Llojet NdertimiPercueshmeriaKarakteristikat e rrymes

Tranzistoret JFET ose JUGFET nuk ka nyje PN por ne vend te kesaj ka nje cope te ngushte te rezistences se materialit gjusempercues qe formohet si nje kanal te tipit P. Mbi kete shtrese formohet nje shtrese tjeter gjysempercues te tipit N. Si izolatore mbi to do te perdoret nje shtrese Silici.

Ka dy konfigurime baze te fushes se kryqezimit te tranzistorit, Jfet N-kanal dhe Jfet P-kanal.

JFET N-kanal eshte stimuluar me papastertite e donoreve qe do te thote se rrjedhja permes kanalit eshte negative ne fomen e elektoneve.

Po keshtu JFET kanali-P eshte stimuluar me papasterti pranuese qe do te thote se rrjedha permes kanalit eshte pozitive ne forme vrimash. Ne pjesen donore kemi nje kanal te madh zbatueshmerie se llojet ekujvalente te tyre akceptore, sepse elektronet kane nje levisshmeri me te larte ne krahasim me vrimat. Tranzistoret me efekt fushe kane 2 lidhje elektrike ohmic te quajtura Burimi (S) dhe Mbledhesi (D) por ne kete kanal nuk kemi lidhjen e trete qe eshte quajtur Porta(G) dhe kjo mund te jete e llojit P ose N qe formon nje kryqezim PN me kanalin kryesore.

Kur I japim tension ndermjet Burimit Dhe Mbledhesit kemi rryma Id qe do te rritet ne perjestim te drejte me kete tension. Kalimi I rrymes neper kanal shoqerohet me nje renie tensioni ndrmjet burimit permbledhes dhe ulja e tensionit ben qe zona e kanalit afer mbledhesit te ngushtohet me shume se ajo afer burimit.

Tensioni VGS I aplikuar ne porte rrjedh midis Mbledhesit (D) dhe Burimit (S). V GS I referohet tensionit te aplikuar mes portes dhe burimit ndersa V DS I referohet tensioni te aplikuar mes mbledhesit dhe burimit.

Karakteristikat e grafikeve me siper tregon kater nivele te ndryshme te funksionimit per nje JFET dhe keto jane dhene si:

1. Kur V GS = 0 shtresa e kanalit eshte shume e vogel dhe JFET ka funksionin e nje rezistence te kontrolluar.

2. V GS eshte I mjaftueshem per te vepruar mbi JFET si nje qark I hapur me rezistence ne maksimum ne kanal.

3. Kur JFET eshte I ngopur behet nje percues I mire dhe eshte I kontrolluar nga V GS ndersa V DS ka nje efekt shum te vogel ose nuk ka fare efekt

4. Tensioni V DS eshte kaq I larte sa qe rezistenca ne kanal JFET prishet dhe kalon nje rryme e pa kontolluar.