Etapa a 3-a

Etapa a III-a

1. Se se simuleze funcionarea a dou tranzistoare complementare realizate n tehnologie MOS.Cele dou tranzistoare sunt: IRF150 (canal n) IRF9140 (canal p)Pentru fiecare dintre cele dou tranzistoare se dorete: ridicarea caracteristicii de ieire (adic variaia curentului de dren pentru tensiunea dren-surs liniar cresctoare de la 0V la 5V, cnd tensiunea gril-surs crete de la 0V la 5V cu pas de 0.5V). Trebuie s rezulte o familie de curbe. ridicarea caracteristicii transconductanei (adic variaia curentului de dren pentru tensiunea gril-surs liniar variabil ntre 0V i 5V, cu tensiune surs-substrat 0V i tensiune dren surs 5V).Se vor prezenta: Schemele de polarizare (folosite pentru simulare), Rezultatele simulrii (familia de caracteristici - reprezentare grafic).

PMOS

1