플래시의 시대 - Naverimgstock.naver.com/upload/research/industry/1466639374448.pdf · 축적된 지식을 종이에 적어 후세에 전달할 수 있게 되면서 인류의

반도체/IT (Overweight)

플래시의 시대

인류 문명 발전은 어찌보면 정보저장 매체와 디스플레이의 발전과 그 궤를 같이 한다. 종이

는 지난 2000여년 간 인류 최고의 저장 매체이자 디스플레이로서의 역할을 담당해왔다. 종

이가 담지 못하는 멀티미디어 및 컴퓨팅 데이터는 필름, 자기테이프, 광디스크, 그리고 하

드디스크 등에 저장되었다. 그러나, 3D NAND의 원가 경쟁력이 확보되면서 플래시메모리

가 인류 문명의 정보를 저장하는 메인스트림 매체로 떠오르고 있다. 플래시 시대의 본격적

인 개막이다.

세계 경제 성장률의 하향조정과 불확실한 IT 수요로 반도체의 과잉재고가 순조롭게 해소되

고 있지 않는 것이 현실이다. 수요 부진으로 DRAM 투자가 크게 줄어들 것으로 보이나, 리

딩-엣지 테크놀로지 투자와 3D NAND 관련 투자는 계속해서 증가할 전망이다.

삼성전자가 3D NAND 시대를 주도하는 가운데, 업계의 3D NAND 투자 확대로 유진

테크, 주성엔지니어링, 원익IPS, 테스 등 CVD/ALD 장비 업체들의 수주 증가가 예상된다.

또한, CVD 쳄버 클리닝 가스인 NF3 글로벌 1위 업체인 SK머티리얼즈도 꾸준한 실적 개

선을 기대한다.

Analyst

이 승 우

02) 6915-5771

[email protected]

Top Picks 삼성전자 (005930)

유진테크 (058470)

투자의견 매수 (유지)

투자의견 매수 (유지)

목표주가 1,650,000원

목표주가 22,000원

현재가 (6/22) 1,445,000원

현재가 (6/22) 16,300원

Upside 14.2% Upside 35.0%

| 산업분석 | 반도체/IT | 2016. 6. 23

반도체/IT

2 │ IBKS RESEARCH

CONTENTS

인류 문명과 정보 저장 매체의 역사 ............................................................................................. 3

비휘발성 메모리 개발과 플래시의 탄생 ....................................................................................... 5

플래시 컨트롤러의 중요성 .............................................................................................................. 7

Why 3D NAND? ............................................................................................................................... 9

삼성전자 48단 V-NAND 해부 .................................................................................................... 10

떠오르고 있는 NVMe PCIe SSD ................................................................................................. 14

데이터 생성량 vs. 스토리지 공급량............................................................................................ 16

데이터센터 스토리지 시스템의 효율화 ....................................................................................... 17

올-플래시 스토리지의 부상 .......................................................................................................... 19

3D NAND 한계? ............................................................................................................................. 22

확대되는 3D NAND 투자 .............................................................................................................. 23

기업분석 ............................................................................................................................................ 28

삼성전자 (005930):

집중적 R&D의 결실이 맺어지기 시작 / 매수(유지) / 목표주가: 1,650,000원 .......................................28

SK머티리얼즈 (036490):

산업 상황도 비즈니스 전략도 양호 / 매수(유지) / 목표주가: 170,000원 .............................................31

유진테크 (084370):

하반기도 나쁘지 않고, 내년도 괜찮다 / 매수(유지) / 목표주가: 22,000원 ............................................34

주성엔지니어링 (036930):

실적 개선 이상 무(無) / 매수(유지) / 목표주가: 11,000원..........................................................................37

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │3

인류 문명과 정보 저장 매체의 역사

동굴 벽화는 아마도 인류 최초의 정보 저장 매체일 것이다. 1994년 프랑스에서 발견된

쇼베(Chauvet) 동굴 벽화의 연대는 3만년전 이상의 것으로 추정된다. 2만년 전 동굴

의 입구가 막혀 동굴 내부가 진공 상태로 유지되면서, 3만년이 넘은 그림이라고 보기

에는 믿을 수 없을 정도로 선명하고 정교한 구석기 크로마뇽인의 기록이 고스란히 보

존되어 있다.

종이가 발명되기 이전에는 돌, 금속, 동물의 가죽이나 뼈, 나무껍질 등을 이용하여 기

록을 남겨왔다. 기원전 3000년으로 추정되는 수메르인의 쐐기문자는 점토판에 새겨진

형태로 발견되었다.

종이의 근원으로 가장 많이 알려져 있는 것은 페이퍼의(Paper)의 어원이 된 파피루스

(기원전 800년)이다. 그러나 파피루스는 식물성 섬유를 초지하는 단계까지 발전하지

못하였기 때문에 엄밀한 의미에서 종이라고 규정짓기는 어렵다는 의견도 있다. 현대의

종이와 흡사한 형태는 AD 105년 중국의 후한시대 물자 조달 책임자였던 채륜에 의한

채후지(蔡侯紙)라 할 수 있다. 종이의 발명으로 인류 문명은 비약적인 발전을 이루게

된다. 축적된 지식을 종이에 적어 후세에 전달할 수 있게 되면서 인류의 지성은 누적

적으로 성장할 수 있게 된 것이다.

그림 1. 인류 기록저장 수단의 진화

필름(1830년)

영상기록저장

인쇄책(1450년)

정보의대량생산

동굴벽화(B.C 30,000)

점토(B.C 3000)

파피루스(B.C 800)

종이(AD 105년)채륜의채후지

금속활자(1377년)

레코드판(1896년)

음성기록저장

자기드럼(1932년)

천공카드(1896년)

홀러리스데스크컴퓨팅데이터

자기테이프(1951년)

하드디스크(1957년)

5MB

플로피디스크(1971년)360KB~

광디스크(1976년)650MB~

NAND 플래시(1991년)도시바

3D NAND(2013년)삼성전자

자료: IBK투자증권

반도체/IT

4 │ IBKS RESEARCH

1377년 고려 우왕 3년 세계 최고(最古)의 금속활자본 직지심체요절이 만들어졌다. 그

리고, 1450년 독일의 구테베르크는 금속활자를 다량으로 주조하는 방법과 활자를 마음

대로 조합하는 방법을 고안하게 된다. 인류가 쌓아온 정보와 지식의 대량 생산과 복제

가 가능해진 것이다. 1999년 타임지는 11세기에서 20세기 사이 인류의 가장 중요한 발

명으로 인쇄기를 선정했다.

1830년대에는 감광재료를 통한 최초의 사진이 만들어졌고, 이를 저장하기 위한 필름도

개발되었다. 필름은 지난 250여년 간 화상 및 영상 데이터를 저장하는 매체로 독보적

인 자리를 유지해왔으나, 이제는 디지털 카메라와 플래시 메모리에 그 자리를 넘겨주

고 역사 속으로 사라져가고 있다.

1877년 토마스 에디슨은 소리를 기록하고 재생할 수 있는 장치인 축음기를 개발했다.

사진 기술과 축음기는 인류의 추억을 간직할 수 있게 해준 감성적인 발명품이다. 축음

기의 발명은 이후 소리를 저장하는데 용이한 매체인 레코드판의 개발로 이어졌다. 레

코드판 형태의 음반은 1896년 셀락이라는 소재로 만들어 졌으며, 1932년 RCA빅터사

(社)가 우리에게 친숙한 비닐을 사용환 LP(Long Play) 형태의 레코드판을 출시하였다.

1800년대 후반 미 대륙의 인구 증가로 센서스(Census)에 소요되는 시간이 오래 걸리

게 되자, 1889년 미 통계국은 효율적으로 정보를 처리하는 방식을 공모한다. 여기서

당선된 기계가 천공카드를 사용한 정보수집 시스템인 홀러리스 데스크이다. 허만 홀

러리스(Herman Hollerith)는 1896년 이를 기반으로 회사를 세우고, 1911년 다른 2개

회사와 합병해 CTR(Computing-Tabulating-Recording) Company를 설립한다.

CTR은 훗날 IBM의 모태가 된다.

이후 정보를 취합하고, 정리 및 계산하는 컴퓨터에 대한 개발이 이어지면서 드럼메모

리, 자기테이프 등 정보를 기록 및 입출력하기 위한 장치들이 개발되었다.

최초의 하드디스크는 1957년 IBM 350에 사용된 RAMAC이라는 24인치 디스크였다.

속도는 느렸고, 부피는 컸으며 용량은 5MB에 불과했다. 플로피디스크는 1971년 IBM

에 의해 개발되었다. 하드디스크의 이동성을 보완하기 위한 획기적인 저장 매체였다.

한편, 최초의 광학디스크는 1976년 필립스와 소니에 의해 개발되었다. 이는 CD, CD-

R, CD-RW, DVD, BlueRay 등으로 발전한다.

인류 문명 발전은 어찌보면 정보저장 매체와 디스플레이의 발전과 그 궤를 같이 한다.

종이는 지난 2000여년 간 인류 최고의 저장 매체이자 디스플레이로서의 역할을 담당

해왔다. 종이가 담지 못하는 멀티미디어 및 컴퓨팅 데이터는 필름과 자기테이프, 광디

스크, 그리고 하드디스크 등이 저장을 담당해 왔다. 그러나, 원가 경쟁력이 확보되면서

플래시메모리가 인류 문명의 정보와 기록 저장 매체의 메인스트림으로 떠오르고 있다.

플래시 시대의 본격적인 개막이다.

금속활자와 인쇄기술의

발전으로 인류의 정보와

지식이 대량 복제되는 길이

열렸다...

필름과 레코드판의

발명으로 멀티미디어

데이터가 저장되기

시작했다..

홀러리스 데스크의

발명으로 디지털 데이터에

대한 접근 가능성이

열렸다...

이후 컴퓨팅 데이터는

하드디스크, 플로피,

광디스크 등에 분산

저장되어 왔다...

플래시 시대의 본격적인

개막일지도 모른다

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │5

비휘발성 메모리 개발과 플래시의 탄생

현대식 컴퓨터는 프로세싱을 담당하는 CPU와 RAM이라는 메모리를 기본으로 하는 구

조로 이루어져 있다. 그러나, RAM은 전원이 꺼지면 저장하고 있던 정보를 모두 잃어버

리는 휘발성(Volatile)이라는 태생적인 한계를 안고 있었다. 이에 대한 해결책은 디스크

나 테이프에 필요한 내용을 반영구적으로 저장하는 것이다. 즉, 캐쉬(SRAM), 메인 메

모리(DRAM), 스토리지(HDD)로 이루어지는 메모리 계층구조가 만들어지게 된 것이다.

그림 2. 현대식 컴퓨터의 기본 스트럭쳐

hard disk

RAM

cache

CPU

Speed

increases

Size

increases

자료: Teach-ICT

한국전쟁 기간 해병대로 군복무를 마치고, 서울대 물리학과를 졸업한 강대원(1931년

생)은 미국으로 유학해 오하이오 주립대에서 전자공학으로 박사학위를 받는다. 이후

벨 연구소의 연구원으로 근무하던 그는 1960년 세계 최초로 MOSFET(Metal Oxide

Silicon Field Effect Transistor, 금속산화막실리콘 전계효과 트랜지스터)을 개발하였

다. 연구 성과를 인정받아 1964년부터는 팀의 리더를 맡았고, 1967년에는 세계 최초로

플로팅게이트-비휘발성-메모리(Floating Gate Non-Volatile Memory)를 개발하는데

성공한다.

평상시 전기적으로 고립되어 있는 트랜지스터에 전하를 집어 넣어 전원이 꺼지더라도

전하량을 그대로 포획해 RAM의 약점인 비휘발성을 극복할 수 있는 소자를 고안한 것

이다. MOSFET와 FG-NVM을 최초로 개발한 공로로 그는 2009년 미국 상무부 산하

특허청의 명예의 전당(National Inventors Hall of Fame)에 등재되었다.

그러나, 강대원 박사의 플로팅게이트 비휘발성 메모리칩은 개별 메모리 셀을 하나씩

지워나가는 방식이었기 때문에 메모리를 지우는 과정이 매우 복잡했다. 당연히 속도는

느렸고, 제조 코스트는 높았다. 이후, 이 같은 플로팅게이트 기반 메모리의 문제점을

해결하기 위한 연구와 노력들이 뒤따랐다.

세계 최초의 플로팅게이트

비휘발성 메모리 칩을

개발한 사람은 다름아닌

한국인 강대원 박사라는

정도는 기억하면 나쁘지

않을 것 같다…

반도체/IT

6 │ IBKS RESEARCH

1971년 인텔은 자외선으로 데이터를 소거하는 EPROM(Erasable Programmable

ROM)을 선보였다. 이어 1977년에는 이스라엘의 과학자 엘리 하라리(Eli Harari)가

EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)을 개발하는데 성공한다. 플로

팅게이트 트랜지스터의 어레이 조합으로 이루어진 EEPROM은 특정한 전기적 신호(리

셋 시그널)에 의해 메모리 어레이 영역을 소거할 수 있는 비휘발성 메모리였다. 코닥과

함께 디지털 필름 기술을 연구하던 엘리 하라리는 1988년 샌디스크를 설립한다.

1984년 도시바의 후지오 마쓰오카 박사는 NOR 게이트 셀을 병렬 방식으로 묶어 일괄

소거하는 방식을 개발했다. 플래시 메모리(NOR)가 탄생한 것이다. NAND 게이트를

직렬로 묶는 NAND 플래시 아이디어는 1987년 개발되어, 1991년 도시바에 의해 제품

화되었다. 올해는 NAND 플래시 탄생 25주년이 되는 해이다.

플래시 메모리는 도시바의 마쓰오카에 의해 개발되었다는 점은 널리 알려졌지만, 플래

시 메모리의 셀을 구성하는 플로팅게이트 MOSFET은 한국인 강대원 박사에 의해 제

시되었다는 건 이상하리만큼 덜 알려져 있다.

한편, 플래시 메모리의 셀은 삭제와 프로그래밍이 반복될 때마다 마모된다는 태생적인

구조적 약점을 갖고 있다. 이는 전자가 옮겨질 때 통로 역할을 하는 산화막의 내구성

때문이다. 전자의 이동이 반복되면서 산화막을 통과하지 못한 전자가 생기게 되고 특

정 횟수가 지나면서 산화막에 쌓이게 된 전자로 인해 더 이상 전자가 통과하지 못하게

되어 비트 에러가 발생하게 된다. 그래서 이 같은 비트 에러를 보정해주기 위해

ECC(Error Correction Code)가 NAND에는 반드시 필요하게 된다.

그림 3. NAND 플래시 구조 및 쓰기/지우기 동작시 전자 이동

자료: SK 그룹

샌디스크의 설립자

엘리 하라리 박사는

EEPROM을 개발했다...

25년 전인 1991년

도시바에 의해 NAND

플래시가 제품화되었다…

플래시메모리의 근간이

되는 아이디어는 한국인

강대원 박사가 고안했다…

쓰기와 지우기 동작이

반복되면서 산화막을

통과하지 못하고 산화막에

쌓이게 되는 전자가

증가하게 되어 비트 에러가

발생하게 된다...

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │7

플래시 컨트롤러의 중요성

한편, MLC나 TLC는 SLC에 비해 동일한 셀에 이런 동작이 2~3배 더 많은 빈도로 발

생하고, 더 미세한 전자량 조절이 요구된다. 따라서, 전자량이 비정상적으로 조절될 경

우 비트 에러가 발생할 가능성이 높아지게 된다. 따라서, MLC, TLC 에서는 이를 보

정하기 위한 ECC는 더욱 길고 복잡해질 수 밖에 없고, 이 때문에 동작 속도는 느려지

고 수명은 짧아지게 되는 것이다.

한편, 플래시 메모리의 오류는 HDD의 기계식 오류와는 차이가 있다. 하드 디스크의

오류는 주로 물리적인 스크래치에 의한 것으로 쓰기 횟수에 따라 비교적 일정한 비율

로 늘어나는 반면 플래시는 쓰여진 비트 수가 일정 수준을 넘어가게 되면 오류 빈도가

기하급수적으로 증가하게 된다.

그림 4. NAND 비트 에러 레이트

Beginning of Life End of Life

10Ʌ-4

NA

ND

Raw

Bit E

rror

Rate

10Ʌ-80 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000

Program / Erase cycle

자료: 킹스톤 테크놀로지

이렇듯 근본적으로 기존 하드 디스크 체계와는 다른 오류 패턴으로 인해 플래시 셀에

최적화된 ECC와 컨트롤러가 필요하게 된다. NAND 플래시의 수명은 칩의 재기록 횟

수만이 아니라 ECC에 의해서도 크게 좌우되기 때문이다. ECC를 최적화 함으로써 낮

은 등급의 NAND 칩을 사용하더라도 상위 모델과 동등한 수명을 제공할 수 있을 정도

로 그 효과는 크다.

SSD의 저장 공간은 HDD의 구성요소인 물리적인 트랙과 섹터와는 다른 블록과 페이

지라는 단위로 구성되어 있다. 그러나, 현재 컴퓨팅 시스템에서 사용되고 있는 FAT,

NTFS 등과 같은 파일 시스템과 OS, 어플리케이션 프로그램들은 모두 HDD의 트랙과

섹터라는 구조에 맞게 설계되어 있고, 그에 따라 동작하게 된다.

플래시는 쓰여진 비트 수가

일정 수준을 넘어가게 되면

오류 빈도가

기하급수적으로 증가하게

된다

반도체/IT

8 │ IBKS RESEARCH

그래서 NAND 플래시를 컴퓨팅 시스템에서 제대로 사용하기 위해선 그에 맞는 페이지

기반의 새로운 파일 시스템이 필요한 것이다. SSD에서는 이 문제를 해결하기 위해

SSD 자체의 컨트롤러 단계에서 플래시 변환 계층(Flash Translation Layer, FTL) 이

란 것을 사용하여 논리적으로 섹터 구조를 재배열하는 방식을 사용한다. FTL은

NAND 플래시를 기존의 하드 디스크 드라이브처럼 사용할 수 있도록 웨어 레벨링, 가

비지 컬렉션, 배드블럭 관리 등을 통해 NAND 플래시의 물리적 단점들을 보완해주고,

LLD(Low Level Driver)를 플래시 인터페이스를 상위 계층에 연결해준다.

그림 5. 플래시 변환 계층(FTL)의 구조

자료: Chipestimate.com

또한, HDD와는 달리 플래시 메모리는 읽기와 쓰기 속도에 현격한 차이가 나는 특성을

갖고 있다. NAND 플래시는 데이터를 수정하거나, 새로 쓰려고 하는 경우 먼저 블록

전체를 지우고, 해당 블록 내의 모든 페이지를 다시 쓰기하는 과정을 거쳐야 하기 때

문이다. 이 때문에, NAND 플래시의 쓰기 속도는 읽기에 비해 매우 느리다. 이 같은

플래시 메모리의 근본적인 비대칭성을 조정하여 최적의 성능을 낼 수 있도록 하는 것

도 바로 플래시 컨트롤러의 매우 중요한 역할이 된다.

NAND 플래시의 실질적

오퍼레이션의 대부분은

미들웨어 영역인 FTL과

컨트롤러가 담당한다…

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │9

Why 3D NAND ?

NAND의 기본적인 기술 발전 방향은 더 좁은 공간에 더 많은 데이터를 저장할 수 있

도록 하는 것이다. 그러나, 셀 간격이 좁아지면서, 내구성이 취약해졌고, 셀간 간섭효

과가 문제가 되었다. 이로 인해 ECC(Error Correction Code)가 추가 되어야 하는 등

미세화에도 불구하고 성능 개선이 동반되지 못하는 문제점이 발생하기 시작했다.

ECC는 16~24비트 정도를 사용한다. 공정이 미세화 될수록 ECC의 비트는 더 늘어나

게 된다. 예컨대 같은 MLC라도 50나노급 공정에서는 ECC가 4비트, 30나노급에서는

8비트, 20나노급에서는 15비트의 ECC가 적용된다. 10나노급 또는 TLC에서는 보통

24비트 이상의 ECC가 적용되는 것이 일반적이다.

이 같은 공정 미세화에 따른 여러 문제점들을 해결할 수 있는 솔루션이 바로 3D

NAND인 것이다. 3D NAND는 2D에서와 같이 셀을 작게 만들지 않는다. 이에 따라,

3D NAND는 ECC 부담이 훨씬 덜하고, 에너지 소비를 낮출 수 있게 된다. 때문에 2D

에 비해 성능과 수명 측면에서 우수한 특성을 갖는다.

그림 6. 삼성전자 V-NAND의 개발

소재 개선

48

구조 개선 집적도 개선

셀간 공간확보로데이터간섭 최소화

3차원 CTF로셀당 보유 전자수

극대화

2006년 2013년 2015년

CTF로 셀간간섭 현상 개선

레이어 적층으로용량 최대화

자료: 삼성전자, IBK투자증권

플로팅게이트에서 CTF로의

소재 혁신, 2D에서 3D로의

구조 혁신, 레이어 수

증가를 통한 집적도

혁신으로 가능해졌다...

반도체/IT

10 │ IBKS RESEARCH

삼성전자 48단 V-NAND 해부

V-NAND 48단 TLC 기반의 삼성전자 SSD 제품이 시장에 속속 출시되고 있다. 2016

년 상반기 출시된 삼성전자의 포터블 SSD인 T3의 2TB(테라바이트) 를 분해한 결과에

따르면, T3 SSD 내부는 512GB의 NAND칩 4개와 콘트롤러 및 DDR4 DRAM으로 구

성되어 있음을 확인할 수 있다.

그림 7. 삼성의 2테라 바이트 용량의 포터블 SSD T3

512GB 512GB 512GB 512GB

자료: Tech Insights

또한, 4개의 512GB 칩 내부는 16개의 256Gb 다이가 스태킹 되어 있다. 분석 결과에

따르면, 16층의 총 두께는 1.1mm이며, 각 다이의 개별 두께는 불과 40마이크론에 불

과한 것으로 나타났다. 이 같은 두께는 지금까지 관찰된 반도체 다이 중 가장 얇은 것

(50~55마이크론)보다 더 얇은 것으로 파악되고 있다. 미세공정과 3D NAND 테크놀

로지 뿐만 아니라, 다이 스태킹 분야에 있어서도 삼성이 경쟁사들을 앞서고 있음을 증

명하고 있다.

그림 8. 512GB NAND 칩 단면도


삼성의 2TB SSD는

512GB NAND칩 4개로

구성되어 있다…

512GB의 NAND 칩은

256Gb의 다이 16개가

스태킹되어 있다…

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │11

한편, 256Gb 다이의 내부에는 가로 세로 각 5.9mm X 5.9mm 크기의 메모리 뱅크

두 개가 포함되어 있다. 메모리 뱅크 하단의 페이지 버퍼 영역과 주변부에 I/O 및 추

가 회로 공간까지 모두 포함한 전체 다이 사이즈는 99mm2인 것으로 측정된다. 단위

면적당 기억용량은 무려 2.58Gb/mm2에 달한다. 12인치 웨이퍼 한 장에 생산 가능한

3D 256Gb 다이 개수는 630개 가량으로 추정된다. 12인치 웨이퍼 한장의 메모리 생산

용량은 무려 20TB(테라바이트)에 달하는 셈이다.

그림 9. 삼성의 256Gb V-NAND 다이 평면도

Page Buffer Area

Peripheral Ciruitry

Memory Bank Area


이 같은 데이터 저장 밀도는 기존 2D 16나노 MLC에 비해서는 3.5배 이상, 2D 15나노

TLC에 비해서도 2배 이상 높은 것이다. 삼성전자의 32단 TLC에 비해서도 메모리 밀

도가 약 38%나 높은 것이다. 3D 공정의 길어진 공정 리드타임과 스텝수 증가에 따른

감가상각 부담에도 불구하고, 48단 TLC의 원가는 확연하게 2D 15/14나노급 TLC를

앞서게 된 것으로 분석된다.

48단 V-NAND 256Gb

다이의 사이즈는 99mm2에

불과해, 저장 밀도가 2D

16나노급에 비해 3배 이상

높다.

표 1. 주요 업체별 2D, 3D NAND 비교

2D-3D Planar NAND

업체명 마이크론 SK하이닉스 도시바 마이크론 마이크론 삼성전자 삼성전자

공정기술 2D 16nm 2D 16nm 2D 15nm 32단 MLC 32단 TLC 32단 TLC 48단 TLC

용량 (Gb) 128 64 128 256 384 128 256

다이 사이즈(mm2) 176 93 101 168.5 168.5 68.3 99

밀도 (Gb/mm2) 0.73 0.69 1.27 1.52 2.28 1.87 2.59

3D NAND

자료: IBK투자증권, EE Times, Chip Works

반도체/IT


그림 10. 주요 업체 NAND 저장 밀도 비교 (단위 = Gb/mm

2)

0.73 0.69

1.27

1.52

2.28

1.87

2.59

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

마이크론

16nm MLC

SK하이닉스

16nm MLC

도시바

15nm TLC

마이크론

32단 MLC

마이크론

32단 TLC

삼성전자

32단 TLC

삼성전자

48단 TLC

(Gb/mm2)

자료: Tech Insights, IBK투자증권

한편, 48단 256Gb 다이의 단면도를 보면, 실제 총 레이어는 48단이 아니라 55단으로

구성되어 있음을 알 수 있다. 메모리 레이어 48단 외에 4개의 더미 레이어와 2개의

SSL(String Selection Line) 레이어, 1개의 GSL(Ground Selection Line) 등 총 7개

의 추가적인 레이어가 형성되어 있기 때문이다. 삼성전자 512GB NAND 패키지 내부

는 1.1mm 두께에 무려 880개(16층 X 55단)에 달하는 메모리 레이어가 구성되어 있는

것이다.

그림 11. 삼성의 256Gb V-NAND 다이의 단면도(좌) 및 3D NAND String(우)


삼성의 오랜기간에 걸친 3D NAND 개발이 3세대인 48단에 와서야 드디어 제대로 된

빛을 보기 시작하고 있는 상황이다. 3세대 이전 버전들은 2D NAND에 비해 코스트 측

면에서 오히려 열세였기 때문이다. 3D NAND의 물리적 특성이 아무리 좋다 하더라도

결과적으로 고객들에게 가장 어필할 수 있는 특성은 다름아닌 코스트였다. 3D NAND

의 원가 경쟁력이 확보되면서, 사실상 2D 평면 NAND의 추가 미세화에 대한 니즈는

대폭 감소할 수 밖에 없다. 대신 3D NAND 생산능력을 확대하기 위한 투자가 장기적

으로 대폭 증가하게 될 것으로 전망된다.

현재까지 발표된 제품 중

삼성전자 48단 TLC

제품의 저장 밀도가

2.6Gb/mm2로 가장

뛰어나다...

48단 V-NAND의 실제

레이어는 55단이다.

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │13

지난해 후반 출시된 삼성전자의 3세대 48단 MLC, TLC가 2D 리딩엣지 테크놀로지

원가를 앞서기 시작했다. 또한, 오랜 기간 동안 진행된 고객들의 제품 인증이 차례차례

완료되면서, 올해 들어 48단 V-NAND에 대한 수요가 폭발적으로 증가하기 시작하고

있다.

삼성전자에 이어 마이크론이 32단 MLC 256Gb, TLC 384Gb 기반의 PC용 SSD 제품

을 출시했다. 그러나, 마이크론은 CTF를 사용한 삼성전자와 달리 기존 2D에서 사용되

던 플로팅 게이트로 셀을 구성하였다. 또한 3D NAND 어레이 아래에 CMOS 어레이

를 배치하는 방식을 적용해 메모리 밀도를 높였다. 원가 측면에서는 유리한 부분이 있

을 수 있으나, 물리적 특성에서는 CTF에 비해 뒤쳐질 것으로 보인다. 장기적으로 볼

때, 마이크론과 인텔은 3D NAND보다는 3D X Point에 무게 중심을 두고 있는 상황

이다.

도시바와 샌디스크 연합도 발빠르게 뒤를 쫓고 있다. 두 업체는 최근 48단 BiCS(Bic

Cost Scalable)개발을 한 것으로 알려져 있으나, 여러가지 대내외적 문제가 겹쳐 실제

로는 48단보다 64단 차세대 제품 쪽에 무게 중심을 두고 있는 것으로 보인다.

SK하이닉스는 지난해 24단에 이어 올해 36단 3D NAND를 개발했으며, 올해 하반기

에는 48단 제품을 개발 한다는 계획이다. 다만, 올해까지 파일럿 생산과 양산성 검증

을 한 뒤 내년 상반기 주력 제품을 양산하게 될 것으로 예상된다.

그림 12. 테크놀로지 로드맵 비교

2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018

21nm19nm

16nm

24nm 19nm A-19nm 16nm

3D

3D

32L MLC TLC3D

20nm16nm

25nm

36L MLC TLC3D

24L MLC

15nm

14nm

32L MLC, TLC48L MLC, TLC

48L TLC3D X Point

20nm 16nm

48L TLC

64L

12nm

12nm

64L TLC

48L TLC

16nm

16nm

16nm

16nm

14nm

14nm

12nm

12nm

자료: Flash Memory Summit 2015, IBK투자증권, 각사

반도체/IT


떠오르고 있는 NVMe PCIe SSD

3D NAND가 NAND 칩 자체의 특성을 높이는 기술이라면, PCIe나 NVMe는 SSD와

CPU를 연결하는 인터페이스를 개선하는 역할을 한다. 결국 데이터센터는 트랜잭션

IOPS(Input/output Operations Per Second, 초당 입출력 오퍼레이션) 높이기 위해

핫 레이어를 중심으로 3D NAND와 PCIe, NVMe를 이용한 스토리지 솔루션을 구성

할 필요가 있는 것이다.

그림 13. SSD 인터페이스 및 폼팩터 구분

Logical Device Interface

Bus Interface SATA

Form FactorsHDD

Type

Card

Type

Board

Type

BGA

Type

SAS PCIe

mSATA M.2 mini PCIe mini DIMMU.2


SSD(Solid State Drives)는 IT 관리자가 급격하게 발전하는 데이터센터 환경에서 스

토리지 효율성을 극대화할 수 있도록 도움을 준다. 특히 3D NAND, NVMe(Non-

Volatile Memory Express), PCIe(PCI Express) 등 신기술은 SSD의 대역폭을 늘리

고, 대기시간을 낮춰 스토리지의 성능을 획기적으로 높인다.

스토리지를 구성하는 가장 효과적인 방법은 SSD와 HDD를 적당히 혼용해 성능은 높

이면서도 코스트를 절약하는 것이라 하겠다. 전 세계 데이터 중 90%가 저장된 후 다

시 읽는 작업이 별로 없는 일명 콜드 데이터(cold data)이며, 불과 나머지 10% 정도

만 저장한 후 트랜잭션이 많은 핫 데이터에 해당된다.

모든 데이터를 레이턴시가 낮은 고성능 스토리지 장치에 저장하는 것은 불필요한 예산

낭비다. 따라서 데이터 특성에 따라 가장 알맞는 성능을 제공하는 계층화된 스토리지

아키텍처를 활용해야 한다.

PCIe가 도로의 차선을

늘린 것이라면, NVMe는

도로교통 신호 체계를

획기적으로 개선한 것,

폼팩터는 자동차의

디자인으로 이해하면 된다

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │15

도로의 차선 폭이 넓으면 교통 흐름은 그만큼 빨라진다. 뿐만 아니라, 교통 신호를 포

함한 교통 시스템이 절묘하게 설계되어 있다면 역시 교통 흐름을 개선할 수 있을 것이

다. SATA(Seria ATA), SAS(Serial Attatched SCSI), PCIe가 도로 자체의 설계라고

한다면, AHCI(Advanced Host Controller Interface)와 NVMe는 도로의 교통 흐름을

조절하는 교통 시스템이라 비유할 수 있다.

AHCI가 하드디스크의 성능에 맞춰 설계된 것이라면, NVMe는 그보다 성능이 훨씬 뛰

어난 SSD의 성능에 맞춰 설계된 하드웨어/펌웨어 프로토콜이라고 이해하면 무리가 없

다. 과거 프로토콜인 AHCI로 인해 성능이 뛰어난 SSD의 성능이 최대로 발휘될 수 없

는 상황이 발생하면서, 2007년 인텔 주도로 NAND SSD 스토리지를 위한 NVMe 기

술 개발이 시작됐다.

NVMe는 SSD를 최대한 활용하기 위해 물리적인 대역폭 한계와 지연에 따른 오버헤드

제거를 개선했다. 또한, 버스 인터페이스로 PCIe를 채택해 SATA로는 충분치 않던 물

리적 대역폭을 대폭 늘렸다. 요약하자면, PCIe는 SSD의 컨트롤러 레이턴시(Latency)

를 제거했고, NVMe는 소프트웨어 레이턴시를 제거한 기술이라 할 수 있다.

그림 14. SSD 테크놀로지의 발전

자료: 인텔

PCIe가 도로의 차선

폭이라 한다면,

NVMe는 교통 신호체계라

할 수 있다...

NVMe와 PCIe 기술이

출현하면서, NAND

베이스의 SSD 성능이 더욱

경쟁력을 갖추게 되었다...

반도체/IT


데이터 생성량 vs. 스토리지 공급량

세계 최대의 스토리지 업체 EMC와 시장조사기간 IDC가 2014년 발표한 Digital

Universe of Opportunities 라는 보고서에 의하면, 2013년 지구상에서 생산된 총 데

이터량은 4.4조GB였으며, 2020년에는 데이터 생산량이 10배 증가한 44조GB에 달할

것으로 예측되었다.

대부분의 데이터는 저장하는데 소요되는 코스트만큼의 효용을 얻어내기가 어렵기 때문

에 저장되지 않았던 것이다. 그러나, 컴퓨팅 기술의 발전으로 고속 처리 가능한 데이터

의 종류와 범위는 더욱 확장될 것임에 틀림없다. 생성된 데이터 중 저장 및 사용 가능

한 데이터의 비중은 2013년 22%에서 2020년에는 37%로 증가할 전망이다.

그림 15. Digital Universe of Opportunities 내용 요약

자료: EMC, IDC, WSJ

한편, 2013년 생산된 전세계 하드디스크의 총 저장 용량은 4,400억 GB였고, NAND

플래시가 공급한 저장 용량은 약 400억 GB였다. 2013년에 공급된 총 스토리지가 담

을 수 있는 데이터는 당해 년도 생성된 총 데이터의 약 10%, 이용가능한 데이터의 약

절반 수준에 그치지 않는다는 얘기다.

매년 생산되는 데이터라 할지라도 기존 저장된 데이터에 덮어쓰게 되는 업데이트용 데

이터가 있을테니, 생산되는 데이터 총 바이트수만큼 스토리지 공급이 필요한 것은 아

니지만, IoT 시대의 데이터 생산량 급증에 따라 스토리지의 공급량도 폭발적으로 증가

할 수 밖에 없을 것으로 보인다.

2013년 생성된 총

데이터의 22%만이

사용 가능한 데이터이며,

이중 약 절반 정도의

데이터만이 당해 공급된

스토리지에 저장이

가능하다…

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │17

데이터센터 스토리지 시스템의 효율화

데이터센터 스토리지 시스템 설계의 기본 원칙은 비용 대비 최적의 성능을 내는 것이

라 할 수 있다. 모든 데이터가 고속의 입출력을 필요로하는 것은 아니다. 어떤 데이터

들은 생성된 이후 1년 이상 엑세스되지 않는 것들도 있고, 어떤 데이터(예를 들면 페이

스북이나 인스타그램에 올라가는 사진 데이터)는 데이터 수정 없이 단지 읽기 동작만

필요한 데이터도 있다. 반면, 컴퓨팅 관련 데이터들은 읽기와 쓰기 오퍼레이션이 훨씬

빈번하게 발생한다. 이처럼 엑세스 및 업데이트가 자주 일어나는 데이터를 핫 데이터

라고 하며, 반대의 경우를 콜드 데이터라 한다.

CPU 캐시와 인 메모리 프로세싱 관련 데이터는 당연히 핫(Hot) 레이어에 저장된다.

핫 레이어는 메모리에서 스토리지로 이동하는 데이터를 처리하고, 고성능의 쓰기 기

능을 지원한다. 여기에 필요한 트랜잭션 속도와 쓰기 수명을 고려할 때, PCIe +

NVMe SSD가 최적의 솔루션이 된다.

데이터 용량이 증가하는 웜(Warm) 레이어에는 MLC 또는 TLC의 SATA 인터페이스

를 이용한다. 상대적으로 저렴한 비용에 비교적 우수한 트랜잭션 성능과 수명을 제공

한다. 콜드 레이어는 일반적으로 HDD에 아카이브 된다.

데이터는 자연스럽게 각 레이어 사이에서 이동해야 한다. 아카이브 데이터 중 접속이

늘어나는 데이터는 웜이나 핫 계층으로 이동시켜 처리하면 된다. 이처럼 적당한 기술

로 각 계층을 완벽하게 최적화하면 불필요한 비용 지출 없이 데이터센터 전반의 성능

을 높일 수 있다. 여전히 데이터센터 스토리지의 메인스트림은 하이브리드 형태로 설

계된다.

그림 16. 아마존의 핫, 웜, 콜드 데이터 구분

자료: AWS

데이터의 특성에 맞춰

저장 코스트 대비 최적의

효과를 낼 수 있는

스토리지를 구성하는 것이

중요하다…

반도체/IT


엔터프라이즈 SSD

분야에서는 인텔, 삼성,

웨스턴디지털, 샌디스크가

빅4를 이루고 있다…

표 2. 엔터프라이즈 SSD 상위 업체 (단위 : 천달러)

14 순위 15 순위 업체명 14 매출 15 매출 YoY 14 M/S 15 M/S

1 1 Intel 1,579,281 1,443,304 -8.6 28.0 23.0

2 2 Samsung 847,091 1,107,507 30.7 15.0 17.6

4 3 Western Digital 590,225 970,268 64.4 10.5 15.4

3 4 SanDisk 659,670 715,485 8.5 11.7 11.4

NA 5 Hitachi 85,703 298,455 248.2 1.5 4.8

9 6 Toshiba 161,442 293,226 81.6 2.9 4.7

5 7 Micron 295,108 252,031 -14.6 5.2 4.0

6 8 Google 275,700 210,179 -23.8 4.9 3.3

10 9 Huawei 99,291 183,277 84.6 1.8 2.9

7 10 NetApp 193,219 127,792 -33.9 3.4 2.0

Others 843,661 681,260 -19.2 15.0 10.8

Total 5,630,391 6,282,784 11.6 100.0 100.0

자료: 가트너

PC용 SSD 시장의 절반

이상은 삼성이 점유하고

있다…

표 3. PC SSD 상위 업체 (단위 : 천달러)


1 1 Samsung 3,724,086 4,206,564 13.0 46.3 54.0

2 2 SanDisk 1,254,853 633,836 -49.5 15.6 8.1

5 3 Micron 565,954 539,145 -4.7 7.0 6.9

6 4 Kingston Digital 455,587 521,795 14.5 5.7 6.7

3 5 Lite-On 678,404 487,047 -28.2 8.4 6.3

4 6 Toshiba 585,648 371,446 -36.6 7.3 4.8

7 7 Intel 379,071 302,796 -20.1 4.7 3.9

8 8 Transcend 66,806 127,119 90.3 0.8 1.6

9 9 SK hynix 64,873 89,105 37.4 0.8 1.1

NA 10 Apple - 75,956 NA NA 1.0

Others 267,808 432,844 61.6 3.3 5.6

Total 8,043,089 7,787,654 -3.2 100.0 100.0

자료: 가트너

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │19

올-플래시 스토리지의 부상

LCD TV의 개발로 CRT TV가 지구상에서 사라진 것과 디지털카메라의 출현으로 세계

최대 필름 업체인 코닥이 쓰러지는 것을 목격한 사람이라면, NAND 플래시의 등장으

로 결국 스토리지 시장의 중심이 HDD에서 SSD로 바뀔 것이란 것은 어렵지 않게 상

상할 수 있을 것이다.

이런 가운데 올해 스토리지 업계의 가장 큰 화두는 단연 올플래시(All flash) 스토리지

시장의 부각이다. 올플래시 스토리지는 기존의 하드디스크(HDD)를 완전히 배제하고

SSD(Solid State Drive)만을 저장장치로 채택하는 스토리지 시스템을 말한다.

그 동안 스토리지 시장의 기술적인 발전은 주로 HDD-SSD 하이브리드를 중심으로 이

어져 왔다. 올플래시 스토리지 시장은 니치 마켓으로 님블 스토리지, 솔리드 파이어,

퓨어 스토리지, 바이올린 메모리 등의 스타트업 플레이어들이 두각을 나타내고 있었다.

그러나, 올해 들어 시장 수요가 확대되면서 EMC, HPE, IBM, NetApp 등 메이저 업

체들이 본격적으로 올플래시 신제품을 출시하고 있어, 아이러니컬하게도 올플래시에

특화된 중소 업체들의 영업 상황은 더욱 어려워지고 있다.

전 세계 올플래시 시장의 약 40%를 점유하고 있는 세계 최대 스토리지 업체 EMC는

2016년을 올플래시의 해로 선언하고 올플래시 스토리지로의 패러다임 변화를 가속화

한다는 전략이다. EMC는 올해 초 출시한 하이엔드 AFA VMAX All Flash에 이은 미

드엔드 신제품 Unity에도 전량 삼성전자의 V-NAND SSD를 탑재했다. 해 모든 규모

와 목적의 워크로드를 올플래시로 지원한다는 전략을 반영한 제품이다.

그림 17. EMC의 올플래시 스토리지인 VMAX와 UNITY

자료: EMC, IBK투자증권

그러나, 여전히 스토리지 시장의 메인스트림은 하이브리드 타입이라 할 수 있다. 올해

들어 나타나고 있는 올플래시 경쟁은 다소 과열된 듯한 측면이 없지 않다. 시장규모를

보더라도 하이브리드가 올플래시 보다 5배 이상 큰 것으로 추정되고 있다. 지난해 기

업용 외장 스토리지 시장에서 하이브리드 플래시는 약 39%, 올플래시는 약 13%를 차

지한 것으로 추정된다.

올-플래시 스토리지의

성장세가 매우 가파르다...

올해 들어 EMC가

올플래시 스토리지에 더욱

적극적으로 나서고 있다.

그리고, EMC 올플래시에는

삼성의 V-NAND가

채택된다…

반도체/IT


그러나, 지난해 하이브리드 플래시는 전년비 20%대, 올플래시는 70%대 성장한 것으

로 추정된다. 그리고, 당분간 올플래시 스토리지 시장은 향후 연간 50% 이상의 성장세

를 보일 것으로 전망되고 있다. 현재 NAND 인더스트리의 가장 핫한 어플리케이션인

것은 논쟁의 여지가 없다.

이와 같은 올플래시 스토리지에 대한 수요 증가는 대량의 데이터에 대한 고성능 입출

력 성능이 결국 빅데이터 분석을 기반으로 하는 각종 비즈니스 마케팅의 성패를 결정

한다는 인식이 확산되었기 때문이다. 이로 인해 데이터를 더 좋은 스토리지에 저장하

는 것에 대한 니즈도 높아지고 있는 것이다.

올플래시 스토리지 시장 트렌드는 2009년부터 2012년까지는 성능에 포커스를 두고 있

었다. 레이턴시를 줄이기 위한 애플리케이션 위주로 IOPS(Input/output Operations

Per Second) 향상에 중점을 두었다. 2012년 올플래시 스토리지의 시장규모는 5억달러

수준이었다. 그러나, 이후 가상화를 중심으로 비용절감, 효율성 강화, GB당 가격 낮추

기에 주력하면서 시장이 빠르게 확대되고 있다.

2015년 올플래시 스토리지의 시장규모는 전년비 무려 116%나 증가한 27억달러에 달

하는 것으로 추정된다. 지난해 SSD 시장의 성장률은 3.5%와 비교하면, 높은 성장속도

를 짐작할 수 있을 것이다. 3D NAND의 상용화로 GB당 가격은 더욱 낮아지고, 성능

은 크게 높아지면서, 올플래시 시장이 본격적인 개화기에 진입했다. 2017년 올플래시

스토리지 시장규모는 약 100억 달러에 육박할 것으로 전망되고 있다.

올플래시 SSA 시장은

EMC, IBM, HPE, NetApp

등 메이저 업체들의 공격적

전략으로 시장규모가 대폭

확대되고 있다…

표 4. SSA (Solid-State Arrays) 상위 업체 (단위 : 천달러)


1 1 EMC 443,628 969,888 118.6 35.4 35.9

2 2 IBM 233,300 497,795 113.4 18.6 18.4

3 3 Pure Storage 149,386 359,208 140.5 11.9 13.3

4 4 HP Enterprise 102,100 343,883 236.8 8.2 12.7

5 5 NetApp 81,245 209,171 157.5 6.5 7.7

7 6 Kaminario 51,530 94,463 83.3 4.1 3.5

8 7 SolidFire 34,468 63,293 83.6 2.8 2.3

6 8 Violin Memory 61,633 28,971 -53.0 4.9 1.1

NA 9 Tegile 19,430 28,121 44.7 1.6 1.0

10 10 Huawei 21,903 22,014 0.5 1.7 0.8

Others 53,967 84,141 55.9 4.3 3.1

Total 1,252,589 2,700,948 115.6 100.0 100.0

자료: 가트너

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │21

문제는 현재 스토리지 분야에 3D NAND를 공급할 수 있는 업체가 삼성전자뿐이라는

것이다. 때문에, 삼성전자 V-NAND에 대한 수요가 올해 들어 급속도로 늘어나고 있

어 관련 투자가 단기적으로 크게 증가할 가능성이 높아 졌다.

표 5. 올플래시 스토리지를 출시한 업체들의 서플라이 체인

스토리지/클라우드 업체 2D NAND 공급 3D NAND 도입 여부

EMC (델) 마이크론 O

HPE 샌디스크 O

IBM 마이크론 미정

넷앱 (솔리드파이어) 삼성전자 O

히다치 도시바 미정

후지쯔 도시바 O

바이올린메모리 샌디스크 미정

퓨어스토리지 마이크론 O

님블스토리지 삼성전자 O

카미나리오 삼성전자 O

자료 : 언론보도, IBK투자증권

3D NAND 올 플래시

스토리지 시장은 삼성이

사실상 100% 장악하고

있는 상황

인텔과 샌디스크가

주춤하는 사이 SSD

시장에서 삼성전자의

영향력은 더욱 높아지고

있다…

표 6. 전체 SSD 상위 15개 업체 (단위 : 천달러)

14 순위 15 순위 업체명 14 매출 15 매출 YoY (%) 14 M/S(%) 15 M/S(%)

1 1 Samsung 4,571,177 5,314,070 16.3 32.9 37.0

2 2 Intel 1,958,352 1,746,101 -10.8 14.1 12.2

3 3 SanDisk 1,914,523 1,349,322 -29.5 13.8 9.4

7 4 Western Digital 625,027 989,901 58.4 4.5 6.9

4 5 Micron Technology 861,062 791,176 -8.1 6.2 5.5

5 6 Toshiba 747,090 664,672 -11.0 5.4 4.6

8 7 Kingston Digital 461,330 526,352 14.1 3.3 3.7

6 8 Lite-On 698,441 520,291 -25.5 5.0 3.6

15 9 Hitachi 85,703 298,455 248.2 0.6 2.1

9 10 Google 275,700 210,179 NA NA 1.5

13 11 Huawei 99,291 183,277 84.6 0.7 1.3

14 12 Transcend 90,189 147,666 63.7 0.6 1.0

10 13 NetApp 193,219 127,792 -33.9 1.4 0.9

NA 14 SK hynix 70,347 99,282 NA NA 0.7

12 15 Apacer 100,114 89,252 NA NA 0.6

Others 1,135,631 1,309,590 15.3 8.2 9.1

Total 13,887,195 14,367,379 3.5 100.0 100.0

자료: 가트너

반도체/IT


3D NAND 한계?

삼성전자의 경우 2D 14나노 미만의 고정 개발에는 소극적이다. 이미 2D 원가를 앞서

는 3D 기술이 확보되었기 때문이다. 그러나, 3D NAND 기술을 안정화시키지 못한 타

경쟁업체들은 2D 미세화를 조금 더 진행할 가능성이 남아있다. 일단 QPT(Quadruple

Patterning Technology)를 통해 12나노/10나노까지 진행할 가능성은 열려 있는 듯

하다. 그러나, 그 이하의 미세공정까지 개발이 진행되기는 쉽지 않을 것으로 보인다.

그렇다면, 3D NAND는 그 한계가 없는 것일까에 대한 의문이 생긴다. 이론적으로야

200층이고, 300층이고 레이어를 구성할 수 있는 것으로 나타나고 있지만, 현실적으로

는 기술적인 어려움이 없을 수 없다.

기본적으로는 3D NAND의 비트당 코스트는 레이어 수(N)에 반비례 하는 것이 기본이

지만, 레이어 수가 증가하면서, 컨택트 수가 증가하고 이를 디코딩하기 위한 회로 영역

의 복잡도가 증가하게 된다. 그리고, 결국 RC 딜레이(Resistive-Capacitive Delay)를

낮추기 위한 부가 회로까지 구성되어져야 한다.

또한, 레이어 수가 증가할 수록 버티컬 채널 확보를 위한 에칭공정의 A/R(Aspect

Ratio) 부담이 크게 증가해 수율 등에 큰 변수가 된다. 그리고, 이같은 문제점들을 해

결하기 위한 팹 캐팩스도 증가할 가능성을 배제할 수 없는 것이다.

그림 18. 3D NAND Bit Cost

자료: IBM, Flash Memory Summit 2015

Flash Memory Summit 2015에서 발표된 IBM의 자료에 의하면 비트 코스트-레이어

의 최적점은 64~128단 사이의 어디 쯤으로 예측되고 있다. 그러나, DRAM 리소그래

피의 이론적 한계가 계속 극복되어져 왔던 것처럼 3D 레이어 한계도 얼마든지 극복될

가능성이 있다. 특히, 삼성전자는 이 같은 한계가 충분히 극복될 수 있다고 확신하고

있는 듯 하다. 그래서, 다른 업체들보다 훨씬 더 적극적으로 3D NAND 연구-개발 투

자에 집중했던 것으로 볼 수 있다.

IBM의 자료에 의하면

비트 코스트-레이어의

최적점은 64~128단

사이의 어디쯤인가로

예측되고 있으나, 기술

발전으로 이 같은 한계는

극복될 가능성은 열려

있다…

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │23

확대되는 3D NAND 투자

세계 경제 성장률의 하향조정과 불확실한 IT 수요로 반도체의 과잉재고가 순조롭게 해

소되고 있지는 않다. 그러나, 이 같은 매크로 불안요인에도 불구하고 리딩-엣지 테크

놀로지 전공정 투자는 크게 영향받지 않을 전망이다. 메모리 업황 부진으로 DRAM 투

자가 크게 줄어들 것으로 보이는 가운데, 3D NAND 관련 투자는 계속해서 증가세를

이어갈 것으로 예상된다.

삼성전자는 현재 12라인, 16라인, 그리고 중국 시안팹에서 NAND를 생산 중이다. 3D

NAND는 주로 시안팹에서 일부 2D NAND와 함께 생산 중이다. 화성 2단지 16라인은

월 20만장의 NAND 웨이퍼가 생산되는 NAND 메인팹이다.

여기에 세팅되어져 있는 일부 DRAM 장비가 올해 하반기 중 17라인 등 다른 곳으로

이전되고, 2D 생산라인을 3D 라인으로 전환하는 투자가 있을 것으로 추정된다. 17라

인은 현재 DRAM이 생산되고 있으나, 2단계 투자는 3D NAND로 추진될 전망이다.

또한, 평택 팹에서도 3D NAND가 생산될 가능성이 매우 높다. 3D NAND 관련 설비

투자는 올해 하반기는 물론 내년 이후로도 계속 이어질 것으로 기대된다.

청주 M 11과 M 12를 NAND 팹으로 운영 중인 SK하이닉스도 연말 또는 내년 이후

3D NAND 투자를 본격적으로 확대할 것으로 예상된다.

삼성 16라인의 3D 전환,

17라인 램프업, 내년 평택

라인 가동 등 3D NAND

투자가 크게 늘어날

전망이다.

표 7. 주요 NAND 팹 현황

회사명 라인명 월캐파(K) 코멘트

삼성전자 12라인 120

16라인 200 일부 DRAM 장비 이전후, 2D에서 3D 전환 예상

시안팹 100 2D, 3D 혼용

17라인 - Phase2, 3D NAND 램프업 예상 (시기는 미정)

P 1 - 내년 중반 이후 3D NAND 양산 시작할 것으로 전망

SK하이닉스 M 11 140

M 12 80

도시바 Fab 1 - 생산 중단

Fab 2 - 기존 Fab2 개조해 3D NAND 양산 준비중

Fab 3 160

Fab 4 210

Fab 5 120

마이크론 Fab 2 70 유타팹 (IMFT)

Fab 6 30 버지니아팹으로 DRAM, NAND 혼용 생산

Fab 10W 100 테크팹 Fab7 Fab10W로 이름 변경

Fab 10N 140 싱가폴 팹으로 2D NAND 양산중

Fab 10X - 3D NAND 캐파 140K까지 확대 예정


반도체/IT


도시바는 Fab2~Fab5 등 4개의 NAND 팹을 가동 중에 있다. 이중 Fab2는 기존 라인

을 업그레이드해 New Fab2로 이름을 바꾸고 3D NAND 양산을 준비 중에 있다. 또한,

Fab5 북동 쪽에도 새로운 신규 메가팹을 건설할 계획을 수립해 놓고 있다.

그림 19. 도시바의 요카이치 NAND 팹 현황

자료: Google, IBK투자증권

마이크론은 유타팹(Fab2)과 버지니아팹(Fab6)에서 NAND를 생산하고 있으나, 마이크

론의 NAND 메인 생산 시설은 싱가폴에 위치해 있다. 싱가폴의 Fab 10W와 Fab 10N

에서 NAND가 양산중에 있으며, Fab 10N 아래쪽으로 3D NAND 전용인 Fab 10X를

건설하고, 최대 월 14만장의 3D NAND 웨이퍼를 양산할 계획인 것으로 알려지고 있

다. Fab 10W는 과거 마이크론과 HP, 싱가폴 정부의 JV로 알려져 있던 테크팹을

DRAM에서 NAND 라인으로 전환한 것이다.

그림 20. 마이크론의 싱가폴 NAND 팹 현황

자료: Google, IBK투자증권

도시바는 New Fab2에서

3D 양산을 준비 중이며,

Fab6도 계획해 놓고 있다...

마이크론은 싱가폴의 Fab

10N 남서쪽에 3D NAND

전용인 Fab 10X를 가동할

계획이다...

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │25

한편, 3D NAND에서 크리티컬 공정을 제외한 레이어에는 최신의 193나노 스캐너가

아닌 248나노 파장 스태퍼가 계속 사용될 것으로 예상된다. 따라서, 리소그래피 장비

의 중요성이 상대적으로는 줄어들 전망이다.

반면, 3D의 멀티레이어 필름 증착과 계단형의 물리적 구조 형성을 위해서는 옥사이드,

나이트라이드, Hi-K, 탄탈륨 등의 미세 막질을 에칭하고, 제거하고, 필링하는 필링

/에칭 등의 증착과 에칭 공정에 대한 수요가 대폭 증가하게 된다.

그림 21. V-NAND 제조공정

b) Etch Holea) Deposit Layers c) Poly on Walls d) Fill with Oxide e) Etch Slits f) Remove Nitride

g) Tunnel Oxide h) Nitride Trap i) Hi-k Dielectric j) Tantalum Fill k) Etch Ta & Hi-k

자료: Jim Handy

결국, CVD와 ALD 같은 증착 장비와 에칭 장비에 대한 수요가 늘어나, 유진테크, 주

성엔지니어링, 원익IPS, 테스 등의 수혜가 예상된다. 그리고, CVD 쳄버 클리닝 가스

인 NF3를 양산공급하고 있는 SK머티리얼즈와 효성 등도 관련 분야의 실적 개선에 따

른 수혜가 예상된다.

CVD, 에칭 공정의 빈도

증가로 관련 장비 업체들과

클리닝 가스 업체들의

수혜가 예상된다...

반도체/IT


편집상 공백입니다.

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │27

기업명 투자의견 목표주가

삼성전자 (005930) 매수(유지) 1,650,000원

SK머티리얼즈 (036490) 매수(유지) 170,000원

유진테크 (084370) 매수(유지) 22,000원

주성엔지니어링 (036930) 매수(유지) 11,000원

Company Analysis

반도체/IT


매수 (유지) 삼성전자 (005930) 목표주가 1,650,000원 집중적 R&D의 결실이 맺어지기 시작

NAND의 수익성 반전 드라마

3D NAND 개발 부담으로 지난 3년간 수익성 측면에서 오히려 불리했던

것이 사실이다. 그러나, 3세대 V-NAND의 코스트가 2D 1Y 공정을 앞

지르기 시작하면서, 상황이 반전되었다. 메이저 스토리지 업체들의 V-

NAND 채택으로 삼성의 NAND는 다시 한번 호황 사이클에 들어섰다.

NAND 영업이익은 지난해 약 1.6조원에서 올해 약 3조원으로 증가하

고, 내년에도 추가 성장세가 이어질 것으로 전망된다.

스마트폰, TV, NAND, OLED 등 주요 제품 실적이 다 좋다

IM 사업부가 주요 경쟁사와는 차별화된 성적을 거둘 것으로 기대되는

가운데, V-NAND와 OLED도 그 동안의 연구개발 성과가 실적으로 이

어지고 있다. 따라서, 2분기 실적은 매출 50.8조원, 영업이익 7.8조원으

로 시장 컨센서스를 넘어설 것으로 기대된다. 2016년 연간 매출액은 전

년비 2% 증가한 203.7조원, 영업이익은 8% 증가한 28.5조원에 이를

것으로 전망된다.

잠재력 큰 분야에서의 차별화된 경쟁력

스마트폰과 PC 등 IT 수요의 불황기에도 V-NAND, OLED 등에 대한

연구개발 투자가 경쟁사들과는 차별화된 실적으로 나타나고 있다. 솔리

스 스테이트 스토리지와 플렉서블 OLED의 잠재력은 단기 스토리지는

아닐 것이다. 주가를 결정하는 변수가 너무 많지만, 삼성전자의 펀더멘

털은 시장이 생각하는 것보다 견고해 보인다. 투자의견 매수, 목표주가

165만원 및 IT 대형주 섹터 탑픽 의견을 유지한다.

현재가 (6/22) 1,445,000원 KOSPI (6/22) 1,992.58pt 시가총액 231,298십억원 발행주식수 164,033천주 액면가 5,000원 52주 최고가 1,448,000원 최저가 1,067,000원 60일 일평균거래대금 335십억원 외국인 지분율 50.6% 배당수익률 (2016F) 1.5% 주주구성 삼성물산 외 9 인 18.15% 국민연금 9.14% 주가상승률 1M 6M 12M 상대기준 11% 12% 16% 절대기준 14% 12% 13% 현재 직전 변동 투자의견 매수 매수 -

목표주가 1,650,000 1,650,000 -

EPS(15) 132,687 132,687 -

EPS(16) 117,574 117,574 -

삼성전자 상대주가 (%)

-25

-20

-15

-10

-5

0

5

10

15.2 15.8 16.2

삼성전자 to KOSPI(%)

(단위:십억원,배) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

매출액 206,206 200,653 203,740 199,054 221,265

영업이익 25,025 26,413 28,451 25,743 32,658

세전이익 27,875 25,961 30,023 26,940 34,369

지배주주순이익 23,082 18,695 21,846 19,358 24,709

EPS(원) 135,673 109,883 132,687 117,574 150,079

증가율(%) -22.6 -19.0 20.8 -11.4 27.6

영업이익률(%) 12.1 13.2 14.0 12.9 14.8

순이익률(%) 11.3 9.5 10.8 9.8 11.3

ROE(%) 15.1 11.2 13.1 11.1 14.0

PER 9.8 11.5 10.9 12.3 9.6

PBR 1.4 1.2 1.4 1.3 1.3

EV/EBITDA 4.1 3.4 3.8 3.8 3.3

자료: Company data, IBK투자증권 예상

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │29

표 8. 삼성전자 실적추정 요약

실적요약 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16 2Q16F 3Q16F 4Q16F 2014 2015 2016F 2017F 2018F

매출액 (조원) 47.12 48.54 51.68 53.32 49.78 50.77 51.19 52.00 206.21 200.65 203.74 199.05 221.26

Y/Y -12% -7% 9% 1% 6% 5% -1% -2% -10% -3% 2% -2% 11%

Q/Q -11% 3% 6% 3% -7% 2% 1% 2%

반도체 10.27 11.29 12.82 13.21 11.15 11.03 11.82 12.48 39.72 47.59 46.48 50.81 56.05

메모리 8.32 8.49 9.14 8.34 7.94 7.98 8.37 8.26 29.32 34.29 32.56 34.08 38.93

SLSI 1.79 2.66 3.49 4.64 3.05 2.90 3.28 4.02 9.71 12.58 13.24 16.03 16.41

DP 6.85 6.62 7.49 6.53 6.04 6.69 6.70 6.60 25.73 27.49 26.02 28.25 34.64

LCD 3.66 3.84 3.90 3.25 2.46 2.52 2.72 2.54 15.12 14.64 10.24 9.12 8.11

OLED 3.19 2.79 3.59 3.28 3.58 4.17 3.98 4.06 10.61 12.85 15.79 19.13 26.53

IM 25.89 26.06 26.61 25.00 27.60 26.35 26.93 25.15 111.76 103.55 106.04 96.62 110.61

무선 24.99 25.50 25.94 24.08 26.94 25.68 26.23 24.23 107.41 100.51 103.07 93.50 107.47

NW/기타 0.90 0.56 0.67 0.92 0.66 0.67 0.71 0.92 4.35 3.05 2.96 3.12 3.14

CE 10.26 11.20 11.59 13.85 10.62 12.50 11.95 14.24 50.19 46.90 49.31 48.36 47.90

VD 6.22 6.66 6.97 9.37 6.42 7.10 7.48 9.74 32.45 29.22 30.74 29.67 28.98

가전/기타 3.26 4.14 4.01 3.91 3.64 4.78 3.85 3.83 15.40 15.32 16.10 18.69 18.92

기타 -6.15 -6.63 -6.83 -5.27 -5.63 -5.80 -6.21 -6.47 -21.20 -24.88 -24.10 -24.98 -27.94

영업이익 (조원) 5.98 6.90 7.39 6.14 6.68 7.79 7.31 6.68 25.03 26.41 28.46 25.74 32.66

Y/Y -30% -4% 82% 16% 12% 13% -1% 9% -32% 6% 8% -10% 27%

Q/Q 13% 15% 7% -17% 9% 17% -6% -9%

반도체 2.93 3.40 3.66 2.80 2.63 2.49 2.70 2.60 8.78 12.79 10.42 9.73 12.35

메모리 3.05 3.28 3.48 2.57 2.48 2.38 2.50 2.30 9.91 12.38 9.66 8.61 11.03

SLSI -0.10 0.13 0.22 0.25 0.15 0.11 0.20 0.30 -1.13 0.50 0.76 1.12 1.31

DP 0.52 0.54 0.93 0.30 -0.27 0.23 0.61 0.61 0.67 2.29 1.18 2.62 3.99

LCD 0.25 0.47 0.43 -0.06 -0.66 -0.41 0.04 0.05 0.30 1.08 -0.97 0.10 0.14

OLED 0.27 0.07 0.50 0.36 0.39 0.64 0.57 0.56 0.38 1.21 2.15 2.52 3.85

IM 2.74 2.76 2.40 2.23 3.89 4.29 3.51 2.87 14.56 10.13 14.56 11.67 14.98

무선 2.71 2.81 2.35 2.15 3.83 4.27 3.46 2.85 14.53 10.02 14.41 11.59 14.90

NW/기타 0.03 -0.05 0.05 0.08 0.06 0.02 0.05 0.02 0.03 0.11 0.15 0.08 0.08

CE -0.14 0.21 0.36 0.82 0.51 0.80 0.51 0.63 1.19 1.25 2.45 1.81 1.38

VD -0.10 0.16 0.26 0.68 0.42 0.51 0.35 0.50 1.20 1.00 1.78 1.33 1.10

가전/기타 -0.04 0.05 0.10 0.14 0.09 0.28 0.16 0.13 -0.01 0.25 0.66 0.48 0.28

기타 -0.07 -0.01 0.04 -0.01 -0.08 -0.02 -0.01 -0.04 -0.17 -0.06 -0.15 -0.09 -0.05

영업이익률 12.7% 14.2% 14.3% 11.5% 13.4% 15.3% 14.3% 12.8% 12.1% 13.2% 14.0% 12.9% 14.8%

반도체 28.6% 30.1% 28.6% 21.2% 23.6% 22.6% 22.8% 20.9% 22.1% 26.9% 22.4% 19.2% 22.0%

메모리 36.7% 38.6% 38.0% 30.8% 31.3% 29.8% 29.9% 27.9% 33.8% 36.1% 29.7% 25.3% 28.3%

SLSI -5.5% 4.9% 6.3% 5.4% 5.0% 3.8% 6.0% 7.5% -11.6% 4.0% 5.7% 7.0% 8.0%

DP 7.6% 8.2% 12.5% 4.6% -4.5% 3.5% 9.0% 9.3% 2.6% 8.3% 4.5% 9.3% 11.5%

LCD 6.7% 12.2% 11.1% -2.0% -26.7% -16.1% 1.5% 2.1% 2.0% 7.4% -9.5% 1.1% 1.8%

OLED 8.6% 2.6% 14.0% 11.1% 10.8% 15.3% 14.2% 13.8% 3.5% 9.4% 13.6% 13.2% 14.5%

IM 10.6% 10.6% 9.0% 8.9% 14.1% 16.3% 13.0% 11.4% 13.0% 9.8% 13.7% 12.1% 13.5%

무선 10.8% 11.0% 9.1% 8.9% 14.2% 16.6% 13.2% 11.8% 13.5% 10.0% 14.0% 12.4% 13.9%

NW/기타 3.6% -9.4% 7.4% 8.6% 8.6% 3.4% 6.5% 2.4% 0.7% 3.6% 5.0% 2.6% 2.6%

CE -1.4% 1.9% 3.1% 5.9% 4.8% 6.4% 4.3% 4.4% 2.4% 2.7% 5.0% 3.7% 2.9%

VD -1.6% 2.5% 3.7% 7.2% 6.5% 7.3% 4.7% 5.2% 3.7% 3.4% 5.8% 4.5% 3.8%

가전/기타 -1.3% 1.1% 2.6% 3.6% 2.5% 5.9% 4.2% 3.4% -0.1% 1.6% 4.1% 2.6% 1.5%

영업외손익 0.24 0.73 0.00 -1.42 0.45 0.35 0.30 0.48 2.85 -0.45 1.57 1.20 1.71

세전이익 6.22 7.63 7.39 4.72 7.12 8.13 7.61 7.16 27.88 25.96 30.02 26.94 34.37

순이익 4.63 5.75 5.46 3.22 5.25 5.98 5.48 5.25 23.39 19.06 21.97 19.60 24.89

지배주주순이익 4.52 5.63 5.31 3.24 5.26 5.89 5.45 5.24 23.08 18.69 21.85 19.36 24.71

EPS 135,673 109,883 132,687 117,574 150,079


반도체/IT


포괄손익계산서 재무상태표

(십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F (십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

매출액 206,206 200,653 203,740 199,054 221,265 유동자산 115,146 124,815 113,061 117,608 124,865

증가율(%) -9.8 -2.7 1.5 -2.3 11.2 현금및현금성자산 16,841 22,637 22,491 23,787 25,277

매출원가 128,279 123,482 121,913 122,601 132,370 유가증권 41,690 44,229 33,362 36,803 34,741

매출총이익 77,927 77,171 81,827 76,453 88,895 매출채권 24,695 25,168 26,305 26,372 30,128

매출총이익률 (%) 37.8 38.5 40.2 38.4 40.2 재고자산 17,318 18,812 19,677 19,947 22,925

판관비 52,902 50,758 53,376 50,710 56,236 비유동자산 115,277 117,365 125,186 125,148 126,039

판관비율(%) 25.7 25.3 26.2 25.5 25.4 유형자산 80,873 86,477 90,615 88,704 85,922

영업이익 25,025 26,413 28,451 25,743 32,658 무형자산 4,785 5,396 5,781 6,184 6,551

증가율(%) -32.0 5.5 7.7 -9.5 26.9 투자자산 17,900 13,609 15,297 15,602 17,086

영업이익률(%) 12.1 13.2 14.0 12.9 14.8 자산총계 230,423 242,180 238,247 242,757 250,904

순금융손익 966 483 514 614 925 유동부채 52,014 50,503 47,908 49,650 52,824

이자손익 1,240 985 1,075 1,146 1,471 매입채무및기타채무 7,915 6,187 7,527 6,746 7,836

기타 -275 -502 -561 -531 -546 단기차입금 8,029 11,155 8,827 8,209 7,634

기타영업외손익 1,542 -2,037 734 321 517 유동성장기부채 1,779 222 216 197 186

종속/관계기업손익 343 1,102 324 262 269 비유동부채 10,321 12,617 12,533 11,752 11,430

세전이익 27,875 25,961 30,023 26,940 34,369 사채 1,356 1,230 913 941 969

법인세 4,481 6,901 8,052 7,337 9,475 장기차입금 24 194 349 332 315

법인세율 16.1 26.6 26.8 27.2 27.6 부채총계 62,335 63,120 60,442 61,402 64,254

계속사업이익 23,394 19,060 21,971 19,603 24,894 지배주주지분 162,182 172,877 171,614 175,241 180,571

중단사업손익 0 0 0 0 0 자본금 898 898 898 898 898

당기순이익 23,394 19,060 21,971 19,603 24,894 자본잉여금 4,404 4,404 4,404 4,404 4,404

증가율(%) -23.2 -18.5 15.3 -10.8 27.0 자본조정등 -8,495 -13,592 -15,043 -15,043 -15,043

당기순이익률 (%) 11.3 9.5 10.8 9.8 11.3 기타포괄이익누계액 -4,154 -3,965 -4,545 -4,255 -4,400

지배주주당기순이익 23,082 18,695 21,846 19,358 24,709 이익잉여금 169,530 185,132 185,901 189,238 194,713

기타포괄이익 -1,993 76 -574 -249 -412 비지배주주지분 5,906 6,183 6,045 6,114 6,079

총포괄이익 21,401 19,136 21,397 47,699 53,629 자본총계 168,088 179,060 177,805 181,355 186,650

EBITDA 43,078 47,344 50,656 48,552 56,461 비이자부채 51,069 50,246 50,137 51,724 55,150

증가율(%) -19.1 9.9 7.0 -4.2 16.3 총차입금 11,266 12,874 10,305 9,678 9,104

EBITDA마진율(%) 20.9 23.6 24.9 24.4 25.5 순차입금 -47,265 -53,992 -45,547 -50,912 -50,914

투자지표 현금흐름표

(12월 결산) 2014 2015 2016F 2017F 2018F (십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

주당지표(원) 영업활동 현금흐름 36,975 40,062 41,177 31,632 32,742

EPS 135,673 109,883 132,687 117,574 150,079 당기순이익 23,394 19,060 21,971 19,603 24,894

BPS 953,266 1,016,129 1,068,209 1,089,857 1,123,003 비현금성 비용 및 수익 22,324 29,611 22,139 14,371 13,374

DPS 20,000 21,000 21,000 23,000 23,000 유형자산감가상각비 16,910 19,663 20,846 21,470 22,427

밸류에이션(배) 무형자산상각비 1,143 1,268 1,358 1,339 1,376

PER 9.8 11.5 10.9 12.3 9.6 운전자본변동 -3,837 -4,682 -4,322 -4,119 -8,643

PBR 1.4 1.2 1.4 1.3 1.3 매출채권등의 감소 -177 208 -672 -68 -3,755

EV/EBITDA 4.1 3.4 3.8 3.8 3.3 재고자산의 감소 267 -2,616 -1,207 -270 -2,978

성장성지표(%) 매입채무등의 증가 -266 -1,871 508 -781 1,091

매출증가율 -9.8 -2.7 1.5 -2.3 11.2 기타 영업현금흐름 -4,906 -3,927 1,389 1,777 3,116

EPS증가율 -22.6 -19.0 20.8 -11.4 27.6 투자활동 현금흐름 -32,806 -27,168 -29,771 -22,774 -23,461

수익성지표(%) 유형자산의 증가(CAPEX) -22,043 -25,880 -26,200 -20,000 -20,000

배당수익률 1.5 1.7 1.5 1.8 1.7 유형자산의 감소 386 357 0 0 0

ROE 15.1 11.2 13.1 11.1 14.0 무형자산의 감소(증가) -1,293 -1,501 0 0 0

ROA 10.5 8.1 9.1 8.2 10.1 투자자산의 감소(증가) -7,869 3,975 0 0 0

ROIC 25.1 18.9 19.9 17.4 22.3 기타 -1,988 -4,119 -3,571 -2,774 -3,461

안정성지표(%) 재무활동 현금흐름 -3,057 -6,574 -11,642 -7,552 -7,791

부채비율(%) 37.1 35.3 34.0 33.9 34.4 차입금의 증가(감소) 0 0 156 -17 -17

순차입금 비율(%) -28.1 -30.2 -25.6 -28.1 -27.3 자본의 증가 0 0 0 0 0

이자보상배율(배) 42.2 34.0 43.8 42.9 63.8 기타 -3,057 -6,574 -11,797 -7,535 -7,774

활동성지표(배) 기타 및 조정 -556 -524 91 -10 0

매출채권회전율 8.3 8.0 8.0 7.7 7.8 현금의 증가 556 5,796 -146 1,296 1,490

재고자산회전율 11.3 11.1 11.0 10.3 10.4 기초현금 16,285 16,841 22,637 22,491 23,787

총자산회전율 0.9 0.8 0.9 0.8 0.9 기말현금 16,841 22,637 22,491 23,787 25,277

*주당지표 및 밸류에이션은 지배주주순익 및 지배주주지분 기준

이승우 6915-5771

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매수 (유지) SK머티리얼즈 (036490) 목표주가 170,000원 산업 상황도 비즈니스 전략도 양호

NF3 관련 일부의 우려는 과도

NF3의 수급이 지난해 하반기 만큼의 타이트한 상황은 아니라 할지라도

일부에서 우려하는 가격급락을 야기할만큼 공급과잉 가능성은 희박한 것

으로 판단된다. 3D NAND와 OLED 투자 증가로 NF3의 수요가 공급

증가분을 충분히 흡수할 것으로 예상된다. SK그룹으로의 편입과 효성의

NF3 증설로 인한 삼성전자 내 점유율 하락에 대한 걱정도 과도하며, 대

성산업가스의 중국 내 NF3 생산도 시장에 별다른 변수가 되지는 못할

전망이다.

NF3 이외 사업도 양호

NF3 이외에 모노실란과 다이실란, WF6의 상황도 긍정적이다. SK에어

가스가 실적에 반영되어 2분기 매출액은 1,202억원으로 1분기 대비

23% 증가할 것으로 보인다. 영업이익은 395억원을 예상한다. 올해 연간

연결 실적은 매출액 4,796억원, 영업이익 1,575억원, 순이익 1,128억원

으로 각각 전년비 42%, 40%, 71% 증가할 것으로 전망한다.

목표주가 17만원, 투자의견 매수 유지

SK에어가스 인수와 반도체 프리커서 생산업체인 SK트리켐 설립으로 지

난해 3,380억원이었던 매출액이 2018년 6,000억원, 2020년 7,000억원

수준에 이를 전망이다. 과거 일부 업체들이 프리커서 시장에서 기대 이

하의 성적표를 받아 들었지만, SK트리켐은 고객이 사실상 확보된 상황

에서 생산과 판매가 이루어질 것이므로 기존 타업체들이 보여준 것과는

다른 형태의 실적 궤적이 예상된다. 목표주가 17만원(타겟 P/E 16배)과

투자의견 매수를 유지한다.

현재가 (6/22) 119,200원 KOSDAQ (6/22) 688.18pt 시가총액 1,257십억원 발행주식수 10,548천주 액면가 500원 52주 최고가 143,200원 최저가 80,700원 60일 일평균거래대금 9십억원 외국인 지분율 13.0% 배당수익률 (2016F) 2.5% 주주구성 SK 외 2 인 49.14% 주가상승률 1M 6M 12M 상대기준 10% 6% -2% 절대기준 10% 9% -8% 현재 직전 변동 투자의견 매수 매수 -

목표주가 170,000 170,000 -

EPS(15) 10,477 10,503 ▼

EPS(16) 11,322 11,282 ▲

SK머티리얼즈 상대주가 (%)

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

5

10

15.6 15.12 16.6

SK머티리얼즈 to KOSDAQ(%)

(단위:십억원,배) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

매출액 212 338 480 571 600

영업이익 26 113 158 179 181

세전이익 17 88 151 164 171

당기순이익 14 66 113 122 127

EPS(원) 1,289 6,270 10,477 11,322 11,763

증가율(%) 3,765.1 386.3 67.1 8.1 3.9

영업이익률(%) 12.5 33.4 32.9 31.4 30.3

순이익률(%) 6.4 19.6 23.5 21.4 21.2

ROE(%) 4.3 18.9 30.4 29.1 27.8

PER 39.7 18.6 11.4 10.5 10.1

PBR 1.7 3.3 3.1 2.8 2.6

EV/EBITDA 9.7 8.2 6.4 5.2 5.0


반도체/IT


표 9. SK머티리얼즈 분기 및 연간 실적 전망

(십억원) 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16 2014 2015 2016 2017 2018

연결매출액 75.2 75.3 90.6 96.9 97.3 120.2 128.3 133.9 211.7 338.0 479.6 571.2 599.5

SK머티리얼즈 75.2 75.3 90.6 96.9 97.3 98.5 103.5 107.2 211.7 338.0 406.4 438.1 435.2

NF3 57.1 57.5 70.4 75.8 72.7 74.1 77.1 80.7 173.1 260.8 304.5 324.0 313.0

+) 기타 18.1 17.8 20.2 21.1 24.6 24.4 26.4 26.5 38.6 77.2 101.9 114.1 122.1

SK에어가스 20.0 21.7 24.8 26.7 63.9 79.2 93.2 108.1 124.3

SK트리켐 - - - - - - - - - - - 25.0 40.0

영업이익 21.7 22.4 32.5 36.2 34.4 39.5 41.2 42.5 26.4 112.8 157.6 179.2 181.4

OPM 28.9% 29.8% 35.8% 37.3% 35.4% 32.9% 32.1% 31.7% 12.5% 33.4% 32.9% 31.4% 30.3%

세전이익 20.1 21.2 28.5 18.1 32.9 38.5 40.1 39.1 17.4 87.9 150.7 164.1 171.3

영업외손익 -1.6 -1.3 -4.0 -18.1 -1.5 -0.9 -1.1 -3.4 -9.0 -24.9 -6.9 -15.1 -10.1

순이익 15.7 16.8 21.5 12.1 24.5 29.7 30.1 28.5 13.6 66.2 112.8 122.4 127.1

NPM 20.9% 22.4% 23.7% 12.5% 25.2% 24.7% 23.4% 21.3% 6.4% 19.6% 23.5% 21.4% 21.2%

지배순이익 15.7 16.8 21.5 12.1 24.5 28.9 29.3 27.8 13.6 66.1 110.5 119.4 124.1

EPS (원) 1,289 6,270 10,477 11,322 11,763

BPS (원) 30,604 35,670 38,219 42,182 46,371

YoY

매출액 72% 57% 57% 56% 30% 60% 42% 38% 11% 60% 42% 19% 5%

영업이익 1892% 369% 395% 159% 59% 76% 27% 17% 265% 328% 40% 14% 1%

순이익 NA 648% 306% 57% 56% 76% 40% 136% 3786% 386% 71% 8% 4%

QoQ

매출액 21% 0% 20% 7% 0% 23% 7% 4%

영업이익 56% 3% 45% 11% -5% 15% 4% 3%

순이익 104% 7% 28% -44% 102% 21% 1% -5%

주 : SK에어가스는 2분기부터 연결 실적에 포함


이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │33


(십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F (십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

매출액 212 338 480 571 600 유동자산 119 165 207 272 304

증가율(%) 10.8 59.7 41.9 19.1 5.0 현금및현금성자산 18 41 47 81 98

매출원가 164 199 284 348 372 유가증권 0 0 0 0 0

매출총이익 48 139 195 223 227 매출채권 33 54 64 75 79

매출총이익률 (%) 22.6 41.1 40.7 39.0 37.9 재고자산 46 58 74 93 100

판관비 21 26 38 44 46 비유동자산 471 500 585 553 547

판관비율(%) 10.1 7.8 7.9 7.7 7.6 유형자산 450 480 561 529 520

영업이익 26 113 158 179 181 무형자산 3 3 3 3 3

증가율(%) 265.0 327.5 39.6 13.7 1.3 투자자산 2 0 0 0 0

영업이익률(%) 12.5 33.4 32.9 31.4 30.3 자산총계 590 665 791 825 851

순금융손익 -10 -16 -5 -10 -7 유동부채 105 145 198 221 229

이자손익 -9 -7 -6 -6 -5 매입채무및기타채무 13 13 17 21 22

기타 -1 -10 1 -4 -2 단기차입금 18 22 28 27 25

기타영업외손익 1 -8 -2 -5 -3 유동성장기부채 45 43 49 48 43

종속/관계기업손익 -1 0 0 0 0 비유동부채 161 144 190 159 132

세전이익 17 88 151 164 171 사채 90 50 55 54 48

법인세 4 22 38 42 44 장기차입금 67 77 108 83 58

법인세율 21.9 24.8 25.1 25.5 25.8 부채총계 267 289 388 380 361

계속사업이익 14 66 113 122 127 지배주주지분 323 376 403 445 489

중단사업손익 0 0 0 0 0 자본금 5 5 5 5 5

당기순이익 14 66 113 122 127 자본잉여금 68 68 68 68 68

증가율(%) 3,766.1 386.4 70.5 8.5 3.9 자본조정등 0 0 0 0 0

당기순이익률 (%) 6.4 19.6 23.5 21.4 21.2 기타포괄이익누계액 1 2 2 2 2

지배주주당기순이익 14 66 111 119 124 이익잉여금 249 301 328 370 414

기타포괄이익 -2 -2 -4 -3 -3 비지배주주지분 0 0 0 0 0

총포괄이익 11 64 109 139 183 자본총계 323 376 403 445 489

EBITDA 76 169 227 266 266 비이자부채 47 96 149 168 187

증가율(%) 22.0 120.8 35.0 16.8 0.2 총차입금 220 193 239 212 174

EBITDA마진율(%) 36.1 49.9 47.4 46.5 44.4 순차입금 202 151 192 131 76


(12월 결산) 2014 2015 2016F 2017F 2018F (십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

주당지표(원) 영업활동 현금흐름 54 150 89 150 166

EPS 1,289 6,270 10,477 11,322 11,763 당기순이익 14 66 113 122 127

BPS 30,604 35,670 38,220 42,182 46,371 비현금성 비용 및 수익 69 105 -3 59 54

DPS 1,000 2,560 3,000 3,000 3,000 유형자산감가상각비 49 55 69 86 84

밸류에이션(배) 무형자산상각비 1 1 1 1 1

PER 39.7 18.6 11.4 10.5 10.1 운전자본변동 -18 -10 -16 -26 -10

PBR 1.7 3.3 3.1 2.8 2.6 매출채권등의 감소 0 0 -11 -11 -4

EV/EBITDA 9.7 8.2 6.4 5.2 5.0 재고자산의 감소 2 -12 -15 -19 -6

성장성지표(%) 매입채무등의 증가 0 0 5 4 0

매출증가율 10.8 59.7 41.9 19.1 5.0 기타 영업현금흐름 -10 -11 -6 -6 -5

EPS증가율 3,765.1 386.3 67.1 8.1 3.9 투자활동 현금흐름 -26 -83 -103 -58 -79

수익성지표(%) 유형자산의 증가(CAPEX) -31 -87 -102 -60 -80

배당수익률 2.0 2.2 2.5 2.6 2.5 유형자산의 감소 12 0 0 0 0

ROE 4.3 18.9 30.4 29.1 27.8 무형자산의 감소(증가) 0 -1 0 0 0

ROA 2.3 10.5 15.5 15.1 15.2 투자자산의 감소(증가) 0 -2 0 0 0

ROIC 2.6 12.8 20.0 20.7 22.2 기타 -6 6 0 2 1

안정성지표(%) 재무활동 현금흐름 -29 -43 20 -59 -70

부채비율(%) 82.7 76.7 96.3 85.4 73.9 차입금의 증가(감소) -16 15 30 -25 -25

순차입금 비율(%) 62.5 40.2 47.7 29.4 15.4 자본의 증가 0 0 0 0 0

이자보상배율(배) 2.8 15.7 24.0 27.3 27.6 기타 -13 -58 -11 -34 -45

활동성지표(배) 기타 및 조정 0 0 -1 1 0

매출채권회전율 7.8 7.7 9.9 8.9 8.4 현금의 증가 0 24 5 34 18

재고자산회전율 4.7 6.5 8.0 7.6 6.9 기초현금 18 18 42 47 81

총자산회전율 0.4 0.5 0.7 0.8 0.7 기말현금 18 41 47 81 98


반도체/IT


매수 (유지) 유진테크 (084370) 목표주가 22,000원 하반기도 나쁘지 않고, 내년도 괜찮다

실적 및 목표주가 상향조정

그러나, 삼성전자의 V-NAND 투자가 당초 예상보다 증가할 것으로 보

여, 유진테크의 올해~내년 실적 전망치를 조정한다. 2016년 매출액과

영업이익, 순이익 전망치를 1,515억원, 382억원, 346억원으로 종전대비

각각 23%, 13%, 12% 높이고, 2017년 실적 추정치도 상향한다. 이를 반

영해 목표주가도 22,000원( 16년 기준 P/E 14배)으로 종전대비 10% 상

향한다.

2분기 실적, 매출 410억원, 영업이익 112억원으로 양호

무엇보다 삼성전자 16라인 2D NAND의 3D 전환과 17라인의 2단계 투

자, 그리고 평택 팹 투자로 올해 하반기~내년 NAND 관련 플라즈마 트

리트먼트 장비 수주가 증가할 것이다. 또한, NAND 이외에 DRAM에서

도 SK하이닉스의 20나노와 삼성전자의 18나노 공정에 유진테크의 LP

CVD가 채택되어 관련 수주가 이어질 전망이다. 2분기 실적은 매출 410

억원, 영업이익 112억원을 예상한다.

우려는 단기적인 반면, 실적 호전은 중장기적

1분기 실적의 극적인 호전에도 불구하고 하반기 수주 둔화에 대한 우려

가 주가에 부담 요인으로 작용한 측면이 있다. 그러나, 그에 대한 일각

의 우려는 단기적이면서도 과도했다. 여전히 하반기 실적이 상반기보다

는 둔화될 것으로 보이기는 하다. 그러나 SK하이닉스가 M14 2단계 투

자를 3D NAND로 결정할 것으로 보여, 유진테크의 연간 실적의 상승

잠재력은 커 확대될 가능성이 커 보인다.

현재가 (6/22) 16,300원 KOSDAQ (6/22) 688.18pt 시가총액 374십억원 발행주식수 22,916천주 액면가 500원 52주 최고가 17,581원 최저가 10,940원 60일 일평균거래대금 3십억원 외국인 지분율 20.0% 배당수익률 (2016F) 1.5% 주주구성 엄평용 외 15 인 37.99% 주가상승률 1M 6M 12M 상대기준 16% 26% -1% 절대기준 17% 31% -7% 현재 직전 변동 투자의견 매수 매수 -

목표주가 22,000 20,000 ▲

EPS(15) 1,568 1,400 ▲

EPS(16) 1,750 1,566 ▲

유진테크 상대주가 (%)

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

15.6 15.12 16.6

유진테크 to KOSDAQ(%)

(단위:십억원,배) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

매출액 78 95 152 173 178

영업이익 12 19 38 44 43

세전이익 16 21 42 48 47

당기순이익 15 20 35 39 38

EPS(원) 678 892 1,568 1,750 1,727

증가율(%) -59.5 31.6 75.7 11.7 -1.3

영업이익률(%) 15.7 19.6 25.2 25.5 24.4

순이익률(%) 19.1 21.2 22.8 22.4 21.5

ROE(%) 9.4 11.5 19.2 20.3 19.1

PER 23.8 14.6 10.6 9.5 9.6

PBR 2.1 1.6 1.9 1.8 1.8

EV/EBITDA 16.2 7.1 3.4 2.6 2.6


이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │35

2분기 매출 확정적인

수주 내용이 예상보다 많다 표 10. 2016년 수주 관련 공시 요약

수주일자 고객 금액(백만원) 계약종료일

1/18 삼성전자 (시안) 3,147 ~2/29

1/29 SK하이닉스 20,930 ~3/1

2/15 삼성전자 3,960 ~6/30

3/29 SK하이닉스 11,420 ~5/20

5/10 삼성전자 20,947 ~5/31

5/23 삼성전자 5,940 ~8/15

6/20 SK하이닉스 6,520 ~7/11

자료: Dart, IBK투자증권

표 11. 유진테크 분기 및 연간 실적 전망

(십억원) 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16 2014 2015 2016 2017 2018

매출액 16.8 31.8 32.9 13.2 54.0 41.0 31.1 25.4 78.4 94.7 151.5 172.8 177.5

LPCVD 12.3 8.3 14.6 1.6 23.7 6.0 6.5 11.4 58.2 36.8 47.6 54.0 54.0

플라즈마 3.2 21.3 15.1 8.3 27.7 32.4 21.2 10.0 7.9 47.9 91.3 92.0 80.0

기타장비 - - - - - - - - - - - 12.0 27.0

파츠/자회사 1.3 2.2 3.2 3.3 2.7 2.6 3.4 4.0 12.3 10.0 12.7 14.8 16.5

영업이익 2.4 7.7 8.7 0.2- 14.9 11.2 7.6 4.5 12.3 18.6 38.2 44.1 43.2

OPM 14.5% 24.2% 26.4% -1.8% 27.6% 27.3% 24.3% 17.7% 15.7% 19.6% 25.2% 25.5% 24.4%

세전이익 4.3 8.3 9.7 -1.3 15.5 12.2 8.5 5.4 15.8 20.9 41.7 47.5 47.1

영업외손익 1.8 0.6 1.0 -1.0 0.6 1.0 1.0 0.9 3.4 2.3 3.5 3.5 3.9

순이익 3.6 6.7 7.6 2.2 12.0 10.5 7.6 4.5 15.0 20.1 34.6 38.7 38.2

NPM 22% 21% 23% 16% 22% 26% 24% 18% 19% 21% 23% 22% 22%

지배순이익 3.7 6.8 7.7 2.2 12.1 10.7 7.7 4.6 15.5 19.8 35.1 39.2 38.6

EPS (원) 715 914 1,568 1,750 1,727

BPS (원) 7,924 8,164 8,660 9,053 9,454

매출비중

LPCVD 73% 26% 44% 12% 44% 15% 21% 45% 74% 39% 31% 31% 30%

플라즈마 19% 67% 46% 63% 51% 79% 68% 39% 10% 51% 60% 53% 45%

기타장비 0% 0% 0% 0% 0% 0% 0% 0% 0% 0% 0% 7%

파츠/자회사 8% 7% 10% 25% 5% 6% 11% 16% 16% 11% 8% 9% 9%

YoY

매출액 -60% 188% 204% -12% 222% 29% -5% 92% -26% 21% 60% 14% 3%

영업이익 -79% 912% 3115% NA 511% 46% -13% NA -60% 51% 105% 16% 0%

순이익 -59% 366% 265% -19% 230% 56% 0% 111% -61% 35% 72% 12% -13%

QoQ

매출액 12% 89% 4% -60% 309% -24% -24% -18%

영업이익 NA 215% 13% NA NA -25% -32% -40%

순이익 36% 85% 14% -72% 456% -12% -28% -40%


반도체/IT



(십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F (십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

매출액 78 95 152 173 178 유동자산 142 150 177 180 190

증가율(%) -26.3 20.8 60.1 14.0 2.7 현금및현금성자산 32 43 148 153 150

매출원가 41 50 74 82 87 유가증권 89 91 96 104 112

매출총이익 37 44 77 91 91 매출채권 12 1 13 9 13

매출총이익률 (%) 47.5 46.9 51.0 52.7 51.1 재고자산 7 8 9 13 13

판관비 25 26 39 47 47 비유동자산 49 52 59 63 67

판관비율(%) 31.8 27.3 25.8 27.2 26.8 유형자산 36 37 43 45 48

영업이익 12 19 38 44 43 무형자산 9 10 12 13 14

증가율(%) -59.5 50.6 105.4 15.5 -1.9 투자자산 2 3 3 3 3

영업이익률(%) 15.7 19.6 25.2 25.5 24.4 자산총계 191 202 236 243 257

순금융손익 3 2 3 3 4 유동부채 16 16 38 37 42

이자손익 3 2 3 3 4 매입채무및기타채무 7 9 14 16 17

기타 0 0 0 0 0 단기차입금 0 0 0 0 0

기타영업외손익 1 0 0 0 0 유동성장기부채 0 0 0 0 0

종속/관계기업손익 0 0 0 0 0 비유동부채 1 2 3 2 3

세전이익 16 21 42 48 47 사채 0 0 0 0 0

법인세 1 1 7 9 9 장기차입금 0 0 0 0 0

법인세율 5.0 3.7 17.0 18.5 19.0 부채총계 18 18 41 39 45

계속사업이익 15 20 35 39 38 지배주주지분 172 183 194 203 211

중단사업손익 0 0 0 0 0 자본금 11 11 11 11 11

당기순이익 15 20 35 39 38 자본잉여금 5 4 4 4 4

증가율(%) -60.5 34.5 72.0 12.0 -1.4 자본조정등 -2 -9 -9 -9 -9

당기순이익률 (%) 19.1 21.2 22.8 22.4 21.5 기타포괄이익누계액 0 0 0 0 0

지배주주당기순이익 16 20 35 39 39 이익잉여금 159 176 187 196 205

기타포괄이익 -1 0 0 0 0 비지배주주지분 1 1 1 1 1

총포괄이익 14 20 34 44 62 자본총계 173 184 195 204 213

EBITDA 14 22 41 47 46 비이자부채 17 18 41 39 45

증가율(%) -54.9 56.1 82.2 16.5 -2.3 총차입금 0 0 0 0 0

EBITDA마진율(%) 18.2 23.5 26.8 27.3 26.0 순차입금 -121 -134 -244 -257 -263


(12월 결산) 2014 2015 2016F 2017F 2018F (십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

주당지표(원) 영업활동 현금흐름 10 36 48 45 49

EPS 678 892 1,568 1,750 1,727 당기순이익 15 20 35 39 38

BPS 7,512 7,970 8,661 9,053 9,454 비현금성 비용 및 수익 4 7 18 1 9

DPS 150 200 250 300 300 유형자산감가상각비 2 2 2 2 2


PER 23.8 14.6 10.6 9.5 9.6 운전자본변동 -8 6 -8 2 -3

PBR 2.1 1.6 1.9 1.8 1.8 매출채권등의 감소 6 11 -15 4 -4

EV/EBITDA 16.2 7.1 3.4 2.6 2.6 재고자산의 감소 2 -1 -1 -4 1

성장성지표(%) 매입채무등의 증가 -11 1 11 2 1

매출증가율 -26.3 20.8 60.1 14.0 2.7 기타 영업현금흐름 -1 2 3 3 4

EPS증가율 -59.5 31.6 75.7 11.7 -1.3 투자활동 현금흐름 -20 -15 -35 -35 -44


배당수익률 1.0 1.5 1.5 2.3 1.8 유형자산의 감소 0 0 0 0 0

ROE 9.4 11.5 19.2 20.3 19.1 무형자산의 감소(증가) -5 -5 0 0 0

ROA 7.7 10.2 15.8 16.2 15.3 투자자산의 감소(증가) 0 0 0 0 0

ROIC 34.7 43.7 -863.1 -72.7 -70.1 기타 -10 -7 -30 -31 -40

안정성지표(%) 재무활동 현금흐름 -3 -10 -4 -5 -6

부채비율(%) 10.3 9.6 20.9 19.1 21.1 차입금의 증가(감소) 0 0 0 0 0

순차입금 비율(%) -69.9 -72.6 -125.3 -126.1 -123.6 자본의 증가 0 1 0 0 0

이자보상배율(배) 6,631.3 32,751.3 0.0 0.0 0.0 기타 -3 -10 -4 -5 -6

활동성지표(배) 기타 및 조정 0 0 0 0 0

매출채권회전율 5.3 14.4 12.0 32.7 13.4 현금의 증가 -12 11 9 5 -2

재고자산회전율 10.5 12.7 19.3 16.2 16.5 기초현금 44 32 139 148 153

총자산회전율 0.4 0.5 0.7 0.8 0.7 기말현금 32 43 148 153 150


이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │37

매수 (유지) 주성엔지니어링 (036930) 목표주가 11,000원 실적 개선 이상 무(無)

2분기 실적 개선 기대

2분기 실적은 매출 667억원, 영업이익 115억원으로 전분기 대비 각각

25%, 64% 증가할 것으로 예상된다. 시장 컨센서스에 충분히 부합하는

수준이다. 1분기 말 수주잔고가 400억원에 달했고, 2분기 공시된 수주

금액만도 450억원에 이른다. 특히, 디스플레이 분야에서는 고객 및 제

품 범위가 이전의 공급 계약에 비해 확대된 것으로 파악된다.

2017년에도 실적 성장세 이어질 전망

주요 고객사들의 투자 확대로 3D NAND의 핵심 장비인 ALD와 OLED

인캡 및 증착 장비 수주가 기대된다. 올해 연간 실적은 매출 2,383억원,

영업이익 391억원, 순이익 353억원으로 전년비 각각 36%, 156%, 358%

증가할 전망이다. 주요 제품별 매출 비중은 반도체 56%, 디스플레이

38%, 솔라 6%로 추정된다. 2017년에도 매출 2,885억원, 영업이익 492

억원, 순이익 413억원으로 실적 성장 추세가 이어질 것으로 기대된다.

투자의견 매수, 목표주가 11,000원 유지

투자의견 매수와 목표주가 11,000원을 유지한다. 1분기 영업이익률이

13.1%에 그쳐 다소 기대에 미치지 못했으나, 비용을 선제적이고 적극적

으로 반영한 측면이 없지 않았다. 2분기 이후에는 10%대 중후반의 영업

이익률이 회복될 것으로 기대한다. 3D NAND와 OLED 캐팩스, 그리고

중국의 반도체 투자 확대 스토리는 단기적인 것이 아니다. 중장기적 관

점에서 긍정적 시각을 유지한다.

현재가 (6/22) 8,390원 KOSDAQ (6/22) 688.18pt 시가총액 405십억원 발행주식수 48,249천주 액면가 500원 52주 최고가 8,920원 최저가 4,370원 60일 일평균거래대금 4십억원 외국인 지분율 12.9% 배당수익률 (2016F) 0.0% 주주구성 황철주 외 4 인 27.78% 주가상승률 1M 6M 12M 상대기준 13% 2% 45% 절대기준 14% 6% 36% 현재 직전 변동 투자의견 매수 매수 -

목표주가 11,000 11,000 -

EPS(15) 738 730 ▲

EPS(16) 859 837 ▲

주성엔지니어링 상대주가 (%)

-40

-20

0

20

40

60

15.6 15.12 16.6

주성엔지니어링 to KOSDAQ(%)

(단위:십억원,배) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

매출액 142 176 238 289 284

영업이익 10 15 39 49 46

세전이익 -20 8 36 42 38

당기순이익 -21 8 35 41 33

EPS(원) -462 160 738 859 684

증가율(%) 적지 흑전 361.9 16.4 -20.3

영업이익률(%) 6.7 8.7 16.4 17.0 16.1

순이익률(%) -14.8 4.4 14.8 14.3 11.6

ROE(%) -20.5 7.0 31.9 35.9 27.8

PER -7.2 49.3 11.4 9.8 12.3

PBR 1.5 3.3 3.5 3.5 3.3

EV/EBITDA 14.3 17.3 8.7 7.4 7.7


반도체/IT


1분기 말 수주잔고

400억원이외에 2분기 중

추가 수주가 적지않다…

표 12. 2016년 수주 관련 공시 요약

수주일자 고객 금액(백만원) 계약종료일

1/15 SK하이닉스 3,850 ~1/18

1/27 SK하이닉스 15,700 ~3/2

3/9 SK하이닉스 9,325 ~5/23

5/20 SK하이닉스 6,990 ~6/30

5/20 SK하이닉스 9,325 ~7/30

5/24 LG디스플레이 20,950 ~8/31

5/25 SK하이닉스 7,380 ~6/27

자료: Dart, IBK투자증권

표 13. 주성엔지니어링 분기 및 연간 실적 전망

(십억원) 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16 2014 2015 2016 2017 2018

매출액 34.1 41.3 51.7 48.6 53.4 66.7 61.2 57.0 142.0 175.6 238.3 288.5 283.7

반도체 26.8 31.0 29.4 18.8 41.8 28.0 32.0 32.0 83.2 106.0 133.8 153.0 131.9

FPD 2.0 8.1 20.2 27.7 8.8 35.2 25.0 21.0 42.2 58.0 90.0 120.4 136.4

기타 5.3 2.2 2.1 2.1 2.7 3.5 4.2 4.0 15.0 11.6 14.4 15.1 15.4

영업이익 0.7 1.9 8.7 3.9 7.0 11.5 10.8 9.8 9.6 15.3 39.1 49.2 45.7

OPM 2.2% 4.6% 16.8% 8.1% 13.1% 17.2% 17.7% 17.2% 6.7% 8.7% 16.4% 17.0% -2%

세전이익 -1.1 0.6 7.6 0.6 5.5 11.3 10.7 9.0 -19.7 7.8 36.5 42.2 37.7

영업외손익 -1.9 -1.3 -1.1 -3.3 -1.5 -0.2 -0.1 -0.8 -29.2 -7.5 -2.6 -6.9 -8.0

순이익 -1.1 0.6 7.6 0.6 5.5 11.3 10.7 7.9 -21.1 7.7 35.3 41.3 32.8

NPM -3.2% 1.5% 14.7% 1.2% 10.3% 16.9% 17.5% 13.8% -14.8% 4.4% 14.8% 14.3% 11.6%

지배순이익 -1.1 0.6 7.6 0.6 5.5 11.4 10.8 7.9 -21.1 7.7 35.6 41.4 33.0

EPS (원) -462 160 738 859 684

BPS (원) 2,218 2,365 2,404 2,417 2,522

매출비중

반도체 79% 75% 57% 39% 78% 42% 52% 56% 59% 60% 56% 53% 46%

FPD 6% 20% 39% 57% 17% 53% 41% 37% 30% 33% 38% 42% 48%

기타 15% 5% 4% 4% 5% 5% 7% 7% 11% 7% 6% 5% 5%

YoY

매출액 0% 26% 41% 26% 57% 62% 18% 17% -8% 24% 36% 21% -2%

영업이익 30% 3067% 134% -25% 845% 504% 25% 149% 820% 60% 156% 26% -7%

순이익 NA NA NA -115% NA 1717% 40% 1303% -42% -137% 358% 17% -21%

QoQ

매출액 -12% 21% 25% -6% 10% 25% -8% -7%

영업이익 -86% 157% 358% -55% 78% 64% -6% -9%

순이익 NA NA 1129% -93% 878% 106% -5% -27%


이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │39


(십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F (십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

매출액 142 176 238 289 284 유동자산 116 133 123 134 137

증가율(%) -7.6 23.7 35.7 21.1 -1.7 현금및현금성자산 15 30 21 14 19

매출원가 87 98 132 166 165 유가증권 0 0 2 2 2

매출총이익 55 77 106 123 119 매출채권 17 18 22 26 27

매출총이익률 (%) 39.0 44.0 44.4 42.6 41.9 재고자산 49 52 52 59 59

판관비 46 62 67 74 73 비유동자산 188 174 171 173 172

판관비율(%) 32.2 35.3 28.0 25.6 25.8 유형자산 140 133 129 125 121

영업이익 10 15 39 49 46 무형자산 13 15 17 19 22

증가율(%) 819.1 59.5 156.0 25.7 -7.1 투자자산 23 20 18 21 21

영업이익률(%) 6.7 8.7 16.4 17.0 16.1 자산총계 303 308 294 307 309

순금융손익 -30 -11 -9 -8 -9 유동부채 177 145 127 138 133

이자손익 -10 -7 -3 -3 -3 매입채무및기타채무 31 41 58 69 68

기타 -20 -4 -6 -5 -5 단기차입금 119 74 43 39 36

기타영업외손익 1 2 0 1 1 유동성장기부채 17 18 12 13 11

종속/관계기업손익 0 1 0 0 0 비유동부채 19 49 52 52 54

세전이익 -20 8 36 42 38 사채 0 0 0 0 0

법인세 1 0 1 1 5 장기차입금 8 2 2 2 2

법인세율 -7.1 1.1 3.2 2.2 13.0 부채총계 196 193 178 191 187

계속사업이익 -21 8 35 41 33 지배주주지분 107 114 116 117 122

중단사업손익 0 0 0 0 0 자본금 24 24 24 24 24

당기순이익 -21 8 35 41 33 자본잉여금 146 146 146 146 146

증가율(%) 적지 흑전 358.4 17.0 -20.6 자본조정등 1 0 0 0 0

당기순이익률 (%) -14.8 4.4 14.8 14.3 11.6 기타포괄이익누계액 12 12 12 12 12

지배주주당기순이익 -21 8 36 41 33 이익잉여금 -76 -68 -67 -66 -61

기타포괄이익 10 -1 -1 -1 -1 비지배주주지분 0 0 0 0 0

총포괄이익 -11 7 35 78 53 자본총계 107 114 116 117 122

EBITDA 20 26 51 60 57 비이자부채 52 99 121 136 138

증가율(%) 86.8 26.2 96.9 18.3 -5.6 총차입금 144 94 57 54 49

EBITDA마진율(%) 14.3 14.6 21.2 20.7 19.9 순차입금 129 65 34 38 28


(12월 결산) 2014 2015 2016F 2017F 2018F (십억원) 2014 2015 2016F 2017F 2018F

주당지표(원) 영업활동 현금흐름 40 30 47 10 29

EPS -462 160 738 859 684 당기순이익 -21 8 35 41 33

BPS 2,218 2,365 2,405 2,417 2,522 비현금성 비용 및 수익 47 36 16 -27 0

DPS 0 0 0 0 0 유형자산감가상각비 10 9 8 8 8


PER -7.2 49.3 11.4 9.8 12.3 운전자본변동 24 -8 -1 0 0

PBR 1.5 3.3 3.5 3.5 3.3 매출채권등의 감소 36 -10 -4 -4 -1

EV/EBITDA 14.3 17.3 8.7 7.4 7.7 재고자산의 감소 7 -3 -1 -7 1

성장성지표(%) 매입채무등의 증가 -16 10 17 11 0

매출증가율 -7.6 23.7 35.7 21.1 -1.7 기타 영업현금흐름 -10 -6 -3 -3 -3

EPS증가율 적지 흑전 361.9 16.4 -20.3 투자활동 현금흐름 -6 -5 -21 -15 -19


배당수익률 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 유형자산의 감소 1 1 0 0 0

ROE -20.5 7.0 31.9 35.9 27.8 무형자산의 감소(증가) -6 -4 0 0 0

ROA -6.2 2.5 11.7 13.7 10.6 투자자산의 감소(증가) 1 -1 0 0 0

ROIC -9.6 3.8 19.0 23.5 18.7 기타 1 0 -17 -11 -15

안정성지표(%) 재무활동 현금흐름 -44 -10 -37 -3 -5

부채비율(%) 183.4 169.4 153.7 163.4 153.8 차입금의 증가(감소) -2 -6 0 0 0

순차입금 비율(%) 120.9 56.7 29.6 32.8 23.3 자본의 증가 21 0 0 0 0

이자보상배율(배) 1.0 2.2 10.6 13.3 12.4 기타 -63 -4 -37 -3 -5

활동성지표(배) 기타 및 조정 0 0 1 1 0

매출채권회전율 5.8 10.2 12.3 13.2 11.6 현금의 증가 -10 15 -11 -7 5

재고자산회전율 2.7 3.5 4.7 5.2 5.1 기초현금 24 15 31 21 14

총자산회전율 0.4 0.6 0.8 0.9 0.9 기말현금 15 30 21 14 19


반도체/IT


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관련 수량 취득가 취득일

해당사항없음

투자의견 안내 (투자기간 12개월) 투자등급 통계 (2015.04.01~2016.03.31)

종목 투자의견 (절대수익률 기준) 투자등급 구분 건수 비율(%)

적극매수 40% ~ 매수 15% ~ 중립 -15% ~ 15% 매도 ~ -15% 매수 119 93.7

업종 투자의견 (상대수익률 기준) 중립 8 6.3

바중확대 +10% ~ 중립 -10% ~ +10% 비중축소 ~ -10% 매도 0 0.0

(◆) 적극매수 (▲) 매수 (●) 중립 (■) 비중축소 (■) Not Rated / 담당자 변경

삼성전자 주가 및 목표주가 추이 과거 투자의견 및 목표주가 변동내역

추천일자 투자의견 목표주가 추천일자 투자의견 목표주가

0

500,000

1,000,000

1,500,000

2,000,000

(원)

2014.07.08 매수 1,650,000원 2015.07.30 매수 1,500,000원

2014.08.01 매수 1,600,000원 2015.08.07 매수 1,460,000원

2014.08.26 매수 1,550,000원 2015.10.07 매수 1,500,000원

2014.10.01 매수 1,470,000원 2015.10.29 매수 1,750,000원

2014.12.21 매수 1,600,000원 2016.01.10 매수 1,540,000원

2015.01.29 매수 1,700,000원 2016.01.28 매수 1,480,000원

2015.03.31 매수 1,800,000원 2016.04.01 매수 1,520,000원

2015.05.29 매수 1,750,000원 2016.05.10 매수 1,550,000원

2015.06.16 매수 1,670,000원 2016.06.06 매수 1,650,000원

2015.07.07 매수 1,570,000원 2016.06.22 매수 1,650,000원

SK머티리얼즈 주가 및 목표주가 추이 과거 투자의견 및 목표주가 변동내역


0

50,000

100,000

150,000

200,000

(원)

2016.04.21 매수 170,000원

2016.06.22 매수 170,000원

이승우 6915-5771

IBKS RESEARCH │41

유진테크 주가 및 목표주가 추이 과거 투자의견 및 목표주가 변동내역


0

5,000

10,000

15,000

20,000

25,000

30,000

(원)

2014.06.23 매수 28,000원

2014.07.21 매수 25,000원

2014.09.04 매수 20,000원

2015.05.29 매수 20,000원

2015.11.10 매수 16,000원

2016.01.14 매수 18,000원

2016.03.09 매수 20,000원

2016.06.22 매수 22,000원

주성엔지니어링 주가 및 목표주가 추이 과거 투자의견 및 목표주가 변동내역


0

2,000

4,000

6,000

8,000

10,000

12,000

(원)

2015.11.10 매수 8,000원

2016.03.29 매수 11,000원

2016.06.22 매수 11,000원

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플래시의 시대 - Naverimgstock.naver.com/upload/research/industry/1466639374448.pdf · 축적된 지식을 종이에 적어 후세에 전달할 수 있게 되면서 인류의