Uporzadkowanie magnetyczne w niskowymiarowym magnetyku ... · precesja muonu: ωL = γ µ|B| gdzie...

MotywacjaBadania magnetyczne

implantacja mionów

Uporzadkowanie magnetyczne wniskowymiarowym magnetyku molekularnym

(tetrenH5)0.8Cu4[W(CN)8]4 · 7.2H2O

T. Wasiutynski

Instytut Fizyki Jadrowej PAN

15 czerwca 2007

T. Wasiutynski Cu—W(CN)8

implantacja mionów

Zespół:

M. Bałanda, R. Pełka, P. M. Zielinski — IFJ PANB. Sieklucka, R. Podgajny, T. Korzeniak — Wydz. ChemiiUJM. Rams — IF UJCz. Kapusta et al WFTiIS AGH

implantacja mionów

1 Motywacja

2 Badania magnetycznezachowanie krytyczne

3 implantacja mionówISISimplantacja mionówfunkcje korelacjiwyniki

implantacja mionów

magnetyki organiczne Tc ∼ 14 Kmagnetyki molekularne w temperaturze pokojowejmagnetyzm indukowany swiatłemnanomagnesy (SINGLE MOLECULE MAGNETS)rozbudowana architektura. . .

implantacja mionów

implantacja mionówzachowanie krytyczne

N N N N N

N N N N

tetren

Cmc21a=7.3707 b=31.725 c=7.017 Cu(II) s= 1

2 W(V) s= 12

(a) (b)

podatnosc magnetyczna

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50

χ’ c

temperature [K]

5 Hz140 Hz625 Hz

2000 Hz

20 25 30 35 40 45 50

χ M c

oltemperature [K]

10 Oe25 Oe50 Oe

250 Oe

namagnesowanie

0 10 20 30 40 50

temperature [K]

H || acH || b

0 10 20 30 40 50 60

temperature[K]

⇐= chłodzenie w polu 2 kOeduza anizotropiamagnetycznałatwa płaszczyznamagnetyczna acrózne tempo wzrostunamagnesowania

namagnesowanie T = 4.2 K

H ‖ ac

-300 -200 -100 0 100 200 300

n[µ B

magnetic field[Oe]

H ‖ b

-5000 0 5000m

magnetic field[Oe]

-300 0 300

spin flop dla H ≈ 50 Oe

ciepło własciwe

H ‖ b

26 28 30 32 34 36 38 40

temperature [K]

H = 0 TH = 1 TH = 2 TH = 3 TH = 4 TH = 5 T

∆S = 7.1± 1.5 J/K molgdy:∆Smax = 8R log(2s + 1)= 46.1 J/K mol

1 Motywacja

skalowanie podatnosciW poblizu przejscia fazowego II rodzaju długosc korelacji ma osobliwosc:

ξ(T ) ∼ (T/Tc − 1)−ν

Mozna badac osobliwosc innych wielkosci gdy wiemy jak skaluja sie one z ξ(T ).Souletie (2000) zaproponował skalowanie χT zamiast χ:

χ ∼ (T/Tc − 1)−γ → χT = C(1− Tc/T )−γ

gdzie γ = (2d ′ − d)ν. Pochodna logarytmiczna pozwala znalezc parametry:

d log T/d log(χT ) = −(T − Tc)/(γTc)

0 20 40 60 80 100

temperature [K]

H || acH || b

model γIsing d=2 7/4Ising d=3 1.239Heisenberg d=3 1.36mf 1sferyczny 2

implantacja mionów

ISISimplantacja mionówfunkcje korelacjiwyniki

1 Motywacja

implantacja mionów

Rutherford Laboratory

implantacja mionów

wiazka impulsowa 50 Hz Iav = 180µA

implantacja mionów

aparaty

implantacja mionów

1 Motywacja

implantacja mionów

Implantacja µ+

Tylko oddziaływania kulombowskie, spin zachowany

jonizacja atomów

rozpraszanie na elektronach

formowanie i rozpad

muonium

rozpraszanie muonium

na atomach

rozpad muonium na

swobodny muon

powierzchnia 4 – 100 MeV

produkcja muonów µ+

�t � 10-9 s 2 – 30 keV

�t � 10-13 s 50 eV

�t � 10-12 s termiczny1-3 mm

implantacja mionów

Implantacja µ+

Tylko oddziaływania kulombowskie, spin zachowany

jonizacja atomów

rozpraszanie na elektronach

formowanie i rozpad

muonium

rozpraszanie muonium

na atomach

rozpad muonium na

swobodny muon

powierzchnia 4 – 100 MeV

produkcja muonów µ+

�t � 10-9 s 2 – 30 keV

�t � 10-13 s 50 eV

�t � 10-12 s termiczny1-3 mm

implantacja mionów

Rozpad µ+

Rozpad µ+ → e+ + νe + νµτ1/2 = 2.19714 µsecnie jest izotropowy:W (θ) = 1+a cos(θ) a ≈ 0.3

definiujemy:A(t) = NB(t)−NF (t)

NB(t)+NF (t)

0 5 10 15 20

time [µsec]

precesja muonu: ωL = γµ|B|gdzie γµ = 2π×135.5 MHz/Teslarelaksacja: ∼ e−t/τ

implantacja mionów

Rozpad µ+

NB(t)+NF (t)

0 5 10 15 20

time [µsec]

implantacja mionów

Rozpad µ+

NB(t)+NF (t)

0 5 10 15 20as

time [µsec]

implantacja mionów

Rozpad µ+

NB(t)+NF (t)

0 5 10 15 20as

time [µsec]

implantacja mionów

1 Motywacja

implantacja mionów

Relaksacja statyczna

Lokalne pole odpowiedzialne za precesje spinu wynika z oddziaływan dipolowych z

otaczajacymi je spinami jadrowymi i elektronowymi.

Gaussowski rozkład pola (słabe magnetyki lub szkła):

PG(Bi) =1√

2π∆exp(−B2

i /2∆2) (i = x , y , z)

Rozkład Lorentza (układy z domieszkami magnetycznymi):

PL(Bi) =1π

ΛΛ2 + B2

i(i = x , y , z)

funkcja relaksacji muonu dana jest przez srednia sz(t):

Gz(t) =∫

sz(t)P(~B)d3~B

implantacja mionów

relaksacja dynamiczna

Dla przypadku rozkładu gaussowskiego otrzymujemy(Kubo-Toyabe):

GGz (t) =

23(1− γ2

µ∆2t2)exp(−γ2

µ∆2t2/2)

0 2 4 6 8 10

w przypadku polajednorodnego:Gz(t) = 1

3 −23 cos(γµ|B|t)

implantacja mionów

1 Motywacja

implantacja mionów

wyniki

w niskich temperaturach: w poblizu przejscia fazowego:

0 1 2 3 4 5

time [µsec]

2 4 6 8

10 12 14 16 18 20 22

0 1 2 3 4 5

time [µsec]

T=32.4 KT=32.7 KT=32.9 KT=33.1 K

implantacja mionów

precesja w zerowym polu

0 5 10 15 20 25 30 350

B int [

B(T) = Bi (1- TTN)β

β = 0.20

model βIsing d=2 1/8Ising d=3 0.326Heisenberg d=3 0.385mf 0.5sferyczny 0.5XY d=2 (0.23)

implantacja mionów

pole dipolowe

x = 0.25 a

x = 0.5 a

x = 0.75 a

B= 640GB= 320GB= 160GB= 80G

implantacja mionów

(a) (b)

implantacja mionów

relaksacja

0 5 10 15 20 25 30 35 40

λ [µ

temperature [K]

H = 0H = 30 Oe

A(t) = A0e−λt

dla t > 5 µ secwyrazna osobliwosc λw TN

spowolnienierelaksacji w słabympolu podłuznym

implantacja mionów

spin flop w polu podłuznym

implantacja mionów

Uporzadkowanie magnetyczne w niskowymiarowym magnetyku ... · precesja muonu: ωL = γ µ|B| gdzie...

Documents

Analiza mreˇza u frekvencijskom domenu - dsp.etfbl.netdsp.etfbl.net/tek/06_frekvencijski_odziv.pdf · q R2 + (ωL)2 U mcos(ωt+ Φ), gdje je Φ = −arctg ωL R. Odnos amplituda

µ¦ ¦·®µ¦ µ ª· µ µ¦ ¸Én ¨ n° £µ¡ o» ¼Á¦¸¥ Ä µ « ¬µ ¹´Ê ... · การบริหารงานวิชาการในสถานศึกษา

Γ ´ Χ ª ± Θ ª ´ ª ± © ¸ · ® ¶ · ¬ µ ³ ... Business 2016.pdf · Eτερόρρυθμη κατά μετοχές (SC §, societate in comandita pe actiuni, limited

Lezione 6 - unimi.it · Lezione 6- A. Andreazza - a.a. 2014/15 3 = + ψγµψ=ψ R γ µψ R +ψ L γ µψ L ψ R/L = 1 2 (1±γ 5)ψ J R µ=u(k!)γµ1 2 (1+γ 5)u(k) ⇒Lµν=2(kµk!ν+kνk!µ−(k⋅k")gµν)+2iεαµβνk

A. Dabrowski, October 27 2005 Ratio(ke3/pipi0); Ratio(kmu3/pipi0) 1 Comments Γ(Ke3) / Γ(pipi0) Γ(Kmu3) / Γ(pipi0) Γ(Kmu3) / Γ(ke3) Anne Dabrowski Northwestern

¦³ µ¦ ´ µ¦¦ oµ °µ®µ¦ Restaurant Management System µ¥ ª¦ ·«¦ rÁ ... · 2011-09-16 · ¦³ µ¦ ´ µ¦¦ oµ °µ®µ¦ Restaurant Management System µ¥ ª¦

13.12.43, Γ. Ιωάννου, Γ΄ Λυκείου

Oscillating neutrinos and µ e,γ · arXiv:hep-ph/0103065v2 7 Nov 2001 Oscillating neutrinos and µ → e,γ J.A. Casas1∗and A. Ibarra1,2† 1 Instituto de Estructura de la Materia,

Á° µ¦ Â ¢°¦r¤ µ¦ªµ Â µ¦ ´ µ¦Á¦¸¥ ¦¼o e µ¦«¹ ¬µÓÖÖ Ù Ò µ¦ª ... · Á° µ¦ Â ¢°¦r¤ µ¦ªµ Â µ¦ ´ µ¦Á¦¸¥ ¦¼o e µ¦«¹ ¬µÓÖÖ

筑波大学 · 2020. 8. 20. · µ µ. µ µ. µ µ

Νόµος 2015/1992 (ΦΕΚ Α’ 30) µ€¦ · σπονδυλωτά και ασπόνδυλα ζώα και στα φυτά, γ) η διαπίστωση, η αξιολόγηση,

· 2020. 3. 5. · µ µ A µ µ µ µ A µ µ 2 3 Panel 11 22 33 M 400 60

Én ¥ n° ªµ¤µ¤µ¦ Ä µ¦Ä ¨ ´ §¬ µ¤ ´ ¬³ µ¦Á¦¸¼o¥ ¦¸ÉÄ « ª ......´ {¸Én¥ n ° ªµ¤µ¤µ¦ Ä µ¦Ä ¨ ´ §¬ µ¤ ´ ¬³ µ¦Á¦¸¼o Ä

Espectroscopia Visible- Ultravioleta en Compuestos de ... · 1g+E g+T 1g+T 2g+3T 1u+T 2u Γ rot T 1g Γ tras T 1u Γ vib A 1g+E g+2T 1u+T 2g+T 2u Χ (Ψ elec exc •Ψ vib exc)µ(Ψ

µ o ( ] v o µ ] µ o µ u µ o µ ] µ v ] À ]

Θ § ¶ Φ · µ ¬ « µ Ά Γ ¯ ° § µ ¬ ²2gym-gerak.att.sch.gr › portals › wp-content › uploads › 2017 › 06...Θ Φ · µ ¬ « µ Ά Γ ¯ µ ¬ ² · 1. Να γράψετε

Risikotheorie fur L´evy-Prozesse¨ - uni-muenster.de · Einleitung berechnen. Mit Substitution bekommt man dann F I,Y i/γ u γ = γ µ Z u γ 0 P Y i >y dy = 1 µ Z u 0 F(y)dy =

ΦΥΚ Αριθ µ. Γ 5/17229-ΦΕΚ 1119/20-4-2016

Visual FoxPro · µ¦µ ° x \ z x µ »£µ¡ o°¥ ´ ¦r £µ Á¦¸¥ ¸ É z z ] ^ y Ã¦ Á¦¸¥ »Ã ´¥ª· ¥µ ¤ µ¦µ ° x \ y ] µ £¦ ¸ ´ ªµ¨ £µ Á¦¸¥

&OHDQ )RRG *RRG 7DVWH ° Ã¦ ¡¥µ µ¨ µ · o Îµ® oµ »µ£· µ¨ µ®µ Îµ® ´ o µ µ®µ µ ¸É ´ ³ µ µ®µ Á ¸¥¤ y » y ³ µ®µ o ³ µ Á È ³Á ¸¥