ОАО «НИИМЭ»

VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

ОАО «НИИМЭ»

Разработка монолитных интегральных схем приемного тракта на основе

гетеропереходных транзисторов для диапазона частот 57-64 ГГЦ

В.А. Дмитриев[email protected]

Д.А. Копцев[email protected]

mailto:[email protected]

mailto:[email protected]

• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

Область применения устройств 60 ГГц

Портативные электронные устройстваСистемы «умного дома»Автомобильные радары

Преимущества SiGe технологии

Достаточно высокое быстродействиеПриемлемый уровень шумаНизкое энергопотреблениеНизкая стоимость микросхем


Преимущества

Ультравысокая скорость передачи данныхХорошая помехозащищенностьВысокая чувствительность и селективность

Супергетеродинная структура

RF сигнал – 57-64 ГГцLO сигнал – 52-59 ГГцПЧ сигнал – 5 ГГц (совместим со стандартом 802.11а)

Архитектура приемного тракта


Понижающий смеситель

Структурная и электрическая схема понижающего смесителя


Понижающий смеситель

Структура микросхемы понижающего смесителя

Топология смесителяРезультаты

Структура микрополоскового фильтра


Малошумящий усилитель

Электрическая схема 4-х каскадного МШУ

Структура согласующих CPW линийПараметры МШУ


Результаты

Параметр Разрабо-танный МШУ

[5] [7] [8]

Коэфф. усиления, дБ

21-25 20 18 18

Коэфф. шума, дБ

6,9-7,1 6 6.8 6,7

S11, дБ -10,5 -15 – -6 S22, дБ -9 -9 – -12 Потреб.

мощность, мВт

18,8 36,3 66 27

P1dB по входу, дБм

-24.9 – -30.1 -18

Площадь кристалла, мм2 0,42 0,4 0,8 0,45

Параметр Разрабо-танный

смесител

[6] [7] [9]

Коэфф. преобразо-вания, дБ

15.9 10.7 10.5 1.7

Коэфф. шума, дБ

16,1 нд 14 13

LO-RF изоляция, дБ

28 28 нд 30

LO-IF изоляция, дБ

55 30 нд 40

Потреб. мощность, мВт

104 37 20.5 75,9

Площадь кристалла, мм2

0,6 1,04 0.8 нд

Параметры МШУ Параметры понижающего смесителя


Documents

ОАО «НИИМЭ»