View
217
Download
0
Category
Preview:
Citation preview
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 1/13
tranzistor bipolar
Manta
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 2/13
Structura bipolara integrata dublu-poli (polisiliciu n si polisiliciu p )
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 3/13
dioda
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 4/13
Reprezentare schematica a unei celule logice elementare realizata in tehnologie bipolara I2L
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 5/13
Reprezentarea schematica a unui tranzistor NMOS cu imbogatire (sau normal-blocat).
ensiunea de prag e poziti!a.
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 6/13
Reprezentarea schematica a unui tranzistor NMOS cu saracire (sau normal-conductor).
ensiunea de prag e negati!a.
Muran"i
Nicorici
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 7/13
Reprezentarea schematica a unui tranzistor #MOS cu imbogatire (sau normal-blocat).
ensiunea de prag e negati!a.
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 8/13
$igure %& ' Reprezentarea schematica a unui tranzistor #MOS cu saracire (sau normal-conductor).
ensiunea de prag e poziti!a.
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 9/13
tranzistor MOS cu canal N '
zibula
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 10/13
Reprezentarea schematica a unui tranzistor MOS de putere de tip *MOS. +ona n slab dopata situata
intre drena si canal permite e,tinderea pe o lungime mare a sarcinii spatiale marind astel capabilitatea
in tensiune a dispoziti!ului.
$uciu
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 11/13
' Reprezentarez schematica a unui tranzistor MOS de putere de tipul /MOS. Structura / se obtine
e,ploatand dierenta intre !itezele de gra!are a siliciului dupa planuri cristalograice dierite.
apabilitatea mare in tensiune a dispoziti!ului este obtinuta gratie zonei n slab dopata si oarte groasa
(aceasta zona se intinde in apt pe toata grosimea substratului).
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 12/13
7/23/2019 Proiect Nanotehnoligie
http://slidepdf.com/reader/full/proiect-nanotehnoligie 13/13
#eter
Recommended