transistor BJT (reporte de practica)

Secretaría de Educación PúblicaTECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIORDE TEPEXI DE RODRÍGUEZ

DIVISIÓN DE INGENIERÍA MECÁNICA E INDUSTRIAL

INGENIERÍA MECÁNICA

SISTEMAS ELECTRONICOS

Reporte de Práctica:TRANCISTOR BJT

Nombres de los alumnos:MARTINEZ MAURICIO EDUARDO

Nombres del DocenteING. PEDRO CRUZ ORTEGA

Tepexi de Rodríguez, Pue. 04 de JULIO de 2016

Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de RodríguezOrganismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla

Academia de Ingeniería MecánicaReporte de Prácticas de Laboratorio

Contenido

Contenido

CONTENIDO.........................................................................................................................................1

INTRODUCCIÓN……………………………………………………………………………………………………………………………..……3

OBJETIVO……………………………………………………………………………………………………………………………………….……4

ANTECEDENTES…………………………………………………………………………………………………………………………………..5

DESARROLLO………………………………………………………………………………………………………………………………………6

CONCLUSIONES…………………………………………………………………………………………………………………………………..9

FUENTES DE INFORMACIÓN………………………………………………………………………………………………………………10

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CARRERA PLAN DE ESTUDIO

CLAVE DE ASIGNATURA

NOMBRE DE LA ASIGNATURA UNIDAD

INGENERIAMECÁNICA IMEC-2010-228 MEC-1030 SISTEMAS

ELECTRONICOS 1

PRACTICA No.

LABORATORIO DE NOMBRE DE LA PRACTICA DURACIÓN

(HORAS)

1 MECANICA TRANSISTOR BJT 3

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Introducción

En 1951, William Schockley inventó el primer transistor de unión, un dispositivo semiconductor que puede amplificar señales electrónicas como las señales de radio y de televisión. El transistor ha llevado a inventar muchos otros dispositivos semiconductores, incluyendo el circuito integrado (CI), un pequeño dispositivo que contiene miles de transistores miniaturizados. Las modernas computadoras y otros milagros electrónicos han sido posibles gracias a los circuitos integrados. Este capítulo presenta el transistor de unión bipolar (BJT), el cual utiliza tanto electrones libres como huecos. La palabra bipolar quiere decir "dos polaridades". En los siguientes capítulos se verá cómo el BJT puede utilizarse como amplificador y como conmutador.

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Objetivo

Describir las relaciones entre las corrientes de base, emisor y colector de un transistor de unión bipolarEnumerar varios de los parámetros del transistor de unión bipolar.

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Antecedentes

En la tarde del 23 de diciembre de 1947, Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron la función amplificadora del primer transistor en los laboratorios Bell Telephone Laboratorios. El primer transistor se llamó transistor de punto de contacto, y fue el predecesor del transistor de unión inventado por Schockley.El transistor a veces se denomina transistor de unión bipolar, o BJT (bipolar junction transistor). Sin embargo, la mayoría de las personas relacionadas con la industria electrónica todavía emplean sólo la palabra transistor, sobreentendiendo que se refieren al transistor de unión bipolar.

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Desarrollo

Se inició la práctica identificando los materiales a utilizar así mismo las

capacidades eléctricas de cada uno, y su funcionamiento en este caso con

mayor énfasis en el transistor BJT

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En seguida se elaboró un diagrama eléctrico el cual nos sirvió para realizar las conexiones en el protoboard, realizando las conexiones debidas del potenciómetro (al centro), los transistores NPN 2222A (a los costados) y por último los leds ambos conectados a tierra.

Se midieron voltajes para evitar algún corto, así como también continuidad en todo el circuito.

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Por último se realizó la prueba del circuito con una alimentación de 9 V. y se obtuvo una amplificación de voltaje para encender dos diodos emisores de luz mejor conocidos como led, la intensidad del voltaje también fue regulado por un potenciómetro para evitar alguna incremento de voltaje no deseado

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CONCLUSIONES.

Obtuvimos una regulación de voltaje a 2.5 V con un potenciómetro de 10K y dos

transistores 2N2222A, el cual sirvió para encender los dos leds.

Y por lo cual dedujimos la relación entre la corriente de colector y la corriente de base se conoce como ganancia de corriente y se simboliza mediante Beta(dc) o hFE. En los transistores de baja potencia, normalmente toma valores entre 100 y 300. La corriente de emisor es la más grande de las tres corrientes, la corriente de colector es casi igual de grande y la corriente de base es mucho más pequeña.

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Fuentes de información

PRINCIPIOS DE ELECTRONICA. SEPTIMA EDICION. ALVERT MALVINO, DAVID J. BATES

ANALISIS DE SISTEMAS DE POTENCIA Mc GRAW HILL. JOHN J. GRAIGER, WILLIAM D. STEVESON Jr

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Engineering

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