NJW4750-T16 EN2 Ch.2 イネーブル制御入力 19 LDOVIN Ch.4 電源入力 7 RT 発振周波数設定(RT プルダウン) 20 PG4 Ch.4 パワーグッド出力 8 GND グラウンド

NJW4750-T1

- 1 - Ver.1.0 www.njr.co.jp

クアッドチャンネルコンビネーションレギュレータ

特長

AEC-Q100 Grade1 準拠*

動作温度範囲-40 to 125C

4ch複合レギュレータ IC

Ch.1: 高耐圧 1.2A降圧スイッチングレギュレータ

Ch.2: 低耐圧 0.6A同期整流降圧

スイッチングレギュレータ

Ch.3: セレクタブルレギュレータ

低耐圧 0.6A同期整流降圧/低耐圧 0.3A LDO

Ch.4: 低耐圧 0.3A LDO

e.g.） Ta=85C, fosc=2MHz

DC-DC Ch.1: 12V 3.3V/1000mA

(Included supply for Ch.2, 3, 4)

Ch.2: 3.3V 1.8V/500mA

Ch.3: 3.3V 1.2V/500mA

LDO Ch.4: 3.3V 2.8V/200mA

広動作入力電圧範囲

高耐圧: 3.9V（UVLO ON: 3.35V） to 40V（Ch.1）

低耐圧: 2.4V to 5.5V（Ch.2, Ch3, Ch.4）

自由な起動シーケンスの構築

- 独立したパワーグッド機能（高精度-7%,＋15%）

- 独立したスタンバイ機能

保護機能

- 低電圧誤動作防止機能（UVLO）

- 安全性を向上した、過電流保護機能（Hiccup or Latch）

- 過熱保護機能

発振周波数 280kHz to 2.4MHz

発振周波数は外部クロックに同期可能

プライマリとセカンダリ発振位相を 180°シフト

（Ch.1-Ch.2/Ch.3間）

カレントモード制御（降圧スイッチングレギュレータ）

位相補償回路内蔵

ソフトスタート機能（内蔵）

*AEC-Q100 信頼性試験実施中

パッケージ

EQFN26-HH

概要

NJW4750は、パワーMOSFET内蔵 45V耐圧降圧スイッ

チングレギュレータおよび 3系統のパワーMOSFET内蔵 7V

耐圧同期整流降圧スイッチングレギュレータ/LDOを内蔵した、

4ch レギュレータ ICです。

Ch.3は、同期整流スイッチングレギュレータモードと LDO

モードを選択することが可能で、NJW4750は様々なアプリケ

ーションに適した電源構成を構築する際の選択肢を拡大しま

す。

Ch.1とCh.2/3は逆位相で動作することで、EMIノイズの低

減に貢献します。

すべてのレギュレータ毎にイネーブル端子、パワーグッド端

子が装備されており、これらを組み合わせることで、自由な起

動シーケンスを構築することが可能です。

NJW4750の過電流保護機能はアプリケーションの要求に

応じて 2種類から選択が可能であり、より安全性が高く、イン

ダクタの小型化に貢献する、新しい過電流検出方式採用して

います。

2.6mm×3.4mmの小型パッケージを採用しているため、

小型化を要求されるカメラモジュールなどのアプリケーション

に最適です。

アプリケーション

車載カメラモジュール

車載レーダー

光電センサ

その他小型アプリケーション

標準アプリケーション

3.4mm x 2.6mm

NJW4750-T1


ブロック図

NJW4750-T1


端子配列

端子番号端子名機能端子番号端子名機能

1 GND グラウンド 14 GND グラウンド

2 EN3 Ch.3 イネーブル制御入力 15 SW1 Ch.1 出力

3 FB3 Ch.3 電圧帰還入力 16 EN4 Ch.4 イネーブル制御入力

4 NC NC 17 LDOVOUT Ch.4 出力

5 FB2 Ch.2 電圧帰還入力 18 FB4 Ch.4 電圧帰還入力

6 EN2 Ch.2 イネーブル制御入力 19 LDOVIN Ch.4 電源入力

7 RT 発振周波数設定(RTプルダウン) 20 PG4 Ch.4 パワーグッド出力

8 GND グラウンド 21 GND グラウンド

9 PG1 Ch.1 パワーグッド出力 22 SW2 Ch.2 出力

10 MODE Ch.3 モード切替/過電流動作設定入力 23 PG2 Ch.2 パワーグッド出力

11 FB1 Ch.1 電圧帰還入力 24 VIN2 Ch.2 Ch.3 電源入力

12 EN1/SYNC Ch.1 イネーブル制御/外部同期信号入力 25 PG3 Ch.3 パワーグッド出力

13 VIN1 Ch.1 電源入力 26 SW3 Ch.3 出力

製品名構成

オーダーインフォメーション

製品名パッケージ RoHS 車載仕様

HALOGEN FREE

めっき組成マーキング製品重量(mg)

最低発注数量 (pcs)

NJW4750MHH-T1(TE1) EQFN26-HH ○ ○ ○ Sn2Bi 4750T 18 1500

NJW4750 MHH –T1 (TE1)

品番パッケージ

MHH:EQFN26-HH

テーピング

TOP VIEW

T1: 車載仕様

NJW4750-T1


絶対最大定格

項目記号定格単位

入力電圧 VVIN1 -0.3 to +45 V

VVIN2, VLDOVIN -0.3 to +7 V

VIN1－SW1端子間電圧 VVIN1–SW1 +45 V

SW2,SW3端子電圧 VSW2

VSW3 +7 V

EN/SYNC端子電圧 VEN1/SYNC -0.3 to +45 V

EN端子電圧 VEN2, VEN3 -0.3 to +7 V

VEN4 -0.3 to +45 V

FB端子電圧 VFB1, VFB2, VFB3, VFB4 -0.3 to +7 V

PG端子電圧 VPG1, VPG2, VPG3, VPG4 -0.3 to +7 V

消費電力(Ta=25C) PD EQFN26-HH 850 (1)

2500 (2) mW

接合部温度 Tj -40 to +150 C

動作温度 Topr -40 to +125 C

保存温度 Tstg -50 to +150 C

(1): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2層 FR-4)で EIA/JEDEC 規格サイズ、且つ Exposed Pad使用

(2): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4層 FR-4)で EIA/JEDEC規格サイズ、且つ Exposed Pad使用

（4層基板内箔：99.5×99.5mm、JEDEC 規格 JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用）

推奨動作条件

項目記号値単位

電源電圧 VVIN1 3.9 to 40 V

VVIN2, VLDOVIN 2.4 to 5.5 V

EN/SYNC端子電圧 VEN1/SYNC 0 to 40 V

EN端子電圧 VEN2, VEN3, VEN4 0 to 5.5 V

PG端子電圧 VPG1, VPG2, VPG3, VPG4 0 to 5.5 V

タイミング抵抗 RT 1.8 to 27 k

発振周波数 fOSC 280 to 2400 kHz

外部クロック入力 fSYNC fOSC0.9 to fOSC1.7

2800kHz上限 kHz

NJW4750-T1


電機的特性

(指定無き場合には、VVIN1=VEN1/SYNC=12V, RT=6.8k, Ta=25C)

Ch.1 （Wide input range buck converter）

項目記号条件最小標準最大単位

低電圧誤動作防止回路部

ONスレッショルド電圧 VT_ON1

VVIN1=L → H 3.60 3.75 3.90

V VVIN1=L → H

Ta=-40C to +125C 3.60 – 3.90

OFFスレッショルド電圧 VT_OFF1

VVIN1=H → L 3.05 3.20 3.35

V VVIN1=H → L

Ta=-40C to +125C 3.05 – 3.35

ヒステリシス幅 VHYS1 500 550 – mV

ソフトスタート部

ソフトスタート時間 tSS1

VFB1=0.75V 1.0 2.5 4.0

ms VFB1=0.75V

Ta=-40C to +125C 0.5 – 4.5

発振器部

発振周波数１ fOSC11

RT=27k 250 280 310

kHz RT=27k

Ta=-40C to +125C 250 – 310

発振周波数２ fOSC12

RT=6.8k 900 1000 1100

kHz RT=6.8k

Ta=-40C to +125C 900 – 1100

発振周波数３ fOSC13

RT= 1.8k 2200 2400 2600

kHz RT= 1.8k

Ta= -40C to +125C 2200 – 2600

誤差増幅器部

基準電圧 VB1 -1.0% 0.8 +1.0%

V Ta=-40C to +125C -2.0% – +2.0%

入力バイアス電流 IB1 -0.1 – 0.1

A Ta=-40C to +125C -0.1 – 0.1

NJW4750-T1


電気的特性




PWM比較器部

最大デューティーサイクル MAXDUTY1

VFB1=0.7V 100 – –

% VFB1=0.7V

Ta=-40C to +125C 100 – –

最小 OFF時間 tOFF1-min – 55 – ns

最小 ON時間 tON1-min – 60 – ns

過電流保護回路部

COOL DOWN時間 tCOOL1 RMODE=36k or 10 k – 75 – ms

出力部

出力 ON抵抗 RON1 ISW1=0.8A – 0.5 0.8

スイッチング電流制限 ILIM1 1.4 1.7 2.0 A

SW リーク電流 ILEAK1

VEN1/SYNC=0V, VVIN1=40V

VSW1=0V

Ta=-40C to +125C

– – 4 A

イネーブル制御部 / 同期入力部（EN1/SYNC）

Highスレッショルド電圧 VTHH_EN1/SYNC

VEN1/SYNC=L → H 1.6 – 40.0

V VEN1/SYNC=L → H

Ta=-40C to +125C 1.6 – 40.0

Lowスレッショルド電圧 VTHL_EN1/SYNC

VEN1/SYNC=H → L 0 – 0.4

V VEN1/SYNC=H → L

Ta=-40C to +125C 0 – 0.4

入力バイアス電流 IEN1/SYNC

VEN1/SYNC=5V – 1 3

A VEN1/SYNC=5V

Ta=-40C to +125C – – 5

NJW4750-T1


電気的特性




Power Good部（PG1）

Highレベル検出基準電圧 VTHH_PG1 Rising 0.836 – 0.924

V Rising, Ta=-40C to +125C 0.836 – 0.924

Lowレベル検出基準電圧 VTHL_PG1 Rising 0.745 – 0.775

V Rising, Ta=-40C to +125C 0.745 – 0.775

ヒステリシス幅 VHYS_PG1 – 16 – mV

Power Good ON抵抗 RON_PG1 IPG1=10mA – 100 –

OFF時リーク電流 ILEAK_PG1

VPG1=5.5V – – 0.1

A VPG1=5.5V

Ta=-40C to +125C – – 0.1

NJW4750-T1


電気的特性

(指定無き場合には、VVIN1=12V, VVIN2=VEN2=3.3V, RT=6.8k, Ta=25C)

Ch.2 （Low voltage synchronous buck converter）




VVIN2=L → H 2.10 2.25 2.40

V VVIN2=L → H

Ta=-40C to +125C 2.10 – 2.40


VVIN2=H → L 2.00 2.15 2.30

V VVIN2=H → L

Ta=-40C to +125C 2.00 – 2.30




VFB2=0.75V 1.0 2.5 4.0

ms VFB2=0.75V

Ta=-40C to +125C 0.5 – 4.5

発振器部


RT=27k 250 280 310

kHz RT=27k

Ta=-40C to +125C 250 – 310


RT=6.8k 900 1000 1100

kHz RT=6.8k

Ta=-40C to +125C 900 – 1100


RT=1.8k 2200 2400 2600

kHz RT=1.8k

Ta=-40C to +125C 2200 – 2600

誤差増幅器部

基準電圧 VB2 -1.0% 0.8 +1.0%

V Ta=-40C to +125C -2.0% – +2.0%


A Ta=-40C to +125C -0.1 – 0.1

NJW4750-T1


電気的特性




PWM比較器部


VFB2=0.7V 100 – –

% VFB2=0.7V

Ta=-40C to +125C 100 – –




COOL DOWN時間 tCOOL2 RMODE=36k or 10 k – 75 – ms

出力部

Pch出力 ON抵抗 RONP2 ISW2SOURCE=0.5A – 0.5 0.8

Nch出力 ON抵抗 RONN2 ISW2SINK=0.5A – 0.3 0.5



VEN2=0V, VVIN2=5.5V

VSW2=0V

Ta=-40C to +125C

– – 4 A

イネーブル制御部（EN2）

Highスレッショルド電圧 VTHH_EN2

VEN2=L → H 1.0 – 5.5

V VEN2=L → H

Ta=-40C to +125C 1.0 – 5.5

Lowスレッショルド電圧 VTHL_EN2

VEN2=H → L 0 – 0.4

V VEN2=H → L

Ta=-40C to +125C 0 – 0.4

入力バイアス電流 IEN2

VEN2=3.3V – 7 14

A VEN2=3.3V

Ta=-40C to +125C – – 14

NJW4750-T1


電気的特性






V Rising, Ta=-40C to +125C 0.836 – 0.924


V Rising, Ta=-40C to +125C 0.745 – 0.775




VPG2=5.5V – – 0.1

A VPG2=5.5V

Ta=-40C to +125C – – 0.1

NJW4750-T1


電気的特性

(指定無き場合には、VVIN1=12V, VVIN2=VEN3=3.3V, RT=6.8k , Ta=25C)

Ch.3 （Selectable regulator: SW Reg. MODE and LDO MODE共通）




VEN3=L → H 1.0 – 5.5

V VEN3=L → H

Ta=-40C to +125C 1.0 – 5.5


VEN3=H → L 0 – 0.4

V VEN3=H → L

Ta=-40C to +125C 0 – 0.4


VEN3=3.3V – 7 14

A VEN3=3.3V

Ta=-40C to +125C – – 14



V Rising, Ta=-40C to +125C 0.836 – 0.924


V Rising, Ta=-40C to +125C 0.745 – 0.775




VPG3=5.5V – – 0.1

A VPG3=5.5V

Ta=-40C to +125C – – 0.1

NJW4750-T1


電気的特性

(指定無き場合には、VVIN1=12V, VVIN2=VEN3=3.3V, RT=6.8k, RMODE=82k or 36k, Ta=25C)

Ch.3 （Selectable regulator: SW Reg. MODE）




VVIN2=L → H 2.10 2.25 2.40

V VVIN2=L → H

Ta=-40C to +125C 2.10 – 2.40


VVIN2=H → L 2.00 2.15 2.30

V VVIN2=H → L

Ta=-40C to +125C 2.00 – 2.30




VFB3=0.75V 1.0 2.5 4.0

ms VFB3=0.75V

Ta=-40C to +125C 0.5 – 4.5

発振器部


RT=27k 250 280 310

kHz RT=27k

Ta=-40C to +125C 250 – 310


RT=6.8k 900 1000 1100

kHz RT=6.8k

Ta=-40C to +125C 900 – 1100


RT=1.8k 2200 2400 2600

kHz RT=1.8k

Ta=-40C to +125C 2200 – 2600

誤差増幅器部

基準電圧 VB3 -1.0% 0.8 +1.0%

V Ta=-40C to +125C -2.0% – +2.0%


A Ta=-40C to +125C -0.1 – 0.1

NJW4750-T1


電気的特性

(指定無き場合には、VVIN1=12V, VVIN2=VEN3=3.3V, RT=6.8k, RMODE=82k or 36 k, Ta=25C)

Ch.3 （Selectable regulator: SW Reg. MODE）


PWM比較器部


VFB3=0.7V 100 – –

% VFB3=0.7V

Ta=-40C to +125C 100 – –




COOL DOWN時間 tCOOL3 RMODE=36k – 75 – ms

出力部

Pch出力 ON抵抗 RONP3 ISW3SOURCE=0.5A – 0.5 0.8

Nch出力 ON抵抗 RONN3 ISW3SINK=0.5A – 0.3 0.5



VEN3=0V, VVIN2=5.5V

VSW3=0V

Ta=-40C to +125C

– – 4 A

NJW4750-T1


電気的特性

(指定無き場合には、VVIN1=12V, VVIN2=VEN2=3.3V, RT=6.8k, RMODE=OPEN or 10k, Ta=25C)

Ch.3 （Selectable regulator: LDO MODE）


誤差増幅器部

基準電圧 VB3 -1.0% 0.8 +1.0%

V Ta=-40C to +125C -2.0% – +2.0%

出力電流 IOUT3

VOUT3×0.9 300 600 –

mA VOUT3×0.9

Ta=-40C to +125C 300 – –

ロードレギュレーション ⊿VOUT3

/IOUT3

IOUT3=1mA to 200mA – 0.003 0.009

%/mA IOUT3=1mA to 200mA

Ta=-40C to +125C – – 0.020

リップルリジェクション RR3 ein=50mVrms, f=1kHz

VOUT3=2.5V, IOUT3=150mA – 40 – dB

入出力間電位差 ⊿VIO3

IOUT3=200mA – 0.2 0.3

V IOUT3=200mA

Ta=-40C to +125C – – 0.4

出力電圧温度係数 ⊿VOUT3

/Ta

IOUT3=150mA

Ta=-20C to +75C – ±50 – ppm/C

NJW4750-T1


電気的特性

(指定無き場合には、VVIN1=12V, VLDOVIN=VEN4=3.3V, RT=6.8k, Ta=25C)

Ch.4 （Low voltage LDO）


誤差増幅器部

基準電圧 VB4 -1.0% 0.8 +1.0%

V Ta=-40C to +125C -2.0% – +2.0%

出力電流 IOUT4

VOUT4×0.9 300 600 –

mA VOUT4×0.9

Ta=-40C to +125C 300 – –

ロードレギュレーション ⊿VOUT4

/IOUT4

IOUT4=1mA to 200mA – 0.003 0.009

%/mA IOUT4=1mA to 200mA

Ta=-40C to +125C – – 0.020

リップルリジェクション RR4 ein=50mVrms, f=1kHz

VOUT4=2.5V, IOUT4=150mA – 40 – dB

入出力間電位差 ⊿VIO4

IOUT4=200mA – 0.2 0.3

V IOUT4=200mA

Ta=-40C to +125C – – 0.4

出力電圧温度係数 ⊿VOUT4

/Ta

IOUT4=150mA

Ta=-20C to +75C – ±50 – ppm/C



VEN4=L → H 1.0 – 5.5

V VEN4=L → H

Ta=-40C to +125C 1.0 – 5.5


VEN4=H → L 0 – 0.4

V VEN4=H → L

Ta=-40C to +125C 0 – 0.4


VEN4=3.3V – 7 14

A VEN4=3.3V

Ta=-40C to +125C – – 14



V Rising, Ta=-40C to +125C 0.836 – 0.924


V Rising, Ta=-40C to +125C 0.745 – 0.775




VPG4=5.5V – – 0.1

A VPG4=5.5V

Ta=-40C to +125C – – 0.1

NJW4750-T1


電気的特性

(指定無き場合には、VVIN1=VEN1/SYNC=12V, VVIN2=VLDOVIN=VEN2=VEN3=VEN4=3.3V, RT=6.8k, Ta=25C)

共通項目


総合特性

消費電流１

(VIN1) IDD1

RL=無負荷, VFB1=0.9V – 2.3 3.5

mA RL=無負荷, VFB1=0.9V

Ta=-40C to +125C – – 3.5

消費電流２

(VIN2) IDD2

RL=無負荷

VFB2=0.9V, VFB3=0.9V – 2 3

mA RL=無負荷

VFB2=0.9V, VFB3=0.9V

Ta=-40C to +125C

– – 3

消費電流３

(LDOVIN) IDDLDO

RL=無負荷, VFB4=0.9V – 0.1 0.2

mA RL=無負荷, VFB4=0.9V

Ta=-40C to +125C – – 0.2

スタンバイ時消費電流１

(VIN1) IDD_STB1

VEN1/SYNC=0V

VEN2 =0V

VEN3 =0V

VEN4 =0V

– – 3

A VEN1/SYNC=0V

VEN2 =0V

VEN3 =0V

VEN4 =0V

Ta=-40C to +125C

– – 6

スタンバイ時消費電流２

(VIN2) IDD_STB2

VEN1/SYNC=0V

VEN2 =0V

VEN3 =0V

VEN4 =0V

– – 2

A VEN1/SYNC=0V

VEN2 =0V

VEN3 =0V

VEN4 =0V

Ta=-40C to +125C

– – 4

スタンバイ時消費電流３

(LDOVIN) IDD_STBLDO

VEN1/SYNC=0V

VEN2 =0V

VEN3 =0V

VEN4 =0V

– – 15

A VEN1/SYNC=0V

VEN2 =0V

VEN3 =0V

VEN4 =0V

Ta=-40C to +125C

– – 20

NJW4750-T1


熱特性

項目記号値単位

接合部－周囲雰囲気間 θja 146.3

(3)

50.5(4)

°C /W

接合部－ケース表面間 ψjt 6.1

(3)

0.8(4)

°C /W

(3): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2層 FR-4)で EIA/JEDEC 規格サイズ、且つ Exposed Pad使用

(4): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4層 FR-4)で EIA/JEDEC規格サイズ、且つ Exposed Pad使用

（4層基板内箔：99.5×99.5mm、JEDEC 規格 JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用）

消費電力－周囲温度特性例

NJW4750-T1


特性例

NJW4750-T1


特性例

NJW4750-T1


特性例

NJW4750-T1


特性例

NJW4750-T1


特性例

NJW4750-T1


特性例

NJW4750-T1


特性例

NJW4750-T1


特性例

NJW4750-T1


特性例

NJW4750-T1


特性例

NJW4750-T1


イントロダクション

NJW4750ご使用される際には、下記にご注意ください。

各 Ch.を個別で動作させることが可能な製品です。ただし Ch.1をご使用にならない場合でも VIN1端子へ電源を接続

してください。

Ch.3の LDOモードおよび Ch.4の起動は、電源となる Ch.が正常起動後に行うようにしてください。

保護機能が動作し起動できない可能性があります。

e.g. Ch1を電源として Ch4 を使用する場合。

Ch.1の PG1端子を Ch.4の EN4端子に接続することで、Ch.1の正常起動後に Ch.4の起動となります。

端子説明

端子番号端子名機能

1 GND グラウンド

2 EN3 Ch.3の動作・停止を制御する端子です。

High レベルで動作、Low レベルまたはオープンでスタンバイモードとなります。

3 FB3 Ch.3 の出力電圧を検出する端子です。FB 端子電圧が基準電圧と同じ 0.8V typ.となるように出力電圧を抵

抗分圧して入力します。

4 NC 未接続





7 RT タイミング抵抗を接続して、発振周波数を決める端子です。

発振周波数は、280kHz to 2.4MHz typ.の間で設定してください。


9 PG1 オープン・ドレインで構成された Ch.1のパワーグッド出力端子です。

10 MODE 動作モードを決定する端子です。オープンまたはモード設定抵抗を接続します。



12 EN1/SYNC

Ch.1の動作・停止を制御する端子です。


またクロック信号を入力することで、信号に同期した発振周波数で動作します。

13 VIN1 IC および Ch.1 への電源供給端子です。電源供給のインピーダンスを下げるため、IC の近傍に入力コンデ

ンサを接続してください。


15 SW1 Ch.1の出力端子です。



17 LDOVOUT Ch.4の出力端子です。



19 LDOVIN Ch.4の電源端子です。電源供給のインピーダンスを下げるため、IC の近傍に入力コンデンサを接続してくだ

さい。





24 VIN2 Ch.2,Ch.3の電源端子です。電源供給のインピーダンスを下げるため、IC の近傍に入力コンデンサを接続し

てください。



Exposed

PAD －裏面 PADは PCBにはんだ付けし、グラウンドに接続する必要があります。

Technical Information

NJW4750-T1


各ブロックの機能説明

1. 動作モード設定

MODE端子と GND端子間に下記の抵抗を接続することで、Ch.3の機能と過電流保護動作モードを選択します。

表 1 NJW4750の動作モードと設定抵抗

起動時のみ上記状態を設定することができ、端子電圧によりモードの確認が可能です。

2. スイッチングレギュレータ基本機能（Ch.1, 2, 3 共通）

エラーアンプ部

エラーアンプの非反転入力は、0.8V±1%の高精度基準電圧が接続されています。

出力電圧はコンバータの出力を分圧し、反転入力（FB端子）に接続することで設定できます。

発振回路部 (OSC)、PWM比較器部

RT端子-GND間に抵抗を接続することで発振周波数を設定します。

表 2に発振周波数とタイミング抵抗の関係を示します。抵抗値は E24系列および E96系列に対応します。

表 2にしたがって、発振周波数を設定してください。

表 2 NJW4750の発振周波数とタイミング抵抗（標準値）

発振周波数

(kHz)

タイミング抵抗

(k)

発振周波数

(kHz)

タイミング抵抗

(k)

280 27 1200 5.6

380 20 1750 3.9

500 15 2000 3.0

700 10 2250 2.0

1000 6.8 2400 1.8

NJW4750の最小 ON時間と最小 OFF時間に制限があります。電気的特性を参照してください。

最大デューティーサイクルは 100%です。

アプリケーションを設計する場合には、「アプリケーション情報－発振周波数の選択」を参照ください。

モード

設定抵抗値範囲

RMODE（±5%） Ch.3 過電流保護 MODE端子電圧

（±5%） Min Max

1 open LDO Latch 2.5V

2 82kΩ 110kΩ SW reg. Latch 1.4V

3 27kΩ 39kΩ SW reg. Hiccup(SW)

Foldback(LDO) 1.2V

4 6.8kΩ 15kΩ LDO Hiccup(SW)

Foldback(LDO) 1.0V


NJW4750-T1


各ブロックの機能説明（続き）

パワーMOSFET

内蔵されたパワーMOSFET のスイッチ動作によって、インダクタへ電力を供給します。過電流保護機能によって、パ

ワーMOSFETに流れる電流が制限されます。

電源、GND端子（VIN、GND）

スイッチング動作に伴い、周波数に応じた電流が IC に流れます。電源ラインのインピーダンスが高いと電源供給が

不安定になり、ICの性能を十分に引き出せません。VIN1端子、VIN2端子、LDOVIN端子－GND端子間の近傍に

コンデンサ（CIN）を接続してください。

3. スイッチングレギュレータ保護機能、付加機能（Ch.1, 2, 3共通）

低電圧誤動作防止機能（UVLO）

電源電圧が低い場合、UVLO によって動作を停止し、電源電圧がスレッショルド電圧を上回ると動作を開始します。

スレッショルド電圧は立上がりと立下りに、ヒステリシス電圧幅を持たせています。これにより、UVLO の検出と解除

のばたつきを防止します。

ソフトスタート機能

ソフトスタート機能によって、スイッチングレギュレータの出力電圧は設定電圧まで緩やかに上昇します。ソフトスター

ト時間は 4ms maxであり、FBx端子電圧が 0.75Vになるまでの時間で定義されます。（図１）

ソフトスタートは、次の条件において機能します。

・ Ch.1: VVIN1≧VT_ON1、VEN1≧VTHH_EN1

・ Ch.2: VVIN1≧VT_ON1、VVIN2≧VT_ON2、VEN2≧VTHH_EN2

・ Ch.3: VVIN1≧VT_ON1、VVIN2≧VT_ON2、VEN3≧VTHH_EN3

かつサーマルシャットダウンが解除されていること。

図 1 ソフトスタートタイミングチャート

NJW4750-T1



過電流保護機能（OCP）（Ch.1, 2, 3共通）

NJW4750のスイッチングレギュレータブロックは、2種類の過電流保護機能を選択できます。

1. Hiccup方式（図 2）：スイッチング動作を低減し、出力を制限。負荷状態が正常に戻れば、自動復帰。

2. Latch方式（図 3）：電源としての機能を停止。

全ての EN端子を Low もしくは、VIN1端子を 0V とすることで Latchを解除します。

※Hiccup方式は各 Ch.独立制御、Latch方式については、ICの出力を全て停止します。

過電流保護機能の動作条件

ソフトスタート機能が動作している間は、過電流保護機能は無効です。

過電流保護機能は、下記 2条件のいずれかが成立した場合に動作します。

VFBx0.4Vの状態において、過電流を 7cycle連続検出した場合。

過電流検出が 1/fosc×240 sの間、連続で生じた場合。

図 2 Hiccupモード過電流保護検出シーケンス

図 3 Latchモード過電流保護検出シーケンス


NJW4750-T1



外部同期機能（Ch.1, 2, 3共通）

EN1/SYNC端子に方形波を入力することで、NJW4750の発振器を外部周波数に同期させることができます。

方形波は、以下の仕様を満たす必要があります。

表 3 EN1/SYNC端子への外部同期信号入力条件

条件

入力周波数

fOSC0.9 to

fOSC1.7

2,800kHz上限

デューティー

サイクル 40% to 60%

電圧振幅 1.6V以上（Highレベル）

0.4V以下（Lowレベル）

図 4 外部同期信号によるスイッチング動作


NJW4750-T1



4. LDO基本機能（Ch.3LDOモード、Ch.4）

エラーアンプ部

エラーアンプの非反転入力は、0.8V±1%の高精度基準電圧が接続されています。

出力電圧はコンバータの出力を分圧し、反転入力（FB端子）に接続することで設定できます。

5. LDO保護機能、付加機能（Ch.3LDOモード、Ch.4共通）

過電流保護機能（OCP）

NJW4750の LDO部には、2種類の過電流保護機能が内蔵されており、必要な保護機能が選択できます。

動作モードは下記の 2種類です。

1. Foldback方式：出力電圧の低下とともに出力電流を低減。負荷状態が正常に戻れば、自動復帰。

2. Latch方式： VFBx0.4Vの条件で、電源としての機能を停止。

全ての EN端子を Low もしくは、VIN1端子を 0V とすることで Latchを解除します。

※Foldback方式は各 Ch.独立制御、Latch方式については、ICの出力を全て停止します。

6. 共通保護機能、付加機能

サーマルシャットダウン機能（TSD）

サーマルシャットダウン機能は、NJW4750のチップ温度が 160℃*を超えると動作を停止します。

チップ温度が 145℃*以下になると、ソフトスタートによる動作が開始されます。

なおサーマルシャットダウン機能は、高温時における ICの熱暴走を防止するための予備回路であり、不適切な熱設

計を補うためのものでは有りません。ICのジャンクション温度（-40C to +150C）範囲内で動作させるように、十分

な余裕を持つ設計とすることをお奨めします。（* 参考値）

スタンバイ機能

ENx(/SYNC)端子を 0.4Vmax以下とすることで、各 chの機能を停止させ、スタンバイ状態にします。

内部は抵抗（Ch.1 :5MΩ、Ch.2 :500kΩ、Ch.3 :500kΩ、Ch.4 :500kΩ）でプルダウンされており、端子オープン時は

スタンバイモードとなります。

スタンバイ機能を使用しない場合、ENx(/SYNC)端子を、それぞれの VIN端子に接続してください。


NJW4750-T1



Power Good機能

出力状態を監視し、オープンドレイン構成の PGx端子より信号を出力します。

FB端子がエラーアンプ基準電圧の-7%,+15%の範囲内であるとき、PGx端子はハイインピーダンスとなり、範囲外

である時に PGx端子は Lowレベルとなり、すなわち出力電圧が正常であるか、異常であるかの状態を通知します。

Ch.1、Ch.2、Ch.3は、ソフトスタート時間(tssx)後、Power Good機能が有効となります。

Ch.4は、EN4:Hから 150µs経過後に Power Good機能が有効になります。

PGx端子で ENx端子の制御を行う場合は、ENx端子の入力抵抗値を考慮してください。

Latchモードにおいては、最終起動チャンネルの PGに 1/fosc×40000sの遅延が付加されます。

図 5 Power Good 動作

図 6 Latchモードにおける Power Good 動作


NJW4750-T1


VIN：入力電圧

VOUT：出力電圧

VSWH：ハイサイドスイッチ飽和電圧

VL：キャッチダイオード Vfまたはローサイドスイッチ飽和電圧 VSWL

アプリケーション情報（スイッチングレギュレータ）

発振周波数の選択

発振周波数が高いほど小型のインダクタとコンデンサを使えるメリットがありますが、効率の低下、最小ON時間と最

小 OFF時間の制限を受けるデメリットがあります。

降圧回路の ON時間および OFF時間は、下記式によって決まります。

tON=(VOUT+VL)

(VIN-VSWH+VL)×fOSC

[s]

tOFF=1

fOSC

-tON[s]

ON時間が ton-min以下となる場合およびOFF時間が toff-min以下となる場合は、出力電圧を一定に保つためにデュー

ティーの変動やパルススキップ動作となる場合があります。

インダクタ

インダクタには大きな電流が流れるため、インダクタが飽和しないよう適切なインダクタを選択してくださ

い。

インダクタはスロープ補償に重要な役割を果たします。

インダクタの値は電源電圧と発振周波数によって制限されます。インダクタ値は図８に示す Llim と Hlim の

間に設定してください。

ワースト条件の最大出力電流は次式で決定されます。

ピーク電流は、下記式によって求められます。

∆IL=(VIN-VOUT)×VOUT

L×VIN×fOSC

[A]

IOUT=ILIMx(MIN)-∆IL

2[A]

図 7 インダクタ電流の状態（電流連続モード動作時）


NJW4750-T1



図 8 インダクタンス範囲

入力コンデンサ

スイッチングレギュレータの入力部には、周波数に応じた過渡的な電流が流れます。電源回路に供給される電源イ

ンピーダンスが大きいと入力電圧の変動につながり、NJW4750 の性能を十分に引き出せません。よって入力コンデ

ンサは、できる限り ICの近くに挿入してください。

NJW4750の入力コンデンサには、セラミックコンデンサが適しており、リップル電流を容易に満たすことが出来ます。

入力実効電流は、下記計算式で表せます。

IRMS=IOUT×√VOUT×(VIN-VOUT)

VIN

[Arms]

上記計算式は、VIN=2×VOUT時が最大になり、その時の結果は、IRMS=IOUT(MAX)÷2です。

入力コンデンサの選定は、アプリケーションで評価の上、十分なマージンを持った物をご使用ください。


VOUT1=5V

VOUT1=3.3V

VOUT2/3=1.8V

VOUT2/3=1.2V

NJW4750-T1



出力コンデンサ

出力コンデンサは、インダクタンスからの電力を蓄え、出力への供給電圧を安定させる役割をします。

NJW4750は低 ESRの出力コンデンサを使用できるように位相補償を設計しています。したがって、セラミックコンデ

ンサが最も適しています。

セラミックコンデンサは、DC 電圧印加や温度変化によって容量が低下するため、スペックシート等で特性を確認して

ください。

出力コンデンサの選定には、ESR(等価直列抵抗：Equivalent Series Resistance)の特性、リップル電流、耐圧を考

慮に入れる必要が有ります。

低 ESR タイプのコンデンサであれば、リップル電圧を下げることが出来ます。

出力リップル電圧は、下記計算式で表せます。

Vripple(p-p)=∆IL×(ESR+1

8×fOSC×COUT

) [V]

コンデンサに流れるリップル電流の実効値(IRMS)は、下記計算式で表せます。

IRMS=∆IL

2√3[Arms]

位相補償定数の選定

NJW4750は、位相補償回路が内蔵されており、外付け部品定数は発振周波数、出力電圧により、表4の通りです。

表 4 発振周波数、出力電圧と位相補償定数

* VVIN2が 4V以上の場合、発振周波数の上限は 1.5MHzです。


fOSC VOUT COUT CFB RFB R2

2.5V, 2.8V, 3.3V,

3.6V, 5V10μF or more 22pF 1kΩ 30kΩ to 82kΩ

1.8V 22μF or more 22pF 1kΩ 30kΩ to 82kΩ

1.1V*, 1.2V* 47μF or more 22pF 1kΩ 30kΩ to 82kΩ

500kHz or less ALL 100μF or more open open 30kΩ to 82kΩ

1MHz or more

NJW4750-T1



キャッチ・ダイオード(Ch.1)

パワーMOSFETがOFFサイクルの時は、インダクタに蓄えられた電力がキャッチ・ダイオードを経由して出力コンデン

サに流れます。そのためダイオードにはサイクル毎に、負荷電流に応じた電流が流れます。ダイオードの順方向飽和

電圧と電流の積が電力損失となるため、順方向飽和電圧の低い SBD (Schottky Barrier Diode)が最適です。

SBDを選定する際は、高温環境下での逆電流も考慮したいスペックです。

SBD は一般的なダイオードに比べて逆電流が大きくなる特徴を持っています。逆電流が多くなるとダイオードの損失

につながるため、SBDのスペックを確認の上、選定してください。

出力電圧設定抵抗

出力電圧 VOUTは、R1, R2の抵抗比で決まります。（図 9）

VOUT= (R2

R1+1)×VB[V]

図 9 出力電圧設定


NJW4750-T1



基板レイアウト

スイッチングレギュレータは、発振周波数に応じて電流が流れるため、基板のレイアウトは重要な項目です。大電流

の流れるラインは太く、短くし、ループ面積を最小限にしてください。図 10 に降圧回路における電流ループを示しま

す。

（同期整流の場合は、SBD を内蔵 SW に置き換える。）

特にスイッチングにおける高速な電流変化を伴う CIN－SW－SBD 間は、最優先でループを構成する必要がありま

す。

寄生インダクタによって発生するスパイクノイズを低減するのに効果的です。

(a) 降圧回路 SW ON状態 (b) 降圧回路 SW OFF状態

図 10 降圧回路における電流ループ

GNDラインは、パワー系と信号系を分離したレイアウトとし、GNDライン上の電流による影響が少ないポイントで接続

することが望ましいです。

また電圧検出のフィードバックラインは、できるだけインダクタから離します。本ラインはインピーダンスが高いため、イ

ンダクタからの漏れ磁束によるノイズの影響を避けるように配線します。

図 11に降圧回路での配線注意点を示します。

図 11 配線注意点

NJW4750 内蔵 SW

COUT

L

SBD CIN VIN

NJW4750 内蔵 SW

COUT

L

SBD CIN VIN

ICのインピーダンスが高いため、

電圧検出抵抗 R1,R2はできるだけ

ICの近くに配置する。

負荷近傍で電圧を検出し、

電圧降下が負荷へ影響を与え

ないように配慮する。

信号系の GND を

パワー系と分離する。


NJW4750-T1


アプリケーション情報（LDO）

出力電圧設定抵抗

出力電圧 VOUTは、R1, R2の抵抗比で決まります。（図 12）

VOUT= (R2

R1+1)×VB[V]

図 12 出力電圧設定（LDO）

位相補償定数の選定

NJW4750は、位相補償回路が内蔵されており、外付け部品定数は出力電圧にかかわらず、表 5の通りです。

表 5 位相補償定数

VOUT COUT R2

ALL 6.8μF to 22μF 47kΩ


NJW4750-T1


パッケージパワーの計算

NJW4750の損失はスイッチングコンバータによる損失と LDOによる損失の合計です。

スイッチングコンバータの損失は下記の様に求めることができます。

入力電力：PIN = VIN IIN [W]

出力電力：POUT = VOUT IOUT [W]

ダイオードの損失：PDIODE = VF IL(avg) OFF duty [W]

消費電力：PLOSS = PIN POUT PDIODE [W]

同期整流 Ch.については、ダイオードの損失を 0 として算出します。

ただし、

VIN ：コンバータの入力電圧 IIN ：コンバータの入力電流

VOUT ：コンバータの出力電圧 IOUT ：コンバータの出力電流

VF ：ダイオードの順方向飽和電圧 IL(avg) ：インダクタ平均電流

OFF duty ：スイッチ OFFデューティーサイクル

LDOの損失は下記の様に求めることができます。

入力電力：PIN = VIN IIN [W]

出力電力：POUT = VOUT IOUT [W]

消費電力：PLOSS = PIN POUT [W]

ただし、

VIN ：コンバータの入力電圧 IIN ：コンバータの入力電流

VOUT ：コンバータの出力電圧 IOUT ：コンバータの出力電流

変換効率は、下記式によって求められます。

= (POUT PIN) 100 [%]

求めた消費電力 PDに対して温度ディレーティングを考慮します。

「Power Dissipation vs. Ambient Temperature」特性例を参考に、定格内に収まるか確認してください。


NJW4750-T1


アプリケーション例

設計仕様

IC: NJW4750

出力: 3.3V (Ch.1)

1.8V (Ch.2)

1.2V (Ch.3)

2.8V (Ch.4)

発振周波数: 2.0MHz

回路図

部品リスト


Ref. Part number Overview Manufacture

IC NJW4750MHH-T1 Quad Channel Combination Regulator New Japan Radio

CIN1 CGA4J3X5R1H475K125AB Ceramic Capacitor 2125 4.7uF, 50V TDK

CIN2 GRT188C81C106ME13# Ceramic Capacitor 1608 10uF, 16V MURATA

CLDOIN GRT188C81C106ME13# Ceramic Capacitor 1608 10uF, 16V MURATA

RT 3.0kΩ Resistor 1608 3.0kΩ, ±1%, 0.1W Std.

L1 VLS4012ET-1R5N inductor 1.5uH, 2.1A TDK

SBD CMS14 Schottky Diode 60V, 2A TOSHIBA

COUT1 GRT188C81C106ME13# Ceramic Capacitor 1608 10uF, 16V MURATA

CFB1 22ｐF Ceramic Capacitor 22pF, 50V Std.

RFB1 1kΩ Resistor 1kΩ, ±1%, 0.1W Std.

R11 24.3kΩ Resistor 24.3kΩ, ±1%, 0.1W Std.


L2 VLS3015ET-2R2M inductor 2.2uH, 1.5A TDK

COUT2 GRM21BB30J226ME38L Ceramic Capacitor 2125 22uF, 6.3V MURATA

CFB2 22ｐF Ceramic Capacitor 22pF, 50V Std.


R21 24kΩ Resistor 24kΩ, ±1%, 0.1W Std.


L3 VLS3015ET-2R2M inductor 2.2uH, 1.5A TDK

COUT3 JMK212BBJ476MG-T Ceramic Capacitor 2125 47uF, 6.3V TAIYO YUDEN

CFB3 22pF Ceramic Capacitor 22pF, 50V Std.




CLDOOUT GRT188C81C106ME13# Ceramic Capacitor 1608 10uF, 16V MURATA



RMODE 30kΩ Resistor 30kΩ, ±1%, 0.1W/SW_Hiccup MODE Std.

NJW4750-T1


アプリケーション特性例 Technical Information

NJW4750-T1


外形寸法図、フットパターン

+0.010

-0.008

0.7±

0.05

3.4±0.05

2.6±

0.05

0.2 S

0.01

S

0.05 S

1.59±

0.05

0.21±

0.05

2.39±0.05

B

A

C0.4

3-R0.4

0.4

0.2±0.050.05 M S AB

2.32

3.6

1.52

2.8

0.4

0.2

0.1

0.1 0.2 0.4

0.31

R0.37

Unit: mm

EQFN26-HH

NJW4750-T1


包装仕様

テーピング寸法

Feed direction

A

BW1

P2 P0 φD0

P1

EF

W

T

K0T2

φD1

SYMBOL

AB

D0D1EFP0P1P2TT2K0WW1

DIMENSION

2.8±0.053.6±0.051.51.01.75±0.15.5±0.054.0±0.18.0±0.12.0±0.050.25±0.051.20.85±0.0512.09.5

REMARKS

BOTTOM DIMENSION

BOTTOM DIMENSION

THICKNESS 0.1max

+0.10

+0.10

+0.3-0.1

リール寸法

A

E

C D

B

W

W1

SYMBOLA

BC

DE

WW1

DIMENSIONφ180

φ 60φ 13±0.2

φ 21±0.82±0.5

1315.4±1.0

0-3+10

+1.00

テーピング状態

Feed direction

Sealing with covering tape

Empty tape Devices Empty tape Covering tape

more than 20pitch 1500pcs/reel more than 15pitch reel more than 1round

梱包状態

Put a reel into a box

LabelLabel

Insert direction

(TE1)

Unit: mm

EQFN26-HH

NJW4750-T1


推奨実装方法

・リフローはんだ法

＊リフロー温度プロファイル

a：温度上昇勾配： 1 to 4℃/s

b：予備加熱温度

時間

： 150 to 180℃

： 60 to 120s

c：温度上昇勾配： 1 to 4℃/s

d：実装領域 A温度

時間

e：実装領域 B温度

時間

： 220℃

： 60s以内

： 230℃

： 40s以内

f：ピーク温度： 260℃以下

ｇ：冷却温度勾配： 1 to 6℃/s

温度測定点：パッケージ表面 a b c

e

g

150℃

260℃

常温

f

180℃

230℃

220℃ d

NJW4750-T1


改定履歴

日付改訂変更内容

2018.6.15 Ver.1.0 New release

NJW4750-T1


注意事項

１．当社は、製品の品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生することがありますの

で、当社半導体製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせることのないように、

お客様の責任においてフェールセーフ設計、冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計を行い、機器

の安全性の確保に十分留意されますようお願いします。

２．このデータシートの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うも

のではありません。とくに応用回路については、製品の代表的な応用例を説明するためのものです。また、工業所有

権その他の権利の実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。

このデータシートに記載されている商標は、各社に帰属します。

３．このデータシートに掲載されている製品を、特に高度の信頼性が要求される下記の機器にご使用になる場合は、必ず

事前に当社営業窓口までご相談願います。

· 航空宇宙機器

· 海底機器

· 発電制御機器 (原子力、火力、水力等)

· 生命維持に関する医療装置

· 防災/ 防犯装置

· 輸送機器 (飛行機、鉄道、船舶等)

· 各種安全装置

４．このデータシートに掲載されている製品の仕様を逸脱した条件でご使用になりますと、製品の劣化、破壊等を招くこと

がありますので、なさらないように願います。仕様を逸脱した条件でご使用になられた結果、人身事故、火災事故、社

会的な損害等を生じた場合、当社は一切その責任を負いません。

５．ガリウムヒ素（GaAs）の安全性について

対象製品：GaAs MMIC、フォトリフレクタ

ガリウムヒ素（GaAs）製品取り扱い上の注意事項

この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素（GaAs）を使用しております。危険防止のため、製品を焼いたり、

砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭

ゴミとは混ぜないでください。

６．このデータシートに掲載されている製品の仕様等は、予告なく変更することがあります。ご使用にあたっては、納入仕

様書の取り交わしが必要です。

Documents

NJW4750-T16 EN2 Ch.2 イネーブル制御入力 19 LDOVIN Ch.4 電源入力 7 RT 発振周波数設定(RT プルダウン) 20 PG4 Ch.4 パワーグッド出力 8 GND グラウンド