Phuong pháp CVD

7/31/2019 Phuong php CVD

1/35

1.nh ngha:L ng ng h i ha h c l m t ph ng php m nh v t li u r n c l ng

ng t pha h i thng qua cc ph n ng ha h c x y ra g n b m t c

nung nng.

2. gi i thi u chung

Trong CVD, v t li u r n thu c l d ng l p ph , b t ho c n tinh th . B ng

cch thay i i u ki n th nghi m, v t li u , nhi t , th nh ph n c u t o c a

h n h p kh ph n ng, p su t.c th t c nh ng c tnh khc nhau c a v t

li u.

i m c bi t c a cng ngh CVD l c th ch t o c mng v i dy ng

u v t b x p ngay c khi hnh d ng ph c t p. m t i m c tr ng khc c a

CVD l c th l ng ng ch n l c, l ng ng gi i h n trong m t khu v c n o

trn c trang tr hoa vn. CVD c s d ng ch t o nhi u lo i mng m ng.

v d ch t o cc mng ng d ng trong cng ngh vi i n t nh : mng cch i n,

d n i n, l p ch ng g, ch ng oxi ha v l p epitaxy. Ch t o s i quang chu

nhi t, v c b n t t. s d ng c v i nh ng v t li u nng ch y nhi t cao

v ch t o pin m t tr i, s i composit nhi t cao, cc v t li u siu d n nhi t

cao.

Ph ng php CVD c th c m t nh sau:


2/35

Hnh 1. s m t qu trnh t o mng b ng ph ng php CVD.

Kh precursor a c dng i l u v n chuy n, g p mi tr ng nhi t cao

hay plasma s x y ra hi n t ng va ch m gi a cc electron v i ion hay electron

v i notron c ng c th l electron va ch m v i electron t o ra g c t do. Sau

, cc phn t g c t do khu ch tn xu ng , g p mi tr ng nhi t cao t i

s x y ra cc ph n ng t o mng t i b m t . S n ph m ph sinh ra sau khi ph n

ng sau s khu ch tn ng c vo dng ch t l u, dng ch t l u a kh

precursor d , s n ph m ph , kh c ra kh i bu ng.

Ta c th m t qu trnh CVD b ng ph ng trnh:

to,plasma

precursor( kh bay h i) mng( r n) + s n ph m ph

Trong CVD x y ra ph n ng pha kh g n ho c tr n b m t c nung nng:

tc ch t th kh t o thnh v t li u r n c ng v i s n ph m th kh.


3/35

3. c ch c a qu trnh

1 Khu ch tn c a ch t ph n ng t i b m t

2 S h p ph c a ch t ph n ng vo b m t

3 X y ra cc ph n ng ha h c

4 Gi i h p c a cc s n ph m kh sau khi ph n ng

5 Khu ch tn cc s n ph m ph ra bn ngoi

C 5 vng ph n ng quan tr ng trong su t qu trnh l:


4/35

Tnh ch t c a mng s b nh h ng b i cc qu trnh t ng tc x y ra trong cc

vng ph n ng ny. H n h p kh ch y qua pha trn c a b m t mng hay . Do

ng h c c a dng ch y m l p bin ng st pha h i t i mng ho c . Trong

su t qu trnh l ng ng cc ch t ph n ng pha kh ho c s n ph m ph n ng pha

kh c v n chuy n ngang qua l p bi n. Trong vng ph n ng 1 c ng nh trong

dng kh c th x y ra ph n ng homogeneous ph a h i d n n s t o thnh

homogeneous nucleation v k t qu l mng khng bm dnh t t v d bong ra

thnh t ng m nh.ph n ng heterogenous x y ra bi n gi i pha h i v mng (vng

2) quy t nh t c l ng ng v tnh ch t c a mng

Nhit t ng i cao c th c s d ng trong CVD. Cc ph n ng tr ng thi

r n khc nhau: bi n i pha, s l ng ng, k t tinh, pht tri n h t c th x y ra

trong su t qu trnh( vng 3 v 5). Trong vng 4, l vng khu ch tn, cc pha

trung gian khc nhau c th t o thnh. Ph n ng trong vng ny quan tr ng i

v i s bm dnh c a mng vo .

4.cc c ch v n chuy n trong CVD.

a.V n chuy n nhi t:

H u nh cc qu trnh CVD u lm vi c nhi t khc nhi t phng. i khi

ch c m u b un nng (thnh bnh l nh ), trong m t s tr ng h p khc bu ng


5/35

b nung nng(thnh bnh nng). i khi cc qu trnh x y ra nhi t th p( v d

l ng ng c a parylene t dimer precursor).

S thay i c a nhi t i h i s v n chuy n nhi t (nng l ng nhi t) t m t b

ph n c p nhi t t i m u. Nhi t c a dng kh s b nh h ng b i mi tr ng

xung quanh n (bao g m thnh bu ng v c nung nng), v nhi t ny s

nh h ng tr l i ph n ng ha h c pha kh.

S truy n nhi t x y ra theo 3 cch ch y u:

d n nhi t: s v n chuy n nhi t trong ch t r n ,ch t l ng, ho c ch t kh. S truy n

nhi t trong ch t kh c c ch gi ng nh trong v n chuy n kh i. v n chuy n nhi ttrong ch t r n c th ngh gi ng nh s khu ch tn c a phonon (s dao ng

m ng) . s d n nhi t r t khc nhau trong nh ng v t li u khc nhau.

S i l u: x y ra trong mi tr ng ch t l ng ho c kh, khi c gradient nhi t

d n n s gin n nhi t khc nhau. C ch ny c ng gi ng nh trong v n chuy n

kh i ta s xt bn d i.

B c x nhi t: x y ra ngay c trong chn khng b i s v n chuy n c a cc

photon.

b.V n chuy n kh i:

Trong CVD, s v n chuy n c a nhi t hay kh i l ng v t ch t c c b i khu ch

tn v i l u.

Ta xem hnh nh dng ch t l u ch y qua m t khc quanh:


6/35

Jconv: thng l ng dng i l u (dng ch y c a ch t l ng).

Jdiff thng l ng dng khuy ch tn.

D h s khuy ch tn.

n n ng .

Dng i l u khng th a v t ch t xu ng xu ng . S l ng ng( chuy n v t

ch t t dng ch y xu ng ) c c b i dng khu ch tn

hi n t ng khu ch tn:

l s dch chuy n c a v t ch t khi c gradient n ng .

khu ch tn tnh: thng l ng dng khu ch tn t l v i gradent n ng v

tun theo nh lu t Fick 1:

khu ch tn ng: tun theo nh lut Fick 2:

dnJ D

dx

2

2

C CD

t x


7/35

Trong C l n ng c a v t ch t.

h s khu ch tn:

H s khu ch tn D b ng s phn t p v o m t ph ng A-A sau m t qung

ng t do trung bnh v chuy n ng v i v n t c chuy n ng nhi t.

D ph thu c m nh vo p su t khi p su t th p.

Hi n t ng khu ch tn l hi n t ng gy ra l ng ng trong CVD. Trong l p

bin ng vai tr quan tr ng.

di khu ch tn thu c khi gi i ph ng trnh khu ch tn v i i u ki n bin

cho tr c: di m qua n ng gi m i e l n

di khu ch tn c tr ng cho kt. N tng theo cn b c 2 c a th i gian.

3/ 2

3 2

Bk T

Dm Pa

dL Dt


8/35

Tuy nhin trong h th ng h u h n ,(nh l ng ng h i ha h c ) th k t qu s

thay i ph thu c vo h th ng l n nh th no so v i di khu ch tn .

N u di khu ch tn r t l n h n kch th c h , profile c a n ng ph i l

ng th ng, v khng ph thu c vo th i gian.trong tr ng h p ny, v n t c

ch y th ng khng quan tr ng. v n chuy n ch y u l khu ch tn. N ng gi m

khng ng k trong bu ng.

N u di khu ch tn l r t nh so v i kch th c h : gradient c th r t l n, v

n ng ph thu c nhi u vo th i gian. S thay i l n c a n ng trong m t

vng c th khng nh h ng n cc vng khc n u th i gian khu ch tn ng n


9/35

di khu ch tn nh . Lc ny n ng gi m r t nhanh theo hm exp(-x/L )

trong bu ng.

hi n t ng i l u.

l s dch chuy n c a c a ch t kh ngay c khi khng c gradient n ng .

i l u th ng xu t hi n khi c gradient nhi t v ch t kh trong m t th

tch l n.

Ch dng ch y:

Khi qung ng t do trung bnh di h n kch th c h th dng ch y trong ch

nh t, n u qung ng t do trung bnh c a ch t kh r t ng n h n kch th c

c a bnh ph n ng th s c hai tr ng h p. dng ch y l p n u v n t c ch y nh

v dng ch y r i n u v n t c ch y l n. c tr ng cho ch dng ch y l gi tr

c a s Reynold, Re:

Khi Re < 1100 th dng ch y theo l p, khi Re > 2100 dng ch y r i v 1100 < Re

< 2100 dng ch y bao g m c dng ch y l p v dng ch y r i. s Reynold cho

bi t tnh ch t c a dng ch y trong mi tr ng ng nhi t. trong mi tr ng khng

ng nhi t nh trong bnh ph n ng c thnh bnh l nh th t n t i i l u t nhin

d n n dng ch y r i khi v n t c ch y nh .khi gradient nhi t nh th khng c

s di chuy n c a ch t kh, khi gradient nh i t tng ln ch t kh b t u chuy n

ng, ban u l dng ch y l p, khi gradient nhi t l n dng ch y tr ln r i

lo n.


10/35

Khi p su t cao th ch dng ch y l r t quan tr ng i v i ng

u v dy v thnh ph n c a mng nh ng p su t th p th khu ch tn c

gia tng v ch dng ch y t quan tr ng h n.

Khi Re nh , dng ch y r t u n.

.khi Re gia tng dng tr thnh ph c t p: tr c tin s quay vng v xoy

xu t hi n v sau dng ch y tr nn r i lo n: khng th d on c s thay

i theo th i gian

l p bin.

L p bin v n t c sinh ra do nh t c a dng kh v ma st gi a dng kh v i

thnh bu ng.

L p bin n ng sinh ra do s h p ph ch t ph n ng v o . N gy ra gradient

n ng , d n t i khu ch tn.

L p bin n ng c d ng t ng t nh l p bin v n t c:


11/35

dy c a l p bin c tnh theo cng th c:

Cng vo su trong bu ng, l p bin cng dy do gradient n ng cng nh nn

dy mng cng khng ng u.

Do v y, ta c n t nghing song song v i b m t l p bin lm gi m dy

l p bin do mng c dy ng u h n.

Re

x


12/35

dy l p bin tng khi dng kh nh v kho ng cch t l i vo bu ng n

h ng dng tri tng. L p bin m ng hay dy th nh h ng n t c ph n ng.

5. hnh d ng cc profile v n t c, profile n ng , profile nhi t .

profile v n t c:

Cho bi t s phn b c a v n t c dng kh trong bu ng. profile v n t c c d ng:

Khi v a vo bu ng th kh c v n t c nh nhau, trong qu trnh v n chuy n vo

su trong bu ng th cc lu ng kh g n thnh bu ng b ma st v i thnh bu ng nn

v n t c gi m, t ng t cc lu ng kh ti p theo c ng b ma st v i cc lu ng kh ln

c n.v n t c b ng khng st thnh bu ng v l n nh t gi a bu ng.

Trong tr ng h p ng d n l hnh tr v dng ch y d c theo tr c c a ng th s

phn b v n t c l:


13/35

profile nhi t .

Cho bi t s phn b nhi t c a dng kh trong bu ng. profile nhi t c

d ng:

profile n ng :

kh v a vo bu ng c n ng nh nhau, trong qu trnh v n chuy n vo su

trong bu ng th cc lu ng kh g n thnh bu ng khu ch tn xu ng thnh bu ng,

n ng c a precursor gi m nn hnh thnh profile c a n ng .


14/35

H s Damkohler:

Hy xem tr ng h p di khu ch tn r t di h n kch th c h .trong tr ng

h p ny ,t t v n chuy n ch y u l khu ch tn: s i l u ko ng k trong bu ng.

N u l ng ng ho c b t c ph n ng no khc x y ra t i b m t, s c m u b m t

vo thnh bu ng. nh v y chng ta xem ng th i x y ra s khu ch tn v m t

mt b i l ng ng,nh bi u di n bn d i trong tr ng h p vng m ng n i m

n ng g n nh l h ng s theo tr c y v chng ta xem nh ch v n chuy n theo

tr c x.


15/35

Tr ng h p ny th ng th y trong th c t ,th d trong bnh ph n ng v i n

t i p su t th p (v dng ch y nh --ch m h n) ho c s v n chuy n gi a cc

mi ng trong m t bu ng d ng ng.

S Damkohler l t s gi a s tiu tn v s khu ch tn t i b m t.

Ks: l h ng s tiu tn b m t.

Rs: v n t c tiu tn b m t.

Rs=Ks.n

Dng khu ch tn qua b r ng H.

J=D(dC/dx) ~ D(C/H).

Khi s Damkohler >>1: tiu tn nhanh h n khu ch tn t i b m t v n ng gi m

m nh t i hai thnh bu ng. v n t c khu ch tn xu ng quy t nh t c l ng

ng.

consumptionat surface

diffusiontosurface

s sKC KH

DamkohlerDCH D


16/35

Khi s Damkohler


17/35

Thng l ng dng ph n ng t i b m t :

V n t c ph n ng t i b m t :

T i nhi t cao, ph n ng t i b m t nhanh h n khu ch tn. V n chuy n kh i b

gi i h n:

T i nhi t th p, khu ch tn nhanh h n ph n ng t i b m t. ph n ng t i b m t

b gi i h n.


18/35

6. ha h c trong CVD.

ng ng t :

Trong cng ngh l ng ng, vi c u tin l ph i t o ra ngu n cung c p pha h i t

v t li u g c. h i s ng ng t trn b m t khi t n t i pha h i qu bo ha trn

. Dng ng ng t l hm ph thu c vo dng t i. t i nhi t xc nh,

dng t i c m t gi tr gi i h n g i l dng gi i h n. khi dng t i l n h n dng

gi i h n th mng c hnh thnh v nh h n th khng nh n c l ng ng.

nhi t cng cao th dng gi i h n cng l n.

H p ph :

H p ph th ng c chia ra thnh h p ph v t l ( l c bm dnh v b n ch t

th ng l l c van der Waals) v h p ph ha h c ( lin k t c ng ha tr m nh

c hnh thnh gi a phn t v b m t). t o mng th cc nguyn t ph i h p

ph ha h c ln trn . Khi cc phn t trn b m t, chng c th thay i v tr

xung quanh m t cht. V c th c cc ph n ng trn b m t t o thnh mng.

Chuy n ng c a nh ng m u trn b m t kim lo i v bn d n l l n nh t, n i m

nh ng lin k t l khng nh h ng, v h n ch i v i b m t i n mi n i m

lin k t c ng ha tr nh h ng cao d n n s gi ch t m t phn t m t ch

khi n b h p th ho h c. khi m t phn t hay nguy n t t i b m t, c s h p

ph n c n c nng l ng l n h n ro th Ea, t ng ng v i nng l ng ph v

nh ng lin k t trn b m t v thi t l p lin k t m i.

bao ph b m t:


19/35

M c bao ph l t s c a nh ng ch h p ph trn t ng s ch trn b m t.

bao ph ph thu c vo n ng pha kh.

V n t c l ng ng:

S ph thu c c a v n t c pht tri n m ng vo v n t c dng kh.


20/35

nh h ng c a p su t n ch t l ng mng.

H s khu ch tn D thay i g n ng theo 1/P, P l p su t ton ph n.khu ch tn

s tng khi p su t ton ph n h th p. tuy nhin, th i gian ph c ng thay i: dng

theo th tch t i nhi t c nh v dng theo mol c nh gia tng theo 1/P. nh

v y th i gian ph t l v i P. d i khu ch tn ph thu c vo p su t ton ph n.

s gi m p su t s h u ch cho s gia tng khu ch tn. i l ng c tnh quy t

nh ngha l ph thu c v lin quan t i CVD l di Thiele : n ph thu c vo

h s khu ch tn v ph thu c vo p su t .ch ng h n ,p su t gi m, d i Thiele

tng, d n n s ng u c c i thi n( nh ng v n t c l ng ng b gi m, v v y

n ng ch t th p).

7.yu c u c a precursor.

Tnh ch t d bay h i ph i thch h p t c t c bay h i thch h p t inhi t bay h i v a ph i

S b n phn ly khng x y ra trong su t qu trnh bay h i

Kho ng nhi t gi a bay h i v l ng ng l ng ng mng

tinh khi t cao


21/35

Phn ly s ch m khng c s h p nh t c a nh ng t p ch t d

T ng thch t t v i co-precursor trong s pht tri n c a nh ng v t li u

ph c t p

B n v i mi tr ng xung quanh v khng kh m

S n xu t d dng v i b n cao v gi thnh th p

Khng nguy hi m ho c m c nguy hi m th p.

Phn lo i:

Thermal CVD: CVD kch ho t ph n ng b ng nhi t. th ng c th c hi n

nhi t cao (trn 900oC). y l ph ng php u tin v c i n.

MOCVD (Metal organic chemical vapor deposition ): CVD nhi t nh ng s d ng

precursor l h p ch t h u c kim lo i.

PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition): s d ng nng l ng c a

plasma kch ho t ph n ng. do nhi t th p h n nhi u, kho ng 300-500oC.

HDPCVD(l ng ng h i ha h c plasma m t cao):

ALCVD: l ng ng h i ha h c l p nguyn t : precursor th kh c a vo

lin t c t i b m t v l ph n ng c lm s ch v i kh tr ho c rt chn

khng. Ph n ng ha h c d n n l ng ng mng x y ra trn t i nhi t d i

nhi t phn h y c a precursor ch a th nh ph n kim lo i v ph n ng pha kh l

khng quan tr ng.

CBE(epitaxy chm ha h c): l ph ng php CVD chn khng cao, s d ng

precursor h u c kim lo i d bay h i v precursor th kh.


22/35

MOMBE(epitaxy chm phn t h u c kim lo i): s d ng precursor h u c kim

lo i d bay h i v precursor bay h i t th r n. trong CBE v MOMBE, ph n ng

ha h c ch x y ra trn , d n n mng n tinh th . B i v y ph n ng pha kh

khng ng vai tr quan tr ng trong s pht tri n mng.

APCVD(l ng ng h i ha h c p su t kh quy n):

V n chuy n kh i b gi i h n.

V n t c l ng ng nhanh.

bao ph th p.

LPCVD(l ng ng h i ha h c p su t th p):


23/35

Ph n ng b m t b gi i h n.

tinh khi t, ng u v m c bao ph cao.

V n t c l ng ng th p.

i h i ph i c h th ng b m chn khng.

PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition): s d ng nng l ng c a

plasma kch ho t ph n ng. do nhi t th p h n nhi u, kho ng 300-500oC.

L do th nh t s d ng plasma trong l ng ng l b gy nh ng phn t b n v ng

v kch thch s l ng ng p su t v nhi t th p h n trong CVD nhi t.


24/35

L do th hai l: b m t v t r n t trong plasma t i n b b n ph b i cc e nng

l ng cao, ng nng c a n c th thay i t m t v i eV n 100 eV. S b n

ph ion ny c nh h ng n tnh ch t c a mng l ng ng. gia tng b n ph ion

d n n mng t o thnh c kht h n v gy ra ng su t cng, mng b bi n d ngnn.

Trong tr ng h p mng i n mi, mng x p v chu ng su t ko gy ra v n v

s an ton trong s n xu t. cng ngh l ng ng tng c ng plasma c th l ng

ng mng c kht nhi t hng trm . tuy nhin, ng su t nn d th a c ng

c th d n n an ton km. Kh nng i u chnh ng su t thng qua s thay

i trong i u ki n x l, hnh d ng bu ng ph n ng, ho c s kch thch (t n s ) l

quan tr ng.

L do cu i cng l kh nng lm s ch bnh ph n ng d dng. Th d , kh ch a

florua (CF4) v t chy plasma c th lm s ch silicon, silicon nitride, ho c

silicon dioxide t nh ng b n i n c c v thnh bu ng.

S b n ph ln b m t c ng d n n s phn x . Phn x c th l ngu n g c c a

nh ng v t b n kim lo i trong mng PECVD.

L ng ng plasma c a nh ng mng kim lo i v nh ng mng d n i n cao l r t

kh khn. mng l ng ng d n n rt ng n b n c c i n c c p nng l ng

c a bnh ph n ng plasma i n dung, ho c s che ph c a cch i n c a bnh

ph n ng i n c m, lm che ch n bnh ph n ng v i t tr ng.Thi t b t o plasma

c ng thm vo ng k s ph c t p v s i u khi n c ng ph c t p.


25/35

Thermal CVD: CVD kch ho t ph n ng b ng nhi t. th ng c th c hi n

nhi t cao (trn 900

o

C). y l ph ng php u tin v c i n.

MOCVD (Metal organic chemical vapor deposition): CVD nhi t nh ng s d ng

precursor l h p ch t h u c kim lo i.

HDPCVD(l ng ng h i ha h c plasma m t cao):

ALCVD: l ng ng h i ha h c l p nguyn t : precursor th kh c a vo

lin t c t i b m t v l ph n ng c lm s ch v i kh tr ho c rt chn

khng. Ph n ng ha h c d n n l ng ng mng x y ra trn t i nhi t d i

nhi t phn h y c a precursor ch a thnh ph n kim lo i v ph n ng pha kh l

khng quan tr ng.


26/35

CBE(epitaxy chm ha h c): l ph ng php CVD chn khng cao, s d ng

precursor h u c kim lo i d bay h i v precursor th kh.

MOMBE(epitaxy chm phn t h u c kim lo i): s d ng precursor h u c kim

lo i d bay h i v precursor bay h i t th r n. trong CBE v MOMBE, ph n ng

ha h c ch x y ra trn , d n n mng n tinh th . B i v y ph n ng pha kh

khng ng vai tr quan tr ng trong s pht tri n mng.


27/35

12. cc lo i bnh ph n ng

a.bnh ph n ng d ng ng.

bnh ph n ng d ng ng th ng c hai lo i: bnh ph n ng d ng ng th ng ng

v bnh ph n ng d ng ng n m ngang.bnh ph n ng d ng ng th ng c s

d ng r ng ri trong qu trnh ch t o ch t bn d n v tnh n gi n v hi u qu c a

chng. Nh ng mi ng bn d n hnh trn c x p vo m t ci thuy n th ch anh c

rnh v c x l ng lo t kho ng 100-200 mi ng trong m t gi . M t bnh ph n

ng d ng ng c bi u di n d i bi u bn d i. ng c ch t o t th ch

anh v ng knh l n t i kch th c mi ng bn d n mong mu n. ng c

t vo h p gia nhi t i n tr . H p ny c hai ho c nhi u h n cc vng gia nhi t

c i u khi n c l p v i nhau cho php i u khi n nhi t d c theo tr c bnh

ph n ng.


28/35

Cc mi ng bn d n c x p th ng ng vo trong cc rnh c a thuy n th ch anh.

Kho ng cch gi a cc mi ng ny l nh nh t gia tng s mi ng c th .trong

d ng n m ngang thuy n c th t tr n b m t c a ng, nh ng trong nh ng bnh

ph n ng hi n i th thuy n l l ng trn m t gi treo trnh s n o v t o thnh

h t. kh c cho vo v rt ra b ng m t thi t b khc g n vo ng. khi ho t ng

p su t th p h th ng n c l nh gi i nhi t v h b m chn khng trnh s tch

b i.

Bnh ph n ng d ng ng l bnh ph n ng c thnh bnh khng nng : nhi t

nh nhau t i m i ch , v mng s l ng ng ln t t c b m t c a ng. khoang

ch a v cc d ng c ph i c lm s ch nh k ngn ch n s n t v v s t o

thnh h t. vi c lm s ch c th c th c hi n b ng cch di chuy n ng v ngm

chng vo m t b ha ch t, m c d vi c lm ny c th r c r i ,t ng i b n, v

t, v m t l ng l n axit c ph i c x l.

Cc u nh c i m c a bnh ph n ng d ng ng:

u i m:

ng u t t.

X l c nh ng l n. Nhi u m t l n.

tinh khi t l n.


29/35

Nh c i m:

Th i gian x l di.

C n kch th c b l n.gi ph c t p, b khun g thuy n t.

i h i ph i v sinh nh k .

Kh khn th c hi n trong plasma.

Bnh ph n ng showerhead:

Bnh ph n ng lo i ny s d ng m t ph ng c nh ng l nh li ti phn ph i kh

ph n ng nhi u h n ho c t h n m t cch ng u h n so v i m t ph ng song

song th hai. Nh v y m t d ng c th s d ng trong qu trnh x l theo m

nhi u , nh ng c ng c s d ng trong qu trnh x l nh ng mi ng hnh trn

n. M t bnh ph n ng d ng vi hoa sen th ng c hnh d ng nh :


30/35

u i m:

Bnh ph n ng n gi n, linh ng.

X p t i t ng d dng.

C th t o mng a l p.

D dng lm s ch b i plasma.

Nh c i m:

ng u khng t t .cc l nh c a bnh c th b t c ngh n ho c xi mn

lm gi m ng u.

i u khi n nhi t ph c t p.

Nhi m b n do phng i n plasma.

bnh l ng ng plasma m t cao: HDP.


31/35

u i m:

Mng ng u, b n, c kht, khng c n qu trnh sau l ng ng.

Nh c i m:

Bnh ph n ng ph c t p, t ti n.

Phn x c th lm h i t i c u trc mng

.

bnh ph n ng p su t kh quy n c b tr vi phun

Hy kh o st nh ng d ng bnh khc nhau. Bnh ph n ng vi phun th ng, s

d ng h th ng m p su t kh quy n,v n t c kh cao t c th i gian ph

ng n. b ng cch s d ng vi phun nhi u c ng ngn c n s ha l n c a cc

kh ph n ng cho n khi chng c phn ph i vo trong vng l ng ng.

lo i bnh ph n ng ny c th s d ng m c cao h n h p kh ph n ng nh

silane v oxy t i p su t kh quy n trong khi ch t l ng mng v n t t.

Vng l ng ng c bi u di n gi n bn d i:


32/35

Thng l ng kh l n c s d ng: thng l ng ton ph n c th l 25 slpm

200 mm. h n n a, thng l ng kh tr tinh khi t ( nh nito) c phn ph i

vo gi a bu ng thng qua ng d n kh v ng l ng ng, m b o r ng kh

ph n ng c ch a trong vng mong mu n c a bnh ph n ng v c lo ib m t cch nhanh chng.

l ng ng ng u trn cc mi ng ho c , ph i c di chuy n trong

su t qu trnh l ng ng. th ng b ng cch t trn m t dy ai kim lo i

d o, ci m mang chng t i m t chu i cc vi phun v tr th p h n. Cc

mi ng c l y ra d i y h v dy ai. bnh ph n ng nh v y t t cho qu

trnh lin t c: dy ai ho t ng t t c m i lc, c th t i ho c d t i cc

mi ng s d ng cc tr c ln.khng c s tr t i nh b t g p trong nh ng lo i

bnh ph n ng khc. C ng khng i h i qu trnh ht. Trong ngnh ha mng

m ng th ng s d ng l ng ng c th t c nng su t cao v gi thnh

th p. s cn b ng ngha l bnh ph n ng kh l n cho php cc mi ng c

gia nhi t tr c khi a vo bnh l ng ng v lm l nh tr c khi d t i, b i

v y m t s l ng l n cc mi ng (kho ng 10 -200 mm ) trong l ph n ng

b t k th i gian no. Ci t nhi t l kh khn v bnh l n v dy ai v nchuy n d n nhi t km. H u h t cc ph ng php u pht ra nh ng h t d

trong pha kh thnh l p gi ng nh l ng ng d ng b t trn h th ng x kh v

c ph m vi nh h n trn thnh v tr n bu ng. tuy nhin, bnh c th ho t ng

v i tnh s ch s r t t t, v gradient nhi t l n g n cc mi ng: l c v n

chuy n phn t p su t kh th p (thermophoretic) d n t i ngn c n nh ng

phn t ti n g n n b m t mi ng.

u i m:

Mng ng u,s ch.

Nng su t cao.


33/35

Nh c i m:

i u chnh nhi t ch m.

Di n tch ph nh .

C n ph i v sinh thi t b nh k .

4. nh ng u i m chnh

- H thi t b n gi n.

- T c l ng ng cao ( n 1

- D kh ng ch h p th c ha h c c a h p ch t v d dng pha t p

- C kh nng l ng ng h p kim nhi u th nh ph n.

- C th t o mng c u trc hon thi n, s ch cao.

- c x l ngay tr c khi l ng ng b ng qu trnh n mn ha h c

- C th l ng ng ln c c u hnh a d ng, ph c t p.

5. nh ng nh c i m chnh

- C ch ph n ng ph c t p.

- i h i nhi t cao h n trong cc ph ng php khc.

- v cc d ng c thi t b c th b n mn b i cc dng h i.

- Kh t o hnh linh ki n mng m ng thng qua k thu t m t n .

6. ng d ng

Ph ng php CVD c dng ch t o mng m ng:

cc ch t bn d n nh :Si, AIIBVI, AIIIBV,

cc mng m ng xt d n i n trong su t nh SnO2,In2O3:Sn

(ITO),

cc mng m ng i n mi nh SiO2, Si3N4, BN, Al2O3,


34/35

cc mng m ng kim lo i


35/35

Documents

Phuong pháp CVD