ОАО «НИИМЭ»

VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

ОАО «НИИМЭ»

Разработка монолитных интегральных схем приемного тракта на основе

гетеропереходных транзисторов для диапазона частот 57-64 ГГЦ

В.А. Дмитриевvdmitriev@mikron.ru

Д.А. Копцевdkoptsev@mikron.ru

• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

Область применения устройств 60 ГГц

Портативные электронные устройстваСистемы «умного дома»Автомобильные радары

Преимущества SiGe технологии

Достаточно высокое быстродействиеПриемлемый уровень шумаНизкое энергопотреблениеНизкая стоимость микросхем

• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

Преимущества

Ультравысокая скорость передачи данныхХорошая помехозащищенностьВысокая чувствительность и селективность

Супергетеродинная структура

RF сигнал – 57-64 ГГцLO сигнал – 52-59 ГГцПЧ сигнал – 5 ГГц (совместим со стандартом 802.11а)

Архитектура приемного тракта

• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

Понижающий смеситель

Структурная и электрическая схема понижающего смесителя

• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

Понижающий смеситель

Структура микросхемы понижающего смесителя

Топология смесителяРезультаты

Структура микрополоскового фильтра

• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

Малошумящий усилитель

Электрическая схема 4-х каскадного МШУ

Структура согласующих CPW линийПараметры МШУ

• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

Результаты

Параметр Разрабо-танный МШУ

[5] [7] [8]

Коэфф. усиления, дБ

21-25 20 18 18

Коэфф. шума, дБ

6,9-7,1 6 6.8 6,7

S11, дБ -10,5 -15 – -6 S22, дБ -9 -9 – -12 Потреб.

мощность, мВт

18,8 36,3 66 27

P1dB по входу, дБм

-24.9 – -30.1 -18

Площадь кристалла, мм2 0,42 0,4 0,8 0,45

Параметр Разрабо-танный

смесител

[6] [7] [9]

Коэфф. преобразо-вания, дБ

15.9 10.7 10.5 1.7

Коэфф. шума, дБ

16,1 нд 14 13

LO-RF изоляция, дБ

28 28 нд 30

LO-IF изоляция, дБ

55 30 нд 40

Потреб. мощность, мВт

104 37 20.5 75,9

Площадь кристалла, мм2

0,6 1,04 0.8 нд

Параметры МШУ Параметры понижающего смесителя

• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014