21. Pentru a-şi îndeplini funcţia specifică, dioda semiconductoare care trebuie polarizată invers este dioda:

a) de comutaţie;

b) varicap;

c) redresoare;

d) detectoare.

22. Printr-o joncţiune pn polarizată direct, intensitatea curentului electric:

a) este mică şi are sensul de la p spre n, indiferent de valoarea tensiunii de polarizare;

b) este mare şi are sensul de la n spre p, indiferent de valoarea tensiunii de polarizare;

c) este mare şi are sensul de la p spre n, dacă valoarea tensiunii de polarizare depăşeşte valoarea

tensiunii de “deschidere”;

d) este mică şi are sensul de la n spre p, dacă valoarea tensiunii de polarizare depăşeşte valoarea

tensiunii de “deschidere”.

23. Factorul de amplificare în curent o se defineşte, în cazul unui tranzistor bipolar de tip pnp, prin

raportul:

a) o = IpC / IE b) o = ICBO / IE

c) o = IB / IE d)o = Ir / IE

24. Efectul Early constă în :

a) modularea grosimii bazei prin variaţia grosimii bazei neutre cu tensiunile aplicate pe

joncţiuni ;

b) deplasarea limitată şi elastică a ionilor materialului sub acţiunea câmpului electric ;

c) orientarea pe direcţia câmpului electric aplicat a momentelor electrice din material ;

d) limitarea vitezei de câmp a purtătorilor de sarcină la creşterea câmpului electric aplicat.

25. Caracteristica corespunzătoare unei tensiuni poartă-sursă UGS=0 este: ID UGS1

a) UGS1;

b) UGS2; UGS2

c) UGS3;

d) UGS4.

26. Circuitul din figură este utilizat în construcţia: DZ 1 DZ2

a) redresoarelor;

b) stabilizatoarelor;

UGS3

UGS4

UDS

c) oscilatoarelor;

d) amplificatoarelor.

27. Panta caracteristicii dinamice a unui etaj amplificator de tensiune, cu un tranzistor, depinde de:

a) Valoarea tensiunii de alimentare;

b) Valoarea rezistenţei de sarcină;

c) Nivelul semnalului aplicat la intrarea amplificatorului;

d) Frecvenţa semnalului.

28. Amplificatorul operaţional din figură este în configuraţie de : R2

a) neinversor ;

b) repetor ;

c) sumator ;

d) inversor.

29. Expresia logică corespunzătoare circuitului din figură este :

a) AB ;

b) A+B;

c) AB ;

d) A+B.

30. La conectarea unui tranzistor cu efect de câmp cu poarta izolată în circuit, precum şi la transport şi

manipulare se obişnuieşte să se conecteze terminalele împreună. Aceasta se face pentru :

a) a împiedica terminalele să se rupă ;

b) a folosi conductibilitatea termică bună a terminalelor pentru a menţine o temperatură uniformă

în dispozitiv ;

c) a împiedica inducerea curenţilor în canal prin supraîncălzirea dispozitivului ;

d) a împiedica acumularea accidentală de sarcini electrice pe electrodul de poartă şi distrugerea

stratului izolator.

I1 R1 Ir Ii - +

V1 V0

A

B