Drift gibanje slobodnih nosilaca naboja pod djelovanjem elektrinog poljaDriftna struja tee ako je poluvodi pod utjecajem elektrinog polja.Driftna struja elektrona

Driftna struja upljinaUkupna struja drifta:

Einsteinova relacija:

= UT - naponski ekvivalent strujePokretljivost - sloena funkcija: temperature, koncentracije primjesa i jakosti elektrinog polja [( =( (T, N, F)], a dodatno ovisi i o mehanizmu rasprenja elektrona (upljina). Ovisnost pokretljivosti o temperaturi i koncentraciji primjesa ( T, N )

Ovisnost pokretljivosti o jakosti elektrinog polja F.

Difuzija Gibanje nosioca naboja s mjesta vie koncentracije na mjesto nie koncentracije nosilaca naboja. Ako u poluvodiu postoji neravnotena koncentracija nosilaca naboja javlja se i druga komponenta struje - difuzijska struja. Gustoa difuzijske struje J [A/cm2] =

umnoak ukupnog broja elektrona koji sudjeluju u difuziji (nDIF) i jedininog naboja (q).

Gustoa difuzijske struje elektrona:

Gustoa difuzijske struje upljina:

Dijagram kretanja nosilaca naboja:

PN dioda Poluvodike diode ilustriraju primjenu mnogih svojstava PN-spoja i spoja metal-poluvodi:

"osnovna svojstva - ispravljanje i sklopni reim "sekundarna svojstva" - naponska referenca, ovisnost kapaciteta o naponu, ovisnost otpora o struji, negativni otpor

Temperaturna karakteristika diode u propusnom podruju:

Vrste dioda i simboli:Ispravljake spojne diode (ispravljanje signala) Prekidake spojne diode (brzi rad u sklopnom reimu) Diode s povrinskom barijerom- Schottkyjeva diode (brze prekidake diode) Varaktori - kapacitivne diode (naponski promjenjivi kapacitet) PIN diode (mali otpor propusne polarizacije, mali barijerni kapacitet neovisan o naponu) Naponske referentne diode - Zener diode (izvor konstantnog napona) Tunelske - Esaki diode (brzi rad u sklopnom reimu, negativan otpor u propusnom dijelu karakteristike) Mehanizmi proboja:

Lavinska multiplikacija induciraju se nosioci naboja zbog sudaranja s kristalnom reetkom pri visokom naponu proboja

Tunelski efekt dolazi do prijelaza nosioca naboja kroz osiromaeno podruje zbog niskog naboja

BJT u radu sudjeluju oba nosioca naboja, sastoji se od 2 PN spoja, upravljan je strujom baze, ima 3 elektrode: emiter, baza, kolektorSimboli:

Vie se koristi NPN tranzistor jer su elektroni pokretljiviji od upljina 2-3 puta

Strujno naponske karakteristike za pojedine spojeve:Ulazna karakteristika SZB:

Izlazna karakteristika SZB:

Naini spajanja tranzistora:

Podruja rada BJT:

Istosmjerni faktor strujnog pojaanja u SZB:

Uvijek