Power Device パワーデバイスカタログ Vol.5 · (027)310-7111 (0263)34-8601 (075)365-1077 (052)589-9027 ... p13～p14 p15～p16 p17～p22 p23～p24 p25～p26 p27～p28 p29

1) 本資料の記載内容は 2018年 10月1日現在のものです。 2) 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。本製品のご使用に際しては、下記セールス･オフィスまで最新の仕様書をご請求の上、必ずご確認ください。 3) ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、半導体製品は種々の要因で故障・誤作動する可能性があります。万が一、本製品が故障・誤作動した場合であっても、その影響により人身事故、火災損害等が起こらないようご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、バックアップ、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。 4) 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。 5) 本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームはその責任を負うものではありません。 6) 本資料に掲載されております製品は、耐放射線設計はなされておりません。 7) 本製品を下記のような特に高い信頼性が要求される機器等に使用される際には、ロームへ必ずご連絡の上、承諾を得てください。・輸送機器（車載、船舶、鉄道など）、幹線用通信機器、交通信号機器、防災・防犯装置、安全確保のための装置、医療機器、サーバー、太陽電池、送電システム 8) 本製品を極めて高い信頼性を要求される下記のような機器等には、使用しないでください。・航空宇宙機器、原子力制御機器、海底中継機器 9) 本資料の記載に従わないために生じたいかなる事故、損害もロームはその責任を負うものではありません。10) 本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。11) 本製品のご使用に際しては、 RoHS 指令など適用される環境関連法令を遵守の上ご使用ください。本製品の RoHS 適合性などの詳細につきましては下記セールス･オフィスまでお問合せください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、ロームは一切の責任を負いません。12) 本製品および本資料に記載の技術を輸出又は国外へ提供する際には、「外国為替及び外国貿易法」、「米国輸出管理規則」など適用される輸出関連法令を遵守し、それらの定めにしたがって必要な手続を行ってください。13) 本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを固くお断りします。

R1098B

10000SG

+82-2-8182-700+86-411-8230-8549

　　　+86-10-8525-2483+86-21-6072-8612

+86-755-8307-3008+852-2740-6262

+886-2-2500-6956+65-6436-5100

+63-2-807-6872+66-2-254-4890

+60-3-7931-8155+91-80-4125-0811

+49-2154-921-0+1-408-720-1900

+55-11-3539-6320

韓　国大　連北　京上　海深　圳　　香　港台　湾シンガポール

フィリピンタイマレーシアインドドイツアメリカブラジル

(045)476-2121(03)6280-0820(042)648-7821(022)295-3011(028)633-2271(029)300-0585(027)310-7111(0263)34-8601

(075)365-1077(052)589-9027(092)483-3496

横　浜東　京西東京仙　台宇都宮水　戸高　崎松　本

京　都名古屋福　岡

No.61P7165J 10.2018

パワーデバイスカタログ Vol.5.3

Power Device

ロームのSPICEモデルを簡単GET!

① ICからディスクリートまで、幅広い製品ラインアップ全4,883モデル※を掲載

② SPICEデータが1箇所に収納されているので、3ステップで簡単ダウンロード可能

Cadence社PSpice.comサイトの紹介　PSpiceとは、Cadence社のPCB設計フロー全体にわたって連続的な作業を可能にするメインストリーム向けOrCAD製品群の1つで、業界をリードする回路シミュレーションと検証ソリューションです。

■ IC

■ ディスクリート

掲載製品一覧※ 2,250モデル

2,633モデル（パワーデバイス、トランジスタ、ダイオード、LEDなど）※2018年10月ローム調べ

PSpice内ロームページhttp://www.pspice.com/models/rohm

それは、天然で見つかることは稀で、太陽系が誕生した46億年前よりも古い時代の隕石中からわずかに見つかったSiC（エスアイシー）という物質。

やがて人工的につくれるようになり、半導体として優れた性質を持つこともわかってきましたが、極めて加工が難しく、パワーデバイスの量産化

は世界中の研究者の誰もなしえない難業とされていました。

ロームがSiCパワーデバイスの量産化に着手したのは、1990年代のことです。高品質なSiCウエハ（半導体素子をつくるための材料）の入手も

難しく、設備が整った環境が無い中で、実験のために全国の研究機関を行脚する日々。しかしロームの研究者はあきらめませんでした。世界経済が

悪化する中でも精力的に研究開発を続け、加工の精度を高めるとともに独自の検査手法を築き、ラインの改良を重ね、ついに2010年、世界で

初めてSiC-DMOSの量産化に成功しました。それは、より良い社会を願う研究者たちの情熱が生んだ、小さな奇跡の瞬間でした。

これからもロームの挑戦は終わりません。SiCパワーデバイスのリーディングカンパニーとして、更なる品質の向上を図るとともに、さまざまな分野で

研究を進めています。

眠れる性能を呼び覚ましたのは、研究者たちの情熱でした。

S i C。それは、46億年を旅した半導体。

Power Device　02

Index

SiCパワーデバイス

SiCデバイス周辺IC

IPM(インテリジェントパワーモジュール)

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)

高耐圧ディスクリート

電流検出用抵抗器

生産体制

SiC開発の歴史

主要拠点

P05～P09

P10～P12

P13～P14

P15～P16

P17～P22

P23～P24

P25～P26

P27～P28

P29

01

それは、天然で見つかることは稀で、太陽系が誕生した46億年前よりも古い時代の隕石中からわずかに見つかったSiC（エスアイシー）という物質。

やがて人工的につくれるようになり、半導体として優れた性質を持つこともわかってきましたが、極めて加工が難しく、パワーデバイスの量産化

は世界中の研究者の誰もなしえない難業とされていました。

ロームがSiCパワーデバイスの量産化に着手したのは、1990年代のことです。高品質なSiCウエハ（半導体素子をつくるための材料）の入手も

難しく、設備が整った環境が無い中で、実験のために全国の研究機関を行脚する日々。しかしロームの研究者はあきらめませんでした。世界経済が

悪化する中でも精力的に研究開発を続け、加工の精度を高めるとともに独自の検査手法を築き、ラインの改良を重ね、ついに2010年、世界で

初めてSiC-DMOSの量産化に成功しました。それは、より良い社会を願う研究者たちの情熱が生んだ、小さな奇跡の瞬間でした。

これからもロームの挑戦は終わりません。SiCパワーデバイスのリーディングカンパニーとして、更なる品質の向上を図るとともに、さまざまな分野で

研究を進めています。

眠れる性能を呼び覚ましたのは、研究者たちの情熱でした。

S i C。それは、46億年を旅した半導体。

Power Device　02

Index

SiCパワーデバイス


IPM(インテリジェントパワーモジュール)

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)



生産体制

SiC開発の歴史

主要拠点

P05～P09

P10～P12

P13～P14

P15～P16

P17～P22

P23～P24

P25～P26

P27～P28

P29

01

電力損失を大幅に削減、耐熱性が高く小型化が可能

電力変換や電力制御に利用されるパワーデバイス。その分野で、SiC（シリコン・カーバイド）「炭化ケイ素」は、次世代の材料として注目されています。従来用いられていたSi（シリコン）と比べて、低オン抵抗で、高速スイッチング、高温動作が可能なパワーデバイスが実現できます。

SiCデバイスを使用することにより、機器の小型化・低消費電力化が可能です。高耐圧、高耐熱性に優れた特性をもつことから、今まで使用できなかった小さなスペースや過酷な環境下での実装も可能です。自動車を例にとると、ハイブリッド車、電気自動車に応用することにより、燃費の大幅な向上、室内スペースの拡大に貢献します。また、太陽光発電に適用した場合、電力損失率を50％程度改善可能で地球環境問題への大きな貢献が期待できます。

近年、地球レベルでの電力需要は年々増加しています。その一方で、化石燃料の枯渇、CO₂の排出量増加に伴う地球の温暖化など、エネルギー問題や地球環境問題に対する懸念も大きく、電力の有効活用が急務として求められています。ロームでは、省エネやCO₂削減に貢献する製品として、低消費電力、高効率変換を追及したICをはじめとする高集積回路、受動部品、光半導体、それらを使用したモジュール製品などの「エコデバイス」を市場に提供しています。その中でも、次世代の「エコデバイス」として業界の注目を集めているのがSiCパワーデバイスです。

■従来型半導体とSiCの性能差

絶縁破壊電界(MV/cm）バンドギャップ(eV）熱伝導率(W/cm℃)Si 0.3/SiC 3.0 Si 1.1/SiC 3.2 Si 1.5/SiC 4.9

■電力損失比較

Si(IGBT+FRD)

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

(W)

SiC(MOSFET+SBD)

導通損失（w）

オフ時のスイッチング損失（w）オン時の

スイッチング損失(w)

測定条件Tj=125℃電圧600V電流100A

1アームでの電力損失

機器の省エネ化と小型化SiCは次世代の「エコデバイス」

高温動作（250℃以上）高放熱性

高耐圧低オン抵抗高速SW

・高電圧、大電流化・導通損失低減・スイッチング損失低減

・冷却機構の小型化・高パワー密度化・機器の小型化

“フルSiC”パワーモジュールディスクリート

Power Device　0403

電源、自動車、鉄道、産業機器、家庭用民生機器など、さまざまな場所で活躍するSiCデバイス

電力損失は47%減スイッチング損失は85%減

冷却機構の小型化・軽量化をしたい電費を向上させたい

電動車両（ハイブリッド車や電気自動車など）

パワー・コンディショナーの効率を上げたい

太陽電池

出力をあげ、短時間で充電したいEV充電ステーション

電力損失低減によってデータ・センターの消費電力を削減したい

サーバー機

エアコンを更に省エネ化したい

白物家電電力損失の低減や小型化・高性能化を図りたい

産業機器

SiCウエハ

電力損失を大幅に削減、耐熱性が高く小型化が可能

電力変換や電力制御に利用されるパワーデバイス。その分野で、SiC（シリコン・カーバイド）「炭化ケイ素」は、次世代の材料として注目されています。従来用いられていたSi（シリコン）と比べて、低オン抵抗で、高速スイッチング、高温動作が可能なパワーデバイスが実現できます。

SiCデバイスを使用することにより、機器の小型化・低消費電力化が可能です。高耐圧、高耐熱性に優れた特性をもつことから、今まで使用できなかった小さなスペースや過酷な環境下での実装も可能です。自動車を例にとると、ハイブリッド車、電気自動車に応用することにより、燃費の大幅な向上、室内スペースの拡大に貢献します。また、太陽光発電に適用した場合、電力損失率を50％程度改善可能で地球環境問題への大きな貢献が期待できます。

近年、地球レベルでの電力需要は年々増加しています。その一方で、化石燃料の枯渇、CO₂の排出量増加に伴う地球の温暖化など、エネルギー問題や地球環境問題に対する懸念も大きく、電力の有効活用が急務として求められています。ロームでは、省エネやCO₂削減に貢献する製品として、低消費電力、高効率変換を追及したICをはじめとする高集積回路、受動部品、光半導体、それらを使用したモジュール製品などの「エコデバイス」を市場に提供しています。その中でも、次世代の「エコデバイス」として業界の注目を集めているのがSiCパワーデバイスです。

■従来型半導体とSiCの性能差

絶縁破壊電界(MV/cm）バンドギャップ(eV）熱伝導率(W/cm℃)Si 0.3/SiC 3.0 Si 1.1/SiC 3.2 Si 1.5/SiC 4.9

■電力損失比較

Si(IGBT+FRD)

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

(W)

SiC(MOSFET+SBD)

導通損失（w）

オフ時のスイッチング損失（w）オン時の

スイッチング損失(w)

測定条件Tj=125℃電圧600V電流100A

1アームでの電力損失

機器の省エネ化と小型化SiCは次世代の「エコデバイス」

高温動作（250℃以上）高放熱性

高耐圧低オン抵抗高速SW

・高電圧、大電流化・導通損失低減・スイッチング損失低減

・冷却機構の小型化・高パワー密度化・機器の小型化

“フルSiC”パワーモジュールディスクリート

Power Device　0403

電源、自動車、鉄道、産業機器、家庭用民生機器など、さまざまな場所で活躍するSiCデバイス

電力損失は47%減スイッチング損失は85%減

冷却機構の小型化・軽量化をしたい電費を向上させたい

電動車両（ハイブリッド車や電気自動車など）

パワー・コンディショナーの効率を上げたい

太陽電池

出力をあげ、短時間で充電したいEV充電ステーション

電力損失低減によってデータ・センターの消費電力を削減したい

サーバー機

エアコンを更に省エネ化したい

白物家電電力損失の低減や小型化・高性能化を図りたい

産業機器

SiCウエハ

SiC Power Device　SiCパワーデバイス

SiC Power Device

05 Power Device　06

SiC MOSFET

今までの不可能を“可能”にするSiC世界に先駆けて量産化

SiC パワーデバイス ■ 内部回路図

高速・低オン抵抗化を実現

■ ターンオフ特性（1,200V品での比較）

電流（A）

時間（nsec.）

50 100 150 200 250 300 350 400 4500

VDD=400VRg=5.6Ω

スイッチング損失最大90%削減!

–5

0

5

10

15

20

25

Si-IGBT

SiC MOSFET

世界で初めて※トレンチ構造を採用したSiC MOSFETを開発、量産化に成功。更なる低オン抵抗デバイスの実現により、あらゆる機器の電力損失低減を実現します。

［プレーナ構造］（第2世代）

［トレンチ構造］（第3世代）

SiC N- Drift layer

SiC Sub

PN+P+

SiC N- Drift layer

SiC Sub

P

N+

P+

Metal

Metal

Metal

Metal

次世代デバイスへの進化、第3世代SiC MOSFETデバイス

より導通損失の低い、スイッチング性能が良いデバイスを作成可能

SCTシリーズ

SCHシリーズ

■ SiC MOSFET プレーナ構造とトレンチ構造の性能比較

入力容量（pF）

オン抵抗@25℃（mΩ）

0 40 80 120 1606020 140100

オン抵抗50％低減

同一チップサイズ比較

入力容量35％低減

トレンチ MOSFET40mΩ

プレーナ MOSFET80mΩ

第2世代SiC プレーナMOSFET 第3世代SiC トレンチMOSFET

Drain

Gate

SourceMOSFET SBD

Drain

Gate

SourceMOSFET

シリコンデバイスで実現不可能だった高速スイッチングと低オン抵抗を同時に実現し、高温領域においても優れた電気的特性を示します。スイッチング損失の大幅な低減と周辺部品の小型化に貢献します。

■ オン抵抗の温度特性（650V品での比較）オン抵抗（Ω）

温度（℃）

Si-MOSFET

Si-Super JunctionMOSFET

SiC MOSFET

0 50 100 150 200

2

4

6

8

10

12

高温でもオン抵抗が上がりにくい

TO-268-2L

TO-220AB

TO-3PFM

TO-247N

第3世代SiCトレンチMOSFETSCT3017ALSCT3022ALSCT3030ALSCT3060ALSCT3080ALSCT3120ALSCT3022KLSCT3030KLSCT3040KLSCT3080KLSCT3105KLSCT3160KL

1189370393021957255312417

－－－－－－－－－－－－

NNNNNNNNNNNN

6506506506506506501,2001,2001,2001,2001,2001,200

TO-247(TO-247N)

427339262165134103427339262165134103

172230608012022304080105160

172133104584838178131107605142

181818181818181818181818

SiC MOSFET

第2世代SiCプレーナMOSFETSCT2120AFSCH2080KESCT2080KESCT2160KESCT2280KESCT2450KESCT2750NYSCT2H12NYSCT2H12NZ

2940402214105.943.7

－－－－－－－－－

NNNNNNNNN

6501,2001,2001,2001,2001,2001,7001,7001,700

TO-220AB

TO-247(TO-247N)

TO-268-2L

TO-3PFM

車載対応（AEC-Q101）

極性（ch）

VDSS（V）

ID（A）

16526226216510885574435

PD（W）（Tc＝25℃）パッケージ品名

12080801602804507501,1501,150

RDS（on）Typ.（mΩ）

QgTyp.（nC）

VGS＝18V

61106106623527171414

VGS＝18V

181818181818181818

駆動電圧（V）

注)パッケージはJEDEC表記です。

※2018年10月ローム調べ


SiC Power Device


SiC MOSFET

今までの不可能を“可能”にするSiC世界に先駆けて量産化

SiC パワーデバイス ■ 内部回路図

高速・低オン抵抗化を実現

■ ターンオフ特性（1,200V品での比較）

電流（A）

時間（nsec.）

50 100 150 200 250 300 350 400 4500

VDD=400VRg=5.6Ω

スイッチング損失最大90%削減!

–5

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5

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Si-IGBT

SiC MOSFET

世界で初めて※トレンチ構造を採用したSiC MOSFETを開発、量産化に成功。更なる低オン抵抗デバイスの実現により、あらゆる機器の電力損失低減を実現します。

［プレーナ構造］（第2世代）

［トレンチ構造］（第3世代）

SiC N- Drift layer

SiC Sub

PN+P+

SiC N- Drift layer

SiC Sub

P

N+

P+

Metal

Metal

Metal

Metal

次世代デバイスへの進化、第3世代SiC MOSFETデバイス

より導通損失の低い、スイッチング性能が良いデバイスを作成可能

SCTシリーズ

SCHシリーズ

■ SiC MOSFET プレーナ構造とトレンチ構造の性能比較

入力容量（pF）

オン抵抗@25℃（mΩ）

0 40 80 120 1606020 140100

オン抵抗50％低減

同一チップサイズ比較

入力容量35％低減

トレンチ MOSFET40mΩ

プレーナ MOSFET80mΩ

第2世代SiC プレーナMOSFET 第3世代SiC トレンチMOSFET

Drain

Gate

SourceMOSFET SBD

Drain

Gate

SourceMOSFET

シリコンデバイスで実現不可能だった高速スイッチングと低オン抵抗を同時に実現し、高温領域においても優れた電気的特性を示します。スイッチング損失の大幅な低減と周辺部品の小型化に貢献します。

■ オン抵抗の温度特性（650V品での比較）

オン抵抗（Ω）

温度（℃）

Si-MOSFET

Si-Super JunctionMOSFET

SiC MOSFET

0 50 100 150 200

2

4

6

8

10

12

高温でもオン抵抗が上がりにくい

TO-268-2L

TO-220AB

TO-3PFM

TO-247N

第3世代SiCトレンチMOSFETSCT3017ALSCT3022ALSCT3030ALSCT3060ALSCT3080ALSCT3120ALSCT3022KLSCT3030KLSCT3040KLSCT3080KLSCT3105KLSCT3160KL

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6506506506506506501,2001,2001,2001,2001,2001,200

TO-247(TO-247N)

427339262165134103427339262165134103

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172133104584838178131107605142

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SiC MOSFET

第2世代SiCプレーナMOSFETSCT2120AFSCH2080KESCT2080KESCT2160KESCT2280KESCT2450KESCT2750NYSCT2H12NYSCT2H12NZ

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TO-220AB

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TO-268-2L

TO-3PFM


極性（ch）

VDSS（V）

ID（A）

16526226216510885574435

PD（W）（Tc＝25℃）パッケージ品名

12080801602804507501,1501,150

RDS（on）Typ.（mΩ）

QgTyp.（nC）

VGS＝18V

61106106623527171414

VGS＝18V

181818181818181818

駆動電圧（V）

注)パッケージはJEDEC表記です。




SiC SBD（ショットキーバリアダイオード）

※1：(1端子/パッケージ) 　※2：Rev.C注）パッケージはJEDEC表記です。（　）内は ROHMパッケージを示します。

※1：Rev.C注)パッケージはJEDEC表記です。（　）内はROHMパッケージを示します。

第2世代 SiCショットキーバリアダイオード

SCS206AJSCS208AJSCS210AJSCS212AJSCS215AJSCS220AJSCS206AJHRSCS208AJHRSCS210AJHRSCS212AJHRSCS215AJHRSCS220AJHRSCS206AGSCS208AGSCS210AGSCS212AGSCS215AGSCS220AGSCS206AGHRSCS208AGHRSCS210AGHRSCS212AGHRSCS215AGHRSCS220AGHRSCS206AMSCS208AMSCS210AMSCS212AMSCS215AMSCS220AMSCS215AESCS220AESCS220AE2SCS230AE2SCS240AE2SCS220AE2HRSCS230AE2HRSCS240AE2HRSCS205KGSCS210KGSCS215KGSCS220KGSCS205KGHRSCS210KGHRSCS215KGHRSCS220KGHRSCS210KE2SCS220KE2SCS230KE2SCS240KE2SCS210KE2HRSCS220KE2HRSCS230KE2AHRSCS240KE2AHR

681012152068101215206810121520681012152068101215201520

10/20※115/30※120/40※110/20※115/30※120/40※151015205101520

5/10※110/20※115/30※120/40※15/10※110/20※115/30※120/40※1

－－－－－－YESYESYESYESYESYES－－－－－－YESYESYESYESYESYES－－－－－－－－－－－YESYESYES－－－－YESYESYESYES－－－－YESYESYESYES

650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 6506506506506506506506506506506506506506506501,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,200

650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 6506506506506506506506506506506506506506506501,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,200

車載対応（AEC-Q101※2） VRM

(V)VR(V)

絶対最大定格（Ta＝25℃）電気的特性（Ta＝25℃）IF(A)

2229384252672229384252672229384252672229384252672229384252675267

38/76※152/104※167/135※138/76※152/104※167/135※12242627822426278

22/45※142/84※162/124※178/157※122/45※142/84※162/124※178/157※1

IFSM(A)50Hz.1

1.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.4

6810121520681012152068101215206810121520681012152015201015201015205101520510152051015205101520

120160200240300400120160200240300400120160200240300400120160200240300400120160200240300400300400200300400200300400100200300400100200300400100200300400100200300400

6006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,200

VF(V)Typ.

等価回路図品名IF(A)

IR(μA)Max. VR(V)

TO-263AB（LPTL）

TO-220AC

TO-220FM

TO-247

TO-220AC

TO-247

パッケージ

スイッチング損失を大幅に低減

電気/ハイブリッド自動車内に搭載されている充電回路にはロームのSiC SBD製品が数多く採用されています。

ロームは車載グレード(AEC-Q101準拠)の製品をラインアップ

ロームはデバイスプロセスの改善を継続し、世代変化に伴い低VFを実施しております

PFC回路やインバータ用途に最適なSiCを用いたSBDを開発。Si FRD（ファストリカバリダイオード）では実現できなかった極小の逆回復時間（trr）により、高速スイッチングが可能です。逆回復電荷量（Qrr）が小さいため、スイッチング損失を低減、機器の小型化に貢献します。

■ スイッチング波形（600V/10A品）

12

10

8

6

4

2

0

–2

–4

–6100

時間（nsec.）

200

SiC SBD

Si-FRD

電流（A）スイッチング損失

約60％低減

VR=400Vdi/dt=350A/μsec.

TO-220FM

TO-220ACP

TO-263AB（LPTL）

TO-247［2素子入り］

PFC Boost DiodeSiC SBD 650V

Secondary SideRectificationSiC SBD 1,200V

■ 車載充電　回路例

第2世代

第1世代

10

4

0 0.5 1 1.5 2 VF(V)

IF(A)

■ 世代進化とともに低VF化を実現

8

6

2

第3世代

SCS310AHG

SiCショットキーバリアダイオード

SCS302AJSCS304AJSCS306AJSCS308AJSCS310AJSCS312AJSCS315AJSCS320AJSCS302AHGSCS304AHGSCS306AHGSCS308AHGSCS310AHGSCS312AHGSCS315AHGSCS320AHGSCS304AMSCS306AMSCS308AMSCS310AMSCS312AMSCS315AMSCS320AM

24681012152024681012152046810121520

－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－

650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650

650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650


(V)VR(V)


1927476782961121231927476782961121232747678296112123

IFSM(A)50Hz.1

1.351.351.351.351.351.351.351.35111111111111111

24681012152024681012152046810121520

1020304050607510010203040506075100203040506075100

650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650

VF(V)Typ.


IR(μA)Max. VR(V)

TO-263AB(LPTL)

TO-220ACP

TO-220FM

パッケージ

■ 低VF・高サージ電流耐量

1.2 1.3 1.4 1.5 1.6

130

120

110

100

90 80

70 60

50 40 30

VF@10A(V)

IFSM@ 10msec.(A)

ROHM 3G Low VF and High IFSM

ROHM2G SBDSCS210ALow VF

ROHM

1G SBDSCS110A

他社特性

(650V/10A)(Ta=150℃)

注）（）内はROHMパッケージを　　示します。



SiC SBD（ショットキーバリアダイオード）

※1：(1端子/パッケージ) 　※2：Rev.C注）パッケージはJEDEC表記です。（　）内は ROHMパッケージを示します。

※1：Rev.C注)パッケージはJEDEC表記です。（　）内はROHMパッケージを示します。

第2世代 SiCショットキーバリアダイオード

SCS206AJSCS208AJSCS210AJSCS212AJSCS215AJSCS220AJSCS206AJHRSCS208AJHRSCS210AJHRSCS212AJHRSCS215AJHRSCS220AJHRSCS206AGSCS208AGSCS210AGSCS212AGSCS215AGSCS220AGSCS206AGHRSCS208AGHRSCS210AGHRSCS212AGHRSCS215AGHRSCS220AGHRSCS206AMSCS208AMSCS210AMSCS212AMSCS215AMSCS220AMSCS215AESCS220AESCS220AE2SCS230AE2SCS240AE2SCS220AE2HRSCS230AE2HRSCS240AE2HRSCS205KGSCS210KGSCS215KGSCS220KGSCS205KGHRSCS210KGHRSCS215KGHRSCS220KGHRSCS210KE2SCS220KE2SCS230KE2SCS240KE2SCS210KE2HRSCS220KE2HRSCS230KE2AHRSCS240KE2AHR

681012152068101215206810121520681012152068101215201520

10/20※115/30※120/40※110/20※115/30※120/40※151015205101520

5/10※110/20※115/30※120/40※15/10※110/20※115/30※120/40※1

－－－－－－YESYESYESYESYESYES－－－－－－YESYESYESYESYESYES－－－－－－－－－－－YESYESYES－－－－YESYESYESYES－－－－YESYESYESYES

650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 6506506506506506506506506506506506506506506501,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,200

650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 6506506506506506506506506506506506506506506501,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,200


(V)VR(V)


2229384252672229384252672229384252672229384252672229384252675267

38/76※152/104※167/135※138/76※152/104※167/135※12242627822426278

22/45※142/84※162/124※178/157※122/45※142/84※162/124※178/157※1

IFSM(A)50Hz.1

1.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.351.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.41.4

6810121520681012152068101215206810121520681012152015201015201015205101520510152051015205101520

120160200240300400120160200240300400120160200240300400120160200240300400120160200240300400300400200300400200300400100200300400100200300400100200300400100200300400

6006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006006001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,2001,200

VF(V)Typ.


IR(μA)Max. VR(V)

TO-263AB（LPTL）

TO-220AC

TO-220FM

TO-247

TO-220AC

TO-247

パッケージ

スイッチング損失を大幅に低減

電気/ハイブリッド自動車内に搭載されている充電回路にはロームのSiC SBD製品が数多く採用されています。

ロームは車載グレード(AEC-Q101準拠)の製品をラインアップ

ロームはデバイスプロセスの改善を継続し、世代変化に伴い低VFを実施しております

PFC回路やインバータ用途に最適なSiCを用いたSBDを開発。Si FRD（ファストリカバリダイオード）では実現できなかった極小の逆回復時間（trr）により、高速スイッチングが可能です。逆回復電荷量（Qrr）が小さいため、スイッチング損失を低減、機器の小型化に貢献します。

■ スイッチング波形（600V/10A品）

12

10

8

6

4

2

0

–2

–4

–6100

時間（nsec.）

200

SiC SBD

Si-FRD

電流（A）スイッチング損失

約60％低減

VR=400Vdi/dt=350A/μsec.

TO-220FM

TO-220ACP

TO-263AB（LPTL）

TO-247［2素子入り］

PFC Boost DiodeSiC SBD 650V

Secondary SideRectificationSiC SBD 1,200V

■ 車載充電　回路例

第2世代

第1世代

10

4

0 0.5 1 1.5 2 VF(V)

IF(A)

■ 世代進化とともに低VF化を実現

8

6

2

第3世代

SCS310AHG

SiCショットキーバリアダイオード

SCS302AJSCS304AJSCS306AJSCS308AJSCS310AJSCS312AJSCS315AJSCS320AJSCS302AHGSCS304AHGSCS306AHGSCS308AHGSCS310AHGSCS312AHGSCS315AHGSCS320AHGSCS304AMSCS306AMSCS308AMSCS310AMSCS312AMSCS315AMSCS320AM

24681012152024681012152046810121520

－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－

650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650

650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650


(V)VR(V)


1927476782961121231927476782961121232747678296112123

IFSM(A)50Hz.1

1.351.351.351.351.351.351.351.35111111111111111

24681012152024681012152046810121520

1020304050607510010203040506075100203040506075100

650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650

VF(V)Typ.


IR(μA)Max. VR(V)

TO-263AB(LPTL)

TO-220ACP

TO-220FM

パッケージ

■ 低VF・高サージ電流耐量

1.2 1.3 1.4 1.5 1.6

130

120

110

100

90 80

70 60

50 40 30

VF@10A(V)

IFSM@ 10msec.(A)

ROHM 3G Low VF and High IFSM

ROHM2G SBDSCS210ALow VF

ROHM

1G SBDSCS110A

他社特性

(650V/10A)(Ta=150℃)

注）（）内はROHMパッケージを　　示します。



“フルSiC”パワーモジュール

スイッチング損失を最大80％低減

■ スイッチング損失の比較

IGBT 1,200V 100A Full SiC 1,200V 100A

Dissipation per Arm(W)

Carrier Frequency = 20kHz

0

50

100

200

150

Switchingloss

Conductionloss

Si-IGBTと比較し、スイッチング損失約80%削減

E type

G type

C type

G1

G2

D1

S2SS2

SS1S1D2

Thermistor fortemperature monitoring(BSM300D12P2E001 only)

SiC MOSFET

SiC MOSFET SiC SBD

SiC SBD

ローム製SiCデバイスを用い、低サージノイズのパワーモジュールを開発。SiCの高速性能を最大限に引き出します。Si-IGBTと比較してスイッチング損失を大幅に低減できます。第3世代SiC MOSFETの使用により、より大電流定格仕様の“フルSiC”パワーモジュール製品を展開。

■ 内部回路例（ハーフブリッジ回路）

フルSiCパワーモジュール

第2世代

BSM080D12P2C008

BSM120D12P2C005

BSM120C12P2C201

BSM180D12P2C101

BSM180C12P2E202

BSM180D12P2E002

BSM300D12P2E001

BSM400D12P2G003

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

80

120

120

180

180

180

300

400

C type

E type

G type

VDSS（V）パッケージ

等価回路図品名

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋175

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

第3世代

BSM180D12P3C007

BSM180C12P3C202

BSM300C12P3E201

BSM400C12P3G202

BSM400D12P3G002

BSM600C12P3G201

BSM600D12P3G001

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

180

180

300

400

400

600

600

C type

G type

E type

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

ID（A）

Tstg(℃)

Tj(℃)

絶対最大定格（Tj＝25℃）

Visol(V)AC 1min.

特　長

Peripheral IC around SiC Device

SiCパワー半導体をサポートし、普及に貢献


絶縁素子内蔵ゲートドライバ

SiCに対応した高速動作を実現

● 入出力遅延時間Max.60nsの高速動作● コアレストランスを用いて、　2,500Vrms/3,750Vrms絶縁を内蔵● 独自のノイズキャンセル技術で、　高CMR（同相ノイズ除去）を実現● 高VGS・負電源※に対応 ※BM6101FV-C, BM6104FV-C● 小型パッケージ　（SSOP-B20W：6.5×8.1×2.01mm）　（SSOP-B10W：3.5×10.2×1.9mm）

■ IPM動作波形（BM6101FV-C）

パラメータ

入力電源電圧

出力電源電圧

出力VEE電圧

動作温度範囲

VCC1

VCC2

VEE2

Ta

＋4.5

＋14

－12

－40

＋5.5

＋24

±0

＋125

V

V

V

℃

記号 Min. Max. ユニット

〈Conditions〉ローム製SiC IPM　 VCC1＝5.0　VCC2＝18V　VEE２＝-5V　VPN＝800V　Ta=25℃　2μs/div.

IN（10V/div.）

SiC FET ゲート（20V/div.）

Id（500A/div.）V

A

SiC FET ドレイン（500V/div.）

ゲートドライバ

IN g

d

s

P

N

SiC MOSFET

SiC SBD

800V

18V

5V

5V

■ 推奨動作範囲（BM6101FV-C）

800V/400A出力まで安定駆動を確認

SSOP-B20W

SSOP-B10W

絶縁素子内蔵ゲートドライバ（車載向け）

BM6101FV-C

BM6102FV-C

BM6104FV-C

BM61S40RFV-C

－12～±0

－

－12～±0

－

4.5～5.5

4.5～5.5

4.5～5.5

4.5～5.5

14～24

14～20

10～24

16～20

入力側電源電圧(V)

出力側正電源電圧(V)

出力側負電源電圧(V)

2,500

2,500

2,500

3,750

絶縁電圧(Vrms)

最大出力電流(A)

品名

180

100

90

60

最小入力パルス幅(ns)

350

200

150

60

入出力遅延時間(ns)

3.0

3.0

3.0

4.0

動作温度(℃)

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

パッケージ機能

SSOP-B20W

SSOP-B10W

ミラークランプ/Fail出力/低電圧保護回路内蔵/サーマルプロテクション/短絡保護/DESAT/

短絡保護時ソフトターンオフ

ミラークランプ/Fail出力/低電圧保護回路内蔵/短絡保護/DESAT/


ミラークランプ/過電圧保護回路低電圧保護回路内蔵



“フルSiC”パワーモジュール

スイッチング損失を最大80％低減

■ スイッチング損失の比較

IGBT 1,200V 100A Full SiC 1,200V 100A

Dissipation per Arm(W)

Carrier Frequency = 20kHz

0

50

100

200

150

Switchingloss

Conductionloss

Si-IGBTと比較し、スイッチング損失約80%削減

E type

G type

C type

G1

G2

D1

S2SS2

SS1S1D2

Thermistor fortemperature monitoring(BSM300D12P2E001 only)

SiC MOSFET

SiC MOSFET SiC SBD

SiC SBD

ローム製SiCデバイスを用い、低サージノイズのパワーモジュールを開発。SiCの高速性能を最大限に引き出します。Si-IGBTと比較してスイッチング損失を大幅に低減できます。第3世代SiC MOSFETの使用により、より大電流定格仕様の“フルSiC”パワーモジュール製品を展開。

■ 内部回路例（ハーフブリッジ回路）

フルSiCパワーモジュール

第2世代

BSM080D12P2C008

BSM120D12P2C005

BSM120C12P2C201

BSM180D12P2C101

BSM180C12P2E202

BSM180D12P2E002

BSM300D12P2E001

BSM400D12P2G003

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

80

120

120

180

180

180

300

400

C type

E type

G type

VDSS（V）パッケージ

等価回路図品名

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋175

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

第3世代

BSM180D12P3C007

BSM180C12P3C202

BSM300C12P3E201

BSM400C12P3G202

BSM400D12P3G002

BSM600C12P3G201

BSM600D12P3G001

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋175

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

180

180

300

400

400

600

600

C type

G type

E type

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

2,500

ID（A）

Tstg(℃)

Tj(℃)

絶対最大定格（Tj＝25℃）

Visol(V)AC 1min.

特　長

Peripheral IC around SiC Device

SiCパワー半導体をサポートし、普及に貢献


絶縁素子内蔵ゲートドライバ

SiCに対応した高速動作を実現

● 入出力遅延時間Max.60nsの高速動作● コアレストランスを用いて、　2,500Vrms/3,750Vrms絶縁を内蔵● 独自のノイズキャンセル技術で、　高CMR（同相ノイズ除去）を実現● 高VGS・負電源※に対応 ※BM6101FV-C, BM6104FV-C● 小型パッケージ　（SSOP-B20W：6.5×8.1×2.01mm）　（SSOP-B10W：3.5×10.2×1.9mm）

■ IPM動作波形（BM6101FV-C）

パラメータ

入力電源電圧

出力電源電圧

出力VEE電圧

動作温度範囲

VCC1

VCC2

VEE2

Ta

＋4.5

＋14

－12

－40

＋5.5

＋24

±0

＋125

V

V

V

℃

記号 Min. Max. ユニット

〈Conditions〉ローム製SiC IPM　 VCC1＝5.0　VCC2＝18V　VEE２＝-5V　VPN＝800V　Ta=25℃　2μs/div.

IN（10V/div.）

SiC FET ゲート（20V/div.）

Id（500A/div.）V

A

SiC FET ドレイン（500V/div.）

ゲートドライバ

IN g

d

s

P

N

SiC MOSFET

SiC SBD

800V

18V

5V

5V

■ 推奨動作範囲（BM6101FV-C）

800V/400A出力まで安定駆動を確認

SSOP-B20W

SSOP-B10W

絶縁素子内蔵ゲートドライバ（車載向け）

BM6101FV-C

BM6102FV-C

BM6104FV-C

BM61S40RFV-C

－12～±0

－

－12～±0

－

4.5～5.5

4.5～5.5

4.5～5.5

4.5～5.5

14～24

14～20

10～24

16～20

入力側電源電圧(V)

出力側正電源電圧(V)

出力側負電源電圧(V)

2,500

2,500

2,500

3,750

絶縁電圧(Vrms)

最大出力電流(A)

品名

180

100

90

60

最小入力パルス幅(ns)

350

200

150

60

入出力遅延時間(ns)

3.0

3.0

3.0

4.0

動作温度(℃)

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

－40～＋125

パッケージ機能

SSOP-B20W

SSOP-B10W

ミラークランプ/Fail出力/低電圧保護回路内蔵/サーマルプロテクション/短絡保護/DESAT/


ミラークランプ/Fail出力/低電圧保護回路内蔵/短絡保護/DESAT/


ミラークランプ/過電圧保護回路低電圧保護回路内蔵


AC/DCコンバータ

世界初※ SiC駆動用AC/DCコンバータ制御IC 特　長 ● SiC MOSFETの性能を最大限引き出し、　劇的な省電力化に貢献　 ● SiC MOSFETの駆動を可能にし、劇的な　小型化に貢献　 ● 高電圧AC690Vでも動作可能な　保護機能を多数搭載

本製品は、これまでディスクリート部品の組み合わせで課題となっていたSiC MOSFET搭載AC/DCコンバータを容易に実現できます。これにより、省電力化、小型化が求められるAC/DCコンバータ市場に新たな価値を提供し、SiCパワー半導体の普及による社会の省電力化、小型化に貢献します。

電力変換効率（％）

出力電力（W）10 20 30 40 50 60 70 800

Si-MOSFET

SiC MOSFET

70

75

80

85

90

SiCに変えるだけで最大6％効率を改善可能

※制御ICの性能は同等とするローム調べ

最大6％

SiC MOSFETSi-MOSFET


※詳細及びその他評価ボードについては「SiCサポートページ」をご覧ください。　また、インターネット販売も行っております。　https://www.rohm.co.jp/power-device-support

SOP-J8

BD7682FJ-LB

BD7683FJ-LB

BD7684FJ-LB

BD7685FJ-LB

QR

QR

QR

QR

15.0～27.5

15.0～27.5

15.0～27.5

15.0～27.5

外付け

外付け

外付け

外付け

－

－

－

－

SOP-J8S

120

120

120

120

自動復帰

ラッチ

自動復帰

ラッチ

✓

✓

✓

✓

ラッチ

ラッチ

自動復帰

自動復帰

電源電圧（V） MOSFET MOSFET

性能制御方式最大周波数（kHz）パッケージ品名 FBOLP

保護ブラウンアウト

VCCOVP

AC/DCコンバータIC（SiC MOSFET駆動用）

■ AC/DCコンバータにおけるSi対SiC効率比較

Peripheral IC around SiC Device　SiCデバイス周辺IC

裏面表面

SiC MOSFETドライブ用AC/DCコンバータ制御IC（ローム:BD7682FJ-LB）

1700V SiC MOSFET（ローム：SCT2H12NZ）

SiC評価ボードローム製品の評価ボードを各種取り揃えております。

特　長 ● SiCサポートページにて「損失シミュレータ」　にてフルSiCモジュールの損失を　シミュレーションできます。　(サポートページへは下記QRコードより　アクセスしてください。)　　

ロームでは、各種SiCパワーデバイスとSiCデバイス周辺ICをご評価いただくのに最適な評価ツールを取り揃えております。ローム製の電源内蔵ゲートドライバICやS iC MOSFETドライブ用AC/DCコンバータ制御ICなどを搭載し、ロームのSiCパワーデバイスを容易に評価することが可能です。

■ 評価用電源基板

SiC MOSFFET SCT2H12NZの性能を簡単にご確認いただけます。

BM60052FV-EVK-001

■ フライバック電源内蔵 2chゲートドライバリファレンスボード

1,200V/300AフルSiCパワーモジュールBSM300D12P2E001に直接実装できるローム製2chゲートドライバリファレンスボードです。ゲート電圧用絶縁型DC/DCコンバータを内蔵しています。

● 1,200V/300A SiCパワーモジュールBSM300D12P2E001の　直接駆動が可能● 保護機能搭載(短絡検出、ソフトターンオフ、FLT出力、UVLO、　ゲート監視出力、ミラークランプ)

BD7682FJ-LB-EVK-402● SiC MOSFET駆動、AC/DC評価ボード　(フライバックコンバータ）　● 1,700V SiC MOSFET SCT2H12NZ搭載　● AC/DCコンバータ制御IC BD7682FJ-LB搭載● 三相AC300～690V 入力24V/1A出力


AC/DCコンバータ

世界初※ SiC駆動用AC/DCコンバータ制御IC 特　長 ● SiC MOSFETの性能を最大限引き出し、　劇的な省電力化に貢献　 ● SiC MOSFETの駆動を可能にし、劇的な　小型化に貢献　 ● 高電圧AC690Vでも動作可能な　保護機能を多数搭載

本製品は、これまでディスクリート部品の組み合わせで課題となっていたSiC MOSFET搭載AC/DCコンバータを容易に実現できます。これにより、省電力化、小型化が求められるAC/DCコンバータ市場に新たな価値を提供し、SiCパワー半導体の普及による社会の省電力化、小型化に貢献します。

電力変換効率（％）

出力電力（W）10 20 30 40 50 60 70 800

Si-MOSFET

SiC MOSFET

70

75

80

85

90

SiCに変えるだけで最大6％効率を改善可能

※制御ICの性能は同等とするローム調べ

最大6％

SiC MOSFETSi-MOSFET


※詳細及びその他評価ボードについては「SiCサポートページ」をご覧ください。　また、インターネット販売も行っております。　https://www.rohm.co.jp/power-device-support

SOP-J8

BD7682FJ-LB

BD7683FJ-LB

BD7684FJ-LB

BD7685FJ-LB

QR

QR

QR

QR

15.0～27.5

15.0～27.5

15.0～27.5

15.0～27.5

外付け

外付け

外付け

外付け

－

－

－

－

SOP-J8S

120

120

120

120

自動復帰

ラッチ

自動復帰

ラッチ

✓

✓

✓

✓

ラッチ

ラッチ

自動復帰

自動復帰

電源電圧（V） MOSFET MOSFET

性能制御方式最大周波数（kHz）パッケージ品名 FBOLP

保護ブラウンアウト

VCCOVP

AC/DCコンバータIC（SiC MOSFET駆動用）

■ AC/DCコンバータにおけるSi対SiC効率比較

Peripheral IC around SiC Device　SiCデバイス周辺IC

裏面表面

SiC MOSFETドライブ用AC/DCコンバータ制御IC（ローム:BD7682FJ-LB）

1700V SiC MOSFET（ローム：SCT2H12NZ）

SiC評価ボードローム製品の評価ボードを各種取り揃えております。

特　長 ● SiCサポートページにて「損失シミュレータ」　にてフルSiCモジュールの損失を　シミュレーションできます。　(サポートページへは下記QRコードより　アクセスしてください。)　　

ロームでは、各種SiCパワーデバイスとSiCデバイス周辺ICをご評価いただくのに最適な評価ツールを取り揃えております。ローム製の電源内蔵ゲートドライバICやS iC MOSFETドライブ用AC/DCコンバータ制御ICなどを搭載し、ロームのSiCパワーデバイスを容易に評価することが可能です。

■ 評価用電源基板

SiC MOSFFET SCT2H12NZの性能を簡単にご確認いただけます。

BM60052FV-EVK-001

■ フライバック電源内蔵 2chゲートドライバリファレンスボード

1,200V/300AフルSiCパワーモジュールBSM300D12P2E001に直接実装できるローム製2chゲートドライバリファレンスボードです。ゲート電圧用絶縁型DC/DCコンバータを内蔵しています。

● 1,200V/300A SiCパワーモジュールBSM300D12P2E001の　直接駆動が可能● 保護機能搭載(短絡検出、ソフトターンオフ、FLT出力、UVLO、　ゲート監視出力、ミラークランプ)

BD7682FJ-LB-EVK-402● SiC MOSFET駆動、AC/DC評価ボード　(フライバックコンバータ）　● 1,700V SiC MOSFET SCT2H12NZ搭載　● AC/DCコンバータ制御IC BD7682FJ-LB搭載● 三相AC300～690V 入力24V/1A出力

Intelligent Power Module　IPM（インテリジェントパワーモジュール）


MOS-IPM

※1 AC60Hz、1min.、凸型ヒートシンク使用時は2,500Vrms対応可能※2 TSD：Thermal Shut Down、VOT：アナログ温度出力

Intell igent Power Module

モータ制御に最適なインテリジェント製品をラインアップ

IPM

IGBT-IPM モータ制御を1パッケージで実現

（インテリジェントパワーモジュール）

HSDIP25

HSDIP25VC

■ アプリケーションに応じたIGBTを使用し、　高効率駆動を実現

Switching Loss(μJ)

Saturation Voltage VCE (sat) (V)

★

★Gen.2:2nd Generationfc:Carrier Frequency (PWM frequency)

HigherEfficiency

特　長 ● アプリケーションに応じたIGBT最適化設計　低速/高速スイッチング用途の2シリーズを　ラインアップ　 ● IGBT、FWD（Free Wheeling Diode）、　ブートストラップダイオード、ゲートドライバを　1パッケージに搭載 ● 充実の保護回路（短絡電流保護、電源電圧　低下保護、熱遮断回路、アナログ温度出力回路）　と保護回路動作時のFAULT信号出力機能

モータ制御に必要なパワーデバイス制御IC、周辺回路などを1パッケージ化した製品です。アプリケーションに応じたIGBT最適化設計を実施しています。

■ 回路図


HighSideGateDriver(HVIC)

LowSideGateDriver(LVIC)

24 P

23 U

22 V

21 W

20 NU

19 NV

18 NW

16GND

17VOT

15CIN

14FO

13LVCC

12LINW

11LINV

10LINU

9GND

8HVCC

7HINW

6HINV

5HINU

4VBW

3VBV

2VBU

HVIC(High-side Gate Driver)

Inverter Part (IGBT and FWD)･低損失フィールドストップトレンチIGBT ･超低VFファストリカバリダイオード

LVIC(Low-side Gate Driver)･UVLO, SCP, TSD, VOT･Fault 信号出力

･アナログ温度出力機能付き仕様：VOT （BM6356×S, BM6396×S）･TSD付き仕様：NC（ノーコネクション）（BM6336×S, BM6376×S）

Bootstrap Diode ･ブートストラップダイオード電流制限機能･フローティング電源UVLO･ファストリカバリダイオード

UVLO : 電源電圧低下時誤動作防止SCP : 短絡電流保護TSD : 熱遮断VOT : アナログ温度出力

保護回路

IGBT-IPM

BM63363S-VABM63363S-VCBM63563S-VABM63563S-VCBM63763S-VABM63763S-VCBM63963S-VABM63963S-VCBM63364S-VABM63364S-VCBM63564S-VABM63564S-VCBM63764S-VABM63764S-VCBM63964S-VABM63964S-VCBM63767S-VABM63767S-VCBM63967S-VABM63967S-VC

IGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBT

パワーデバイス

1.51.51.51.51.71.71.71.71.51.51.51.51.71.71.71.71.71.71.71.7

600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600

1010101010101010151515151515151530303030

VCES（V）

IC（A）

VCE(sat)（V）

～6～6～6～6～20～20～20～20～6～6～6～6～20～20～20～20～20～20～20～20

パッケージ品名

1,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,500

絶縁耐圧※1

（Vrms）PWM入力周波数（kHz）

TSDTSDVOTVOTTSDTSDVOTVOTTSDTSDVOTVOTTSDTSDVOTVOTTSDTSDVOTVOT

温度保護機能※2

HSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VC

・低速スイッチングタイプ（fc=～ 6kHz）・導通損失重視

・高速スイッチングタイプ（fc=～ 20kHz）・スイッチングロス重視

モータドライブ機器の高効率化に貢献

■ VDS-IDの特長

14

12

10

8

6

4

2

01

VDS（V）

2

BM65364S-VA

1.50.50

IGBT-IPM

ID （A）

ConditionTj=25°CAPF : Annual Performance FactorIPLV : Integrated Part Value LoadSEER : Seasonal Energy Efficiency Ratio

約76％低減定常動作時の損失を低減

エアコン省エネ指数(APF, IPLV, SEER)向上に貢献

BM65364S-VA

Loss(w)

ConditionTa=25°CP=400V, Vcc=15Vfc=5kHz, 2Armscos φ=0.8modulation ratio=13-phase modulation

ダイオードの逆回復損失スイッチングロス（OFF）スイッチングロス（ON）ダイオードの導通損失MOSとIGBTの導通損失

IGBT-IPM

電力損失約43%低減

HSDIP25

HSDIP25VC

GNDCINFO

LVCCLINWLINVLINUGNDHVCCHINWHINVHINU

VBW

VBV

VBU

NW

NV

NU

W

V

U

P

･ファストリカバリダイオード

･高速trrスーパージャンクションMOSFET･超低VFボディダイオード

･ブートストラップダイオード電流制限機能･フローティング電源UVLO

･UVLO, SCP, TSD･Fault 信号出力

2

3

4

5678910111213

1516

TEST 17 18

19

20

21

22

23

24

14

Bootstrap Diodes

LVIC (Low-side Gate Driver)

HVIC (High-side Gate Driver)

Inverter Part(PrestoMOS™)

High SideGate Driver(HVIC)

Low SideGate Driver(LVIC)

Protection Circuits（保護回路）　UVLO：Under Voltage Lock Out（電源電圧低下時誤動作防止)SCP：Short Circuit Protection（短絡電流保護）　TSD：Thermal Shut Down（熱遮断）

特　長 ● PrestoMOSTM搭載600V/15A IPM　 ● MOSFETデバイスの使用により、　定常動作時の高効率化に貢献　 ● PrestoMOSTM、ブートストラップ　ダイオード、ゲートドライバを搭載　 ● 充実の保護回路（短絡電流保護、電源電圧　低下保護、熱遮断回路）と保護回路動作時の　FAULT信号出力機能 ※PrestoMOSTMはロームの商標です。

ローム製PrestoMOSTMを使用した高効率IPM製品です。IGBT-IPMと比較し、エアコン定常運転時の損失を大幅に低減します。

■ 回路図

MOS-IPM

BM65364S-VA

BM65364S-VC

15

15

MOSFET

MOSFET

600

600

パワーデバイス VDSS（V）

ID（A）

Ron（mΩ）

120

120

推奨スイッチング周波数（kHz）パッケージ品名

1,500

1,500


～20

～20

絶縁耐圧※1

（Vrms）

TSD

TSD

HSDIP25

HSDIP25VC

■ IGBT-IPMとの電力損失比較

Intelligent Power Module　IPM（インテリジェントパワーモジュール）


MOS-IPM


Intell igent Power Module

モータ制御に最適なインテリジェント製品をラインアップ

IPM

IGBT-IPM モータ制御を1パッケージで実現

（インテリジェントパワーモジュール）

HSDIP25

HSDIP25VC

■ アプリケーションに応じたIGBTを使用し、　高効率駆動を実現

Switching Loss(μJ)

Saturation Voltage VCE (sat) (V)

★

★Gen.2:2nd Generationfc:Carrier Frequency (PWM frequency)

HigherEfficiency

特　長 ● アプリケーションに応じたIGBT最適化設計　低速/高速スイッチング用途の2シリーズを　ラインアップ　 ● IGBT、FWD（Free Wheeling Diode）、　ブートストラップダイオード、ゲートドライバを　1パッケージに搭載 ● 充実の保護回路（短絡電流保護、電源電圧　低下保護、熱遮断回路、アナログ温度出力回路）　と保護回路動作時のFAULT信号出力機能

モータ制御に必要なパワーデバイス制御IC、周辺回路などを1パッケージ化した製品です。アプリケーションに応じたIGBT最適化設計を実施しています。

■ 回路図


HighSideGateDriver(HVIC)

LowSideGateDriver(LVIC)

24 P

23 U

22 V

21 W

20 NU

19 NV

18 NW

16GND

17VOT

15CIN

14FO

13LVCC

12LINW

11LINV

10LINU

9GND

8HVCC

7HINW

6HINV

5HINU

4VBW

3VBV

2VBU

HVIC(High-side Gate Driver)

Inverter Part (IGBT and FWD)･低損失フィールドストップトレンチIGBT ･超低VFファストリカバリダイオード

LVIC(Low-side Gate Driver)･UVLO, SCP, TSD, VOT･Fault 信号出力

･アナログ温度出力機能付き仕様：VOT （BM6356×S, BM6396×S）･TSD付き仕様：NC（ノーコネクション）（BM6336×S, BM6376×S）

Bootstrap Diode ･ブートストラップダイオード電流制限機能･フローティング電源UVLO･ファストリカバリダイオード

UVLO : 電源電圧低下時誤動作防止SCP : 短絡電流保護TSD : 熱遮断VOT : アナログ温度出力

保護回路

IGBT-IPM

BM63363S-VABM63363S-VCBM63563S-VABM63563S-VCBM63763S-VABM63763S-VCBM63963S-VABM63963S-VCBM63364S-VABM63364S-VCBM63564S-VABM63564S-VCBM63764S-VABM63764S-VCBM63964S-VABM63964S-VCBM63767S-VABM63767S-VCBM63967S-VABM63967S-VC

IGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBTIGBT

パワーデバイス

1.51.51.51.51.71.71.71.71.51.51.51.51.71.71.71.71.71.71.71.7

600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600

1010101010101010151515151515151530303030

VCES（V）

IC（A）

VCE(sat)（V）

～6～6～6～6～20～20～20～20～6～6～6～6～20～20～20～20～20～20～20～20

パッケージ品名

1,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,5001,500

絶縁耐圧※1

（Vrms）PWM入力周波数（kHz）

TSDTSDVOTVOTTSDTSDVOTVOTTSDTSDVOTVOTTSDTSDVOTVOTTSDTSDVOTVOT


HSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VCHSDIP25HSDIP25VC

・低速スイッチングタイプ（fc=～ 6kHz）・導通損失重視

・高速スイッチングタイプ（fc=～ 20kHz）・スイッチングロス重視

モータドライブ機器の高効率化に貢献

■ VDS-IDの特長

14

12

10

8

6

4

2

01

VDS（V）

2

BM65364S-VA

1.50.50

IGBT-IPM

ID （A）

ConditionTj=25°CAPF : Annual Performance FactorIPLV : Integrated Part Value LoadSEER : Seasonal Energy Efficiency Ratio

約76％低減定常動作時の損失を低減

エアコン省エネ指数(APF, IPLV, SEER)向上に貢献

BM65364S-VA

Loss(w)

ConditionTa=25°CP=400V, Vcc=15Vfc=5kHz, 2Armscos φ=0.8modulation ratio=13-phase modulation

ダイオードの逆回復損失スイッチングロス（OFF）スイッチングロス（ON）ダイオードの導通損失MOSとIGBTの導通損失

IGBT-IPM

電力損失約43%低減

HSDIP25

HSDIP25VC

GNDCINFO

LVCCLINWLINVLINUGNDHVCCHINWHINVHINU

VBW

VBV

VBU

NW

NV

NU

W

V

U

P

･ファストリカバリダイオード

･高速trrスーパージャンクションMOSFET･超低VFボディダイオード

･ブートストラップダイオード電流制限機能･フローティング電源UVLO

･UVLO, SCP, TSD･Fault 信号出力

2

3

4

5678910111213

1516

TEST 17 18

19

20

21

22

23

24

14

Bootstrap Diodes

LVIC (Low-side Gate Driver)

HVIC (High-side Gate Driver)

Inverter Part(PrestoMOS™)

High SideGate Driver(HVIC)

Low SideGate Driver(LVIC)

Protection Circuits（保護回路）　UVLO：Under Voltage Lock Out（電源電圧低下時誤動作防止)SCP：Short Circuit Protection（短絡電流保護）　TSD：Thermal Shut Down（熱遮断）

特　長 ● PrestoMOSTM搭載600V/15A IPM　 ● MOSFETデバイスの使用により、　定常動作時の高効率化に貢献　 ● PrestoMOSTM、ブートストラップ　ダイオード、ゲートドライバを搭載　 ● 充実の保護回路（短絡電流保護、電源電圧　低下保護、熱遮断回路）と保護回路動作時の　FAULT信号出力機能 ※PrestoMOSTMはロームの商標です。

ローム製PrestoMOSTMを使用した高効率IPM製品です。IGBT-IPMと比較し、エアコン定常運転時の損失を大幅に低減します。

■ 回路図

MOS-IPM

BM65364S-VA

BM65364S-VC

15

15

MOSFET

MOSFET

600

600

パワーデバイス VDSS（V）

ID（A）

Ron（mΩ）

120

120

推奨スイッチング周波数（kHz）パッケージ品名

1,500

1,500


～20

～20

絶縁耐圧※1

（Vrms）

TSD

TSD

HSDIP25

HSDIP25VC

■ IGBT-IPMとの電力損失比較

Insulated Gate Bipolar Transistor　IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）

Insulated Gate Bipolar Transistor


Field Stop Trench IGBT

Ignition IGBT

幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献

IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）

低VCE(sat) RGCLシリーズハイスピードスイッチング RGTHシリーズ

SCSOA 5μs 保証 RGTシリーズ

SCSOA 8～10μs 保証 RGSシリーズ

－－◎5μs◎8μs◎10μs

－－

－

◎○

○

○

○YES

－○

－

－

－

600V650V

650V

650V

第2世代

RGPZ10BM40FH

RGPZ30BM56HR

RGPR10BM40FH

RGPR20BM36HR

RGPR20NS43HR

RGPR30BM56HR

RGPR30BM40HR

RGPR30NS40HR

RGPR50NS45HR

20

30

20

20

20

30

30

30

50

430±30

560±30

430±30

360±30

430±30

560±30

400±30

400±30

450±30

±10

±10

±10

±10

±10

±10

±10

±10

±10

107

166

107

107

107

166

125

125

187

250

300

250

250

250

300

300

300

500

1.6

1.4

1.6

1.6

1.6

1.4

1.6

1.6

1.6

TO-252

TO-252

TO-263S(LPDS)

TO-263S(LPDS)

VCES（V）

VGES（V）

IC（A）

PD（W）

Eas（mJ）

VCE（sat)Typ.（V）

パッケージ内部回路図品名

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

車載対応(AEC-Q101)

Ignition IGBTTO-252

TO-262

TO-263S（LPDS）

TO-3PFM

TO-252

TO-263S(LPDS)

注）パッケージはJEDEC表記です。　　（）内はROHMパッケージ　　を示します。


Ex. Automotive Ignition Coil Drive

ECU

Battery

Spark plug

Ignition Timing Signal

Boost coil

IGBT

特　長 ● 低VCE（sat） & 低スイッチング損失 ● 用途に応じてさまざまなラインアップを用意 ● AEC-Q101準拠、RGSシリーズ

ロームのトレンチゲート、薄ウエハ技術により低VCE（sat）、低スイッチング損失を実現。

特　長 ● 飽和電圧とアバランシェ耐量のトレードオフ　改善により業界最高クラス※の高効率 ● Gate保護ダイオード内蔵 ● Gate抵抗/Gate-Emitter間抵抗（オプション） ● AEC-Q101準拠

低VCE(sat)、高アバランシェ耐性を両立させた、車載イグニッション用途に最適な高信頼性製品。

■ 回路図

ハイスピードスイッチング RGWシリーズSCSOA 2μs 保証 RGTVシリーズ

－2μs

－－

◎◎

◎◎

車載対応（AEC-Q101） VCE(sat) SOA

SCSW ラインアップ

☆650V☆650V

30～40A@100℃20～50A@100℃

4～50A@100℃

30～50A@100℃

30～50A@100℃30～80A@100℃

シリーズ名第3世代

注)パッケージはJEDEC表記です。(　)内はROHMパッケージを示します。 ☆：開発中

☆：開発中

Portfolio of ROHMs' Field Stop Trench IGBT

　650V☆1,200V

30～50A@100℃25～40A@100℃

注）パッケージはJEDEC表記です。(　)内はROHMパッケージを示します。


RGTH40TS65RGTH50TS65RGTH60TS65RGTH80TS65RGTH00TS65RGTH40TS65DRGTH50TS65DRGTH60TS65DRGTH80TS65DRGTH00TS65DRGTH40TK65RGTH50TK65RGTH60TK65RGTH80TK65RGTH00TK65RGTH40TK65DRGTH50TK65DRGTH60TK65DRGTH80TK65DRGTH00TK65DRGW60TS65RGW80TS65RGW00TS65RGW80TS65DRGW60TS65DRGW00TS65DRGW60TK65RGW80TK65RGW80TK65ERGW00TK65RGW60TK65DRGW80TK65DRGW00TK65DRGCL60TS60RGCL80TS60RGCL60TS60DRGCL80TS60DRGCL60TK60RGCL80TK60RGCL60TK60DRGCL80TK60DRGC80TSX8RRGT8BM65DRGT16BM65DRGT8NS65DRGT16NS65DRGT30NS65DRGT40NS65DRGT50NS65DRGT8NL65DRGT16NL65DRGT30NL65DRGT40NL65DRGT50NL65DRGT16TM65DRGT30TM65DRGT40TM65DRGT50TM65DRGTV60TS65RGTV00TS65RGTVX6TS65RGTV60TS65DRGTV00TS65DRGT40TS65DRGT50TS65DRGT60TS65DRGT80TS65DRGT00TS65DRGTV60TK65RGTV00TK65RGTV60TK65DRGTV00TK65DRGS60TS65DHRRGS80TS65DHRRGS00TS65DHRRGS00TS65EHR

202530405020253040501416171921141617192130405040305020232326202326304030401821182140484815202548152025581013305080305020253040502026202630405050

－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－YESYESYESYES

6506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506006006006006006006006001,800650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650

40505870854050587085232628313523262831356078967860963339394533394548654865303530358081681630404881630404891417216095144609540485570853345334556738888

－－－－－3535404050－－－－－2626282834－－－404056－－46－272734－－3535－－26268071671626353571626353513172222－－－56843535404050－－344656565684

－－－－－2020202030－－－－－1515161619－－－202030－－26－161619－－2020－－151540484815202048152020791313－－－30502020202030－－192630303050

－－－－－1.451.451.351.351.45－－－－－1.451.451.351.351.45－－－1.451.451.45－－1.45－1.451.451.45－－1.451.45－－1.451.451.81.451.41.451.41.51.451.451.451.41.51.451.451.41.51.451.45－－－1.451.451.451.451.351.351.45－－1.451.451.451.451.451.45

－－－－－2020202030－－－－－2020202030－－－202030－－50－202030－－2020－－2020404848152020481520208152020－－－30502020202030－－305030303050


VCES(V)

PD(W)

VCE(sat) Typ.(V)

VF(Diode) Typ.(V)

tsc Min.(μsec)

Tc=25℃

Tc=100℃

Tc=25℃

Tc=100℃

IC(A)

IF(A)

1441741942342771441741942342775659616672565961667217821425421417825472818189728189111148111148545754575356294659413316119465941331611942232394719427640419427614417419423427776947694223272326326

パッケージ品名IC(A) IF(Diode)(A)

1.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.41.41.41.41.41.41.41.42.21.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.51.51.51.51.51.651.651.651.651.651.51.51.51.51.651.651.651.65

2025304050202530405020253040502025304050304050403050304040503040503040304030403040404848152025481520258152025305080305020253040503050305030405050

－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－5555555555555555222225555522228888

TO-247N

TO-3PFM

TO-247N

TO-3PFM

TO-247N

TO-3PFM

TO-247NTO-252

TO-263S(LPDS)/TO-262

TO-263L(LPDL)

TO-220NFM

TO-247N

TO-3PFM

TO-247N

TO-263L(LPDL)

TO-220NFM

TO-247N

☆

☆

☆

☆


Insulated Gate Bipolar Transistor　IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）

Insulated Gate Bipolar Transistor



Ignition IGBT

幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献

IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）

低VCE(sat) RGCLシリーズハイスピードスイッチング RGTHシリーズ

SCSOA 5μs 保証 RGTシリーズ

SCSOA 8～10μs 保証 RGSシリーズ

－－◎5μs◎8μs◎10μs

－－

－

◎○

○

○

○YES

－○

－

－

－

600V650V

650V

650V

第2世代

RGPZ10BM40FH

RGPZ30BM56HR

RGPR10BM40FH

RGPR20BM36HR

RGPR20NS43HR

RGPR30BM56HR

RGPR30BM40HR

RGPR30NS40HR

RGPR50NS45HR

20

30

20

20

20

30

30

30

50

430±30

560±30

430±30

360±30

430±30

560±30

400±30

400±30

450±30

±10

±10

±10

±10

±10

±10

±10

±10

±10

107

166

107

107

107

166

125

125

187

250

300

250

250

250

300

300

300

500

1.6

1.4

1.6

1.6

1.6

1.4

1.6

1.6

1.6

TO-252

TO-252

TO-263S(LPDS)

TO-263S(LPDS)

VCES（V）

VGES（V）

IC（A）

PD（W）

Eas（mJ）

VCE（sat)Typ.（V）

パッケージ内部回路図品名

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

車載対応(AEC-Q101)

Ignition IGBTTO-252

TO-262

TO-263S（LPDS）

TO-3PFM

TO-252

TO-263S(LPDS)



Ex. Automotive Ignition Coil Drive

ECU

Battery

Spark plug

Ignition Timing Signal

Boost coil

IGBT

特　長 ● 低VCE（sat） & 低スイッチング損失 ● 用途に応じてさまざまなラインアップを用意 ● AEC-Q101準拠、RGSシリーズ

ロームのトレンチゲート、薄ウエハ技術により低VCE（sat）、低スイッチング損失を実現。

特　長 ● 飽和電圧とアバランシェ耐量のトレードオフ　改善により業界最高クラス※の高効率 ● Gate保護ダイオード内蔵 ● Gate抵抗/Gate-Emitter間抵抗（オプション） ● AEC-Q101準拠

低VCE(sat)、高アバランシェ耐性を両立させた、車載イグニッション用途に最適な高信頼性製品。

■ 回路図

ハイスピードスイッチング RGWシリーズSCSOA 2μs 保証 RGTVシリーズ

－2μs

－－

◎◎

◎◎

車載対応（AEC-Q101） VCE(sat) SOA

SCSW ラインアップ

☆650V☆650V

30～40A@100℃20～50A@100℃

4～50A@100℃

30～50A@100℃

30～50A@100℃30～80A@100℃

シリーズ名第3世代

注)パッケージはJEDEC表記です。(　)内はROHMパッケージを示します。 ☆：開発中

☆：開発中

Portfolio of ROHMs' Field Stop Trench IGBT

　650V☆1,200V

30～50A@100℃25～40A@100℃

注）パッケージはJEDEC表記です。(　)内はROHMパッケージを示します。


RGTH40TS65RGTH50TS65RGTH60TS65RGTH80TS65RGTH00TS65RGTH40TS65DRGTH50TS65DRGTH60TS65DRGTH80TS65DRGTH00TS65DRGTH40TK65RGTH50TK65RGTH60TK65RGTH80TK65RGTH00TK65RGTH40TK65DRGTH50TK65DRGTH60TK65DRGTH80TK65DRGTH00TK65DRGW60TS65RGW80TS65RGW00TS65RGW80TS65DRGW60TS65DRGW00TS65DRGW60TK65RGW80TK65RGW80TK65ERGW00TK65RGW60TK65DRGW80TK65DRGW00TK65DRGCL60TS60RGCL80TS60RGCL60TS60DRGCL80TS60DRGCL60TK60RGCL80TK60RGCL60TK60DRGCL80TK60DRGC80TSX8RRGT8BM65DRGT16BM65DRGT8NS65DRGT16NS65DRGT30NS65DRGT40NS65DRGT50NS65DRGT8NL65DRGT16NL65DRGT30NL65DRGT40NL65DRGT50NL65DRGT16TM65DRGT30TM65DRGT40TM65DRGT50TM65DRGTV60TS65RGTV00TS65RGTVX6TS65RGTV60TS65DRGTV00TS65DRGT40TS65DRGT50TS65DRGT60TS65DRGT80TS65DRGT00TS65DRGTV60TK65RGTV00TK65RGTV60TK65DRGTV00TK65DRGS60TS65DHRRGS80TS65DHRRGS00TS65DHRRGS00TS65EHR

202530405020253040501416171921141617192130405040305020232326202326304030401821182140484815202548152025581013305080305020253040502026202630405050

－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－YESYESYESYES

6506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506506006006006006006006006001,800650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650650

40505870854050587085232628313523262831356078967860963339394533394548654865303530358081681630404881630404891417216095144609540485570853345334556738888

－－－－－3535404050－－－－－2626282834－－－404056－－46－272734－－3535－－26268071671626353571626353513172222－－－56843535404050－－344656565684

－－－－－2020202030－－－－－1515161619－－－202030－－26－161619－－2020－－151540484815202048152020791313－－－30502020202030－－192630303050

－－－－－1.451.451.351.351.45－－－－－1.451.451.351.351.45－－－1.451.451.45－－1.45－1.451.451.45－－1.451.45－－1.451.451.81.451.41.451.41.51.451.451.451.41.51.451.451.41.51.451.45－－－1.451.451.451.451.351.351.45－－1.451.451.451.451.451.45

－－－－－2020202030－－－－－2020202030－－－202030－－50－202030－－2020－－2020404848152020481520208152020－－－30502020202030－－305030303050


VCES(V)

PD(W)

VCE(sat) Typ.(V)

VF(Diode) Typ.(V)

tsc Min.(μsec)

Tc=25℃

Tc=100℃

Tc=25℃

Tc=100℃

IC(A)

IF(A)

1441741942342771441741942342775659616672565961667217821425421417825472818189728189111148111148545754575356294659413316119465941331611942232394719427640419427614417419423427776947694223272326326

パッケージ品名IC(A) IF(Diode)(A)

1.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.61.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.41.41.41.41.41.41.41.42.21.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.651.51.51.51.51.51.651.651.651.651.651.51.51.51.51.651.651.651.65

2025304050202530405020253040502025304050304050403050304040503040503040304030403040404848152025481520258152025305080305020253040503050305030405050

－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－5555555555555555222225555522228888

TO-247N

TO-3PFM

TO-247N

TO-3PFM

TO-247N

TO-3PFM

TO-247NTO-252

TO-263S(LPDS)/TO-262

TO-263L(LPDL)

TO-220NFM

TO-247N

TO-3PFM

TO-247N

TO-263L(LPDL)

TO-220NFM

TO-247N

☆

☆

☆

☆



特　長

High Withstand Voltage Discretes

高耐圧・高サージ回路をサポート

高耐圧ディスクリートI F

(A)

VF(mV)

VF - IF CHARACTERISTICS

500 1,000 1,500 2,000 2,500 3,000 3,500 4,000 4,50000.01

0.1

1

10

100

RFNシリーズ

RFNLシリーズ

RFUHシリーズ

RFVシリーズ RFUHシリーズ

RFUHシリーズ

CurrentCurrent

5A

50ns

RFNLシリーズ16%低VF

（従来品:RFNシリーズ化）

RFVシリーズ

Tj=25℃Tj=25℃

TO-220ACFP

TO-220AC

TO-252〔DPAK〕

高速trr特性新プロセスにより更なる超高速trrを実現高効率・低VF 低VF化により省エネに貢献

逆回復時間40%短縮

ファストリカバリダイオード

アプリケーションごとに最適特性を提供

● PFC(力率改善回路)向けに最適● 多彩なラインアップ

RFV5BM6SRFV8BM6SRFVS8TJ6SRFV8TJ6SRFV12TJ6SRFV15TJ6SRFVS8TG6SRFV8TG6SRFV12TG6SRFV15TG6SRFV30TG6S

600600600600600600600600600600600

＊＊GGGGGGGGG

FHFH－－－－－－－－－

TLTLC9C9C9C9C9C9C9C9C9

5888121588121530

600600600600600600600600600600600

5888121588121530

601006010012015060100120150200

600600600600600600600600600600600

2025202525302025253040

2.82.83.02.82.82.83.02.82.82.82.8

1010101010101010101010

TO-220ACFP

TO-220AC

TO-252〔DPAK〕

0.50.50.50.50.50.50.50.50.50.50.5

11111111111

YESYES－－－－－－－－－

RFVシリーズ　超高速trr ハードリカバリタイプ

RFNL5BM6S

RFNL5BGE6SRFNL5TJ6S

RFNL10TJ6S

RFNL15TJ6SRFNL20TJ6S

600

600600

600

600600

－

＊G

G

GG

FH

－FHG

FHG

FHGFHG

TL

TLC9

C9

C9C9

5

558101520

600

600600

600

600600

5

55

10

1520

50

5050

120

160200

600

600600

600

600600

60

6060

65

6570

一般品車載品包装記号 VRM

(V)VR(V) IF(A)

品名製品性能コード

パッケージ等価回路図IO(A)

IFSM(A)※160Hz.1　　

1.3

1.31.31.251.31.31.3

10

1010

10

1010

TO-220ACFP

TO-252〔DPAK〕

VF(V)Max.

IR(μA)Max.

0.5

0.50.5

0.5

0.50.5

1

11

1

11

YES

－YES

YES

YESYES


RFNLシリーズ　超低VFタイプ

VR(V) IF(A) IR(A)trr(ns)Max.

注）パッケージはJEDEC表記です。（）内は ROHM パッケージを示します。　＊：一般品の製品性能コードは空白です。　※１：1素子あたりの規格です。

例）


品名

F H製品性能コード

T L包装記号

R F N L 5 B M 6 S

例）


品名

HF G製品性能コード

C 9包装記号

R F S 2 0 T J 6 S

● 特性を更に進化● 超低VF品・超高速trr品

■ ■

絶対最大定格（Tc＝25℃）電気的特性（Tj＝25℃）※1


(V)VR(V) IF(A)



IFSM(A)60Hz.1　　

VF(V)Max.

IR(μA)Max.

車載対応（AEC-Q101） VR(V) IF(A) IR(A)

trr(ns)Max.


RFS20TJ6SRFS30TSG6D RFS30TZG6S RFS30TZ6S RFS60TZG6S RFS60TZ6S

650650650650650650

G＊＊G＊G

FHG－－FHG－FHG

C9－－C11－C11

201530306060

650650650650650650

203030306060

12080160160180180

650650650650650650

353545456565

2.32.32.32.32.32.3

33551010

0.50.50.50.50.50.5

111111

TO-220ACFPTO-247-3LTO-247-2LTO-247N-2LTO-247-2LTO-247N-2L

YES－－YES－YES

第4世代RFSシリーズ　高速trrタイプ


(V)VR(V) IF(A)



IFSM(A)60Hz.1　　

VF(V)Max.

IR(μA)Max.


trr(ns)Max.


注）パッケージはJEDEC表記です。　　〔〕内はGENERALパッケージを　　示します。

High Withstand Voltage Discretes　高耐圧ディスクリート

TO-220ACFP

TO-247-2L

TO-247-3L

第4世代ファストリカバリダイオード

■ 第4世代への進化

■ リカバリーノイズの　大幅低減

スイッチングノイズを大幅低減、耐圧保証アップでさらなる高耐圧化・高サージ回路をサポート

特　長 ● 耐圧保証アップ 600V ⇒ 650V 　 ● リカバリーノイズの大幅低減　 ● VF保証、IR保証値の厳格化を実現　 ● AEC-Q101準拠(予定)

アプリケーション　● PFC回路　・エアコンなど大型家電　　　　　　　　　　　　　　・OBC(オンボードチャージャー) 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・充電スタンド等産業機器　　　　● 整流回路　・OBC(LLCコンバータ/フルブリッジ)

RFNL シリーズ(超低VFタイプ)

20

80

trr(ns)

VF(V)

50

30

40

60

70

3.0 1.3 1.5 1.8 2.0 2.2 2.4 2.8

RFLシリーズ

High Efficiency

第3世代

第4世代

RFN シリーズ(低VFタイプ)

RFSシリーズ

RFUH シリーズ(高速ソフトリカバリタイプ)

RFV シリーズ(高速ハードリカバリタイプ)

VR

低VFタイプ

高速trrタイプ

高速trrシリーズ : RFUH⇒RFS 低VFシリーズ : RFN⇒RFL

IF

リカバリーノイズ大幅低減

10A100V

50nsIF=30A, VR=400V, dIF/dt=-500A/μs, Tj =125℃

RFS30TZ6S(第4世代)

RFUH30TS6S(第3世代)

両シリーズともに同等trr性能でノイズ低減、 VF/IR規格値の厳格化を実現

RFL30TZG6S RFL30TZ6S RFL60TZG6S RFL60TZ6S

650650650650

＊G＊G

－FHG－FHG

－C11－C11

30306060

650650650650

30306060

180180200200

650650650650

60608080

1.51.51.51.5

551010

0.50.50.50.5

1111

TO-247-2LTO-247N-2LTO-247-2LTO-247N-2L

－YES－YES

第4世代RFLシリーズ　低VFタイプ

注）第4世代ファストリカバリダイオードは開発中につき、予告なく仕様変更する場合があります。　※１：1素子あたりの規格です。＊：一般品の製品性能コードは空白です。☆：開発中


(V)VR(V) IF(A)



IFSM(A)60Hz.1　　

VF(V)Max.

IR(μA)Max.


trr(ns)Max.


☆☆☆☆☆☆

☆☆☆☆


特　長

High Withstand Voltage Discretes

高耐圧・高サージ回路をサポート


I F(A

)

VF(mV)

VF - IF CHARACTERISTICS

500 1,000 1,500 2,000 2,500 3,000 3,500 4,000 4,50000.01

0.1

1

10

100

RFNシリーズ

RFNLシリーズ

RFUHシリーズ

RFVシリーズ RFUHシリーズ

RFUHシリーズ

CurrentCurrent

5A

50ns

RFNLシリーズ16%低VF

（従来品:RFNシリーズ化）

RFVシリーズ

Tj=25℃Tj=25℃

TO-220ACFP

TO-220AC

TO-252〔DPAK〕

高速trr特性新プロセスにより更なる超高速trrを実現高効率・低VF 低VF化により省エネに貢献

逆回復時間40%短縮


アプリケーションごとに最適特性を提供

● PFC(力率改善回路)向けに最適● 多彩なラインアップ

RFV5BM6SRFV8BM6SRFVS8TJ6SRFV8TJ6SRFV12TJ6SRFV15TJ6SRFVS8TG6SRFV8TG6SRFV12TG6SRFV15TG6SRFV30TG6S

600600600600600600600600600600600

＊＊GGGGGGGGG

FHFH－－－－－－－－－

TLTLC9C9C9C9C9C9C9C9C9

5888121588121530

600600600600600600600600600600600

5888121588121530

601006010012015060100120150200

600600600600600600600600600600600

2025202525302025253040

2.82.83.02.82.82.83.02.82.82.82.8

1010101010101010101010

TO-220ACFP

TO-220AC

TO-252〔DPAK〕

0.50.50.50.50.50.50.50.50.50.50.5

11111111111

YESYES－－－－－－－－－

RFVシリーズ　超高速trr ハードリカバリタイプ

RFNL5BM6S

RFNL5BGE6SRFNL5TJ6S

RFNL10TJ6S

RFNL15TJ6SRFNL20TJ6S

600

600600

600

600600

－

＊G

G

GG

FH

－FHG

FHG

FHGFHG

TL

TLC9

C9

C9C9

5

558101520

600

600600

600

600600

5

55

10

1520

50

5050

120

160200

600

600600

600

600600

60

6060

65

6570


(V)VR(V) IF(A)



IFSM(A)※160Hz.1　　

1.3

1.31.31.251.31.31.3

10

1010

10

1010

TO-220ACFP

TO-252〔DPAK〕

VF(V)Max.

IR(μA)Max.

0.5

0.50.5

0.5

0.50.5

1

11

1

11

YES

－YES

YES

YESYES


RFNLシリーズ　超低VFタイプ

VR(V) IF(A) IR(A)trr(ns)Max.

注）パッケージはJEDEC表記です。（）内は ROHM パッケージを示します。　＊：一般品の製品性能コードは空白です。　※１：1素子あたりの規格です。

例）


品名

F H製品性能コード

T L包装記号

R F N L 5 B M 6 S

例）


品名

HF G製品性能コード

C 9包装記号

R F S 2 0 T J 6 S

● 特性を更に進化● 超低VF品・超高速trr品

■ ■



(V)VR(V) IF(A)



IFSM(A)60Hz.1　　

VF(V)Max.

IR(μA)Max.


trr(ns)Max.


RFS20TJ6SRFS30TSG6D RFS30TZG6S RFS30TZ6S RFS60TZG6S RFS60TZ6S

650650650650650650

G＊＊G＊G

FHG－－FHG－FHG

C9－－C11－C11

201530306060

650650650650650650

203030306060

12080160160180180

650650650650650650

353545456565

2.32.32.32.32.32.3

33551010

0.50.50.50.50.50.5

111111

TO-220ACFPTO-247-3LTO-247-2LTO-247N-2LTO-247-2LTO-247N-2L

YES－－YES－YES

第4世代RFSシリーズ　高速trrタイプ


(V)VR(V) IF(A)



IFSM(A)60Hz.1　　

VF(V)Max.

IR(μA)Max.


trr(ns)Max.


注）パッケージはJEDEC表記です。　　〔〕内はGENERALパッケージを　　示します。


TO-220ACFP

TO-247-2L

TO-247-3L

第4世代ファストリカバリダイオード

■ 第4世代への進化

■ リカバリーノイズの　大幅低減

スイッチングノイズを大幅低減、耐圧保証アップでさらなる高耐圧化・高サージ回路をサポート

特　長 ● 耐圧保証アップ 600V ⇒ 650V 　 ● リカバリーノイズの大幅低減　 ● VF保証、IR保証値の厳格化を実現　 ● AEC-Q101準拠(予定)

アプリケーション　● PFC回路　・エアコンなど大型家電　　　　　　　　　　　　　　・OBC(オンボードチャージャー) 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・充電スタンド等産業機器　　　　● 整流回路　・OBC(LLCコンバータ/フルブリッジ)

RFNL シリーズ(超低VFタイプ)

20

80

trr(ns)

VF(V)

50

30

40

60

70

3.0 1.3 1.5 1.8 2.0 2.2 2.4 2.8

RFLシリーズ

High Efficiency

第3世代

第4世代

RFN シリーズ(低VFタイプ)

RFSシリーズ

RFUH シリーズ(高速ソフトリカバリタイプ)

RFV シリーズ(高速ハードリカバリタイプ)

VR

低VFタイプ

高速trrタイプ

高速trrシリーズ : RFUH⇒RFS 低VFシリーズ : RFN⇒RFL

IF

リカバリーノイズ大幅低減

10A100V

50nsIF=30A, VR=400V, dIF/dt=-500A/μs, Tj =125℃

RFS30TZ6S(第4世代)

RFUH30TS6S(第3世代)

両シリーズともに同等trr性能でノイズ低減、 VF/IR規格値の厳格化を実現

RFL30TZG6S RFL30TZ6S RFL60TZG6S RFL60TZ6S

650650650650

＊G＊G

－FHG－FHG

－C11－C11

30306060

650650650650

30306060

180180200200

650650650650

60608080

1.51.51.51.5

551010

0.50.50.50.5

1111

TO-247-2LTO-247N-2LTO-247-2LTO-247N-2L

－YES－YES

第4世代RFLシリーズ　低VFタイプ

注）第4世代ファストリカバリダイオードは開発中につき、予告なく仕様変更する場合があります。　※１：1素子あたりの規格です。＊：一般品の製品性能コードは空白です。☆：開発中


(V)VR(V) IF(A)



IFSM(A)60Hz.1　　

VF(V)Max.

IR(μA)Max.


trr(ns)Max.


☆☆☆☆☆☆

☆☆☆☆



低ノイズタイプ

R6011END3R6009END3R6007END3R6004END3R6002END3R6511END3R6509END3R6507END3R6504END3R6502END3R6024ENJR6020ENJR6015ENJR6011ENJR6009ENJR6007ENJR6004ENJR6524ENJR6520ENJR6515ENJR6511ENJR6509ENJR6507ENJR6504ENJR6030ENXR6024ENXR6020ENXR6015ENXR6011ENXR6009ENXR6007ENXR6004ENXR6530ENXR6524ENXR6520ENXR6515ENXR6511ENXR6509ENXR6507ENXR6504ENXR6035ENZR6030ENZR6024ENZR6020ENZR6015ENZR6535ENZR6530ENZR6524ENZR6520ENZR6515ENZR6076ENZ4R6047ENZ4R6035ENZ4R6030ENZ4R6024ENZ4R6020ENZ4R6576ENZ4R6547ENZ4R6535ENZ4R6530ENZ4R6524ENZ4R6520ENZ4

☆☆☆☆☆

☆☆☆☆

☆☆☆☆☆

TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

C8C8C8C8C8C8C8C8C8C8C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13

N

N

N

N

N

600600600600600650650650650650600600600600600600600650650650650650650650600600600600600600600600650650650650650650650650600600600600600650650650650650600600600600600600650650650650650650

1249478592612494785924245231184124947858245231184124947858867468605348463586746860534846351028674686010286746860735481379305245231735481379305245231

0.3400.5000.5700.9002.8000.3600.5300.6050.9553.0000.1500.1700.2600.3400.5000.5700.9000.1600.1850.2800.3600.5300.6050.9550.1150.1500.1700.2600.3400.5000.5700.9000.1250.1600.1850.2800.3600.5300.6050.9550.0950.1150.1500.1700.2600.0980.1250.1600.1850.2800.0380.0660.0950.1150.1500.1700.0400.0700.0980.1250.1600.185

322320156.5322420156.57060403223201570614032242015857060403223201590706140322420151108570604011390706140260145110857060260145110857060

1010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010

0.3900.5350.6200.9803.4000.4000.5850.6651.0503.3000.1650.1960.2900.3900.5350.6200.9800.1850.2050.3150.4000.5850.6651.0500.1300.1650.1960.2900.3900.5350.6200.9800.1400.1850.2050.3150.4000.5850.6651.0500.1020.1300.1650.1960.2900.1150.1400.1850.2050.3150.0420.0720.1020.1300.1650.1960.0460.0800.1150.1400.1850.205

TO-252〔DPAK〕

TO-263S（LPTS）［SC-83］〔D2PAK〕

TO-220FM

TO-3PF

TO-247

119741.7119741.724201511974242015119743024201511974302420151197435302420153530242015764735302420764735302420

パッケージ品名極性(ch)

VDSS(V)

ID(A)

Typ. Max.VGS=10V

駆動電圧(V)

QgTyp.(nC)VGS=10V

RDS(on)(Ω)PD(W)(Tc=25℃)

包装記号

注1)パッケージはJEDEC表記です。( )内はROHMパッケージ、[ ]内はJEITAコード、〔〕内はGENERALコードを示します。注2)※：包装仕様C7 G(チューブ)も可☆：開発中

低ノイズと低オン抵抗を実現

● 優れたA・Ron性能（従来品からRon 40％低減）● 低ノイズタイプ/高速スイッチングタイプとタイプ別にシリーズ化● DPAKからTO-247までパッケージ展開● 非常にノイズが小さく、ノイズ対策が必要な電源回路に最適で、プレーナからの置き換えも容易

■ ノイズ評価

■ 効率評価

■ 高速trr MOSFET

LOSS(W)

0.36 0.34 0.38

1.14

0.680.82

1.50

1.021.20

0.00

0.20

0.40

0.60

0.80

1.00

1.20

1.40

1.60

R6020ENx(低ノイズ)

R6020KNx(高効率)

他社品B(高効率)

スイッチングロス伝導ロス

IC

高速スイッチングが特長のR6xxxKNxシリーズは低損失、高効率に特化した電源回路におすすめです。

030 300

10

周波数（MHz）

20

dB

μV

/m

30

40

50

60最大量R6020ENx(低ノイズタイプ)R6020KNx(高効率タイプ)他社品A

輻射ノイズ水平偏波(dB uV/m) 入力電力146W

評価回路：PFC回路臨界モード入力100V/60Hz出力120W スイッチングロス

40%削減

trr

t

t

IF

IF スーパージャンクションMOSFET（trrノーマルタイプ）

従来の回路構成

PrestoMOSTM

PrestoMOSTM

従来の回路構成の内蔵ダイオードを改善した省エネデバイスです。

R6xxxENxシリーズは非常にノイズが小さく、ノイズ対策が必要な電源回路におすすめ

特　長スーパージャンクション MOSFET

TO-220FM

TO-247

TO-220AB

注）パッケージはJEDEC表記です。　　（）内はROHMパッケージ、　　[ ]内はJEITAコード、　　〔〕内はGENERALコードを　　示します。

TO-3PF

TO-252〔DPAK〕




低ノイズタイプ

R6011END3R6009END3R6007END3R6004END3R6002END3R6511END3R6509END3R6507END3R6504END3R6502END3R6024ENJR6020ENJR6015ENJR6011ENJR6009ENJR6007ENJR6004ENJR6524ENJR6520ENJR6515ENJR6511ENJR6509ENJR6507ENJR6504ENJR6030ENXR6024ENXR6020ENXR6015ENXR6011ENXR6009ENXR6007ENXR6004ENXR6530ENXR6524ENXR6520ENXR6515ENXR6511ENXR6509ENXR6507ENXR6504ENXR6035ENZR6030ENZR6024ENZR6020ENZR6015ENZR6535ENZR6530ENZR6524ENZR6520ENZR6515ENZR6076ENZ4R6047ENZ4R6035ENZ4R6030ENZ4R6024ENZ4R6020ENZ4R6576ENZ4R6547ENZ4R6535ENZ4R6530ENZ4R6524ENZ4R6520ENZ4

☆☆☆☆☆

☆☆☆☆

☆☆☆☆☆

TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

C8C8C8C8C8C8C8C8C8C8C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13

N

N

N

N

N

600600600600600650650650650650600600600600600600600650650650650650650650600600600600600600600600650650650650650650650650600600600600600650650650650650600600600600600600650650650650650650

1249478592612494785924245231184124947858245231184124947858867468605348463586746860534846351028674686010286746860735481379305245231735481379305245231

0.3400.5000.5700.9002.8000.3600.5300.6050.9553.0000.1500.1700.2600.3400.5000.5700.9000.1600.1850.2800.3600.5300.6050.9550.1150.1500.1700.2600.3400.5000.5700.9000.1250.1600.1850.2800.3600.5300.6050.9550.0950.1150.1500.1700.2600.0980.1250.1600.1850.2800.0380.0660.0950.1150.1500.1700.0400.0700.0980.1250.1600.185

322320156.5322420156.57060403223201570614032242015857060403223201590706140322420151108570604011390706140260145110857060260145110857060

1010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010

0.3900.5350.6200.9803.4000.4000.5850.6651.0503.3000.1650.1960.2900.3900.5350.6200.9800.1850.2050.3150.4000.5850.6651.0500.1300.1650.1960.2900.3900.5350.6200.9800.1400.1850.2050.3150.4000.5850.6651.0500.1020.1300.1650.1960.2900.1150.1400.1850.2050.3150.0420.0720.1020.1300.1650.1960.0460.0800.1150.1400.1850.205

TO-252〔DPAK〕


TO-220FM

TO-3PF

TO-247

119741.7119741.724201511974242015119743024201511974302420151197435302420153530242015764735302420764735302420


VDSS(V)

ID(A)

Typ. Max.VGS=10V

駆動電圧(V)

QgTyp.(nC)VGS=10V


包装記号


低ノイズと低オン抵抗を実現

● 優れたA・Ron性能（従来品からRon 40％低減）● 低ノイズタイプ/高速スイッチングタイプとタイプ別にシリーズ化● DPAKからTO-247までパッケージ展開● 非常にノイズが小さく、ノイズ対策が必要な電源回路に最適で、プレーナからの置き換えも容易

■ ノイズ評価

■ 効率評価

■ 高速trr MOSFET

LOSS(W)

0.36 0.34 0.38

1.14

0.680.82

1.50

1.021.20

0.00

0.20

0.40

0.60

0.80

1.00

1.20

1.40

1.60

R6020ENx(低ノイズ)

R6020KNx(高効率)

他社品B(高効率)

スイッチングロス伝導ロス

IC

高速スイッチングが特長のR6xxxKNxシリーズは低損失、高効率に特化した電源回路におすすめです。

030 300

10

周波数（MHz）

20

dB

μV

/m

30

40

50

60最大量R6020ENx(低ノイズタイプ)R6020KNx(高効率タイプ)他社品A

輻射ノイズ水平偏波(dB uV/m) 入力電力146W

評価回路：PFC回路臨界モード入力100V/60Hz出力120W スイッチングロス

40%削減

trr

t

t

IF

IF スーパージャンクションMOSFET（trrノーマルタイプ）

従来の回路構成

PrestoMOSTM

PrestoMOSTM

従来の回路構成の内蔵ダイオードを改善した省エネデバイスです。

R6xxxENxシリーズは非常にノイズが小さく、ノイズ対策が必要な電源回路におすすめ

特　長スーパージャンクション MOSFET

TO-220FM

TO-247

TO-220AB


TO-3PF

TO-252〔DPAK〕




スーパージャンクション MOSFET

TO-220FM

TO-247

TO-220AB


TO-3PF

TO-252〔DPAK〕


高速スイッチングタイプ

R6011KND3R6009KND3R6007KND3R6006KND3R6003KND3R6511KND3R6509KND3R6507KND3R6504KND3R6024KNJR6020KNJR6015KNJR6011KNJR6009KNJR6007KNJR6004KNJR6524KNJR6520KNJR6515KNJR6511KNJR6509KNJR6507KNJR6504KNJR6030KNXR6024KNXR6020KNXR6015KNXR6011KNXR6009KNXR6007KNXR6006KNXR6004KNXR6530KNXR6524KNXR6520KNXR6515KNXR6511KNXR6509KNXR6507KNXR6504KNXR6035KNZR6030KNZR6024KNZR6020KNZR6015KNZR6535KNZR6530KNZR6524KNZR6520KNZR6515KNZR6076KNZ4R6047KNZ4R6035KNZ4R6030KNZ4R6024KNZ4R6020KNZ4R6576KNZ4R6547KNZ4R6535KNZ4R6530KNZ4R6524KNZ4R6520KNZ4R6535KNX1R6530KNX1R6524KNX1R6520KNX1R6515KNX1

☆☆☆☆

☆☆☆☆☆

☆☆☆

TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

C8C8C8C8C8C8C8C8C8C8C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C10C10C10C10C10

N

N

N

N

N

N

600600600600600650650650650600600600600600600600650650650650650650650600600600600600600600600600650650650650650650650650600600600600600650650650650650600600600600600600650650650650650650650650650650650

124947870441249478582452311841249478582452311841249478588674686053484640358674686053484635102867468601028674686073548137930524523173548137930524523110286746860

0.3400.5000.5700.7201.3000.3600.5300.6050.9550.1500.1700.2600.3400.5000.5700.9000.1600.1850.2800.3600.5300.6050.9550.1150.1500.1700.2600.3400.5000.5700.7200.9000.1250.1600.1850.2800.3600.5300.6050.9550.0950.1150.1500.1700.2600.0980.1250.1600.1850.2800.0400.0700.0950.1150.1500.1700.0400.0700.0980.1250.1600.1850.0980.1250.1600.1850.280

2216.5151282216.515104640302216.515104640302216.51510564640302216.5151210564640302216.515107256464030725646403016510072564640165100725645407256454027.5

10101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010

0.3900.5350.6200.8301.5000.4000.5850.6651.0500.1650.1960.2900.3900.5350.6200.9800.1850.2050.3150.4000.5850.6651.0500.1300.1650.1960.2900.3900.5350.6200.8300.9800.1400.1850.2050.3150.4000.5850.6651.0500.1020.1300.1650.1960.2900.1150.1400.1850.2050.3150.0420.0720.1020.1300.1650.1960.0460.0800.1150.1400.1850.2050.1150.1400.1850.2050.315

TO-252〔DPAK〕

TO-263S（LPTS）[SC-83]〔D2PAK〕

TO-220FM

TO-3PF

TO-247

TO-220AB

119763119742420151197424201511974302420151197643024201511974353024201535302420157647353024207647353024203530242015


VDSS(V)

ID(A)

Typ. Max.VGS=10V

駆動電圧(V)

QgTyp.(nC)VGS=10V


包装記号


高速trrタイプ〈PrestoMOSTM〉

R6009JND3R6007JND3R6006JND3R6004JND3R6020JNJR6018JNJR6012JNJR6009JNJR6007JNJR6006JNJR6004JNJR6025JNXR6020JNXR6018JNXR6012JNXR6009JNXR6007JNXR6006JNXR6004JNXR6050JNZR6030JNZR6025JNZR6020JNZR6070JNZ4R6050JNZ4R6042JNZ4R6030JNZ4R6025JNZ4R6020JNZ4

☆

☆☆☆☆☆☆

TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTLC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC8C8C8C8C13C13C13C13C13C13

N

N

N

N

N

N

600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600

1259686602522201601259686608576726053464335120938576770615495370306252

0.4500.6000.7201.1000.2000.2200.3000.4500.6000.7201.1000.1400.2000.2200.3000.4500.6000.7201.1000.0640.1100.1400.1800.0450.0640.0800.1100.1500.180

2217.515.510.55042282217.515.510.5574542282217.515.510.5120756550160120100746545

6560584585807065605845908580706560584512010090851351201101009085

0.5850.7800.9361.4300.2600.2860.3900.5850.7800.9361.4300.1820.2600.2860.3900.5850.7800.9361.4300.0830.1430.1820.2340.0580.0830.1040.1430.1950.234

TO-252〔DPAK〕


TO-3PF

TO-247

TO-220FM

9764201812976425201812976450302520705042302520


VDSS(V)

ID(A)

Typ. Max.VGS=15V

trr(Typ.)(ns)

QgTyp.(nC)VGS=15V


包装記号

駆動電圧(V)

1515151515151515151515151515151515151515151515151515151515

注1)パッケージはJEDEC表記です。( )内はROHMパッケージ、[ ]内はJEITAコード、〔〕内はGENERALコードを示します。☆：開発中



スーパージャンクション MOSFET

TO-220FM

TO-247

TO-220AB


TO-3PF

TO-252〔DPAK〕


高速スイッチングタイプ

R6011KND3R6009KND3R6007KND3R6006KND3R6003KND3R6511KND3R6509KND3R6507KND3R6504KND3R6024KNJR6020KNJR6015KNJR6011KNJR6009KNJR6007KNJR6004KNJR6524KNJR6520KNJR6515KNJR6511KNJR6509KNJR6507KNJR6504KNJR6030KNXR6024KNXR6020KNXR6015KNXR6011KNXR6009KNXR6007KNXR6006KNXR6004KNXR6530KNXR6524KNXR6520KNXR6515KNXR6511KNXR6509KNXR6507KNXR6504KNXR6035KNZR6030KNZR6024KNZR6020KNZR6015KNZR6535KNZR6530KNZR6524KNZR6520KNZR6515KNZR6076KNZ4R6047KNZ4R6035KNZ4R6030KNZ4R6024KNZ4R6020KNZ4R6576KNZ4R6547KNZ4R6535KNZ4R6530KNZ4R6524KNZ4R6520KNZ4R6535KNX1R6530KNX1R6524KNX1R6520KNX1R6515KNX1

☆☆☆☆

☆☆☆☆☆

☆☆☆

TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

ー※

C8C8C8C8C8C8C8C8C8C8C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C10C10C10C10C10

N

N

N

N

N

N

600600600600600650650650650600600600600600600600650650650650650650650600600600600600600600600600650650650650650650650650600600600600600650650650650650600600600600600600650650650650650650650650650650650

124947870441249478582452311841249478582452311841249478588674686053484640358674686053484635102867468601028674686073548137930524523173548137930524523110286746860

0.3400.5000.5700.7201.3000.3600.5300.6050.9550.1500.1700.2600.3400.5000.5700.9000.1600.1850.2800.3600.5300.6050.9550.1150.1500.1700.2600.3400.5000.5700.7200.9000.1250.1600.1850.2800.3600.5300.6050.9550.0950.1150.1500.1700.2600.0980.1250.1600.1850.2800.0400.0700.0950.1150.1500.1700.0400.0700.0980.1250.1600.1850.0980.1250.1600.1850.280

2216.5151282216.515104640302216.515104640302216.51510564640302216.5151210564640302216.515107256464030725646403016510072564640165100725645407256454027.5

10101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010101010

0.3900.5350.6200.8301.5000.4000.5850.6651.0500.1650.1960.2900.3900.5350.6200.9800.1850.2050.3150.4000.5850.6651.0500.1300.1650.1960.2900.3900.5350.6200.8300.9800.1400.1850.2050.3150.4000.5850.6651.0500.1020.1300.1650.1960.2900.1150.1400.1850.2050.3150.0420.0720.1020.1300.1650.1960.0460.0800.1150.1400.1850.2050.1150.1400.1850.2050.315

TO-252〔DPAK〕

TO-263S（LPTS）[SC-83]〔D2PAK〕

TO-220FM

TO-3PF

TO-247

TO-220AB

119763119742420151197424201511974302420151197643024201511974353024201535302420157647353024207647353024203530242015


VDSS(V)

ID(A)

Typ. Max.VGS=10V

駆動電圧(V)

QgTyp.(nC)VGS=10V


包装記号


高速trrタイプ〈PrestoMOSTM〉

R6009JND3R6007JND3R6006JND3R6004JND3R6020JNJR6018JNJR6012JNJR6009JNJR6007JNJR6006JNJR6004JNJR6025JNXR6020JNXR6018JNXR6012JNXR6009JNXR6007JNXR6006JNXR6004JNXR6050JNZR6030JNZR6025JNZR6020JNZR6070JNZ4R6050JNZ4R6042JNZ4R6030JNZ4R6025JNZ4R6020JNZ4

☆

☆☆☆☆☆☆

TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTLC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC8C8C8C8C13C13C13C13C13C13

N

N

N

N

N

N

600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600600

1259686602522201601259686608576726053464335120938576770615495370306252

0.4500.6000.7201.1000.2000.2200.3000.4500.6000.7201.1000.1400.2000.2200.3000.4500.6000.7201.1000.0640.1100.1400.1800.0450.0640.0800.1100.1500.180

2217.515.510.55042282217.515.510.5574542282217.515.510.5120756550160120100746545

6560584585807065605845908580706560584512010090851351201101009085

0.5850.7800.9361.4300.2600.2860.3900.5850.7800.9361.4300.1820.2600.2860.3900.5850.7800.9361.4300.0830.1430.1820.2340.0580.0830.1040.1430.1950.234

TO-252〔DPAK〕


TO-3PF

TO-247

TO-220FM

9764201812976425201812976450302520705042302520


VDSS(V)

ID(A)

Typ. Max.VGS=15V

trr(Typ.)(ns)

QgTyp.(nC)VGS=15V


包装記号

駆動電圧(V)

1515151515151515151515151515151515151515151515151515151515

注1)パッケージはJEDEC表記です。( )内はROHMパッケージ、[ ]内はJEITAコード、〔〕内はGENERALコードを示します。☆：開発中

Resistors for Current Detection　電流検出用抵抗器

Resistors for Current Detection


シャント抵抗器

大電流セットでの電流検出用途に適応


高電力が必要なセットの電流検出用途に最適な「高い定格電力」「超低抵抗」が特長です。抵抗体金属に高機能合金材料を採用したことで、低抵抗領域でも優れた抵抗温度係数(TCR)を達成しました。

トリミングレス構造により電流検出精度向上

優れた放熱性を実現抵抗温度係数を低減

● 3W～5Wクラスの大電力　　　● 0.2mΩ～超低抵抗　　　● 凸型形状を採用　　　● 特殊合金の採用により低TCRを実現

● 最大5Wの大電力　　　● 特殊合金の採用により低TCRを実現　　　● 独自の新構造による優れた放熱性と優れた温度サイクル強度

抵抗体金属(Ni-Cr/Cu-Mn系高機能合金)

電極(Cu) 電極(Cu)精密溶接部抵抗温度係数(ppm/℃)

250200150100500

‒50‒100‒150‒200‒250

Ave.Max.Min.

+20ºC～+125ºC

インダクタンスが大きいと高精度な電流検出が困難

インダクタンス成分軽減検出誤差が少なく、高精度

電圧

電流

電圧

電流

L dldt

従来構造(トリミングあり) PMRシリーズ(トリミングレス)

● 最大2Wクラスの大電力　　　● 豊富なサイズラインアップ　　　● ローム独自のトリミングレス構造採用

GMR100/10mΩ

+107℃

他社品/10mΩ

+140℃

■ 金属板超低抵抗タイプ（PMRシリーズ）

■ 厚膜低抵抗/長辺電極タイプ（LTR/LHRシリーズ）

■ 金属板超低抵抗/高電力タイプ（PSRシリーズ）

■ 金属板低抵抗/高電力タイプ（GMRシリーズ）

表面温度比較

精密溶接技術と高機能合金で高電力化超低抵抗領域でも優れた抵抗温度係数を達成

☆GMR50

PMR18 PMR25

PMR50 PMR100

GMR100 ☆GMR320

PSR100 PSR500PSR400

LTR100 LHR18

LTR18 LTR50

PMRシリーズ

LTRシリーズ

PSRシリーズ

GMRシリーズ

±100

±100

±100

±150±100±150

1W

1W

1W

2W

☆3W

6432（2512）

10×5.2（3921）

15×7.75（5931）

3W

4W

5W

F（±1％）

F（±1％）

F（±1％）

±150±115±100±50125±50±175±75200±50±225±150±75

0.30.51.0

2.0, 3.0☆0.20.3, 0.5

1.0, 2.0, 3.0☆0.10.2

0.3, 0.4, 0.51.0, 2.0

－55～＋170

YES

YES

YES

PSR100

PSR400

PSR500

サイズ略称mm(inch)

定格電力（70℃）抵抗値許容差抵抗温度係数※

（ppm/℃）抵抗値範囲（mΩ）

使用温度（℃）

車載対応（AEC-Q200）品名

金属板超低抵抗/高電力タイプ（PSRシリーズ）

LHR18

LTR18

LTR50

LTR100

1632(0612)

1632(0612)

2550(1020)

3264(1225)

1.25W

1W

2W

2W

☆3W

J（±5%)

F（±1%)

J（±5%)

F（±1%)

J（±5%)

F（±1%)

J（±5%)F（±1%)J（±5%)

F（±1%)

0～1250～1000～750～3000～2000～150±1000～3000～2000～150±100±2000～1500～3000～2000～150

33mΩ～43mΩ～300mΩ～10mΩ～20mΩ～51mΩ～510mΩ～10mΩ～20mΩ～51mΩ～100mΩ～100mΩ～

10mΩ～20mΩ～51mΩ～

39mΩ(E24シリーズ)270mΩ(E24シリーズ)1Ω(E24シリーズ)18mΩ(E24シリーズ)47mΩ(E24シリーズ)470mΩ(E24シリーズ)1Ω(E24シリーズ)18mΩ(E24シリーズ)47mΩ(E24シリーズ)91mΩ(E24シリーズ)910mΩ(E24シリーズ)910mΩ(E24シリーズ)

18mΩ(E24シリーズ)47mΩ(E24シリーズ)91mΩ(E24シリーズ)

－55～＋155


定格電力（70℃）抵抗値抵抗温度係数

（ppm/℃）抵抗値許容差



厚膜低抵抗/長辺電極タイプ（LTR／LHRシリーズ）

YES

YES

YES

YES

3216(1206)

3225(1210)

5025(2010)

6432(2512)

－55～＋155

YES

YES

YES

YES

PMR18

PMR25

PMR50

PMR100


定格電力（70℃）抵抗値許容差抵抗温度係数

（ppm/℃）抵抗値（mΩ）



金属板超低抵抗タイプ（PMRシリーズ）

J（±5％） F（±1％）

J（±5％） F（±1％）

J（±5％） F（±1％）

J（±5％） F（±1％）J（±5％） F（±1％）

1,2,3,4,5,6,7,8,9,101,2,3,4,51,2,3,4,5,6,7,8,9,101,2

3,4,5,6,7,8,9,101,2

※1：（+20℃～+60℃）　※2：シリーズ外の抵抗値対応については別途お問い合せください。※3：抵抗値毎に開発スケジュール異なります。

☆：開発中（抵抗値によって開発スケジュールが異なります。別途お問い合わせください。）

☆

☆

6432（2512） F（±1%）

F（±1%）7142（2817）

3W

5W

－55～＋170 YES

対応予定

GMR100

GMR320


定格電力（70℃）

抵抗値許容差

抵抗温度係数※1

（ppm/℃）抵抗値範囲使用温度（℃）


金属板低抵抗/高電力タイプ（GMRシリーズ）

5025（2010） F（±1%）2W 対応予定GMR50 0～＋50

±250～＋50±20

0～＋100±25

5mΩ10mΩ～200mΩ(E6シリーズ※2※3)

☆5mΩ10mΩ～220mΩ(E6シリーズ※2)


※：（＋20℃～＋125℃）　☆：開発中

☆：開発中

☆：開発中

☆：開発中

5

43

2

1

1.25

PowerRating(W) 1m 10m 100m 1 100.1m

Resistance(Ω)

抵抗値範囲早見表(1W以上を抜粋)(品名/mm[inch])

5m 220mGMR100 / 6432[2512]

5m 200m☆GMR50 / 5025[2010]

5m 100m☆GMR320 / 7142[2817]

100m 910m10m1m

3m0.2m

2m0.1m PSR500 / 15×7.75[5931]

PSR400 / 10×5.2[3921]

3m0.3m PSR100 / 6.35×3.05[2512]

PMR100 / 6432[2512] / LTR100 / 3264[1225]

10m1m

5m1mPMR25 / 3225[1210]

PMR18 / 3216[1206]

10m1m PMR50 / 5025[2010]

10m 1LTR18 / 1632[0612]

10m 910m☆LTR50 / 2550[1020]P.D14

33m 1LHR18 / 1632[0612]P.D14

PSR GMR PML PMR 金属板タイプ LTRUCR LHR MCR 厚膜タイプ

0.5m 2.2mPML100 / 3264[1225]

0.5m 2.2m PML50 / 2550[1020]

0.5m 2.5m PML18 / 1632[0612]

☆: 開発中

MCR50(5025 size Standard Product)

Short Terminal type

LTR50(2550 Size)

Wide Terminal type

112.7℃ at 2W 92.2℃ at 2W

表面温度上昇約23％低減

－55℃ +125℃ －55℃ +125℃ －55℃ +125℃MCR18 LHR18 LTR18

800

750

100

50

0

TCR ≦100ppm / ℃ を達成！

TCR （ppm/℃）

※47mΩで比較

PSR500 PSR400PSR500 PSR400

Resistors for Current Detection　電流検出用抵抗器

Resistors for Current Detection


シャント抵抗器

大電流セットでの電流検出用途に適応


高電力が必要なセットの電流検出用途に最適な「高い定格電力」「超低抵抗」が特長です。抵抗体金属に高機能合金材料を採用したことで、低抵抗領域でも優れた抵抗温度係数(TCR)を達成しました。

トリミングレス構造により電流検出精度向上

優れた放熱性を実現抵抗温度係数を低減

● 3W～5Wクラスの大電力　　　● 0.2mΩ～超低抵抗　　　● 凸型形状を採用　　　● 特殊合金の採用により低TCRを実現

● 最大5Wの大電力　　　● 特殊合金の採用により低TCRを実現　　　● 独自の新構造による優れた放熱性と優れた温度サイクル強度

抵抗体金属(Ni-Cr/Cu-Mn系高機能合金)

電極(Cu) 電極(Cu)精密溶接部抵抗温度係数(ppm/℃)

250200150100500

‒50‒100‒150‒200‒250

Ave.Max.Min.

+20ºC～+125ºC

インダクタンスが大きいと高精度な電流検出が困難

インダクタンス成分軽減検出誤差が少なく、高精度

電圧

電流

電圧

電流

L dldt

従来構造(トリミングあり) PMRシリーズ(トリミングレス)

● 最大2Wクラスの大電力　　　● 豊富なサイズラインアップ　　　● ローム独自のトリミングレス構造採用

GMR100/10mΩ

+107℃

他社品/10mΩ

+140℃

■ 金属板超低抵抗タイプ（PMRシリーズ）

■ 厚膜低抵抗/長辺電極タイプ（LTR/LHRシリーズ）

■ 金属板超低抵抗/高電力タイプ（PSRシリーズ）

■ 金属板低抵抗/高電力タイプ（GMRシリーズ）

表面温度比較

精密溶接技術と高機能合金で高電力化超低抵抗領域でも優れた抵抗温度係数を達成

☆GMR50

PMR18 PMR25

PMR50 PMR100

GMR100 ☆GMR320

PSR100 PSR500PSR400

LTR100 LHR18

LTR18 LTR50

PMRシリーズ

LTRシリーズ

PSRシリーズ

GMRシリーズ

±100

±100

±100

±150±100±150

1W

1W

1W

2W

☆3W

6432（2512）

10×5.2（3921）

15×7.75（5931）

3W

4W

5W

F（±1％）

F（±1％）

F（±1％）

±150±115±100±50125±50±175±75200±50±225±150±75

0.30.51.0

2.0, 3.0☆0.20.3, 0.5

1.0, 2.0, 3.0☆0.10.2

0.3, 0.4, 0.51.0, 2.0

－55～＋170

YES

YES

YES

PSR100

PSR400

PSR500


定格電力（70℃）抵抗値許容差抵抗温度係数※

（ppm/℃）抵抗値範囲（mΩ）



金属板超低抵抗/高電力タイプ（PSRシリーズ）

LHR18

LTR18

LTR50

LTR100

1632(0612)

1632(0612)

2550(1020)

3264(1225)

1.25W

1W

2W

2W

☆3W

J（±5%)

F（±1%)

J（±5%)

F（±1%)

J（±5%)

F（±1%)

J（±5%)F（±1%)J（±5%)

F（±1%)

0～1250～1000～750～3000～2000～150±1000～3000～2000～150±100±2000～1500～3000～2000～150

33mΩ～43mΩ～300mΩ～10mΩ～20mΩ～51mΩ～510mΩ～10mΩ～20mΩ～51mΩ～100mΩ～100mΩ～

10mΩ～20mΩ～51mΩ～

39mΩ(E24シリーズ)270mΩ(E24シリーズ)1Ω(E24シリーズ)18mΩ(E24シリーズ)47mΩ(E24シリーズ)470mΩ(E24シリーズ)1Ω(E24シリーズ)18mΩ(E24シリーズ)47mΩ(E24シリーズ)91mΩ(E24シリーズ)910mΩ(E24シリーズ)910mΩ(E24シリーズ)

18mΩ(E24シリーズ)47mΩ(E24シリーズ)91mΩ(E24シリーズ)

－55～＋155


定格電力（70℃）抵抗値抵抗温度係数

（ppm/℃）抵抗値許容差



厚膜低抵抗/長辺電極タイプ（LTR／LHRシリーズ）

YES

YES

YES

YES

3216(1206)

3225(1210)

5025(2010)

6432(2512)

－55～＋155

YES

YES

YES

YES

PMR18

PMR25

PMR50

PMR100


定格電力（70℃）抵抗値許容差抵抗温度係数

（ppm/℃）抵抗値（mΩ）



金属板超低抵抗タイプ（PMRシリーズ）

J（±5％） F（±1％）

J（±5％） F（±1％）

J（±5％） F（±1％）

J（±5％） F（±1％）J（±5％） F（±1％）

1,2,3,4,5,6,7,8,9,101,2,3,4,51,2,3,4,5,6,7,8,9,101,2

3,4,5,6,7,8,9,101,2

※1：（+20℃～+60℃）　※2：シリーズ外の抵抗値対応については別途お問い合せください。※3：抵抗値毎に開発スケジュール異なります。

☆：開発中（抵抗値によって開発スケジュールが異なります。別途お問い合わせください。）

☆

☆

6432（2512） F（±1%）

F（±1%）7142（2817）

3W

5W

－55～＋170 YES

対応予定

GMR100

GMR320


定格電力（70℃）

抵抗値許容差

抵抗温度係数※1

（ppm/℃）抵抗値範囲使用温度（℃）


金属板低抵抗/高電力タイプ（GMRシリーズ）

5025（2010） F（±1%）2W 対応予定GMR50 0～＋50

±250～＋50±20

0～＋100±25


☆5mΩ10mΩ～220mΩ(E6シリーズ※2)


※：（＋20℃～＋125℃）　☆：開発中

☆：開発中

☆：開発中

☆：開発中

5

43

2

1

1.25

PowerRating(W) 1m 10m 100m 1 100.1m

Resistance(Ω)

抵抗値範囲早見表(1W以上を抜粋)(品名/mm[inch])

5m 220mGMR100 / 6432[2512]

5m 200m☆GMR50 / 5025[2010]

5m 100m☆GMR320 / 7142[2817]

100m 910m10m1m

3m0.2m

2m0.1m PSR500 / 15×7.75[5931]

PSR400 / 10×5.2[3921]

3m0.3m PSR100 / 6.35×3.05[2512]

PMR100 / 6432[2512] / LTR100 / 3264[1225]

10m1m

5m1mPMR25 / 3225[1210]

PMR18 / 3216[1206]

10m1m PMR50 / 5025[2010]

10m 1LTR18 / 1632[0612]

10m 910m☆LTR50 / 2550[1020]P.D14

33m 1LHR18 / 1632[0612]P.D14

PSR GMR PML PMR 金属板タイプ LTRUCR LHR MCR 厚膜タイプ

0.5m 2.2mPML100 / 3264[1225]

0.5m 2.2m PML50 / 2550[1020]

0.5m 2.5m PML18 / 1632[0612]

☆: 開発中

MCR50(5025 size Standard Product)

Short Terminal type

LTR50(2550 Size)

Wide Terminal type

112.7℃ at 2W 92.2℃ at 2W

表面温度上昇約23％低減

－55℃ +125℃ －55℃ +125℃ －55℃ +125℃MCR18 LHR18 LTR18

800

750

100

50

0

TCR ≦100ppm / ℃ を達成！

TCR （ppm/℃）

※47mΩで比較

PSR500 PSR400PSR500 PSR400

SiCrystal社は、2009年よりロームグループの一員となった欧州最大のSiC単結晶ウエハメーカです。ドイツが1994年にスタートさせたSiC単結晶成長技術開発プロジェクトを礎として、1997年に設立され、2001年よりSiCウエハの量産、供給を開始しています。2012年には増産のため、ニュルンベルクの新工場へ移転しました。「安定した品質」を企業目的とし、SiC原料から結晶成長～ウエハ加工～検査までのウエハ一貫生産体制を築き、1999年にISO9001を取得しています。

■製品：SiCウエハ

150mm（6inch）

2inch 3inch100mm（4inch）

4. スライス 5. 端面処理・研磨・洗浄

Nürnberg

SiCウエハ1. 結晶成長

最先端の結晶成長技術

SiCの場合 Siの場合

2. 外周研磨 3. フラット形成

ISO9001を取得

温度：2,000～2,500℃原理：

温度：1,415～1,450℃原理：

■SiCウエハ工程

SiCブールは、高温でSiC粉末を昇華させ、低温の種結晶上に結晶化させる「改良レーリー法」を利用した結晶成長プロセスにより生み出されます。従来のシリコン・インゴットは融液から結晶化させる液相成長であったのに対し、昇華法は成長速度が遅く、結晶欠陥が起こりやすいため、結晶制御には繊細な技術が必要です。SiCrystal社では、数値シミュレーションを駆使することで高度な結晶成長技術を実現しています。

SiCの粉末を昇華させて、種結晶の表面に蒸着し、再結晶化させていきます。プロセスが複雑でコントロールするのは難しく、液相成長に比べて成長速度が遅いです。

種結晶の周りにSi融液が凝結して、液相成長します。結晶性がよく、比較的に高速で成長できるのが特長です。

断熱材

種結晶

水冷された石英チューブ

水冷されたコイル坩堝

SiC粉末

生産システムの開発を自社で対応

「品質を第一とする」を企業目的に掲げるロームでは、SiC生産においても垂直統合生産体制を確立しています。2009年にはドイツのSiCrystal社をグループ企業に加え、ウエハからパッケージの製造まで全てのプロセスで品質を高める活動を行っています。世界に通用する製造技術力、安定した生産力に加え、コスト競争力を高め、さらなる新製品の長期安定供給につとめていきます。

Silicon Ingot

SiCrystal社は2009年ロームグループの一員となったドイツのSiC単結晶ウエハメーカ

シリコンのインゴット引き上げからウエハを製造

シリコン原石

原材料からのこだわり

CSP、BGA、COF、スタックドパッケージなど最先端のアッセンブリ技術を提供

最先端パッケージ

SiCの高速性を活かす低インダクタンスモジュールの設計と開発

低インダクタンスモジュールPhoto MaskCAD

ICチップデザインレイアウトからフォトマスク製造まで一貫した品質管理で高品質を追求

内製フォトマスク

Frame & Dies

内製金型・リードフレーム

Wafer

品質をつくり込むため、リードフレーム打ち抜き用の金型、モールドの金型を内製化

シリコンカーバイド

SiC

シリコン

Si 品質を重視した内製ロームマシンによる高品質・大量・安定生産

内製量産マシン

SiC独自のプロセスを組み込んだ高品質プロセスライン

SiCプロセス

高品質・安定供給を約束する垂直統合生産体制

Assembly Line

Wafer Process

Packaging

25 Power Device　26Power Device　26

SiCrystal社は、2009年よりロームグループの一員となった欧州最大のSiC単結晶ウエハメーカです。ドイツが1994年にスタートさせたSiC単結晶成長技術開発プロジェクトを礎として、1997年に設立され、2001年よりSiCウエハの量産、供給を開始しています。2012年には増産のため、ニュルンベルクの新工場へ移転しました。「安定した品質」を企業目的とし、SiC原料から結晶成長～ウエハ加工～検査までのウエハ一貫生産体制を築き、1999年にISO9001を取得しています。

■製品：SiCウエハ

150mm（6inch）

2inch 3inch100mm（4inch）

4. スライス 5. 端面処理・研磨・洗浄

Nürnberg

SiCウエハ1. 結晶成長

最先端の結晶成長技術

SiCの場合 Siの場合

2. 外周研磨 3. フラット形成

ISO9001を取得

温度：2,000～2,500℃原理：

温度：1,415～1,450℃原理：

■SiCウエハ工程

SiCブールは、高温でSiC粉末を昇華させ、低温の種結晶上に結晶化させる「改良レーリー法」を利用した結晶成長プロセスにより生み出されます。従来のシリコン・インゴットは融液から結晶化させる液相成長であったのに対し、昇華法は成長速度が遅く、結晶欠陥が起こりやすいため、結晶制御には繊細な技術が必要です。SiCrystal社では、数値シミュレーションを駆使することで高度な結晶成長技術を実現しています。

SiCの粉末を昇華させて、種結晶の表面に蒸着し、再結晶化させていきます。プロセスが複雑でコントロールするのは難しく、液相成長に比べて成長速度が遅いです。

種結晶の周りにSi融液が凝結して、液相成長します。結晶性がよく、比較的に高速で成長できるのが特長です。

断熱材

種結晶

水冷された石英チューブ

水冷されたコイル坩堝

SiC粉末

生産システムの開発を自社で対応

「品質を第一とする」を企業目的に掲げるロームでは、SiC生産においても垂直統合生産体制を確立しています。2009年にはドイツのSiCrystal社をグループ企業に加え、ウエハからパッケージの製造まで全てのプロセスで品質を高める活動を行っています。世界に通用する製造技術力、安定した生産力に加え、コスト競争力を高め、さらなる新製品の長期安定供給につとめていきます。

Silicon Ingot

SiCrystal社は2009年ロームグループの一員となったドイツのSiC単結晶ウエハメーカ

シリコンのインゴット引き上げからウエハを製造

シリコン原石

原材料からのこだわり

CSP、BGA、COF、スタックドパッケージなど最先端のアッセンブリ技術を提供

最先端パッケージ

SiCの高速性を活かす低インダクタンスモジュールの設計と開発

低インダクタンスモジュールPhoto MaskCAD

ICチップデザインレイアウトからフォトマスク製造まで一貫した品質管理で高品質を追求

内製フォトマスク

Frame & Dies

内製金型・リードフレーム

Wafer

品質をつくり込むため、リードフレーム打ち抜き用の金型、モールドの金型を内製化

シリコンカーバイド

SiC

シリコン

Si 品質を重視した内製ロームマシンによる高品質・大量・安定生産

内製量産マシン

SiC独自のプロセスを組み込んだ高品質プロセスライン

SiCプロセス

高品質・安定供給を約束する垂直統合生産体制

Assembly Line

Wafer Process

Packaging

25 Power Device　26Power Device　26

ロームはパワーデバイスの素材としてSiCに早くから着目し、ユーザや大学などと連携しながら技術を蓄積してきました。2010年4月、日本ではじめてSiCダイオード（SBD）の量産を開始。12月には世界初のSiCトランジスタ(MOSFET)量産体制を確立しました。そして、2012年3月“フルSiC”パワーモジュールの量産を世界で初めて開始しました。

SiCの先進性に着目、一歩進んだ研究開発で業界をリード


200920082002 2005 2007

2015 2016～20132010 2011 2012

SiCに関する技術動向

SiC MOSFETの基礎実験を開始（2002年6月）

SiC MOSFETのプロトタイプを開発（2004年12月）

SiC MOSFETをサンプル出荷（2005年11月）

SiC MOSFETで世界最小のオン抵抗3.1mΩcm²を発表（2006年3月）

ローム、京都大学、東京エレクトロンがSiCエピ膜の量産技術を発表（2007年6月）

大電流のSiC MOSFETとSiC SBD（ショットキーバリアダイオード）を試作。300Aを実現（2007年12月）

日産自動車とロームが新構造のSiCダイオードを開発（2008年4月）

世界最小のオン抵抗1.7mmΩcm²のSiCトレンチMOSFETを発表（2008年9月）

日産自動車がローム製のSiCダイオードを使ったインバータを燃料電池車に搭載し走行実験を実施（2008年9月）

本田技術研究所とロームがハイブリッド車向けにSiCパワーモジュールを試作❶（2008年9月）

SiC素子を利用した高温パワー・モジュールを試作し、250℃での動作デモを披露❷（2008年10月）

SiCウエハメーカのSiCrystal社をグループ会社に❸（2009年7月）

世界初の低抵抗SiCトレンチMOSFETの大幅な大電流化を実現（2009年10月）

SiCデバイスの一貫生産体制を確立。SiC SBDの量産を開始❹（2010年4月）

世界初、モータへの内蔵が可能なSiCトレンチMOSFET、SiC SBDモジュールの開発に成功（2010年10月）

SiC MOSFETの量産を開始（2010年12月）

世界初、高温(225℃)で動作するトランスファーモールド型のSiCパワーモジュールを開発(2011年10月)❺

APEI(Arkansas Power Electronics International)とロームが高速・大電流（1000A級）のSiCトレンチMOSモジュールを開発(2011年10月)

SiC SBDとSiC MOSFETで構成した、“フルSiC”パワーモジュールの量産を世界で初めて開始❻（2012年3月）

SiC MOSモジュールの量産を開始（2012年12月）

車載向けSiC SBD製品の量産開始(2012年9月)

株式会社エネゲート、ローム、関西電力の3社にてフルSiCパワーモジュールを用いた無停電電源装置を試作(2013年6月)

電気自動車の世界最高峰レース「フォーミュラE」用インバータに搭載。2016年10月9日に開幕したシーズン3より、マシン駆動の中核を担うインバータ部分に世界最先端のパワー半導体、SiCパワーデバイスを提供し、マシンの小型・軽量化、高効率化をサポートしています。❼(2016年10月)

History

20% Duty Cycle

Max Temp = 250.8℃

80% Duty Cycle

20% Duty Cycle

80% Duty Cycle

❷❶

❹❸❸ ❺ ❻ ❼❼

ロームはパワーデバイスの素材としてSiCに早くから着目し、ユーザや大学などと連携しながら技術を蓄積してきました。2010年4月、日本ではじめてSiCダイオード（SBD）の量産を開始。12月には世界初のSiCトランジスタ(MOSFET)量産体制を確立しました。そして、2012年3月“フルSiC”パワーモジュールの量産を世界で初めて開始しました。

SiCの先進性に着目、一歩進んだ研究開発で業界をリード


200920082002 2005 2007

2015 2016～20132010 2011 2012

SiCに関する技術動向

SiC MOSFETの基礎実験を開始（2002年6月）

SiC MOSFETのプロトタイプを開発（2004年12月）

SiC MOSFETをサンプル出荷（2005年11月）

SiC MOSFETで世界最小のオン抵抗3.1mΩcm²を発表（2006年3月）

ローム、京都大学、東京エレクトロンがSiCエピ膜の量産技術を発表（2007年6月）

大電流のSiC MOSFETとSiC SBD（ショットキーバリアダイオード）を試作。300Aを実現（2007年12月）

日産自動車とロームが新構造のSiCダイオードを開発（2008年4月）

世界最小のオン抵抗1.7mmΩcm²のSiCトレンチMOSFETを発表（2008年9月）

日産自動車がローム製のSiCダイオードを使ったインバータを燃料電池車に搭載し走行実験を実施（2008年9月）

本田技術研究所とロームがハイブリッド車向けにSiCパワーモジュールを試作❶（2008年9月）

SiC素子を利用した高温パワー・モジュールを試作し、250℃での動作デモを披露❷（2008年10月）

SiCウエハメーカのSiCrystal社をグループ会社に❸（2009年7月）

世界初の低抵抗SiCトレンチMOSFETの大幅な大電流化を実現（2009年10月）

SiCデバイスの一貫生産体制を確立。SiC SBDの量産を開始❹（2010年4月）

世界初、モータへの内蔵が可能なSiCトレンチMOSFET、SiC SBDモジュールの開発に成功（2010年10月）

SiC MOSFETの量産を開始（2010年12月）

世界初、高温(225℃)で動作するトランスファーモールド型のSiCパワーモジュールを開発(2011年10月)❺

APEI(Arkansas Power Electronics International)とロームが高速・大電流（1000A級）のSiCトレンチMOSモジュールを開発(2011年10月)

SiC SBDとSiC MOSFETで構成した、“フルSiC”パワーモジュールの量産を世界で初めて開始❻（2012年3月）

SiC MOSモジュールの量産を開始（2012年12月）

車載向けSiC SBD製品の量産開始(2012年9月)

株式会社エネゲート、ローム、関西電力の3社にてフルSiCパワーモジュールを用いた無停電電源装置を試作(2013年6月)

電気自動車の世界最高峰レース「フォーミュラE」用インバータに搭載。2016年10月9日に開幕したシーズン3より、マシン駆動の中核を担うインバータ部分に世界最先端のパワー半導体、SiCパワーデバイスを提供し、マシンの小型・軽量化、高効率化をサポートしています。❼(2016年10月)

History

20% Duty Cycle

Max Temp = 250.8℃

80% Duty Cycle

20% Duty Cycle

80% Duty Cycle

❷❶

❹❸❸ ❺ ❻ ❼❼

Germany

SiCrystal

India

ROHM Integrated Systems (Thailand)ROHM Mechatech (Thailand)

Thailand

ROHM-Wako Electronics (Malaysia)Philippines

Taiwan

Shanghai

KoreaROHM Korea

DalianROHM Electronics Dalian

ROHM Semiconductor (China)

Finland

ROHM Mechatech PhilippinesMalaysia

Singapore

Shenzhen

Hong Kong

Brasil

KionixDetroit

Ireland

ROHM Electronics Philippines

U.S.A.Santa Clara

Power Device　30

ロームグループ主要拠点(Japan)

ロームグループ主要拠点(Global)

京都／東京／横浜／名古屋／福岡／松本／水戸／西東京／仙台／高崎／宇都宮

● 営業拠点

ローム滋賀株式会社ローム浜松株式会社ローム・ワコー株式会社ローム・アポロ株式会社

ローム・メカテック株式会社ラピスセミコンダクタ宮城株式会社ラピスセミコンダクタ宮崎株式会社

● 生産拠点

ロームロジステック株式会社

● 物流拠点

京都QAセンター

● QAセンター

● 営業拠点ROHM Semiconductor Korea CorporationROHM Semiconductor Trading (Dalian) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (Shenzhen) Co., Ltd.ROHM Semiconductor Hong Kong Co., Ltd.ROHM Semiconductor Taiwan Co., Ltd.ROHM Semiconductor Singapore Pte. Ltd.ROHM Semiconductor Philippines CorporationROHM Semiconductor (Thailand) Co., Ltd.ROHM Semiconductor Malaysia Sdn. Bhd.ROHM Semiconductor India Pvt. Ltd.ROHM Semiconductor U.S.A., LLCROHM Semiconductor do Brasil Ltda.ROHM Semiconductor GmbH

AMERICA

EUROPE

ASIA

● 生産拠点ROHM Korea CorporationROHM Electronics Philippines, Inc.ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.ROHM Electronics Dalian Co., Ltd.ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.ROHM Mechatech Philippines, Inc.ROHM Mechatech (Thailand) Co., Ltd.

Kionix, Inc.SiCrystal GmbH

AMERICAEUROPE

ASIA

主要拠点

京都テクノロジーセンター（本社）京都テクノロジーセンター（京都駅前）横浜テクノロジーセンターラピスセミコンダクタ株式会社(新横浜)ラピスセミコンダクタ株式会社宮崎デザインセンター

● 開発拠点

● 開発拠点

EUROPEAMERICA

ASIA Korea Design Center Shanghai Design Center Shenzhen Design Center Taiwan Design CenterIndia Design Center America Design Center (Santa Clara) Europe Design CenterFinland Software Development CenterROHM POWERVATION Ltd.

AMERICA

Korea QA Center Shanghai QA Center Shenzhen QA Center Taiwan QA CenterThailand QA Center America QA CenterEurope QA Center

ASIA

● QAセンター

EUROPE

SiCパワーデバイスが実現するのは省エネルギー。

ロームは、環境の負荷を低減することを目指して、

SiCパワーデバイスの量産ラインアップの拡充と、

更なる新製品の開発を推進していきます。

SiC is ECO Device地球の負荷を低減する

29

QAセンター物流拠点開発拠点生産拠点営業拠点

QAセンター開発拠点生産拠点営業拠点

仙台

西東京

高崎松本

ローム浜松(静岡)

名古屋ローム滋賀(滋賀)

ローム(本社)京都

ローム・メカテック(京都)

ローム・ワコー(岡山)

ローム・ロジステック(岡山)

ローム・アポロ(福岡)

福岡

ラピスセミコンダクタ宮城(宮城)

水戸

東京ラピスセミコンダクタ(本社)横浜

ラピスセミコンダクタ宮崎(宮崎) ラピスセミコンダクタ宮崎デザインセンター

(宮崎)

宇都宮

Germany

SiCrystal

India

ROHM Integrated Systems (Thailand)ROHM Mechatech (Thailand)

Thailand

ROHM-Wako Electronics (Malaysia)Philippines

Taiwan

Shanghai

KoreaROHM Korea

DalianROHM Electronics Dalian

ROHM Semiconductor (China)

Finland

ROHM Mechatech PhilippinesMalaysia

Singapore

Shenzhen

Hong Kong

Brasil

KionixDetroit

Ireland

ROHM Electronics Philippines

U.S.A.Santa Clara

Power Device　30

ロームグループ主要拠点(Japan)

ロームグループ主要拠点(Global)

京都／東京／横浜／名古屋／福岡／松本／水戸／西東京／仙台／高崎／宇都宮

● 営業拠点

ローム滋賀株式会社ローム浜松株式会社ローム・ワコー株式会社ローム・アポロ株式会社

ローム・メカテック株式会社ラピスセミコンダクタ宮城株式会社ラピスセミコンダクタ宮崎株式会社

● 生産拠点

ロームロジステック株式会社

● 物流拠点

京都QAセンター

● QAセンター

● 営業拠点ROHM Semiconductor Korea CorporationROHM Semiconductor Trading (Dalian) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (Shenzhen) Co., Ltd.ROHM Semiconductor Hong Kong Co., Ltd.ROHM Semiconductor Taiwan Co., Ltd.ROHM Semiconductor Singapore Pte. Ltd.ROHM Semiconductor Philippines CorporationROHM Semiconductor (Thailand) Co., Ltd.ROHM Semiconductor Malaysia Sdn. Bhd.ROHM Semiconductor India Pvt. Ltd.ROHM Semiconductor U.S.A., LLCROHM Semiconductor do Brasil Ltda.ROHM Semiconductor GmbH

AMERICA

EUROPE

ASIA

● 生産拠点ROHM Korea CorporationROHM Electronics Philippines, Inc.ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.ROHM Electronics Dalian Co., Ltd.ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.ROHM Mechatech Philippines, Inc.ROHM Mechatech (Thailand) Co., Ltd.

Kionix, Inc.SiCrystal GmbH

AMERICAEUROPE

ASIA

主要拠点

京都テクノロジーセンター（本社）京都テクノロジーセンター（京都駅前）横浜テクノロジーセンターラピスセミコンダクタ株式会社(新横浜)ラピスセミコンダクタ株式会社宮崎デザインセンター

● 開発拠点

● 開発拠点

EUROPEAMERICA

ASIA Korea Design Center Shanghai Design Center Shenzhen Design Center Taiwan Design CenterIndia Design Center America Design Center (Santa Clara) Europe Design CenterFinland Software Development CenterROHM POWERVATION Ltd.

AMERICA

Korea QA Center Shanghai QA Center Shenzhen QA Center Taiwan QA CenterThailand QA Center America QA CenterEurope QA Center

ASIA

● QAセンター

EUROPE

SiCパワーデバイスが実現するのは省エネルギー。

ロームは、環境の負荷を低減することを目指して、

SiCパワーデバイスの量産ラインアップの拡充と、

更なる新製品の開発を推進していきます。

SiC is ECO Device地球の負荷を低減する

29

QAセンター物流拠点開発拠点生産拠点営業拠点

QAセンター開発拠点生産拠点営業拠点

仙台

西東京

高崎松本

ローム浜松(静岡)

名古屋ローム滋賀(滋賀)

ローム(本社)京都

ローム・メカテック(京都)

ローム・ワコー(岡山)

ローム・ロジステック(岡山)

ローム・アポロ(福岡)

福岡

ラピスセミコンダクタ宮城(宮城)

水戸

東京ラピスセミコンダクタ(本社)横浜

ラピスセミコンダクタ宮崎(宮崎) ラピスセミコンダクタ宮崎デザインセンター

(宮崎)

宇都宮

1) 本資料の記載内容は 2018年 10月1日現在のものです。 2) 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。本製品のご使用に際しては、下記セールス･オフィスまで最新の仕様書をご請求の上、必ずご確認ください。 3) ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、半導体製品は種々の要因で故障・誤作動する可能性があります。万が一、本製品が故障・誤作動した場合であっても、その影響により人身事故、火災損害等が起こらないようご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、バックアップ、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。 4) 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。 5) 本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームはその責任を負うものではありません。 6) 本資料に掲載されております製品は、耐放射線設計はなされておりません。 7) 本製品を下記のような特に高い信頼性が要求される機器等に使用される際には、ロームへ必ずご連絡の上、承諾を得てください。・輸送機器（車載、船舶、鉄道など）、幹線用通信機器、交通信号機器、防災・防犯装置、安全確保のための装置、医療機器、サーバー、太陽電池、送電システム 8) 本製品を極めて高い信頼性を要求される下記のような機器等には、使用しないでください。・航空宇宙機器、原子力制御機器、海底中継機器 9) 本資料の記載に従わないために生じたいかなる事故、損害もロームはその責任を負うものではありません。10) 本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。11) 本製品のご使用に際しては、 RoHS 指令など適用される環境関連法令を遵守の上ご使用ください。本製品の RoHS 適合性などの詳細につきましては下記セールス･オフィスまでお問合せください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、ロームは一切の責任を負いません。12) 本製品および本資料に記載の技術を輸出又は国外へ提供する際には、「外国為替及び外国貿易法」、「米国輸出管理規則」など適用される輸出関連法令を遵守し、それらの定めにしたがって必要な手続を行ってください。13) 本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを固くお断りします。

R1098B

PDF

+82-2-8182-700+86-411-8230-8549

　　　+86-10-8525-2483+86-21-6072-8612

+86-755-8307-3008+852-2740-6262

+886-2-2500-6956+65-6436-5100

+63-2-807-6872+66-2-254-4890

+60-3-7931-8155+91-80-4125-0811

+49-2154-921-0+1-408-720-1900

+55-11-3539-6320

韓　国大　連北　京上　海深　圳　　香　港台　湾シンガポール

フィリピンタイマレーシアインドドイツアメリカブラジル

(045)476-2121(03)6280-0820(042)648-7821(022)295-3011(028)633-2271(029)300-0585(027)310-7111(0263)34-8601

(075)365-1077(052)589-9027(092)483-3496

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京　都名古屋福　岡

No.61P7165J 10.2018

パワーデバイスカタログ Vol.5.3

Power Device

ロームのSPICEモデルを簡単GET!

① ICからディスクリートまで、幅広い製品ラインアップ全4,883モデル※を掲載

② SPICEデータが1箇所に収納されているので、3ステップで簡単ダウンロード可能

Cadence社PSpice.comサイトの紹介　PSpiceとは、Cadence社のPCB設計フロー全体にわたって連続的な作業を可能にするメインストリーム向けOrCAD製品群の1つで、業界をリードする回路シミュレーションと検証ソリューションです。

■ IC

■ ディスクリート

掲載製品一覧※ 2,250モデル

2,633モデル（パワーデバイス、トランジスタ、ダイオード、LEDなど）※2018年10月ローム調べ

PSpice内ロームページhttp://www.pspice.com/models/rohm

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Power Device パワーデバイスカタログ Vol.5 · (027)310-7111 (0263)34-8601 (075)365-1077 (052)589-9027 ... p13～p14 p15～p16 p17～p22 p23～p24 p25～p26 p27～p28 p29