Etapa a III-a 1. Se se simuleze funcţionarea a două tranzistoare complementare realizate în tehnologie MOS. Cele două tranzistoare sunt: - IRF150 (canal n) - IRF9140 (canal p) Pentru fiecare dintre cele două tranzistoare se doreşte: - ridicarea caracteristicii de ieşire (adică variaţia curentului de drenă pentru tensiunea drenă-sursă liniar crescătoare de la 0V la 5V, când tensiunea grilă-sursă creşte de la 0V la 5V cu pas de 0.5V). Trebuie să rezulte o familie de curbe. - ridicarea caracteristicii transconductanţei (adică variaţia curentului de drenă pentru tensiunea grilă- sursă liniar variabilă între 0V şi 5V, cu tensiune sursă-substrat 0V şi tensiune drenă sursă 5V). Se vor prezenta: - Schemele de polarizare (folosite pentru simulare), - Rezultatele simulării (familia de caracteristici - reprezentare grafică). M2 IR F150 V1 0Vdc V2 0Vdc 0 0 0 V_V2 0V 0.5V 1.0V 1.5V 2.0V 2.5V 3.0V 3.5V 4.0V 4.5V 5.0V ID(M2) 0A 2.0A 4.0A 6.0A 8.0A 1
1. Se se simuleze funcionarea a dou tranzistoare complementare
realizate n tehnologie MOS.Cele dou tranzistoare sunt: IRF150
(canal n) IRF9140 (canal p)Pentru fiecare dintre cele dou
tranzistoare se dorete: ridicarea caracteristicii de ieire (adic
variaia curentului de dren pentru tensiunea dren-surs liniar
cresctoare de la 0V la 5V, cnd tensiunea gril-surs crete de la 0V
la 5V cu pas de 0.5V). Trebuie s rezulte o familie de curbe.
ridicarea caracteristicii transconductanei (adic variaia curentului
de dren pentru tensiunea gril-surs liniar variabil ntre 0V i 5V, cu
tensiune surs-substrat 0V i tensiune dren surs 5V).Se vor prezenta:
Schemele de polarizare (folosite pentru simulare), Rezultatele
simulrii (familia de caracteristici - reprezentare grafic).
