X線天文学向け SOIピクセル検出器の開発 - 東京大学oka_s/ss2013/slides/Summer...MPW (Multi Project Wafer) run Xwâ ² B åt sîª シリコン結晶内での粒子の反応

X線天文学向け SOIピクセル検出器の開発

武田　彩希 (総研大)atakeda ＠post.kek.jpSOIPIX Group : http://rd.kek.jp/project/soi/

2013.08/04 - 07 原子核三者若手夏の学校 @ ホテルたつき

mailto:[email protected]:[email protected]://rd.kek.jp/project/soi/http://rd.kek.jp/project/soi/

Outline- SOIピクセル検出器について- X線天文学向けSOIピクセル検出器(XRPIX)の紹介

- SOIピクセル検出器の開発に必要なこと

- これからとまとめ

2

- XRPIXの試験結果

どのようなものを開発しているかという話が中心

原子核三者若手夏の学校 - 高エネルギーパート（武田彩希） @ ホテルたつき - Aug. 5, 2013

SOIピクセル検出器について

3

4

現在最先端の放射線用ピクセル検出器（Hybrid Pixel）

- センサ部と読み出し回路を別々に作り，金属バンプにより接合． -> Siウェハの抵抗率が異なるため（センサ部：高抵抗，回路部：低抵抗）- 位置分解能はバンプサイズで制限- 余分な物質がたくさん- 寄生容量によるスピードの低下


5

次世代のピクセル検出器への要求- 位置分解能を上げたい（~ 10 um）- 検出効率・感度を上げたい- 同時にエネルギー測定も行いたい- ピクセル毎に高度な信号処理を行いたい（intelligent）- 測定レート・読み出し速度を上げたい（~ frame / 100 ns）- 価格を下げたい（産業界のプロセスを応用）- 余分な物質を減らしたい（厚さ 50 - 600 um）

まとめて言うと，全てにおいてより良い検出器．

-> これらの要求を満たし，半導体放射線検出器の中でも理想の形として実現可能なものが「SOIピクセル検出器」


6

Bulk & SOI Wafer- Silicon-on-Insulator (SOI) ウェハとは，埋込み酸化膜を介して２枚のSiウェハを貼付けた構造をもつもの- 一般的な半導体産業では，LSI (CMOS)のプロセスに使われる． -> 高速な回路動作が可能であることが特徴．

∼650 µm

BOX(埋込み酸化膜)Top Si (SOI Layer)

20-200 nm50-400 nm

circuit circuit

PhysicalSupport

通常の半導体ウェハ（Bulk Wafer）

SOI ウェハ


7

SOIピクセル検出器

基本構成 Circuit Layer : ~40 nm Buried Oxide (BOX) : 200 nm Sensor Layer : 100 - 725 μm

SOIピクセルプロセスラピスセミコンダクタ(株)と共同開発しているSOIピクセル検出器をプロセスするための新しい技術．実用レベルでは世界唯一．

- SOI 技術によるセンサ部・読み出し部一体型検出器- SOIピクセル検出器(SOIPIX) ： KEKの測定器開発室を中心に開発が進む． -> ラピスセミコンダクタ(株)による0.2μm FD - SOIピクセルプロセス- 世の中のセンサのカテゴリでいうと，CMOSイメージングセンサの一種．

SOIピクセル検出器の特徴- 金属バンプボンディングがない -> 高密度・低寄生容量・高感度- 一般的なCMOS回路により構成- 一般的な産業技術を基盤とする


13

MPW (Multi Project Wafer) run

多くのユーザーを集め年に２回実施

シリコン結晶内での粒子の反応

信号量可視光：　～ 1 e-h / photonX線：　～ 3000 e-h / X-ray @ 10 keV荷電粒子：～ 3000 e-h / track @ 40 μm放射線は計数することができる．

9

X線が生成する e-h ペアの数1 e-h 生成するのに必要なエネルギーは3.65 eV 例えば、Moターゲット(17.5 keV)ならば4800 e-h程度( = 17500 / 3.65)


X線の検出効率

空乏層厚350 µm時(計算値）

10

薄く安くできるので，複数枚重ねて検出効率を上げたり，さらに高エネルギー側まで感度を上げる事もできる．

~20 keVまでのX線は30 % 程度で検出．確率は下がるがより高いエネルギーも検出可．


X線天文学向けSOIピクセル検出器について

11

- CCD，DEPFET，両面シリコンストリップセンサ，CdTe/CdZnTeピクセル検出器- 軟X線から硬X線の範囲を複数の検出器によりカバーしている．- CCD，DEPFETは非X線バックグラウンド(宇宙線)の影響が大きい． -> 10 keV以上で顕著- 両面シリコンストリップセンサ，CdTe/CdZnTeピクセル　検出器は分光性能が低い -> 軟X線の観測が困難

X線天文衛星の現状日本の代表的なX線天文衛星- 現在の衛星：すざく- 次期衛星：ASTRO-H (2015年打ち上げ予定)

12

すざく

ASTRO-HASTRO-Hの観測領域原子核三者若手夏の学校 - 高エネルギーパート（武田彩希） @ ホテルたつき - Aug. 5, 2013

- CCD，DEPFET，両面シリコンストリップセンサ，CdTe/CdZnTeピクセル検出器- 軟X線から硬X線の範囲を複数の検出器によりカバーしている．- CCD，DEPFETは非X線バックグラウンド(宇宙線)の影響が大きい． -> 10 keV以上で顕著- 両面シリコンストリップセンサ，CdTe/CdZnTeピクセル　検出器は分光性能が低い -> 軟X線の観測が困難

X線天文衛星の現状日本の代表的なX線天文衛星- 現在の衛星：すざく- 次期衛星：ASTRO-H (2015年打ち上げ予定)

13

すざく

ASTRO-H

- 次世代のX線分光器は，軟X線から硬X線の範囲を　同時に観測，分離可能であるものが求められる．　-> 広エネルギー帯域・精密撮像・精密分光性能

空間分解能エネルギー分解能低バックグラウンド-> SOIピクセル検出器

14

次世代のX線天文衛星搭載へ向けたSOIピクセル検出器目標性能(1) FWHM ≤140 eV at 6 keV (Readout Noise ≤ 10 electrons) (2)

XRPIXシリーズ

15

2011 2012 2013

XRPIX2

XRPIX1 XRPIX1b

5A-R-Tec PROPRIETARY/CONFIDENTIAL !"#$$

!"#$$

XRPIXΔΣ-type

ADC

2.4 mm 2.4 mm

2.4 mm

6.0 mm

1.0 mm1.0 mm 4.0 mm

X-ray imaging area

XRPIXシリーズの特徴トリガ情報出力機能：X線到来の時間と位置 -> X線が入射したピクセルの信号のみを読み出す -> 低バックグランド＆高速X線分光（高エネ実験では低速 ...）

6.0 mm

4.3 mm

XRPIX2b卒業制作！

D1 D2 D3

代表作＆今回紹介するチップ


XRPIX Series - Road Map -

16

2013 2014

XRPIX

X-ray Imaging area

256 x 256 pixels

Pixel Selection

Analog Signal Output

HitDetect

&PositionOutput

ADC

XRPIX3b

2.9 mmXRPIX3で一部バグを発見．急遽XRPIX3bとして修正版を製作．(2013.07 サブミット)

XRPIXシリーズの特徴トリガ情報出力機能：X線到来の時間と位置 -> X線が入射したピクセルの信号のみを読み出す -> 低バックグランド＆高速X線分光（高エネ実験では低速 ...）

在学中にXRPIX1b, 2, 2b, 3, 3b をデザイン

? ?D4XRPIX3

2.9 mm新しい回路＆機能を搭載さらなる飛躍が期待！（2013.06 納品）D論書きつつ評価を．

2015 ? ? ?


17

XRPIX1/1b Design : 仕様

2.4 mm

2.4 mm

XRPIX1bの試験結果を見せるため，そのチップ仕様を以下に示す．チップサイズ： 2.4 mm□ （有感領域: 1.0 mm□）　ピクセルサイズ： 30.6 µm□ ピクセル数： 32 x 32 (= 1,024)ピクセル回路: Correlated Double Sampling (CDS)，トリガ情報出力回路センサ層： 260 µmセンサ層ウェハの種類：　　　　Czochralski (CZ) -> 700 Ωcm Floating Zone (FZ) -> 7 kΩcm照射タイプ : Front / Back illumination

他のチップについては時間があれば．

1.0 mm

1.0 mm


ANALOGOUT

VTH TRIG OUT

ROW_READ COL_READ

COL_AMP OUT_BUF

SFCD

S_RS

T

CDS Cap.

Sam

ple

Cap.

STORE

SF

PD_R

ST

CDS_RSTVPD_RSTV

Prote

ctio

n D

iod

e

VDD18VB_SF

PDSense-node

GND

Pixel Circuit

Column Readout

CDS + Trigger Circuit

TRIG_COL (SR)

TRIG_ROW (SR)

TRIG_OUT (OR)Trigger Info. Output

ComparatorGND

&

XRPIX Design : ピクセル回路

18

X-ray

Blue : Sensor Signal (with CDS)Magenta : Trigger Signal

kT/C NoiseSave & Cancel


19

Event-Driven Readout Mode- トリガ情報の読み出しについて

Row

Add

ress

Trig

ger

Det

ectio

n (O

R)

USERFPGA

Column Address

ADC

DAQ-PC

XRPIX

Row

Shi

ft R

egis

ter

Column Shift Register

TRIG_OUT

Column Amp.

TRIG_COL

TRIG_ROW

X-ray

ROW_ADDR

COL_ADDR

ANALOG_OUT

Dig

ital D

ata

≈

Analog Signal


20

( i ) ピクセルにX線が入射Event-Driven Readout Mode

Row

Add

ress

Trig

ger

Det

ectio

n (O

R)

USERFPGA

Column Address

ADC

DAQ-PC

XRPIX

Row

Shi

ft R

egis

ter


TRIG_OUT

Column Amp.

TRIG_COL

TRIG_ROW

X-ray(i)

ROW_ADDR

COL_ADDR

ANALOG_OUT

Dig

ital D

ata

≈

Analog Signal


21

Event-Driven Readout ModeRo

w A

ddre

ss

Trig

ger

Det

ectio

n (O

R)

USERFPGA

Column Address

ADC

DAQ-PC

(ii)XRPIX

Row

Shi

ft R

egis

ter


(ii)TRIG_OUT

Column Amp.

TRIG_COL

TRIG_ROW

X-ray

ROW_ADDR

COL_ADDR

ANALOG_OUT

Dig

ital D

ata

≈

Analog Signal

( ii ) もしX線による信号がコンパレータの閾値を超えたら，　　Row・Column方向の射影が出力される．


22

Event-Driven Readout Mode( iii ) Row方向の全OR信号 (TRIG_OUT)がトリガ信号となり出力．

Row

Add

ress

Trig

ger

Det

ectio

n (O

R)

USERFPGA

Column Address

ADC

DAQ-PC

XRPIX

Row

Shi

ft R

egis

ter


TRIG_OUT

Column Amp.

TRIG_COL

TRIG_ROW

X-ray

ROW_ADDR

COL_ADDR

ANALOG_OUT

Dig

ital D

ata

≈

Analog Signal

(iii)


23


w A

ddre

ss

Trig

ger

Det

ectio

n (O

R)

USERFPGA

Column Address

ADC

DAQ-PC

XRPIX

Row

Shi

ft R

egis

ter


TRIG_OUT

Column Amp.

TRIG_COL

TRIG_ROW

X-ray

ROW_ADDR

COL_ADDR

ANALOG_OUT

Dig

ital D

ata

≈

Analog Signal

(iv)(iv)

( iv ) トリガ信号を受けることで，USER-FPGAはシフトレジスタの　　読み出しを開始し，どのアドレスがヒットしたかを把握する．


24


w A

ddre

ss

Trig

ger

Det

ectio

n (O

R)

USERFPGA

Column Address

ADC

DAQ-PC

XRPIX

Row

Shi

ft R

egis

ter


TRIG_OUT

Column Amp.

TRIG_COL

TRIG_ROW

X-ray

ROW_ADDR

COL_ADDR

ANALOG_OUT

Dig

ital D

ata

≈

Analog Signal

(v)(v)

( v ) X線と判定したらUSER-FPGAはヒットしたピクセルにアクセスし，　　信号を出力させる．


25


w A

ddre

ss

Trig

ger

Det

ectio

n (O

R)

USERFPGA

Column Address

ADC

DAQ-PC

XRPIX

Row

Shi

ft R

egis

ter


TRIG_OUT

Column Amp.

TRIG_COL

TRIG_ROW

X-ray

ROW_ADDR

COL_ADDR

ANALOG_OUT

Dig

ital D

ata

≈

Analog Signal(vi)

( vi ) USER-FPGAは外部 ADC を通すことでアナログ信号(信号と　　ペデスタル値)を読み出す．


26

Event-Driven Readout Mode( vii ) 最後に，取得したデジタルデータをDAQ-PCに転送する．

(vii)

Row

Add

ress

Trig

ger

Det

ectio

n (O

R)

USERFPGA

Column Address

ADC

DAQ-PC

XRPIX

Row

Shi

ft R

egis

ter


TRIG_OUT

Column Amp.

TRIG_COL

TRIG_ROW

X-ray

ROW_ADDR

COL_ADDR

ANALOG_OUT

Dig

ital D

ata

≈

Analog Signal


27

DAQ システム

Sub Board for XRPIX

SEABAS

Data TransferviaEthernet

ADC & DAC

300mm

Power Supply : ± 5 VClock : 25 MHzNetwork : 100 MbpsADC, DAC, NIM IN x2, NIM OUTx 2

SiTCP

XRPIX2Setup Parameter

Digital DataAnalog Signal

Control Signal

- Soi EvAluation Board with Sitcp (SEABAS)- （SOIピクセル検出器用）汎用データ読み出しボード- FPGAにより検出器を制御.- EthernetによりPCへデータを転送.（XRPIX1/1bは小さいので写真はXRPIX2）

USERFPGA


Software

28

レーザーポインタ

- ROOTのGUIで作成

- 保存データもROOT形式- XRPIX2にレーザーポインタを当てた絵

（あくまでも参考の画面なので，細かい絵の内容は触れないでください．）


XRPIXの試験結果（XRPIX1b）時間が余ればXRPIX2も見せます...

30

XRPIX1->XRPIX1b: 性能改善点

Kβ 24.9 keV

109CdAg-Kα 22.2 keVFWHM=810 eV

PH (ADU)

Cou

nts

Spectrum in Frame Mode

XRPIX1(T=-50C, VBB=100V)

XRPIX1b(T=-50C, VBB=100V)

x 1.7

# Sense-node Cap. = 41 -> 24 fF #• Sensitivity = 3.6 -> 6.1 μV/e-• Noise = 120 -> 74 e- (rms)• ΔE = 1.5 keV -> 0.8 keV (FWHM)

X-ray Energy Calibrationレイアウトデザインの改良-> sense-nodeのサイズを小さくする.-> センサ部寄生容量が低減.

測定環境は -50 ℃以後，同じ．原子核三者若手夏の学校 - 高エネルギーパート（武田彩希） @ ホテルたつき - Aug. 5, 2013

31

XRPIX1b: Single Pixel Readout Mode - 分光性能の限界を求めるための試験. (cf. Prigozhin et al., 2009)- １ピクセルを固定しアナログ出力の波形を読み出し観測

- オフライン解析でX線のヒットポイントを探す.

-> Signal Level - Base Level X線のエネルギー

Signal Level

Base Level


32

XRPIX1b: Single Pixel Readout Mode

ΔE = 278 eV @ 8.0 keV (FWHM)Readout Noise = 14.6 e- (rms)

- single pixel readout modeによるX線スペクトル.

ΔE = 190 eV @ 1.49 keV (FWHM)Readout Noise = 18 e- (rms)

ADU

　　　　　　Readout Noise : 14.6 e- (rms)

Counts

Readout Noise : 18 e- (rms)

FWHM=190 eV@ 1.49 keV

Al-Kα

Soft X-ray-> First Result !

Energy [eV]

Counts


33

トリガ情報出力試験

22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

31 30 29 28 27 26 25 24 23 22

30.6 um

30.6

um

PIXEL [23][24]

Laser Spot

CA

RA

Column Address (CA) -> 23 Row Address (RA) -> 24


34

トリガ情報出力試験

Laser Light in 1 Pixel

23

24

2D Image of Aout (1Frame)

TRIG_COL (Hit Pattern)

TRIG_ROW (Hit Pattern)

SCLKTRIG

ADR=

TRIG_O

0 5 10 15 20 25 31 23

24

1Pixel Hit Pattern @OSCRst

STORE

TRIG_O

Laser_INPUT

Rst Rst

1 Frame Scan

On

TRIG_O @OSC

Scan

TRIG Signal Diagram

VPD>VTH ?


35

XRPIX1b : Trigger-Driven Readout Mode- Trigger-Driven readout modeにより取得した初めてのX線スペクトル.- 全フレーム読み出しとゲインが異なる.--> ピクセル回路に原因があるので，デザインを改善した.（試験は今後）


- XRPIX2bの評価試験，及び，D論の執筆．- D論を執筆しつつ，XRPIX3の評価試験を行う．XRPIX3 -> 大きな飛躍が期待できるプロトタイプ- ピクセルのセンサ部にチャージアンプ(信号増幅回路)を組み込んだ． -> S/Nの向上(~ 10 倍)により，エネルギー分解能が良くなる．- ヒットパターン出力回路にアドレスエンコーダ回路を組み込んだ． -> シフトレジスタからヒットパターンを読み出すことなく，ヒットしたアドレスを知ることができる． 10 us以内で信号転送まで終了という目標を容易に達成できる．複数ヒットがあれば(知るための信号線有)パターンを読み出す．

- ADCを内蔵したXRPIXの設計- 分光システムの製作と試験

これから

36原子核三者若手夏の学校 - 高エネルギーパート（武田彩希） @ ホテルたつき - Aug. 5, 2013

- 次世代のX線天文衛星搭載に向けトリガ出力機能を持つ検出器を　SOIピクセル検出器の技術を基盤とし研究開発している．- SOIピクセル検出器は，センサ部・読み出し回路部一体型の　半導体ピクセル検出器であり，理想的な構造から世界でも　注目されている検出器の一つである．

- X線天文衛星搭載用SOIピクセル検出器(XRPIX)の基本機能は　実証できている． - X線到来タイミング・位置を出力するトリガ情報出力回路（このような機能を持ち動作している検出器は世界でも唯一）

SOIピクセル検出器で一緒に新たな世界を見ませんか？　 -> [email protected] / SOIPIX Group : http://rd.kek.jp/project/soi/

まとめ

37原子核三者若手夏の学校 - 高エネルギーパート（武田彩希） @ ホテルたつき - Aug. 5, 2013

mailto:[email protected]:[email protected]://rd.kek.jp/project/soi/http://rd.kek.jp/project/soi/

Backup

39

Large Pixel 236 x 18 pix

Small Pixel64 x 144 pix


- We developed a new detector to improve the spectroscopic performance.- There are 4 types pixel structure.

Basic Components - Chip Size : 6.0 mm sq. (Effective Area : ~4.0 mm sq.)- Pixel Size : 30 µm sq.(Small Pixel) 60 µm sq. (Large Pixel)- Thickness of Sensor Layer : 260 µm- Sensor Wafer : Czochralski (CZ) 700 Ωcm- Irradiation Type : Front/Back illumination

XRPIX2 Design : Specifications

Pixel Structure- Small Pixel : Reference (XRPIX1b)- Large Pixel 1 : Same layout of Small Pixel Twice pixel pitch- Large Pixel 2 : Multi-via structure- Large Pixel 3 : Different circuit


XRPIX2 : Small Pixel

40

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 200

20

40

60

80

100

120

140

0 20100

150

50

100

X-ray Energy (keV)

Pulse

Hei

ght (

ch)

XRPIX2 Gain 6.5 µV/e-

XRPIX1 Gain 3.6 µV/e-

x 1.8

- The sense-node capacitance is reduced by shrinking the area size (-> Gain becomes high)- X-ray event selection -> discard multi-pixel (charge sharing) events and pick up only single-pixel events

PH [ADU]

40 60 80 100 120 140 160

PH [ADU]

40 60 80 100 120 140 1600

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

40 80 120 160

Pulse Height (244 µV/ch)

1000

500

1500

Cu C

ount

s100

200

00

Cu Kα (8.0 keV) Mo Kα (17.4 keV)

Mo Kβ(19.6 keV)

Mo

Coun

ts

660 eVFWHM

800 eVFWHM

1 pixsinglepixel multi

pixel

sense-node

# All the tests were performed at -50 oC #

XRPIX2 : Large Pixel 1

41

multi pixel event

- Decreasing charge sharing and increasing single-pixel events by having large pixel size- When X-ray is injected, a single event ratio increases in Large Pixel 1 compared with Small Pixel.

single pixel event60 μm30 μm

X-rayX-ray

Small Pixel Large Pixel 1

Charge sharing


42

Single pixel event fractionSingle pixel event fraction

Small Pixel Large Pixel 1

Cu Kα 86.1% 96.4%Mo Kα 66.5% 86.3%

Charge collection inefficiency at the pixel edge

PH [ADU]

4 6 8 10 12 14 16 18 20 22

Co

un

ts

0

50

100

150

200

250

300

350

8 12 16 204

100

200

300

Energy (keV)

Coun

tsPH [ADU]

4 6 8 10 12 14 16 18 20 22

Co

un

ts

0

20

40

60

80

100

120

8 12 16 204

100

50

Coun

ts

Mo-Kα

Mo-Kα

- Large Pixel 1 -

- Small Pixel -

Energy (keV)

-> Single pixel events is increased in Large Pixel 1-> However, Spectral shape is obviously worse than Small Pixel

PH [ADU]

4 6 8 10 12 14 16 18 20 22

Counts

0

50

100

150

200

250

300

350

8 12 16 204

100

200

300

PH [ADU]

4 6 8 10 12 14 16 18 20 22

Counts

0

20

40

60

80

100

120

8 12 16 204

100

50

PH [ADU]

4 6 8 10 12 14 16 18 20 22

Counts

0

100

200

300

400

500

600

8 12 16 204

200

400

800

Peak / Tail= 2.9

Peak / Tail= 6.7

Peak / Tail= 20.2

Coun

ts

- Large Pixel 2 -

Coun

ts

Energy (keV) Energy (keV) Energy (keV)

- Large Pixel 1 -- Small Pixel -

Coun

ts

- Multi-Via structure instead of a single via- Multi-Via structure successfully improves the charge collection efficiency- More optimization is required

low charge collection efficiency at the pixel edge

Multi-via can improve efficiency

sense-node

43


μm

XRPIX2 : Gain Uniformity (Small pixel)

44

0 10 20 30 40 50 600

20

40

60

80

100

120

140

5

5.2

5.4

5.6

5.8

6

6.2

6.4

6.6

6.8

7

0 6030Column

0

140

70

Row

5.0

7.0

6.0

5 5.2 5.4 5.6 5.8 6 6.2 6.4 6.6 6.8 7

1

10

210

310

5.0 7.06.0

RMS (>6 µV/e)= 1.35 %

10

LAPIS 0.2 μm FD-SOI Pixel Process

45

Process 0.2µm Low-Leakage Fully-Depleted SOI CMOS (LAPIS)1 Poly, 5 Metal layers, MIM Capacitor (1.5 fF/um2), DMOSCore (I/O) Voltage = 1.8 (3.3) V

SOI wafer Diameter: 200 mmφ, 725 um thickTop Si : Cz, ~18 Ω-cm, p-type, ~40 nm thick Buried Oxide: 200 nm thickHandle wafer: Cz(n) ~700 Ω-cm, FZ(n) ~7 kΩ-cm, FZ(p) ~40 kΩ-cm

Backside Mechanical Grind, Chemical Etching, Back side Implant, Laser Annealing and Al plating

M5

X線の検出効率

46

47

XRPIX Control Diagram

PED_READ50 x 1µsVTH

XXX

≈

TRIG-DRV Timing Diagram

0 31

TRIG_WAIT (exposure=1ms) SIG_READ50 x 1µs

Hit Pixel ADDR

X-ray Injection

TRIG Address

HIT Pixel ADDRXXX

Hit Timing of TRIG

XXX

One Circle in Trigger AssertOne Circle in Trigger Not Assert

X-ray Signal Amplitude

DATA_TRANSFER

TRIG_ROW

TRIG_COL

SCLK (ADD_RD)TRIG_O

Pixel ADDR (CA, RA)

STORE

RST @ PD, CDS, VTH

Analog Voltage @ Sense-node

≈

48

XRPIX Control Diagram

Trigger Info. ReadoutReset Timing Diagram

X-ray Injection

Hit Timing of TRIG

Comparator Reset

X-ray Signal Amplitude

TRIG_OUT

VTH_RST

PD_RST

Analog Voltage @ Sense-node

CDS_RST

RST_COMP1

RST_COMP2

STORE

ExposureReset

VTH

Documents

X線天文学向け SOIピクセル検出器の開発 - 東京大学oka_s/ss2013/slides/Summer...MPW (Multi Project Wafer) run Xwâ ² B åt sîª シリコン結晶内での粒子の反応