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CH3 基本邏輯閘實驗

實習三TTL 與CMOS 基本邏輯閘實驗

實習四基本邏輯閘電氣特性量測實驗

實習三TTL 與CMOS 基本邏輯閘實驗

1 數位信號 數位電路的信號變化,只有高準位電壓與低準位電壓兩種;高準位電壓稱為H(high),低準位電壓稱為L(low)。習慣上都以邏輯準位1 與0 來表示,即H=1,L=0。 邏輯準位 在常用數位積體電路族系中,0 與1 的邏輯準位定義如下: 1. 電晶體-電晶體邏輯(transistor-transistor

logic, TTL):TTL IC的電源供應電壓VCC=+5V,輸入電壓準位的規定是0.8V以下(0~0.8V)為邏輯0,2.0V以上(2.0~5V)為邏輯1,其中0.8V 到2.0V 之間是不允許存在的,如圖3-1(a)所示。

實習三TTL 與CMOS 基本邏輯閘實驗

2. 互補式金屬氧化物半導體(complementarymetal-oxide semiconductor, CMOS)邏輯族:傳統CMOS IC 的電源有VDD與VSS兩腳,其供應只要VDD比VSS端高3~18V 都可以正常工作。若其電源電壓為VDD,且VSS = 0VGND),當電壓在0.3VDD以下(0~0.3VDD)稱為邏輯0,0.7VDD以上(0.7VDD~VDD)稱為邏輯1,其中0.3VDD到0.7VDD之間是不允許存在的,如圖3-1(b)所示。

實習三TTL 與CMOS 基本邏輯閘實驗

脈波信號 數位電路所處理的邏輯信號,常會引入一種0 與1 快速交變的脈波。如圖3-2 所示,其中BC 與FG 段因電壓位準高於VH(min)(在TTL IC 為2.0V)屬邏輯1 狀態,DE 與HI段因電壓準位低於VL(max)(在TTL IC 為0.8V),故為邏輯0 狀態。

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2 邏輯閘 在數位電路中,基本邏輯閘有或閘(OR gate)、及閘(AND gate)、反閘(NOT gate)、反或閘(NOR gate)、反及閘(NAND gate)和互斥或閘(XOR gate)等六種,其功能與符號說明如下: 1 或閘 或閘(OR gate)是「或」(OR)運算的執行元件。或閘的功能就如開關並聯一般,如圖3-3(a)所示。只要開關A 或B ON,則負載端y 必為高準位的1 輸出。在邏輯 電路中,其符號與真值表,如圖3-3(b)、(c)所示。若以A、B 表示兩輸入端的輸入狀態,用y 表示輸出結果,則其布林代數式為

y = A + B 換句話說,對或閘而言,只要有一輸入為1,其輸出必為1;唯有全部輸入皆為0,輸出才為0。

實習三TTL 與CMOS 基本邏輯閘實驗

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或閘除了二輸入外,還有三輸入與四輸入等,其輸出/入邏輯關係都一樣。如圖3-4 所示為三輸入或閘的真值表與邏輯符號。

實習三TTL 與CMOS 基本邏輯閘實驗

常用二輸入或閘的IC 編號有TTL 的74×32 與CMOS 的4071 等。如圖3-5 所示即為74×32 的接腳圖與實體圖。

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2 及閘 及閘(AND gate)是「及」(AND)運算的執行元件。其功能就如開關串聯一般,如圖3-6(a)所示。只有開關A 及B 都ON,y 才有高準位的1 輸出。其符號與真值表,如圖3-6(b)、(c)所示。及閘輸出結果是由各輸入端信號做「及」運算而得,即

y = A.B 換言之,對及閘而言,只要有一輸入為0,其輸出必為0;唯有全部輸入皆為1時,輸出方為1。 其他多輸入的及閘運算特性也是一樣,「唯有全部輸入皆為1,輸出才為1,否則輸出必為0」。如圖3-7 所示為三輸入與n 輸入及閘的符號與布林代數式。 常用二輸入及閘的IC 編號,如TTL 的74×08 與CMOS 的4081 等都是。74×08接腳圖詳參附錄B常用數位IC 接腳圖。

實習三TTL 與CMOS 基本邏輯閘實驗

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2 及閘 及閘(AND gate)是「及」(AND)運算的執行元件。其功能就如開關串聯一般,如圖3-6(a)所示。只有開關A 及B 都ON,y 才有高準位的1 輸出。其符號與真值表,如圖3-6(b)、(c)所示。及閘輸出結果是由各輸入端信號做「及」運算而得,即

y = A.B 換言之,對及閘而言,只要有一輸入為0,其輸出必為0;唯有全部輸入皆為1時,輸出方為1。 其他多輸入的及閘運算特性也是一樣,「唯有全部輸入皆為1,輸出才為1,否則輸出必為0」。如圖3-7 所示為三輸入與n 輸入及閘的符號與布林代數式。 常用二輸入及閘的IC 編號,如TTL 的74×08 與CMOS 的4081 等都是。74×08接腳圖詳參附錄B常用數位IC 接腳圖。

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如右圖所示,欲將A 信號輸至y 端,但受抑制端I 控制, 請說明抑制端I 與輸出的關係。 因反或閘只要有一只輸入為1,輸出必為0;只有輸入都 為0 時,輸出才為1。故當I = 1 時, y=0。當I = 0 時,若A=0,則y=1;若A=1,則y=0;即I = 0 時,y=A 。 換句話說,當抑制端I = 1,則A 輸入信號被抑制,使輸出y=0;只有在I = 0 時,y 才有輸出A 的信號輸出。

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反及閘是最常被使用的邏輯閘,也是所有商業包裝中,種類最齊全的邏輯閘。然而不論它是二輸入、四輸入或八輸入,功能都相仿;即「只要有一輸入為0,其輸出必為1;唯有輸入全為1,輸出才為0」。常用二輸入反及閘的IC 編號,如74×00與4011 等,它們的接腳圖詳參附錄B。

實習三TTL 與CMOS 基本邏輯閘實驗

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在邏輯系統中,致能(enable)與抑制(inhibit)的觀念是常被使用的,兩者皆為輸入控制。在觀念上致能端是以1 輸入來允許信號輸入,0 則隔離輸入信號。抑制端以1 來禁止或隔斷信號輸入,當其為0 則允許信號輸入。

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6 互斥或閘 互斥或閘(Exclusive-OR gate, XOR gate)的符號與真值表如圖3-11 所示。它具有兩個輸入端,當兩輸入同為0 或同為1 時,輸出皆為0;若兩輸入不同,則輸出1。其輸出布林代數式為: 其中「⊕」是表示互斥運算,故A⊕B 可讀成「A互斥B」;其執行情形如圖3-11的真值表所示。二輸入互斥或閘的IC 編號,如74×86 與4030 等。

實習三TTL 與CMOS 基本邏輯閘實驗

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1. 確認基本邏輯閘的功能。 2. 熟悉致能與抑制控制的應用。

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工作一簡易邏輯準位開關製作 1. 已具邏輯實驗器可供實習者,本項免做。 2. 本項是依後續單元所需的輸入準位開關先行配置,

故可依圖樣予以安裝固定。 3. 如圖3-12 所示之電路,將其安置於麵包板上,其各

元件的配置如圖3-13 所示。 4. 圖3-13 中, A、B、C、D 為4 只邏輯準位開關,當

開關上撥ON 時輸出1,下撥OFF 則輸出0。 5. 在後續實習單元中,可依實驗電路需求,將需0、1

變化的輸入端接到A~D。

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工作二 基本邏輯閘實驗 1. 參閱附錄B 常用數位IC 接腳圖,將圖3-14~圖3-18

電路接妥,並加上VCC=+5V的電源。 2. 依圖3-14~圖3-18 按真值表將A、B 分別輸入0 與1,

觀察並記錄Y 之輸出。 1) 14~圖3-18 按真值表將A、B 分別輸入0 與1,

觀察並記錄Y 之輸出。 2) 輸入1 接VCC,0 接地。輸出端LED 亮表1,熄表

0。可參圖3-19 實體圖,將電路與簡易邏輯準位開關連接,其中指撥開關上撥(ON)為1,下撥(OFF)為0。

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3) 74×08、74×32、74×00 與74×86 之輸出/入腳位都一樣,故實驗時每做完一項,只要在移除或關閉電源後,將IC直接拔除更換即可繼續操作。唯74×02 因輸出/入腳位不同宜留意重接。

4) 採用邏輯實驗器實習者,A 與B 輸入可接邏輯準位開關,輸出接狀態指示燈。

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3. 檢視圖3-14~圖3-18 的輸出紀錄,與各基本邏輯閘的功能是否吻合?是。若否,則應留意電路是否有錯接或元件故障等情形。

4. 由圖3-14 之結果可知,對及閘(AND gate)而言,只要有一輸入為0,其輸出必為0,唯有輸入皆為1,輸出才為1。

5. 由圖3-15 之結果可知,對或閘(OR gate)而言,只要有一輸入為1,其輸出必為,唯有輸入皆為0,其輸出才為。

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6. 由圖3-16 之結果可知,對反及閘(NAND gate)而言,只要有一輸入為0,其輸出必為1。唯有輸入皆為1,其輸出方為0。

7. 由圖3-17 之結果可知,對反或閘(NOR gate)而言,只要有一輸入為1,其輸出必為0。唯有輸入皆為0,其輸出方為1。

8. 由圖3-18 之結果可知,對互斥或閘(XOR gate)而言,只要有奇數個1 輸入,其輸出必為1;偶數個1輸入,其輸出方為0。

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工作三 致能(enable)控制 1. 如圖3-20(a)所示接妥電路,並加上+5V 電源。 2. 將函數信號產生器調至2Hz 左右,並從TTL/CMOS 脈波

輸出端接入A。 3. 將E 分別輸入0 與1 信號,觀察Y 輸出LED 燈(L2)與

A 輸入LED 燈(L1)的亮、滅變化關係,並記錄於圖3-20(b)中。

4. 檢視圖3-20(b)的輸出紀錄,是否與反及閘功能吻合?是。若否,則應留意電路是否有錯接或元件故障,請檢修後再試。

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5.由以上測量可知,當E =1時,Y = A,即Y 端有A 的反相信號輸出,此時反及閘的功能與反閘相同。當E =0,則Y 輸出恆為高態1,輸出與A 無關,即A 信號被隔離。

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工作四 抑制(inhibit)控制 1. 如圖3-22(a)所示接妥電路,並加上+5V電源。 2. 將函數信號產生器調至2 Hz 左右,並從TTL/CMOS 脈波輸

出端接入A。 3. 將I 分別輸入0 與1 信號,觀察Y 輸出與A 輸入LED 亮、

滅的變化關係,並記錄於圖3-22(b)中。 4. 檢視圖3-22(b)的輸出紀錄,是否與反或閘功能吻合?是。

若否,則應留意電路是否有錯接或元件故障情形。 5. 由前項紀錄可知,當抑制端I =1時,Y 恆為0(A 信號被

抑制)。反之,當I =0時,則Y =A,即A 信號可由Y 輸出,此時反或閘的功能與反閘相同。

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6. 由工作三、四的實習結果,我們可歸納, 當致能控制端E =1時,允許輸入信號通過。 若抑制輸入端I =1時,則輸入信號被抑制,無法輸出。

實習四 基本邏輯閘電氣特性量測實驗

1 電晶體-電晶體邏輯族(TTL) 電晶體-電晶體邏輯是由德州儀器公司(Texas Instruments Co., TI)在1964 開始生產,它的產品系列有54×××與74×××兩種包裝。 1. 54×××:軍用包裝,工作溫度可從55℃到125℃,電源電壓

則從4.5V 到5.5V。 2. 74×××:工業用包裝,工作溫度自0℃到70℃,電源電壓則

從4.75V 到5.25V。

實習四 基本邏輯閘電氣特性量測實驗

電晶體-電晶體邏輯(TTL)依其結構與生產的先後次序計有下列八種不同的族系, 其編號命名分別為: 1. 54/74×××系列:稱為標準(Standard)系列。 2. 54/74L×××系列:稱為低功率(Low-power)系列。 3. 54/74H×××系列:稱為高速(High-speed)系列。 4. 54/74S×××系列:稱為蕭特基(Schottky)系列。 5. 54/74LS×××系列:稱為低功率蕭特基(Low-power

Schottky)系列。 6. 54/74AS×××系列:稱為高級蕭特基(Advanced Schottky)

系列。 7. 54/74ALS×××系列:稱為高級低功率蕭特基(Advanced

Low-power Schottky)系列。 8. 54/74F×××系列:稱為快速(Fast)系列。

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在這八大系列產品中,只要尾數「×××」的編號相同就有相同的運算功能。其差異僅是速度與消耗功率不同罷了,如表3-1 所示。其中速度以AS 系列最快,功率損耗則以ALS 系列最小。而ALS 系列因速度-功率積最低,已成為主流產品。

實習四 基本邏輯閘電氣特性量測實驗

1 TTL 積體電路結構 數位IC的使用有如「積木」,簡單易用。雖然在各族系間內部電路有些許不同,但其輸出/入架構與特性則是相仿的,若有不同也只是程度上的差異罷了。因此對於TTL IC 的使用,我們只要對其輸出/入特性有基本的認識即可,至於其內部結構可暫時不用理會(讀者若有興趣,可在習得電晶體結構後,參閱附錄C)。 輸入特性 以反閘NOT gate為例,TTL IC輸入的等效電路,如圖3-23(a)所示。當輸入0(低電壓VIL狀態)時,會有電流IIL 從輸入端流出;輸入1(高電壓VIH ),則會有一漏電流(IIH)流入輸入端。至於電流大小,則視所屬系列之不同而有所差異。以74 LS系列為例,其IIL≦0.4mA、IIH≦20 A。

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輸出特性 以反閘NOT gate 為例,輸出等效電路如圖3-24 所示,當其輸出1(高電位VOH輸出)時,會有電流IOH流出,且電流越大,輸出電壓VOH就越低(因IOH流經輸出電阻r產生電壓降)。當其輸出0(低電位VOL輸出)時,則會吸入電流IOL,且吸入電流越大, VOL 就越高(因VOL ≒IOL.r)。至於其最大輸出電流的大小,則因產品系列而異。若以74 LS 系列為例,則IOH ≦ 0.4mA、IOL ≦ 8mA。

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2 電氣特性 TTL IC 各系列輸出/入電氣特性,在電壓準位上幾乎都一樣,所不同的是電流與速度上的差異。以74LS××系列為例,其各項電氣特性的參考值,如表3-2 所示。

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傳遞延遲時間 TTL IC的傳遞延遲時間(tP)會因輸出由低態轉高態(tPLH)或高態轉低態(tPHL)而不同,一般都以其平均值來代表。即 至於其量測基準,則是以輸入電壓改變的中點到輸出電壓改變的中點所需時間來計算,詳如圖3-25 所示。

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3 TTL IC 的使用 扇出數位IC 的扇出(fan out)是指能推動同系列IC 輸入的數量。其定義是:輸出最大電流與單一輸入最大電流比,即 若以54LS 系列為例,其IOH = 400μA,IIH = 20 A,IOL = 4mA,IIL = 0.4mA,則其扇出數分別為

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在考慮扇出數時,若有fan out (1)與fan out (0)不同,應以較小者為準,故54LS系列TTL 的扇出數是10。其意指54LS 系列IC 的輸出可推動10 個同系列IC 的輸入。 TTL 驅動輸入端的認定是以每一個輸入腳視為1 個輸入,其中只有及閘與反及閘例外,在同一個閘中不論其輸入端有幾隻腳並接,皆可視為單1 個輸入(註)。 如圖3-26 所示,反及閘A 總共推動5 個輸入,而非3 個或8 個。

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雜訊免疫力 在信號傳送或處理的過程中,常會因雜散電場與磁場的干擾,產生不必要的電壓訊號,此種干擾信號即為雜訊(noise)。所謂的雜訊免疫力,就是指IC 在輸入端所能容忍的最大雜訊電壓,又稱雜訊邊限(noise margin)。 如圖3-27 所示,邏輯電路的雜訊邊限應有兩種,一種為高態的雜訊邊限,一種是低態的雜訊邊限。高態雜訊邊限VNH是指高態信號所能忍受負向尖波的極限。因高態輸入時,任何在信號線上出現的大於VNH的雜訊負尖波,會使輸入信號電壓降至不允許區域內,引起不可預測的結果。故高態雜訊邊限可定義為:高態的最低輸出電壓與高態輸入要求的最小電壓差,即

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相同的,當一低電位的邏輯輸出驅動另一邏輯輸入時,任何大於VNL的雜訊正尖波,將使信號電壓升至不允許區域內。因此低電位雜訊邊限就是:低態的最高輸出電壓與低態所能允許的最大輸入電壓的差值,即 在邏輯電路中,信號都有高低狀態的變化,故當VNL≠VNH 時,應以較小者為基準,代表該電路的雜訊邊限。以LS 系列為例(參閱表3-1),則 故LS 系列的雜訊邊限為300mV。

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TTL 輸入端的接地電阻 在TTL 電路中有時須接開關控制,如圖3-29 所示。若我們希望在開關ON 時輸入1,OFF時輸入0,以完成A 信號的致能控制。此時若不接電阻落地,則開關ON時輸入1,OFF 時因浮接仍然是1 輸入,將使電路未能如願。因此,我們需如圖3-29 所示般加一電阻R 接地,以確保在開關OFF 時,輸入為0 狀態。然而因TTL IC輸入0 時會有IIL流出,故R max 必須保證

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因此接地電阻R 應小於2kΩ。但為避免干擾,若考慮400mV 的雜訊邊限需求,則VIL應小於0.4V,故接地電阻R 最好是選用1kΩ。

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2 互補式金屬氧化物半導體邏輯族(CMOS ) 傳統CMOS族以優越的電氣特性,如省電、寬廣的電源供應範圍(3~18V)、高抗雜訊能力等,使其被廣泛的運用在一般控制電路中。但由於它的速度較慢,且不易與TTL 匹配,因而大大的限制了它的應用範圍。現今由於IC 製造技術的進步,新一代更快速的CMOS族系不斷的被推出,加上符合低電壓供應需求的趨勢,已使其應用範圍急遽的擴大成為主流。其可供選擇的族系如下:

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1. 40×××或45×××:傳統4000 系列的標準型CMOS 產品,編號另有140×××或74C×××等,現已被新型的HC 或AC 系列所取代。

2. 74HC×××:高速CMOS(High-speed CMOS)系列,除電源電壓為2~6V外,其輸出/入特性與4000 系列相當,但輸出電流與交換(switching)速度都較為優越。

3. 74AC×××:高級CMOS(Advance CMOS)系列,除電源電壓為2~6V外,其輸出/入特性與4000 系列產品相當,但輸出能力與速度都比HC系列還優。

4. 74HCT×××:高速CMOS 中的TTL 系列,其電源電壓與輸出/入邏輯準位都與TTL 相容。

5. 74ACT×××:高級CMOS 中的TTL 系列,其電源電壓與輸出/入邏輯準位都與TTL 相容。

6. 74FCT×××:快速CMOS(Fast CMOS)的TTL 系列,屬更新一代CMOS 邏輯族。它結合較小電晶體(MOSFET)結構的變革,創造了比AC或ACT 系列更小的功率損耗與更高的交換速度。

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1. 40×××或45×××:傳統4000 系列的標準型CMOS 產品,編號另有140×××或74C×××等,現已被新型的HC 或AC 系列所取代。

2. 74HC×××:高速CMOS(High-speed CMOS)系列,除電源電壓為2~6V外,其輸出/入特性與4000 系列相當,但輸出電流與交換(switching)速度都較為優越。

3. 74AC×××:高級CMOS(Advance CMOS)系列,除電源電壓為2~6V外,其輸出/入特性與4000 系列產品相當,但輸出能力與速度都比HC系列還優。

4. 74HCT×××:高速CMOS 中的TTL 系列,其電源電壓與輸出/入邏輯準位都與TTL 相容。

5. 74ACT×××:高級CMOS 中的TTL 系列,其電源電壓與輸出/入邏輯準位都與TTL 相容。

實習四 基本邏輯閘電氣特性量測實驗

新一代的CMOS IC(HC、AC 型)大致都採用與TTL 包裝相容的54/74×××系列編號。因此在數位IC 中,只要看到末尾的阿拉伯數字編號相同,就表示是具有相同功能的包裝(功能與接腳都完全相同)。例如74ALS138 與74AC138 的包裝是完全一樣的,所不同的只是速度與輸入準位不同罷了(因ALS 為TTL 規格,但AC 為CMOS 規格)。 又例如74ALS00 與74ACT00,則不但包裝相同且輸出/入準位也完全相容(因兩者皆為TTL 規格)。有關CMOS 各系列之交換速度與靜態功率消耗比較,詳參表3-3。

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新一代的CMOS IC(HC、AC 型)大致都採用與TTL 包裝相容的54/74×××系列編號。因此在數位IC 中,只要看到末尾的阿拉伯數字編號相同,就表示是具有相同功能的包裝(功能與接腳都完全相同)。例如74ALS138 與74AC138 的包裝是完全一樣的,所不同的只是速度與輸入準位不同罷了(因ALS 為TTL 規格,但AC 為CMOS 規格)。又例如74ALS00 與74ACT00,則不但包裝相同且輸出/入準位也完全相容(因兩者皆為TTL 規格)。有關CMOS 各系列之交換速度與靜態功率消耗比較,詳參表3-3。

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1 CMOS 積體電路結構 CMOS IC 的內部結構在各族系間是大同小異的,只是輸出能力不同罷了。其輸入端因都是MOSFET 的閘極,故輸入阻抗無限大。在邏輯0 輸入時,不會有電流流出。在邏輯1 輸入時,流入的漏電流也幾乎等於0(都在A以下)。因此對前級(驅動級)的輸出,可說是毫無負擔。CMOS IC 的輸出等效電路與TTL 相仿,只是其輸出電阻較大罷了。當輸出為高電壓(邏輯1)時,可輸出電流(IOH),且IOH 越大,輸出電壓VOH 就越低。當輸出為低電壓(邏輯0)時,可吸入電流(IOL),且IOL 越大,輸出電壓VOL就越高;詳如圖3-30 所示(詳細電路結構請參閱附錄C)。

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2 電氣特性 電源電壓特性 傳統CMOS IC 包裝電源電壓輸入為VDD 與VSS,如圖3-31 所示為CD 4011 的接腳圖,其供應電壓只要VDD 比VSS 高3~18V 皆可正常工作。如VDD = + 5V、VSS = 0V 或VDD =+5V、VSS = 5V 等都可正常動作。而且當電源供應電壓越高時,會因內部電晶體(MOSFET)輸出電阻下降,使傳遞延遲時間縮短,而加快其交換(switching)速度。

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電壓準位 如表3-4 所示為CMOS 各系列IC 包裝輸出/入電壓的參考值,在使用上由於VSS經常被接地,故其輸出/入準位可簡化為 換言之,對輸入準位而言,只要輸入電壓在0.7VDD 以上則被視為邏輯1 輸入,若在0.3VDD 以下則可視為邏輯0 輸入。

實習四 基本邏輯閘電氣特性量測實驗

實習四 基本邏輯閘電氣特性量測實驗

3 CMOS 的應用 雜訊邊限 由前述電壓準位的說明,我們可推算傳統CMOS 的雜訊邊限約為: 故傳統CMOS 的雜訊邊限為30%的電源供應電壓,以VDD = 5V 為例是1.5V,比LS-TTL 的300mV 為高。

實習四 基本邏輯閘電氣特性量測實驗

扇出 CMOS積體電路的扇出數為50。因它的輸入阻抗無限大,其輸入電流(漏電流)幾乎等於0,在理論上其扇出數可為無限大。然因其輸入端是MOSFET的閘極,且極間電容(雜散電容)較大,若並聯太多,會造成信號上升或下降時間過長,使電路造成錯誤輸出,故一般扇出數都限制在50 以下。 功率消耗 CMOS是所有邏輯族中最省電的一族。其功率損耗在靜態時可以說幾乎不耗電,但會隨著工作電壓及工作頻率的增加而增加。以傳統二輸入反及閘為例,在靜態時若電源接5V,則每閘的損耗約為2.5nW。但電源若接10V時,則增加至10nW。動態時若電源為10V,工作頻率為1MHz,則功率損耗會高達1mW。

實習四 基本邏輯閘電氣特性量測實驗

未使用輸入端 CMOS 的輸入端為避免靜電破壞是不可以懸空不接的,所有輸入端皆必須被接到適當的準位(VSS 或VDD)或另一個輸出端。即使是未被使用的邏輯閘除做實驗外,應將所有輸入端接地或接到VDD,否則會增加功率損耗。若欲如圖3-29 般加入接地電阻,應以小於100 k 為宜。在CMOS 電路中,若有輸入空接情形(檢修時它可能由於機板斷裂或腐蝕所造成),在SSI包裝它可能有中點電壓輸出情形,即輸出準位約在1/2 VDD左右。在MSI或LSI 中電路會時好時壞,故障情形很難掌握。唯在示波器量測時,常會發現如圖3-32 的狀態不明現象。

實習四 基本邏輯閘電氣特性量測實驗

3 TTL 與CMOS 的介面處理 由於CMOS 與TTL 的電氣特性不同,在兩者交連時(TTL 來推動CMOS 或由CMOS來推動TTL),往往需加上中介處理才可以。 1 TTL 推動CMOS欲使用TTL 推動CMOS,在使用相同電源時,最需注意的是TTL 的VOH 保證值僅有2.4V,無法直接推動CMOS。因此在其輸出端經常需加上一只1k~10k 的提升電阻,將VOH 提升到約5V,如圖3-33 所示。

實習四 基本邏輯閘電氣特性量測實驗

2 CMOS 推動TTL 使用CMOS來推動TTL,若電源同為5V,所需注意的是CMOS的IOL 僅有1mA,僅能推動LS系列的兩只輸入。若以CD4049 或CD4050 做緩衝則可推動兩只標準系列的TTL 輸入,如圖3-34 所示。若CMOS 使用較高電源時,則可依圖3-35 所示連接,即利用4049 或4050 來做緩衝。使用HC 及AC 系列則可直接推動任何TTL 裝置。若以HC 系列為例,因其 故其扇出數對LS 系列為10,對ALS 系列為20,對FAST 系列為6,對AS 系列則為2。

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1. 熟悉CMOS 與TTL 的電氣特性。 2. 熟練CMOS 與TTL IC 的使用技巧。 3. 了解CMOS 與TTL 的介面運用。

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工作一基本邏輯閘/邏輯1 輸出電氣特性實驗 1. 參考實體圖3-37,將圖3-36 電路接妥,並加上+ 5V 電源。 2. 依圖3-36 所示,逐次分別將L1、L2 與L3 等3 個LED 接上,

並完成其個別輸出電壓(VY)與電流(IY)的量測與紀錄。 3. 由紀錄表可知,TTL IC邏輯1 輸出電壓在輕負載(即IY =0mA)

時,VY= V。 4. TTL IC 在邏輯1 輸出時,若輸出電流越大,輸出電壓則越。

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5. 將IC 換成CD4011,指示燈LED 的限流電阻300 換成1k ,如圖3-38 所示,重複步驟。

6. 由紀錄表可知,CMOS IC 邏輯1 輸出電壓在輕負載(即IY = 0 mA)時,VY =5V。

7. CMOS IC 在邏輯1 輸出時,若輸出電流越大,則輸出電壓越低。

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工作二邏輯0 輸出電氣特性 1. 參考圖3-40 實體圖,將圖3-39 所示電路接妥,並接上+ 5V

電源。 2. 依圖3-39 所示將指示燈L1、L2 與L3 逐次分別接上,完成其

個別輸出電壓VY 及電流IY 的量測與紀錄。 3. 由紀錄表可知,TTL IC 邏輯0 的輸出電壓在輕負載(即IY =

0 mA)時,VY =0.15V。 4. TTL IC 在邏輯0 輸出時,若輸出吸入電流越大,則輸出電壓

越高。

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5. 如圖3-41 所示,將IC換成CD4011,指示燈限流電阻300 換成1k ,重複步驟。

6. 由紀錄表可知,CMOS IC 邏輯0 的輸出電壓在輕負載(IY =0mA)時,VY=0V。

7. CMOS IC 在邏輯0 輸出時,若輸出吸入電流越大,則輸出電壓越高。

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工作三輸入浮接(空腳)與電阻接地的特性實驗 1. 如圖3-42 所示接妥電路,並加上+5V 電源。 2. 依紀錄表所示,將各種不同電阻R 分別接上,並完成其個別輸

入/出電壓的量測與紀錄。

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由紀錄表可知,當TTL 輸入端浮接時,其VA 的輸入電壓為V,輸出電壓VY=0.15V,相當於邏輯0(提示:0 或1 或×)。由此可知,TTL 輸入端浮接相當於邏輯1 高態輸入。 上述輸入端接電阻落地的目的是要使輸入處於邏輯0 狀態,因此依紀錄所示,若考慮雜訊邊限(即VA 0.4V),則TTL輸入0 的接地電阻以1kΩ較適當。

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工作四TTL 與CMOS 介面實習 如圖3-43 與圖3-44 所示接妥電路,並送上VCC = +5V電源。分別在SW開關ON 與OFF 時,記錄閘A 的輸出電壓VX(即CMOS 反及閘的輸入電壓)。

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工作四TTL 與CMOS 介面實習 1. 如圖3-43 與圖3-44 所示接妥電路,並送上VCC = +5V電源。

分別在SW開關ON 與OFF 時,記錄閘A 的輸出電壓VX(即CMOS 反及閘的輸入電壓)。

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2. 根據圖3-45 紀錄結果,在考慮雜訊邊限需求的前提下,若欲以TTL 直接推動CMOS,試問加提升電阻與不加兩電路何者較理想?加提升電阻。

3. 如圖3-46 與圖3-47 所示接妥電路,並送上VCC = +5V電源。分別在SW開關ON 與OFF 時,記錄閘A 輸出電壓VX (即TTL 反或閘B 的輸入電壓)。

4. 依據圖3-48 紀錄結果,試問在考慮雜訊邊限需求的前提下,若欲以CMOS 推動TTL,直接驅動與加入CD4050 緩衝閘兩電路何者較為安全?加CD4050。

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