Upload
truongdan
View
224
Download
1
Embed Size (px)
Citation preview
WEEIiA E&T
Przyrządy
półprzewodnikowe – część 3
wykład 30 godz.
laboratorium 30 godz
Prof. Zbigniew Lisik
pokój: 110
e-mail: [email protected]
Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych
i Optoelektronicznych
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Zasada działania
Przyrządy bipolarne :
● Charakteryzują się tym, że oba typy nośników (elektrony i dziury)
biorą udział w przepływie prądu.
● Ich istotą jest występowanie wstrzykiwania nośników
mniejszościowych przez złącze spolaryzowane w kierunku
przewodzenia.
● Prowadzi to do drastycznego wzrostu koncentracji nośników w
obszarach słabodomieszkowanych i w konsekwencji do drastycznego
wzrostu ich przewodności – określanego jako modulacja
przewodności.
● Z uwagi na występowanie koncentracji nadmiarowych ich
dynamika jest ograniczona przez procesy rekombinacyjne
Część 3
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Przyrządy uipolarne :
● Charakteryzują się tym, że prąd tworzą w nich jedynie nośniki
większościowe.
● Zwykle są one sterowane sygnałem napięciowym i dlatego
często są one nazywane przyrządami sterowanymi polowo.
● Prąd płynie w nich poprzez półprzewodnik jednego typu (typu n
lub typu p), tak więc nie występuje w nich wstrzykiwanie
nośników.
● Koncentracje elektronów i dziur są w nich generalnie równe
swoim wartościom równowagowym – nie występuje efekt
modulacji przewodności.
Część 3
Zasada działania
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Przyrządy Bi-MOS:
● Charakteryzują się tym, że posiadają one części pracujące,
odpowiednio, jak przyrządy bipolarne i unipolarne.
● Jako przyrządy dyskretne są one zwykle sterowane przez sygnał
napięciowy, a więc prościej niż w przypadku przyrządów
bipolarnych.
● Wykorzystują one podstawową własność przyrządów
bipolarnych – modulację konduktywności.
● Są one zwykle szybsze od odpowiadających im przyrządów
bipolarnych.
Część 3
Zasada działania
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Bipolarne
Diody
Tranzystory
Bipolarne
Tyrystory
GTO
Unipolarne
Tranzystory Polowe
Złączowe (JFET)
Tranzystory Polowe
z Izolowaną Bramką
(MOSFET)
BiMOS
Tranzystory Bipolarne
z Izolowaną Bramką
(IGBT)
Static Induction
Thyristor (SITh)
Część 3
Zasada działania
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Konstrukcja i obudowa
Przyrządy dyskretne - jeden przyrząd w jednej obudowie
Część 3
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Konstrukcja i obudowa
Układy scalone - układ elektroniczny z wieloma przyrządami
wykonany na jednej strukturze
półprzewodnikowej
Część 3
21164 Alpha die
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Konstrukcja i obudowa
Moduły zintegrowane - kilka przyrządów i/lub układów scalonych
zmontowanych w jednej obudowie
Część 3
IPM
MCM
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Przeznaczenie
Przyrządy optoelektroniki - są to przyrządy sterowane
światłem ( np. fototranzystory, fotodiody, fototyrystory) oraz
emitujące światło (np. LEDy, lasery) jak również ogniwa
słoneczne.
Część 3
LED
FD
LD
Ogniwa słoneczne
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Przeznaczenie
Przyrządy wysokich częstotliwości - są one zdolne do pracy
przy bardzo dużych częstotliwościach sięgających GHz’ów
zarówno jako źródła sygnału AC (np. diody Gunna lub
lawinowe) jak i jako aktywne elementy obwodów wysokiej
częstotliwości (np. tranzystory HJBT, HEMT czy MESFET).
Przykład powszechnego zastosowania – telefonia mobilna.
Część 3
diody
HEMT
Space application
klucze HF
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Sensory - obejmują szerokie spektrum różnych przyrządów
półprzewodnikowych, których podstawową cechą jest ich
czułość na pewne parametry fizyczne lub czynniki chemiczne
(np. hallotrony, termistory, czujniki wilgotności i gazów)
Część 3
Przeznaczenie
MEMS metan sensor
Czujnik CO
Czujnik wilgotności
Termistory
Hallotron
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Przyrządy mocy - przyrządy dla prądów powyżej 40A i napięć
powyżej 300V dla „power management”. Są wykorzystywane
jako elementy przełączające w energoelektronice.
Część 3
Przeznaczenie
Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd
Microsystemy - są połączeniem przyrządów elektrycznych
i mechanicznych wykonywanych na jednej strukturze
półprzewodnikowej lub wykonywane jako moduł zawierający
elementy dyskretne (tzw. micromachining). Przykład – czujnik
przyspieszenia sterujący poduszką powietrzną.
Część 3
Przeznaczenie
mikrofon
mikromedycyna
mikroaktuator
mikrosilni
k
czujnik pojemnościowy
Przyrządy bipolarne - Diody
Złącze p-n – współczynnik wstrzykiwania
SCR
ObszarZłącza
A Kp n
Je
Jh
Jej
Jhj
pp0
np0
nn0
pn0
J
J
ejpe
Współczynnik wstrzykiwania
dla elektronów:
Współczynnik wstrzykiwania
dla dziur:
J
J
hjnh
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
● złącze p-n może być
emiterem elektronów:
● złącze p-n może być
emiterem dziur: 1 nh
1 pe kiedy Nd >> Na
when Na >> Nd
1 J
J J
J
J
J
J
hjejhjej
nhpe
1 0 nh 1 0 pe
Złącze p-n – współczynnik wstrzykiwania
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda p-n – rezystancja szeregowa
p n
nn0
pn0
pp0
np0
Rsp RsnDI
DI Rs
Obszar złącza
Is0UD
ID
DIRs
DI+Rs
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda p-n – konduktancja upływu
Gl
DI Rs
E
p npp0
np0
SCR
Jl – prąd upływu
Gl
Is0UD
ID
DIRs
DI+Rs+Gl
Gl
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Złącze p-n – pojemność złączowa
p n
DQ DQ
w2U2=U1 + DUw1U1
Cj =DQ
DU
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Złącze p-n – pojemność dfuzyjna
p
p2U2=U1 + DU
p1U1
n2U2=U1 + DU
n1U1DQ
DQ
p n
nn0
pn0
pp0
np0
CD =DQ
DU
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda p-n – model diody rzeczywistej
Is0UD
ID
DIRs
DI+Rs+Gl
Gl
Rs
Gl
DI
Cj
Cd
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda p-n – napięcie przebicia
UD
ID
DIRs
DI+Rs+Gl
Gl
Ubr
Rodzaje przebić::
● lawinowe
● Zenera
● skrośne
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda p-n – przebicie lawinowe
WC
WV
Wkin
SCR
E
Wg
Elektron jest przyspieszany w SCR
przez siłę:
qE F E
i jego energia kinetyczna rośnie:
qEl lF W Ekin
l – droga swobodna pomiędzy dwoma
zderzeniami
Elektron może oddać nadmiarową energię na dwa sposoby:
- w zderzeniach z siecią – fononami
- w zderzeniach z innymi nośnikami (elektrony lub dziury)
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
WC
WV
Wkin
Jeżeli energia kinetyczna jest
wystarczająco duża , w wyniku zderzenia
z elektronem pasma walencyjnego może
być wygenerowana para dziura-elektron.
Wymaga to:: gionkin W W W
gdzie Wion – energia joniacji
Ponieważ uzyskanie takiej energii wymaga różnych
dróg swobodnych przy różnych natężeniach pola
elektrycznego, zdefiniowano średnią drogę jonizacji
zależną od pola elektrycznego:
qE
W l ion
ion
Część 3
Dioda p-n – przebicie lawinowe
Przyrządy bipolarne - Diody
WC
WV
Wkin
Powielanie lawinowe prowadzące
do przebicia lawinowego ma
miejsce kiedy:
● dla konkretnego natężenia pola E
l w ionSCR
● zderzenie z nośnikami jest bardziej
prawdopodobne niż z fononami:
1 l
l r
ph
ionion
lph- średnia droga swobodna dla
rozpraszania na fononach
Si 78 Ǻ
Ge 105 Ǻ
GaAs 58 Ǻ
Część 3
Dioda p-n – przebicie lawinowe
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda p-n model przebicia lawinowego
w diodzie rzeczywistej
UD
ID
Ubr
Współczynnik powielania:
J
J M
i
- całkowity prąd diody
- prąd diody bez
powielania
Prąd całkowity diody w modelu:
1 -
kT
qUexpMI I s0D
gdzie M określane
eksperymentalnie:
U
U 1
1 M
m
br
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda p-n – przebicie Zenera
Przebicie Zenera jest związane z efektem
nazywanym polową generacją par dziura-
elektron, który ma charakter kwantowy.
Ma on miejsce w obszarze o dużym
natężeniu pola elektrycznego, kiedy
nachylenie krawędzi pasma przewodnictwa i
walencyjnego jest bardzo duże, np. w silnie
domieszkowanym złączu p-n.
Jeżeli domieszkowanie jest tak duże, że odległość pomiędzy
punktami A i B jest wystarczająco mała, aby oba punkty znalazły się
wewnątrz dzwonu prawdopodobieństwa, wynikającego z zasady
nieoznaczoności Heisenberga, to ten sam elektron może pojawiać się
w każdym z nich z określonym prawdopodobieństwem.
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Część 3
Dioda p-n – przebicie skrośne
Przebicie skrośne jest efektem
przestrzennym wynikającym z faktu, że
grubość warstw tworzących diodę p-n,
wn and wp, jest ograniczona.
Rozważmy asymetryczną diodę p-n, w
której:
Nd >> Na
W takiej diodzie
wSCR(p) >> wSCR(n),
oznacza to, że obszar SCR występuje
głównie w warstwie p.
pn
wn wp
wSCR(n) wSCR(p)
WC
WV
Przyrządy bipolarne - Diody
Kiedy napięcie wsteczne rośnie, szerokość
obszaru SCR w warstwach również rośnie
i przy pewnym napięciu obszar SCR
wypełnia jedną z warstw.
Kiedy dalszy wzrost SCR w jednej z warstw
staje się niemożliwy, warstwa p na rysunku,
jedyną drogą umożliwiającą dalszy wzrost
napięcia wstecznego jest wzrost gęstości
ładunku w obszarze SCR tej warstwy.
pn
wn wp
wSCR(n) wSCR(p)
WC
WV
Może to być osiągnięte poprzez
wprowadzenie dodatkowych elektronów do
SCR warstwy p. Wzrost koncentracji
nośników prowadzi jednak do wzrostu
prądu unoszenia w tym obszarze.
Część 3
Dioda p-n – przebicie skrośne
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda p-n – przebicie skrośne
2 Ua J
Gdy prąd unoszenia rośnie w wyniku
wzrostu gęstości swobodnych
nośników w obszarze SCR diody,
jest to efekt przebicia.
W przypadku przebicia skrośnego
nie występuje jednak drastyczny
wzrost prądu przy prawie stałej
wartości napięcia wstecznego, ale
wielkość prądu zależy od napięcia
wstecznego zgodnie z wzorem:
UD
ID
Ubr
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda p-n – charakterystyki przebicia
Łatwo jest rozpoznać, który typ
przebicia występuje w diodzie:
● W przypadku przebicia skrośnego nie
występuje gwałtowny wzrost prądu.
● W przypadku przebicia lawinowego
napięcie przebicia wzrasta wraz ze
wzrostem temperatury .
● W przypadku przebicia Zenera
napięcie przebicia zmniejsza się wraz
ze wzrostem temperatury.
UD
ID
Ubr
lawinowe Zenera
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda p-n – stan przejściowy
R
DE
EF
ER
E
t
Część 3
IF = EF/R IR = ER/R
IF
IR
I
t
ER
E
t
ts tftr
Przyrządy bipolarne - Diody
IF = EF/R IR = ER/R
IF
IR
I
t
ER
E
t
ts tf
tr – czas narastania
ts – czas magazynowania
tf – czas opadania
tr
Dioda p-n – stan przejściowy
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Standardowe
● Prostownicza
(Ubr,Ron)
● Impulsowa (tr,trr)
● Zenera (Ubr)
Specjalne
● Varikap (Cj)
● Tunelowa (typu-S)
● Lawinowa (syg. wcz)
● p-i-n (sygn wcz)
Optoelelektroniczne
● LED (emisja)
● Laser (emisja)
● FD (detekcja)
● ogniwo słoneczne
Inne diody:
● Schottky’ego – wykorzystująca własności nieliniowego kontaktu
metal-półprzewodnik (tr,trr)
● Gunna – wykorzystuje zależność ruchliwości od pola elektrycznego
występującą w pewnych materiałach jak np. GaAs
(charakterystyka I-V typu S)
Część 3
Przegląd diod p-n
Przyrządy bipolarne - Diody
Przegląd diod p-n
–I-V charakterystyki typu S
UD
ID
Up Uv
Ip
Iv
ujemnarezystancja
Up – napięcie szczytowe
Ip – prąd szczytowy
Up – napięcie dolinowe
Ip – prąd dolinowy
Я - ujemna rezystancja
Część 3
Przyrządy bipolarne - Diody
Chapter 3
Inne diody– Efekt Gunna
E(U)
vu(Iu)
Up Uv
Ip
Iv
ujemnarezystancja
W niektórych półprzewod-
nikach, np. GaAs, występują
dwa typy elektronów:
● lekkie – nl , mefel , µnl
vul = µnl E
● ciężkie – nh , mefeh , µnh
vuh = µnh E
vul
vuh
vul
n = nl + nhE = 0 V/m → nh = 0 → n = nl
E => ∞ → nl => 0 → n => nhJun = qnmnE
n-GaAsA K
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda prostownicza p-i-n – budowa
Część 3
Elementy składowe:
p-n - złącze blokujące
napięcie p+, n+ - warstwy emiterów wstrzykujące nośniki do obszarów
słabo domieszkowanych oraz zapewniające dobry kontakt
omowy metal-półprzewodnik
Profile
rozkładu
domieszkowania
[cm-3]
[mm]
1014
1020
1018
1016
20 60 x 40
A Kp+ p n n+
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda prostownicza p-i-n – stan przewodzenia
Część 3
p n
p+ p n n+
p+ i n+
nn = p p
UFUP
wwp+ wn+
0
UI
UN
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda prostownicza p-i-n – stan przewodzenia
Część 3
p+ i n+
UF UP
w
UI
UN
UF
IT1
T2
Elementy składowe:
UF = UP + UI + UN
Jq
kTU ln
● napięcie na złączach p-i i n-i :
● napięcie na obszarze i - omowe :
WW
Ixxn
dx
q
JEdxU
00)()(2 m
UI ≈ K2 I0.5
UP + UN = K1ln I
T2 < T1
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda prostownicza p-i-n – stan przewodzenia
Część 3
p+ i n+
UF UP
w
UI
UN
UF
IT1
T2
UF = UP + UI + UN
UP + UN = K1ln I
UI ≈ K2 I0.5
UF = K1ln I + K2 I0.5
T↑ (UP + UN)↓ a UI↑
- cross point
małe I UP + UN > UI
duże I UP + UN < UI
T2 < T1
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda prostownicza p-i-n – stan przewodzenia
Część 3
Charakterystyka zastępcza:
UO
DUF
IFAV
FAVI2
3π
FAVI2
π
I
F
U
F
DI
F
● rezystancja dynamiczna:
F
Fd
I
U R
D
D
● przybliżenie liniowe:
dFOF RI U U
IFAV – znamionowa wartość
średnia prądu
przewodzenia
Przyrządy bipolarne - Diody
Dioda prostownicza p-i-n – stan blokowania
Część 3
● dioda NPT:
● dioda PT:p+ p n- n+
wSCR
Emax
wSCR
Emax
Cały ładunek przestrzenny
w warstwie n-
Ładunek przestrzenny w
warstwie n- i n+
Złącze n- -n + uległo
przebiciu skrośnemu
E
p n
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
Ogólna prezentacja
E C
B
p pn
E C
B
pn n
E
B
C
p-n-p
E
B
C
n-p-n
Część 3
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
E C
B
R
Jh
Je
JhC
UBE – polaryzacja w kierunku przewodzenia – dziury są wstrzykiwane z emitera do bazy
UBC – polaryzacja wsteczna – dziury są przenoszone przez
SCR z bazy do na stronę kolektora podczas gdy
elektrony są zawracane do wnętrza bazy
Część 3
Zasada działania
Bardeen-BrattainBell Labs 1947
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
Zasada działania
E C
B
R
JhE
JeE
JhC
UEB > 0
UCB < 0
JE JC
JeB
JC = JhC = JhE = JE = JE
β – współczynnik transportu przez bazę
- współczynnik wstrzykiwania dziur z emitera do bazy
0 < < 1
Część 3
Warunki
normalnej pracy:
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
U1 = h11I1 + h12U2
I2 = h21I1 + h22U2
Obwód
elektrycznyU1 U2
I1 I2
WE WY
2
1
2221
1211
2
1
U
I
hh
hh
I
U
2
1
2221
1211
2
1
I
I
zz
zz
U
U
2
1
2221
1211
2
1
U
U
yy
yy
I
I
Macierz impedancyjna
Macierz admitancyjna
Macierz hybrydowa
Część 3
Tranzystor jako czwórnik
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
Tranzystor jako czwórnik
UBE
UCE IB
ICOE
UBC
UEC IB
IEOC
UEB UCB
IB IC
OB
Część 3
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
UBE
UCE IB
ICOE
UBE = h11EIB + h12EUCE
IC = h21EIB + h22EUCE
Warunki zwarciowe UCE = 0 Warunki rozwarciowe IB = 0
h11E = UBE/IB
h21E = IC /IB
h12E = UBE/UCE
h22E = IC /UCE
Rezystancja wejściowa
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Inwersyjny współczynnik wzmocnienia napięciowego
Konduktancja wyjściowa
Część 3
Tranzystor w konfiguracji OE
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
UBE
UCE IB
ICOE
h21E = IC /IB
Zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego
- 1
I
I - 1
I
I
I - I
I
I
I h
E
C
E
C
CE
C
B
CE21
Część 3
Tranzystor w konfiguracji OE
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
UBE
UCE IB
ICOE
Charakterystyki wyjściowe
Charakterystyki przejściowe
Charakterystyki oddziaływania
wstecznego
Charakterystyki wejściowe
IC
IBUCE
UBE
IB
IB
UCE
UCE
UCE
UBE = h11EIB + h12EUCE
UBE = f(IB) UCE=var
UBE = f(UCE) IB=var
IC = h21EIB + h22EUCE
IC = f(IB) UCE=var
IC = f(UCE) IB=var
Część 3
Tranzystor w konfiguracji OE
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
UBE
UCE IB
ICOE
Charakterystyki wyjściowe::
UCE
IC
IB
Obszar odcięcia
Część 3
Tranzystor w konfiguracji OE
Oba złącza są spolaryzowane
wstecznie. Obwód zewnętrzny
decyduje o napięciu kolektor-
emiter podczas gdy prąd
kolektora jest pomijalnie mały.
IB=0
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
UBE
UCE IB
ICOE
UCE
IC
IB
Obszar aktywny
Część 3
Tranzystor w konfiguracji OE
Charakterystyki wyjściowe::
Złącze emiterowe jest
spolaryzowane w kierunku
przewodzenia, a złącze
kolektorowe wstecznie Prąd bazy
określa prąd kolektora, a napięcie
kolektor-emiter wynika z
odpowiedzi obwodu zewnętrznego
na wymuszony prąd kolektora.
IB=0
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
UBE
UCE IB
ICOE
UCE
IC
IB
Obszar nasycenia
Część 3
Tranzystor w konfiguracji OE
Charakterystyki wyjściowe::
Oba złącza są spolaryzowane w
kierunku przewodzenia. Napięcie
kolektor-emiter jest bardzo małe,
a prąd kolektora jest ograniczony
jedynie przez obwód zewnętrzny..
Uwaga: UCE < UCB.
IB=0
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
UBE
UCE IB
ICOE
Obszar bezpiecznej pracy - SOA::
Ubr
ICmax
UCE
IC
Hiperbola mocy
admisyjnej
Pmax = IC UCE
SOA
Część 3
Tranzystor w konfiguracji OE
SOA – obejmuje tą część
charakterystyk wyjściowych, w
której tranzystor może pracować.
Jest ona ograniczona przez:
ICmax – maksymalny prąd
kolektora ograniczony przez
wytrzymałość połączeń
drutowych pomiędzy
kontaktami metalicznymi na
chipie oraz wyjściowymi
polami obudowy
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
UBE
UCE IB
ICOE
Ubr
ICmax
UCE
IC
Hiperbola mocy
admisyjnej
Pmax = IC UCE
SOA
Część 3
Tranzystor w konfiguracji OE
Obszar bezpiecznej pracy - SOA::
SOA – obejmuje tą część
charakterystyk wyjściowych, w
której tranzystor może pracować.
Jest ona ograniczona przez:
Ubr – napięcie przebicia,
zwykle będącego wynikiem
lawinowego przebicia złącza
kolektorowego
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
Tranzystor w konfiguracji OE
UBE
UCE IB
ICOE
Ubr
ICmax
UCE
IC
Hiperbola mocy
admisyjnej
Pmax = IC UCE
SOA
Część 3
Obszar bezpiecznej pracy - SOA::
SOA – obejmuje tą część
charakterystyk wyjściowych, w
której tranzystor może pracować.
Jest ona ograniczona przez:
Pmax – maksymalną moc,
która może być wydzielona
bez przekroczenia
maksymalnej temperatury
złącza Tjmax
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
Tranzystor w konfiguracji OE
UBE
UCE IB
ICOE
Część 3
Katalogowa charakterystyka wyjściowa::
BC 108
Przyrządy bipolarne - Tranzystory
Tranzystor w konfiguracji OE
UBE
UCE IB
ICOE
Część 3
Katalogowa charakterystyka SOA::
Przebicie wtórne – termiczny
efekt przestrzenny, polega na
tym, że przy dużych napięciach
UCE pojawia się nierównomierny
rozkład prądu IC prowadzący do
wystąpienia efektu „hot spot”
przy krawędziach obszaru
emitera.
BD 789
Przyrządy bipolarne - Tranzystor
Tranzystor – stan przejściowy
EF
UWE
t
ton = td+tr toff = ts+tf
ICm
IC
t
t
ts tf
Część 3
UWE
UWY
EC
RL
UWE
0.9ICm
0.1ICm
td tr
UCE
IC
EC
EC/RL
1
0
Wejście Wyjście
stan "0" UWE 0 V UWY EC stan "1"
stan "1" UWE EC UWY 0 V stan "0"
Tranzystor bipolarny jako inwerter
UWE
UWY
EC
RL
Część 3
RB
IB= 0
IB= EC/RB