роснано пенза быков 2011

Нанотехнологическое общество России и развитие новых технологий - НАНОТЕХНОЛОГИЯ

Проф. Виктор Александрович Быков, Генеральный директор группы компаний «НТ-МДТ» Президент НОР, Москва, Зеленоград

Развитие

4,5млрд. лет

570млн.-230млн.

палеозой

3,5 млрд.-530 млн.

Архей - протерозой

100 10 0 -10 -100 -1000 -10тыс. -100тыс. -1млн. -10млн. -100млн. -1млрд. -10млрд.

230 млн.-67млн.

мезозой

От 67млн. -

кайнозой

20 млн.-12млн.

От 3,5млн.

Техническа

я

цивилизац

ия

Вакуумная электроника - Радиолампы

10 с

м

ЭВМ «СТРЕЛА», 1953 год, 6200 ламп, 60 тыс.

полупроводниковых диодов, 2000 трехадресных команд

в сек., 150 кВт, 300 кв.м.

Первый транзистор Шокли, Братейн, Бардин, 1947

13 м

м

1959 год, Старт полупроводниковой

микроэлектроники -первые

микросхемы

Нанотехнология &

Сканирующая Зондовая Микроскопия История Второй этап развития НТ –

Прямая манипуляция атомами

При помощи СЗМ, СЗМ в науке

Нано Эра,

СЗМ в индустрии

Как основные

Метрологичекие

Прибоы. От

Сенсоров к

Терабитным ЗУ,

Мультимода и

Многозондовые

Устройства,

Нанороботы -> НТ

От кантилеверов к матричным

Микромеханическим механизмам

Конструкции&Методы Применения СЗМ Первый этап развития НТ

Эволюция

в КМОП

Революция

в КМОП Экзотика

Классическая

физика

Классическая

Физика с

квантовыми

поправками

Квантовая

Механика

Ширина

Затвора LG

НАНОТЕХНОЛОГИЯ в электронике:

размеры менее 100 нм

65 нм

45 нм

32 нм

22 нм

16 нм

11 нм

8 нм

Продвижение

ICPCNanonet-Beijing C.

Claeys

9

time

Front End silicide

Transistor scaling

>=130

L = 3 5 n m

S iG e

L = 3 5 n mL = 3 5 n m

S iG e

strain

USJ

90 - 65 - 45

Strain, USJ

NiSi

25 nm

NiSi

25 nm

FUSI

HfO 2

high -k

metal gate

45 - 32

High - k, Metal Gate

FinFET

32 - 22 - 16

Non-planar devices

FinFET

A c tiv e A re a

G a te F ie ldS p a c e rs

A c tiv e A re a

G a te F ie ldS p a c e rs

A c tiv e A re a

G a te F ie ldS p a c e rs

Ge/IIIV

16 and beyond

nanowires

graphene

New process modules New materials New device concepts

ICPCNanonet-Beijing

C. Claeys

10

Multi-gate Structures

22nm: The “Device” revolution FinFET Device

Bulk FF

10

SOI FF

poly-Si

NiSi

Fin

50 nm

ICPCNanonet-Beijing

C. Claeys

11

Introduction of New Materials

11 Elements

Source: Terrence McManus, Intel

15 Elements

>60 Elements

NEW MATERIALS IN SILICON TECHNOLOGY

Типовая микросхема CS50 • 0.1микрона КМОП

• 1.5 V

• 26 фотолитографий

• Al разводка, W затворы

• 6 слоев разводки

• W локальные

межсоединения

• Монокристаллическая

подложка

• CoSi2, with silicide block

• Shallow Trench Isolation

• Single Poly

• Прецизионные

резисторы

Лаборатория анализа поверхности

Нанотрубка (sp2)

Основные аллотропные формы углерода

Графит (sp2)

ГЦК-углерод (sp0)

Алмаз (sp3)

Карбин (sp1)

Графен (sp2) Фулерен (sp2)

UTD’s Nanotech Institute Approach: Dry Self-Assembly

CNT Yarns and Sheets Science

Vol. 306, 2004 and Vol. 309, 2005

Strong Macro Scale CNT material!

Quartz Tube

furnace

C2H2

He

Substrate

Catalytic Thermal CVD

Conditions

Temp.: 680˚C

C２H２: 30 sccm

He: 550 sccm

Atmospheric pressure

Catalyst Fe layer ~5 nm

Glass or Si

Sheet Fabrication from MWNT Forest

CNT Forest Sheet

Physics

Multi Walled Carbon Nanotubes:

High work function 5.3 eV, high s

~ 300 Simens

MWNT Cross-sectional view

SEM of oriented forests

MWNT: SWNT’s nested within each other.

Typically: 10-25nm,

intertube distance ~ 1.7nm

About 1/3 are conducting and only these tubes contribute to electronic and thermal properties. Most tubes are semi-metals

Free standing MWCNT sheet is strong to support a ladybug

July 2006 issue

NASA goal: 1000 W/kg of solar power

for space exploration Make a transparent flexible lightweight photovoltaic cell by using a Transparent carbon nanotube sheet on NASA thermal blanket. Combined with other solar cells in a Tandem

Carbon nanotube sheet

NASA developed Thermal blanket

To next devices e.g. inorganic Si or CIGS solar cell

1971, First STM - “Topografer”

R. Young, J. Ward and F. Scire 1982, H. Rohrer и G. Binnig with first atomic resolution

design STM, Nobel Prize 1986

Сканирующая зондовая микроскопия

Сканирующая туннельная

микроскопия (проводящие

материалы)

Оптическая

сканирующая

микроскопия

ближнего поля

Твердотельным зондом «ощупывается» поверхность и определяются характеристики при этом взаимодействии (ток,

притяжение или отталкивание, деформации, температура и т.п.)

Атомно-силовая

микроскопия

1979 – 1990 г.г. – Пьезосканер – «Трипод»

Держатель зонда

Y1

X1

X2

Y2

Z

X1

Y1

Y2

Зонд

Фланец для крепления сканера

Пьезокерамическая трубка

0,5 ÷ 1мм

Пьезотрубка для сканера СЗМ

Туннельный микроскоп НТ-МДТ, 1992 - 1993 г.

NanoEducator

NanoEducator +

Soft Windows XP, Mac OS

NanoEducator MFM

Учебный СЗМ

NanoEducator

Оборудование для образовательного процесса

Кантилевер НАНОЭДЬЮКАТОРА

Восстановление зонда Универсальный зондовый датчик выполнен восстанавливаемым – при износе или повреждении кончика зонда, изготавливаемого из вольфрамовой проволоки, он может быть снова заострѐн путѐм травления, для этого в комплект комплекса входит устройство травления. Такое решение резко уменьшает эксплуатационные расходы. Для получения острого зонда нужна только капля слабощелочного раствора (мыльной воды) и кусочек вольфрамовой проволоки.

Триподный сканер Наноэдьюкатора-1

Программное обеспечение/ программа обработки и анализа

изображений

Программа обработки и анализа изображений позволяет:

- представлять данные в 2D/3D с различными вариантами искусственной подсветки

- проводить статистическую обработку

- использовать 5 видов фильтрации, включая градиентную, сглаживающую, Фурье и пр.

- преобразование изображений, включая планаризацию и построение сечений

Нанолитография

Помимо получения изображения, прибор позволяет проводить

модификацию поверхности, в частности, силовую литографию –

формирование рисунка по заданному растровому шаблону

путѐм «чеканки» остриѐм зонда.

13 Nanoeducator Next

Новые возможности:

- Атомарное разрешение в режимах СТМ/АСМ

- Высокочастотное сканирование (до 40 Гц на строку);

- Возможность работы с кантилеверами с реализацией

полномасштабного СЗМ;

- Современный дизайн

Наноэдьюкатор-2

3D емкостные датчики нижнего трубчатого сканера

35 Nanoeducator 2

New design and properties

Powerful Digital Controller

STM&Resonant Type AFM Head + Laser Control

AFM Head and Optical Microscope

Atomic Resolutions in STM/AFM Modes

Metrological 3D 100x100x10 microns Scanner

As Windows and Mac OS SW

36 Nanoeducator 2

Human Erythrocytes 37×37 microns Test Structure 70×70 microns

37 Nanoeducator 2

Atomic stapes on High Oriented Pyrolytic Graphite

800×800 nm Imprinting on In Surfaces 70×70 microns

38 Nanoeducator 2, СТМ мода, HOPG

Атомно-силовая микроскопия

Схема Майера и Амера

Сканирующий зондовый микроскоп НТ-МДТ, 1994 - 1995 г.

Солвер-Р4

Христовер Гербер предложил работать

осцилирующим кантилевером, 1992, которую

президент Digital Instruments Dr. Vergil Ellings

назвал Теппинг модой

Амплитуда

1-20 нм

Cantilevers

NT-MDT поликремниевые кантилеверы

Ultra sharp AFM probe and DNA Images

SEM of Ultra Sharp AFM Tip

High Resolution AFM Image of DNA poly(dG)–poly(dG)–poly(dC)

(Dmitry Klinov1, Benjamin Dwir1, Eli Kapon1, Natalia Borovok,

Tatiana Molotsky and Alexander Kotlyar - Nanotechnology 18 (2007)

The Configuration for the Vacuum Condition

Electrochemical measurements Configuration

The Configuration for Capacitance Microscopy, Spraiding resistance and High Resolution Measurements

Liquid Cell Measurements Configuration

STM Measurements Configuration

Magnetic Properties Measurements Configuration

Многофункциональные метрологические СЗМ ИНТЕГРА-Аура

Метрологические измерения с емкостными датчиками регистрации перемещений сканера и АТОМНОЕ РАЗРЕШЕНИЕ

Высокоориентированный графит 4x4 nm

МСМ: ИНТЕГРА Аура

30nm

Работа с внешним магнитным полем:

горизонтальное до +/- 0,2Т,

вертикальное до +/- 0,02 Т

Нагревание образца до 300 0С

с точностью поддержания температуры 0,05 0С

31Oe 82Oe

346Oe 205Oe

149Oe

281Oe

Domain structure of the inhomogeneous film of yttrium iron garnet

Measurements in variable external magnetic field

Технология «слепых» - глаза НАНОМИРА

P9 – 2009 version of NT-MDT SPM controller,

Fast scanning: Smart scanning algorithm, 40 Hz

частота сканирования 15 Hz

1 – вакуумная камера;

2 – шкаф электроники;

3 – турбомолекулярный

насос;

4 – виброизолирующий

стол;

5 – видеомикроскоп;

6 – форвакуумный

насос;

7 – система

охлаждения;

8 – термостат

ВНЕШНИЙ ВИД СЗМ

High Vacuum Solver SPM System

H up to 0,2T Vacuum up to 10-8

torr

40 Mb HDD magnetization can be visualized in phase

imaging mode in air (left)

as well as in vacuum (5x10-7 Torr) at 113K (right).

Obviously, that quantitative

analysis at 113K can be performed much more accurately

Ph

ase

co

ntr

ast =

10

gra

d

Ph

ase

co

ntr

ast =

1 g

rad

MFM – HDD of low density

Surface of non-doped GaAs was pre-charged by lithography treatment.

Kelvin Probe Microscopy Imaging mode in vacuum (5x10-7 Torr) at 113K

shows distinct line differences in surface potential

Kelvin Probe Microscopy Imaging

Электростатическая Силовая Микроскопия или Метод зонда

Кельвина

Схема измерения электрического

взаимодействия зонда с образцом

Зависимость, амплитуды колебаний зонда от постоянного

напряжения

Распределение потенциала на поверхности

графита

Проводящие зонды Проводящие покрытия

для кремниевых зондов

серии “Golden”:

ПЭМ изображение иглы,

покрытой Pt

(толщина покрытия 10 нм).

Pt TiN Au W2C

Проводящие

Сопротивление пленки, mkOhm*cm

Толщина пленки – 20-30 нм

Типовой радиус кривизны – 35 нм

10 100 25 2

Investigations of highly resistive materials, such as thin dielectric layers on semiconductors, DLC and piezo- films, conductive polymers, etc.

AFM (AU020NTF): Adjustment unit for low current measurements in

Spreading Resistance mode. Current range: -/+100pA. Noise is 30fA in

100Hz bandwidth.

Ultra-low current measurements

Topography and current pictures obtained on TiSi2 film grains of conducting phase. Voltage applied is 0.02V.

Сигнал на выходе контроллера: U = C(V) + const, где const это паразитная емкость

системы (~ 100 aF). Значения U1 = C(V1) + const и U2 = C(V2) + const можно определить в каждой точке

сканируемой поверхности и далее скомпенсировать с помощью программного

обеспечения. Таким образом, будет получена величина dC/dV. А также появится возможность построить кривые C-V и dC/dV-V.

Компенсация паразитной емкости

Определение различных типов проводимости

dC/dV

Point N C(V) vs V dC/dV vs V

1

2

3

Topography Phase imaging Force modulation

AFAM amplitude Young modulus

MPa

1200

400

800

Stripes of low and high density polyethylene with different elasticity. Scan size 47x47 um.

Stripes are excellently contrasted in AFAM but hardly visible in other methods

Contrast imaging of the local hardness distribution on soft and even HARD samples

Atomic Force Acoustic Microscopy (AFAM)

Atomic Force Acoustic Microscopy (AFAM)

Ferroelectric stripe domains on PZT (AFAM) Topography and Atomic Force Acoustic Microscopy(AFAM) images of PZT. Stripe ferroelectric domain structure are clearly visible on AFAM image due to the difference in local Young's moduli of domains of different polarization.

Sample courtesy of Prof. Walter Arnold, Fraunhofer Institute for Nondestructive Testing, Saarbruecken, Germany.

Измерение сил адгезии, 2-х компонентная ЛБ-пленка Адгезия Топография

21 год был дан старт ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ, Дон Эйглер стал первым человеком в истории Земли, кто при помощи СТМ двигал атомы и наблюдал это!

Dr. Don Eigler, 1989

СЗМ литография

Нанотранзистор, размер изображения

800×800 nm

Д.В. Щеглов, З.В.Квон, А.И. Торопов,

А.В.Латышев, ИФП СО РАН

Maoz, R., Frydman, E., Cohen, S., Sagiv, J. - J.

Adv. Mater. 2000, 12, 725 – 731.

СЗМ литография

Локальное анодное окисление, TiO2 на Ti Токовая литография, 512*512

точек, оксид Ti на Ti, сканеры с

емкостными датчиками на

системе ИНТЕГРА

ИНТЕГРА Томо: 3D-томография

АСМ модуль сканирует

поверхность для

получения изображения

силового контраста

высокого разрешения

Модуль

ультрамикротом

удаляет тонкий

слой, готовя

поверхность к

следующему АСМ

сканированию

По нескольким двухмерным АСМ

изображениям реконструируется

3D модель

Трехмерная реконструкция

Поперечный срез трехмерной сети

углеродных нанотрубок в полимерном

матриксе.

Слева отображение фазы, 2 х 2 мкм

Справа отображение сопротивления

растекания, 2 х 2 мкм

Трехмерная реконструкция распределения проводящих углеродных нанотрубок в

полимерном матриксе, сделанная

из серии двухмерных изображений (отображение растекания).

2 х 2 х 0,3 мкм.

Для построения модели

использовано 22 изображения,

расстояние между слоями - 12 нм.

72 Ntegra Life

Automatic SPM + Highest Powers Optical Microscope

NTEGRA LIFE

Neural cells (in air) left: optical image right: AFM image Scan size 50×50 μm Mode: semicontact

Human hair (in air) left: optical image right: AFM image Scan size 50×100 μm

Mode: contact

74 Ntegra Life

Bacterium of Escherichia coli (in liquid);

область сканирования 4.5×4.5 мкм.

Рельеф образца (слева) и фазовый контраст

(справа)

SPM + Optical Microscopy

Fluorescent images (a, b) and AFM topography (c) of

an E. coli cluster imaged in air, on a poly-L-lysine

coated surface. An overlay of complementary

fluorescence and AFM images (d)

Images courtesy of Dr. L. Gurevich, Dr. P. Fojan,

J. S. Møller, L. H. Klausen, N. P. H. Knudsen,

Aalborg University, Denmark

NTEGRA Life

Scanning Thermal Microscopy (SThM)

SThM is an advanced SPM mode intended for simultaneous obtaining nanoscale thermal and topography images. NT-MDT’s SThM kit is able to visualize

temperature and thermal conductivity distribution at the sample surface. The SThM system hardware includes electronic controller, software, and probes.

SThM probe

Topography Scan size: 6 × 6 um

Thermal conductivity K [V/(m*K)] Area size: 6 × 6 um

Kit with SThM probes

Классическая наноиндентация:

воспроизводимость и симметрия

Множественные уколы демонстрируют высокую

воспроизводимость кривых (~1%) и дают

разброс ~5% при вычислении модуля Юнга.

Разброс 1,5%

при 100 измерениях

Измерения соответствуют

стандарту ISO 14577

Материал Твердость,

ГПа

Модуль Юнга,

ГПа

победит 16 790

диоксид

кремния 100

нм

4,8 45

поверхность

жесткого

диска 100 Гб

4,4 58

Indentation of the metallic material surface. Imagine option is necessary for studying the pile-ups surrounding the residual imprint

Conductivity map of the golden film on the silicon substrate

Topography of aluminium alloy D16 after indentation. The same probe is used for topography scanning and following indentation of the chosen areas

Elastic modulus map of the polycrystalline SIC

Nanointendation

NTEGRA Spectra: SPM + Optical confocal microscope /

Spectroscopy options: Raman, Luminescence

- NTEGRA-SPECTRA – Optical Schema

Модуль боковой подсветки

ТЕРС конфигурация

безапертурной головки

Реализация оптимальной ТЕРС

конфигурации для непрозрачных

образцов: разработка

дополнительной оптической

системы для засветки образца и

кантиливера сбоку (при этом, сбор

Рамановского сигнала идет сверху –

как в текущей конфигурации)

Микроскопия комбинационного рассеяния сверхвысокого разрешения

а) схематическое представление TERS-спектроскопии

б) зонд находится вблизи от пучка углеродных нанотрубок , при этом сигнал комбинационного рассеяния от них увеличивается на порядок

в) изображение пучка углеродных нанотрубок, полученное с помощью КР микроскопии

г) изображение того же пучка с применением TERS. Эффект локального усиления поля позволяет улучшить пространственное разрешение КР микроскопии, по крайней мере, в 4 раза

Данные получены в лаборатории Prof. Dr. G. de With , TUE, Голландия,

коллективом авторов Dr. S.Kharintsev, Dr. G. Hoffmann, Dr. J. Loos, a также П.Дорожкиным, НТ-МДТ

AFM image of carbon nanotube bundle

TERS image of the same bundle

Image courtesy: Jacon Jao, Renato Zenobi ETH Zurich, Switzerland; G. Hoffman, J. Loos, TUE, Eindhoven; and Pavel Dorozhkin, NT-MDT Russia

TERS with Silver coated cantilevers

Scan size: 2x3 micron

e) “Nano-Raman” (TERS) image of carbon nanotubes with corresponding line cross-

section f) showing 14 nm spatial resolution.

For more information see: Chan K.L., Kazarian S.G., “Finding a needle in a chemical

haystack: tip-enhanced Raman scattering for studying carbon nanotubes mixtures”,

Nanotechnology 21, 445704 (2010).

SPM + Raman = TERS

3 layers?

Graphene flake #1 - point spectroscopy

633 nm laser

Confocal Raman map (2D band center of mass position). 1-, 2-, 3-, and 4- layered flakes can be easily distinguished by position of 2D peak when using a color palette scale.

The Product Line of NT-MDT Companies

Group

NANOFAB-100

NANOLABs

Minilab for Education in NANO

Accessories

Scanning probe microscopes

Width : 2,5mm

Устройство НАНОФАБ 100:

технология ФИП – рост 3-х мерных наноструктур

Осаждение W(CO)6 при давлении ~ 3*10-4 тор

Газо-фазное осаждение, стимулированное ионными и электронными пучками

Устройство НАНОФАБ 100: технология ФИП

C. Burkhardt et al., NMI Reutlingen, Germany

Technological

or analytical

modules Single Cluster

Multicluster system

Technology and analytic in one system

NanoFab: Cluster type equipment

with nanometer precision wafer repositional

system

NANOFAB 100: Transport module and ultrapresision stages

South

Federal

University

Taganrog,

Russia

NanoFab 100

NANOFAB-100, Kurchatov Institute, Russian National

Nanotechnology Laboratory (September 2009 г.)

NANOFAB 25, 2009,

St. Petersburg Polytechnical University

СЗМ платформы Нанофаб

1 – камера сканирующего зондового микроскопа; 2 – камера загрузки зондов;

3 – стол активной виброзащиты; 4 – откачной пост.

Камера СЗМ

1 – вакуумная камера; 2 – система регистрации отклонений кантилевера; 3 – лазер

Сверхвысокий вакуум,

Низкая температура (5К),

Добротность кантилевера - 50000

SPM + Synchrotron

• Crystal lattice

characterization

• Thin film heterostructure

• Small-dose doping and

impurity

R&D Stations on Synchrotron Zelenograd

Nanofab Work Station on SY Zelenograd

Технологические возможности НТК

Нанесение слоевАнализ поверхности Травление слоев

Локальное осаждение

и травление ФИП,

ФЕП, СЗМ

Лазерная

абляция

Плазмохими-

ческое

Магнетронное

напыление

Нанесение

резиста

V2O5, ZnO,

ItBaCuO,

Pb(TiZr)O3,

Al2O3, CeO,

Y2O3, AlN, MgO

SiO2, Si3N4,

polySiМеталлов 1) Для ионной

литографии

2) Для

электронной

литографии

Рост УНТ и

графеновых

слоев

ПлазмохимическоеЗондовая, ионная,

электронная микроскопии

1) Очистка

2) Утонение

3) Травление через маску

4) Удаление резиста

1) Осаждение W, Mg, Pt, C, Ni

2) Травление фтором

3) Формирование рисунка в

маскирующем слое

Формирование островков

катализатора для роста УНТ

(Ni, Fe, Co)

5) Формирование

наноразмерных объемных

структурФормирование слоев фото-

стимулированным

осаждением в т.ч.

жертвенных слоев

(GexSi1-xO2)+((GeySi1-y)3N4)

ОЖЕ, ВИМС, ЭСХА

+ СИ -> ФЭС, EXAFS, SAS

3) Для оптической

безмасковой

литографии

Безмасковое экспонирование

С возможностями создания

Наноструктур на пластинах

Диаметром до 200 мм

минимально возможный

элемент – 65 нм (вместе с НПО

«ПЛАТАН»)

СВЧ электроника на основе квазидвумерных материалов

Транзисторы на основе графена

Рис. Интегрированный комплементарный графеновый инвертор.

(а) схематическое изображение инвертора. Три электрода нанесены

на монослой графена. Часть графенового листа между двумя левыми

электродами (окрашена красным) электрически отжигалась для

получения полевого транзистора n-типа. Другая часть листа графена

представляет собой транзистор p-типа. (b) Измеренные переходные

характеристики сформированного комплементарного графенового

инвертора. Вставка: СЭМ-изображение сформированного инвертора

и разводки.

Транзисторы на основе графена

IBM T.J. Watson Research Center, New York

Результаты: Созданы «top-gated» транзисторы. Частота увеличивается с уменьшением длины канала. Максимальная измеренная частота – 26ГГц при длине канала 150нм. Вывод: если производить графен с высокой подвижностью носителей заряда(20000см2/Вс ), то при длине затвора 50нм могут быть достигнуты частоты порядка 10 ТГЦ.

Транзисторы на основе графена

1. Кремниевая подложка (>10кОм см), Графен получен способом механического расщепления 2. Сток, исток: 1нм Ti – адгезионный слой, 50нм Pd – электроды 3. Подзатворный диэлектрик Al2O3(10нм) осажден при 250 0С посредством ALD. 4. Осажден слой Pd/Au толщиной10нм/50 нм

(b) Расстояние между электродами сток-исток 500нм Длина затвора – 360нм Ширина затвора, включая оба канала – 40мкм.

IBM T.J. Watson Research Center, New York

Транзисторы на основе графена

Полевой транзистор на основе эпитаксиально выращенных графеновых материалов HRL Laboratories в рамках программы CERA (Carbon Electronics for RF Application)

Параметры: - Ток в открытом состоянии при напряжении на стоке - Частота среза при длине затвора - Частота была получена при

Частотные характеристики будут улучшены при уменьшении длины затвора до 100нм

Преимущества конструкции: - предельно допустимый ток, - термическая проводимость, - малый управляющий потенциал.

Перенос графена на другие подложки после получения

Samsung, Korea

Рост из SiC

116

Графеновый

транзистор, с граничной

частотой 100 ГГц

Phaedon Avouris, Yu-Ming Lin и

коллеги в IBM's TJ Watson

Research Center в Нью-Йорке

начали изготовление полевых

транзисторов (FET), нагревая

подложку карбида кремния

(SiC) для создания

поверхностного слоя атомов

углерода в виде графена.

Параллельные электроды

истока и стока были затем

осаждены на него, оставляя

каналы открытого графена

между ними.

Дмитрий Струков, Константин Лихарев, 2005 г.

119

Нейроподобные аналогово-

цифровые

самоорганизующиеся сети и

интеллектуальные

вычислительные структуры,

созданные на основе

многоуровневой

мемристорной логики могут

быть эффективно

применены в авиационных

комплексах А-100, а также в

изделиях типа 411, 1К133,

Спинар-1ДМ, БПЛА «Типчак»

и в других перспективных

образцах ВВСТ.

Коммутационный

слой

БИС КМОП БМК

1-ый слой

наноразводки

2-ой слой

наноразводки

Элементы

многоуровневой

логики

Реконфигуриру

емая

вентильная

матрица

Области применения электрически

реконфигурируемых БИС на

мемристорах

Перспективы применения мемристоров

Схемотехнические

решения и

вольтамперные

характеристики

мемристоров

123

Характеристики мемристоров становятся повторяемыми, когда площадь

элементов становится менее 100х100 нм и если технологический процесс

формирования мемристоров проходит в сухой бескислородной атмосфере

125

Мемристоры + кремниевые БМК -> Нейроподобные системы

ICPCNanonet-Beijing

C. Claeys

127

ARTIFICIAL SYNAPSE = functional interface allowing bi-directional communication between a neuron and an integrated circuit = neurons-on-chip

NEURO-ELECTRONICS

ICPCNanonet-Beijing

C. Claeys

129

ARTIFICIAL SYNAPSE = functional interface allowing bi-directional communication between a neuron and an integrated circuit = neurons-on-chip

NEURO-ELECTRONICS

131 Nanoeducator 2

132 Nanoeducator 2, АСМ Головка

SOLVER platform

SPM SOLVER platform offers more than 40 measuring methods, which can be carried out in air as well as in controlled atmospheres and liquids.

• Two measuring heads (STM, AFM)

• Fully automated

• Ergonomic design

• Mac OS® and Windows® compatible SPM

SOLVER NEXT the latest development

Proteins deposited on mica measured in buffer solution Scan size: 320 х 320 nm

MFM image of HDD surface Scan size: 12 х 12 um

Latex balls, Phase contrast Scan size: 2×2 um

R&D100 AWARD

Winner 2009

NTEGRA SPECTRA: Multimode SPM + Confocal microscopy +

Scanning 3D Raman and Luminescence Spectroscopy +TERS

NTEGRA Spectra

• Atomic Force Microscopy ( > 30 modes ) • Confocal Raman / Fluorescence / Rayleigh Imaging and Spectroscopy • SNOM / NSOM • TERS, TEFS, TERFS and scattering SNOM (s-SNOM)

Beta-carotine distribution in algal cells

Bright field image

50x50 µm

Confocal laser (Rayleigh) 50x50 µm

AFM topography map 50x50 µm

Confocal Raman map 25x25 µm

Confocal fluorescence map 25x25 µm

Разработки и сервис,

Руководитель Ан.Быков

НТИ, производство

Руководитель Котов В.В.

НТ-МДТ, Маркетинг

и продажи,

Руководитель А.Б.Шубин

Отдел продаж,

Руководитель С.Пушко

НТ-МДТ &

НТИ

Службы

обеспечения

НТ-МДТ & НТИ

Зеленоград

Быков Александр,

исп. Директор группы НТ-МДТ

NT-MDT Head Office,

Moscow, Russia

NT-MDT S&L Limerick, Ireland

NT-MDT America Santa Clara, USA

NT-MDT Shanghai Shanghai, China

NT-MDT Europe Eindhoven, NL

Distributors

Sales Representatives

Офисы группы NT-MDT

World Wide Distribution Net (46 countries)

Quantum Design

JapanIkebukuro,

Japan

Axess Tech S.a.r.l.,

Франция

Coherent Scientific Pty.

Ltd., Австралия K-Tek Nanotechnology

LLC, США

Surface GmbH,

Германия

S.E.C.

Scientific

Equipment

Co. LTD.,

Израиль

NanoEducator Labs in Russia

463 units

169 Education Labs in Russian Universities

NanoEducators labs Out of Russia

Рынок продукции NT-MDT

Поставки в 59 стран мира

По итогам 2010 года компания занимает 2-е место в мире

по объему рынка и первое по темпам роста

About the Company

• 20 years on the SPM market

• Over 3000 installations

in 59 countries

• 350 experts in HQ offices

• 46 Distributors worldwide

During the 20th century, Zelenograd became

the cradle of Russian microelectronics,

“Silicon Valley” of Russia.

NT-MDT Collaboration Projects NNI Nederlands Nano Initiatief

•Bionano interactions for biosensing

Prof. G.J.L. Wuite Physics of complex systems Vrije Universiteit Amsterdam

•Nanomolecular machines in cellular force-generation

Prof. dr. Marileen Dogterom (AMOLF)

FP7 Nanoimaging Tools for Organic Electronics

Nano-Imaging tools for organic electronics: towards integration of Scanning

Probe Microscopy, Raman Spectroscopy and Ellipsometry

Russian Nanotechnology Society

• Start in 2008;

• Situation for the Today: 1100 members (professors and Dr.Sci. 334, Ph.D. 335);

• RNS include: 22 divisions (Industrial comity, Student and Yang Scientist division and 17 division for the numbers of the directions;

• Subdivisions in 69 regions of Russia;

• Web Address: http://ntsr.info

Partners of NSR

http://www.asdn.net Nano Education

USA- Russia: Informal Education at the Internet

Nanotechnology Global Net

And We are VERY Interested in Cooperation

Thank you!