIN +33 dBm

消費電力(1) PD 1200 mW

動作温度 Topr -40~+105 °C

保存温度 Tstg -55~+150 °C

(1): 4 層 (101.5 × 114.5 mm, スルーホール有), FR4 基板実装時, Tj=150°C ■ディレーティングカーブ

下記の消費電力－周囲温度特性例を御参考ください。 （面実装パッケージは消費電力（PD）の最大定格が少ない為、熱設計に注意して御利用ください。）

NJG1813 KG1 (TE3)

品番 パッケージ テーピング仕様

消費電力－周囲温度特性例 基板実装時

-40 -25 0 25 50 75 100 105

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

2000

消費電力

周囲温度 Ta[℃]

PD

[mW]

NJG1813KG1

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■電気的特性 (DC 特性) VCTL(H)=3.0V, VCTL(L)=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による

項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位

切替電圧(HIGH) VCTL(H) 1.8 3.0 4.0 V

切替電圧(LOW) VCTL(L) -0.2 - 0.2 V

切替電流 ICTL RF OFF, VCTL(H)=3.0V, VCTL(L)=0V - 0.1 2.5 μA

■電気的特性 (RF 特性)

VCTL(H)=3.0V, VCTL(L)=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による

項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位

挿入損失 LOSS f=920MHz - 0.45 0.68 dB

アイソレーション 1 ISL1 f=920MHz, ANT1/2 to OUT1/2 26 30 - dB

アイソレーション 2 ISL2 f=920MHz, ANT1 to ANT2, OUT1 to OUT2 26 30 - dB

0.1dB 圧縮時入力電力 P-0.1dB f=920MHz +27 +30 - dBm

定在波比 VSWR f=920MHz - 1.1 1.5 -

スイッチング時間 TSW 50% VCTL to 10%/90% RF - 100 300 ns

NJG1813KG1

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■特性例

0

100

200

300

400

500

1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Rise timeFall time

Switc

hing

Tim

e (n

s)

Control Voltage VCTL(H)

(V)

(VCTL(L)

=0V, ANT1-OUT2 Port)Switching Time vs Control Voltage

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Control Current vs Control Voltage

Con

trol

Cur

rent

(A

)

Control Voltage VCTL(H)

(V)

(VCTL(L)

=0V)

-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

ANT1-OUT2 LOSSANT2-OUT1 LOSS

ANT1-OUT1 ISLANT2-OUT2 ISLANT1-ANT2 ISLOUT1-OUT2 ISL

Inse

rtio

n Lo

ss (

dB)

Isol

atio

n (d

B)

Frequency (GHz)

(VCTL1=3.0V, VCTL2=0V)Insertion Loss vs Frequency

(Losses of connector and PCB are excluded)-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

ANT1-OUT1 LOSSANT2-OUT2 LOSS

ANT1-OUT2 ISLANT2-OUT1 ISLANT1-ANT2 ISLOUT1-OUT2 ISL

Inse

rtio

n Lo

ss (

dB)

Isol

atio

n (d

B)

Frequency (GHz)

(VCTL1=0V, VCTL2=3.0V)Insertion Loss vs Frequency

(Losses of connector and PCB are excluded)

(VCTL1=3.0V, VCTL2=0V)

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

1.9

2.0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

ANT1 PortANT2 PortOUT1 PortOUT2 Port

VSW

R

Frequency (GHz)

VSWR vs Frequency(VCTL1=0V, VCTL2=3.0V)

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

1.9

2.0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

ANT1 PortANT2 PortOUT1 PortOUT2 Port

VSW

R

Frequency (GHz)

VSWR vs Frequency

NJG1813KG1

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■特性例

10

15

20

25

30

35

0

1

2

3

4

5

10 15 20 25 30 35

Output Power, Control Current vs Input Power

VCTL1=1.8VVCTL1=2.5VVCTL1=3.0VVCTL1=4.0V

VCTL1=1.8VVCTL1=2.5VVCTL1=3.0VVCTL1=4.0V

Out

put P

ower

(dB

m)

Con

trol

Cur

rent

(A

)

Input Power (dBm)

(VCTL2=0V, ANT1-OUT2 ON, f=920MHz)

10

15

20

25

30

35

0

1

2

3

4

5

10 15 20 25 30 35

Output Power, Control Current vs Input Power

VCTL2=1.8VVCTL2=2.5VVCTL2=3.0VVCTL2=4.0V

VCTL2=1.8VVCTL2=2.5VVCTL2=3.0VVCTL2=4.0V

Out

put P

ower

(dB

m)

Con

trol

Cur

rent

(A

)

Input Power (dBm)

(VCTL1=0V, ANT1-OUT1 ON, f=920MHz)

-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

10 15 20 25 30 35

VCTL1=1.8VVCTL1=2.5VVCTL1=3.0VVCTL1=4.0V

Inse

rtio

n Lo

ss (

dB)

Input Power (dBm)

�Insertion Loss vs Input Power(VCTL2=0V, ANT1-OUT2 ON, f=920MHz)

-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

10 15 20 25 30 35

VCTL2=1.8VVCTL2=2.5VVCTL2=3.0VVCTL2=4.0V

Inse

rtio

n Lo

ss (

dB)

Input Power (dBm)

�Insertion Loss vs Input Power(VCTL1=0V, ANT1-OUT1 ON, f=920MHz)

20

22

24

26

28

30

32

34

36

1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

P -0.1

dB (d

Bm

)

Control Voltage VCTL1 (V)

(VCTL2=0V, ANT1-OUT2 ON, f=920MHz)

P-0.1dB vs Control Voltage

Maximum rating: +33dBm

20

22

24

26

28

30

32

34

36

1.5 2 2.5 3 3.5 4

P -0.1

dB (d

Bm

)

Control Voltage VCTL2 (V)

(VCTL1=0V, ANT1-OUT1 ON, f=920MHz)

P-0.1dB vs Control Voltage

Maximum rating: +33dBm

NJG1813KG1

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■特性例

-2.5

-2.0

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VCTL1=2.5VVCTL1=1.8VVCTL1=3.0VVCTL1=4.0V

VCTL1=1.8VVCTL1=2.5VVCTL1=3.0VVCTL1=4.0V

AN

T1-O

UT2

LO

SS (d

B)

AN

T1-O

UT1

ISO

LATI

ON

(dB

)

Ambient Temperature (oC)

(VCTL2=0V, ANT1-OUT2 ON, f=920MHz)LOSS, ISL1 vs Temperature

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-50 -25 0 25 50 75 100 125

ISL2 vs Temperature

VCTL1=1.8VVCTL1=2.5VVCTL1=3.0VVCTL1=4.0V

AN

T1-A

NT2

ISO

LATI

ON

(dB

)

Ambient Temperature (oC)

(VCTL2=0V, f=920MHz)

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VSWR vs Temperature

VCTL1=1.8VVCTL1=2.5VVCTL1=3.0VVCTL1=4.0V

AN

T1 P

OR

T

Ambient Temperature (oC)

(VCTL2=0V, ANT1-OUT2 ON, f=920MHz)

20

22

24

26

28

30

32

34

36

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VCTL1=1.8VVCTL1=2.5VVCTL1=3.0VVCTL1=4.0V

P-0.

1dB (

dBm

)

Ambient Temperature (oC)

(VCTL2=0V, ANT1-OUT2 ON, f=920MHz)

P-0.1dB

vs Temperature

Maximum rating: +33dBm

0

100

200

300

400

500

600

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VCTL(H)

=1.8VV

CTL(H)=2.5V

VCTL(H)

=3.0VV

CTL(H)=4.0V

Switc

hing

Tim

e (n

s)

Ambient Temperature (oC)

(VCTL(L)

=0V, ANT1-OUT2 Port)Switching Time(rise) vs Temperature

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

-50 -25 0 25 50 75 100 125

Control Current vs Temperature

VCTL1=1.8VVCTL1=2.5VVCTL1=3.0VVCTL1=4.0V

Con

trol

Cur

rent

(A

)

Ambient Temperature (oC)

(VCTL2=0V)

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■外部回路図 ■部品リスト

番号 定数 備考 C1~C4 1000pF MURATA (GRM15) C5~C6 10pF MURATA (GRM15)

(Top View)

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■基板実装図

コネクタ、キャパシタ損失を含む基板損失, Ta=+25°C

■デバイス使用上の注意事項

[1] RF 端子に DC ブロッキングキャパシタ(C1, C2, C3, C4)を配置する必要があります。 使用周波数で最適な容量値を選択下さい。

[2] バイパスキャパシタ(C5, C6)を必要とする場合、それらは VCTL 端子の近傍に配置してください。 [3] 良好な RF 特性を得る為、Exposed pad は近傍で PCB の GND パターンに接続して下さい。

周波数(MHz) 基板損失(dB) 420 0.21 920 0.29 2000 0.48 2400 0.53 2700 0.56

(TOP VIEW)

ANT1 ANT2

OUT1 OUT2

VCTL1 VCTL2 1pin mark

C1 C2

C3 C4

C5 C6

基板材質: FR-4 基板厚: 0.2mm マイクロストリップライン幅: 0.4mm (Zo=50) 基板サイズ: 26.0 x 15.0mm

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■推奨フットパターン (ESON6-G1) : Land : Mask (Open area) *Metal mask thickness : 100m : Resist (Open area)

PKG: 1.6 mm x 1.6 mm Pin pitch: 0.5 mm

Units: mm

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■パッケージ外形図

基板材質 : 銅材 端子処理 : はんだめっき モールド樹脂 : エポキシ系樹脂 単品質量(標準値) : 3.5 (mg) 単位 : mm

B

A

S

1.60±0.05

0.10 M S A

1.60±0.05

0.10MSB

0.075 S

0.05 S

0.397±0.030

0.010

1.20+0.06-0.04

0.5 0.5

0.26 +0.06-0.04φ0.05 M S AB

3-R0.2

C0.2

0.68+0.06

-0.04

0.21+0.06

-0.04

+0.010

-0.008

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■包装仕様

UNIT: mm テーピング寸法

Feed direction

A

BW1

P2 P0

P1

φD0

EF

W

T

T2φD1

SYMBOL

A

B

D0

D1

E

F

P0

P1

P2

T

T2

W

W1

DIMENSION

1.85±0.05

1.85±0.05

1.5

0.5±0.1

1.75±0.1

3.5±0.05

4.0±0.1

4.0±0.1

2.0±0.05

0.25±0.05

0.65±0.05

8.0±0.2

5.5

REMARKS

BOTTOM DIMENSION

BOTTOM DIMENSION

THICKNESS 0.1max

+0.10

リール寸法

A

E

C D

B

W1

W

SYMBOL

A

B

C

D

E

W

W1

DIMENSION

φ180

φ 60

φ 13±0.2

φ 21±0.8

2±0.5

9

1.2

0-1.5+10

0+0.3

テーピング状態

more than 40 pitch 3000pcs/reel

Empty tape

more than 25 pitch

Covering tape

reel more than 1 round

Sealing with covering tape

Feed direction

Devices Empty tape

梱包状態

Insert direction

(TE3)

Label

Put a reel into a box

Label

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【注意事項】

１． 当社は、製品の品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生することがあります。当社半

導体製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせることのないように、お客様の責任にお

いてフェールセーフ設計、冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計を行い、機器の安全性の確保に十分留

意されますようお願いします。 ２． このデータシートの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うものでは

ありません。とくに応用回路については、製品の代表的な応用例を説明するためのものです。また、産業財産権その他の権

利の実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。 このデータシートに記載されている商標は、各社に帰属します。

３． このデータシートに掲載されている製品を、特に高度の信頼性が要求される下記の機器にご使用になる場合は、必ず事前に

当社営業窓口までご相談願います。 (ア) 航空宇宙機器 (イ) 海底機器 (ウ) 発電制御機器 (原子力、火力、水力等) (エ) 生命維持に関する医療装置 (オ) 防災 / 防犯装置 (カ) 輸送機器 (飛行機、鉄道、船舶等) (キ) 各種安全装置

４． このデータシートに掲載されている製品の仕様を逸脱した条件でご使用になりますと、製品の劣化、破壊等を招くことがあり

ますので、なさらないように願います。仕様を逸脱した条件でご使用になられた結果、人身事故、火災事故、社会的な損害等

を生じた場合、当社は一切その責任を負いません。

５． ガリウムヒ素（GaAs）製品取り扱い上の注意事項 （対象製品：GaAs MMIC、フォトリフレクタ） 上記対象製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素（GaAs）を使用しております。危険防止のため、製品を焼いたり、

砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミと

は混ぜないでください。 ６． このデータシートに掲載されている製品の仕様等は、予告なく変更することがあります。ご使用にあたっては、納入仕様書の

取り交わしが必要です。