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SWIFT ® Technology Silicon Wafer Integrated Fan-out Technology(SWIFT)は、シング ルチップおよびマルチチップのアプリケーションにおいて、サイズと高 さを低減しながら同時にI/O数と回路密度の増加を実現します。SWIFT テクノロジーは、最新のモバイルおよびネットワーキングアプリケーシ ョンでのデバイスインテグレーションの増加に対応した高度な3D構造を 可能にします。 SWIFTテクノロジーは、ウェハレベルパッケージに関する革新的な技術により もたらされます。これにより、従来のWLFOやラミネートベースの組立と比較 してよりアグレッシブなデザインルールの適用を可能にします。 SWIFT Structures and Attributes 以下は、シングルチップのSWIFTと、デュアルチップ・3D/パッケージ・オ ン・パッケージ(PoP)SWIFTの断面図です。典型的なファインピッチフリッ プチップ構造のようですが、旧来のICパッケージとは異なる独自の設計を組み 込んでいます。 Enabling Technologies for SWIFT Packaging 様々な半導体製造技術により、この特色ある SWIFTパッケージの製造が可能となります。 ステッパー装置を使用することで、2/2μmラ イン/スペースが実現でき、通常2.5DのTSVが 使用されるSoCパーティショニングおよびネッ トワーク機器に求められる高密度のチップ to チップ接続が可能になります。ファインピッ チチップのマイクロバンプは、アプリケーシ ョンプロセッサやベースバンド機器などの先 端製品向けに高密度接続を提供します。さら に、高さのあるCuピラーが、SWIFT最上部に 高度なメモリを実装するための高密度積層イ ンターフェイスを可能にします。 SWIFT ® PACKAGING CONSIDERATIONS Amkorの最先端 High-Density Fan-Out(HDFO)であるSilicon Wafer Integrated Fan-out Technology(SWIFT)パッケージ は、TSVとラミネート基板のギャップ を埋めます。 FEATURES f ポリマー誘電体 f マルチチップ、大型チップに対応 f 大型パッケージに対応 f 接続密度 2/2 μmまで対応 f Cuピラーチップ接続 30 μmピッチに対応 f JEDEC MSL2a、 MSL3 CLR、BLR適合 SWIFT ® on Substrate Fan-in PoP SWIFT ® めっき加工Cu RDL L/S 2µmに対応 マルチレイヤー 再配線 マルチレイヤーRDL 断面図 PoPアプリケーション向け 縦長Cuピラー TECHNOLOGY SOLUTIONS

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Page 1: TECHNOLOGY SOLUTIONS SWIFT Technology… · SWIFT® Technology Silicon Wafer Integrated Fan-out Technology(SWIFT)は、シング ルチップおよびマルチチップのアプリケーションにおいて、サイズと高

SWIFT® TechnologySilicon Wafer Integrated Fan-out Technology(SWIFT)は、シングルチップおよびマルチチップのアプリケーションにおいて、サイズと高さを低減しながら同時にI/O数と回路密度の増加を実現します。SWIFTテクノロジーは、最新のモバイルおよびネットワーキングアプリケーションでのデバイスインテグレーションの増加に対応した高度な3D構造を可能にします。

SWIFTテクノロジーは、ウェハレベルパッケージに関する革新的な技術によりもたらされます。これにより、従来のWLFOやラミネートベースの組立と比較してよりアグレッシブなデザインルールの適用を可能にします。

SWIFT Structures and Attributes以下は、シングルチップのSWIFTと、デュアルチップ・3D/パッケージ・オン・パッケージ(PoP)SWIFTの断面図です。典型的なファインピッチフリップチップ構造のようですが、旧来のICパッケージとは異なる独自の設計を組み込んでいます。

Enabling Technologies for SWIFT Packaging様々な半導体製造技術により、この特色あるSWIFTパッケージの製造が可能となります。ステッパー装置を使用することで、2/2μmライン/スペースが実現でき、通常2.5DのTSVが使用されるSoCパーティショニングおよびネットワーク機器に求められる高密度のチップ to チップ接続が可能になります。ファインピッチチップのマイクロバンプは、アプリケーションプロセッサやベースバンド機器などの先端製品向けに高密度接続を提供します。さらに、高さのあるCuピラーが、SWIFT最上部に高度なメモリを実装するための高密度積層インターフェイスを可能にします。

SWIFT®PACKAGING CONSIDERATIONSAmkorの最先端 High-Density Fan-Out(HDFO)であるSilicon Wafer Integrated Fan-out Technology(SWIFT)パッケージは、TSVとラミネート基板のギャップを埋めます。

FEATURES

f ポリマー誘電体

f マルチチップ、大型チップに対応

f 大型パッケージに対応

f 接続密度 2/2 μmまで対応

f Cuピラーチップ接続 30 μmピッチに対応

f JEDEC MSL2a、 MSL3 CLR、BLR適合

SWIFT® on Substrate

Fan-in PoP SWIFT®

めっき加工Cu RDL L/S 2µmに対応

マルチレイヤー 再配線

マルチレイヤーRDL 断面図

PoPアプリケーション向け 縦長Cuピラー

TECHNOLOGY SOLUTIONS

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本文書中の情報に関して、Amkorはそれが正確であることまたはかかる情報の利用が第三者の知的権利を侵害しないことについて、いかなる保証もしません。Amkorは同情報の利用もしくはそれに対する信頼から生じたいかなる性質の損失または損害についても責任を負わないものとし、また本文書によっていかなる特許またはその他のライセンスも許諾しません。本文書は、いかなる形でも販売の標準契約条件の規定を超え、いかなる製品に対しても、Amkorの保証を拡張させ、または変更することはありません。Amkorは通知することなくいつでもその製品および仕様に変更を行う権利を留保します。Amkorの名前とロゴはAmkor Technology, Inc.の登録商標です。記載されている他の全ての商標はそれぞれの会社の財産です。© 2018 Amkor Technology Incorporated. All Rights Reserved. TS110D-JD Rev Date: 9/18

詳細についてはamkor.comにアクセス、または[email protected] までメールをお送りください。

SWIFT® TechnologySWIFT Packaging Process FlowSWIFTの特徴は、以下に示すように、フリップチップとウェハレベルプロセス技術の両方を組み込む独自のプロセスフローにより実現されます。

信頼性データ

コンポーネントレベル ボードレベル

MSL2aA、 MSLA3 Precon

Unbiased HAST 192 hrs

TCB 1500 Cycles

HTS 1000 hrs Drop Temp

Cycle

Pass Pass Pass Pass Pass Pass

SWIFT Packaging Technology Process Flow

Advanced Wafer Product Positioning

250 μmピッチ 縦長Cuピラー

40 μmピッチ

全高 <0.30 mm

キャリア

キャリア

RDL、Cuピラーバンプ(3Dのみ) チップ実装、アンダーフィル

ウェハモールド

キャリア取外し

メモリインターフェイス向け RDL

メモリ インターフェイス向け

最上部配線

f マルチチップ、SoCパーティション、3D PoP対応 f ファウンドリBEOLインターポーザによる≤2μm L/S配線 f ハイパフォーマンス(CPU/GPU)、モバイルAP、BB

f シングルチップ f Amkorバンプラインによる≥10 μm RDL f RF接続、WLAN、電源、他

製品:RF、アナログから先端プロセッサーまで

パフォーマンス

WLCSP

Fan-Out

SWIFT®

f マルチチップ、SoCパーティション、HBM、3D PoP対応 f Amkorバンプラインによる2~10 μm RDL; モバイルAP/BB f シングルチップ、マルチチップ集積 f Amkorバンプラインによる6~12 μm RDL;

RFICおよびPMIC