Embed Size (px)
DESCRIPTION
Книжку присвячено пам’яті визначного українського ученого-фізика, педагога і громадського діяча, засновника і першого президента АН вищої школи України В.І.Стріхи (1931-1999). Вона містить матеріали про різні аспекти життя В.І.Стріхи, бібліографію його наукових праць, спогади про ученого, його науково-популярні й публіцистичні статті останніх років життя. Видання розраховано на всіх, хто цікавиться історією української науки і вищої школи.
Citation preview
АКАДЕМІЯ НАУК ВИЩОЇ ШКОЛИ УКРАЇНИ СЕРІЯ «ВИЗНАЧНІ УЧЕНІ»
Віталій Іларіонович СТРІХА
1931 – 1999
Київ 2011
Видавництво «К.І.С.»
Редакційна колегіяМ.В.Стріха, академік, д.ф.м.н. (голова); І.В.Бейко, академік, д.т.н., проф.;
В.Т.Грінченко, академік НАН України, д.ф.м.н., проф.; М.І.Дробноход, акаде-мік, д.г.м.н., проф.: В.В.Ільченко, академік, д.ф.м.н., проф.; В.Г.Литовченко, член-кореспондент НАН України, д.ф.м.н., проф..
Книжку присвячено пам’яті визначного українського ученого-фізика, пе-дагога і громадського діяча, засновника і першого президента АН вищої шко-ли України В.І.Стріхи (1931–1999). Вона містить матеріали про різні аспек-ти життя В.І.Стріхи, бібліографію його наукових праць, спогади про ученого, його науково-популярні й публіцистичні статті останніх років життя. Видан-ня розраховано на всіх, хто цікавиться історією української науки і вищої школи.
Друкується за постановою Президії АН вищої школи України від 28 березня 2011 року.
ISBN 978-966-2141-74-0
СТРІХАВіталій Іларіонович
(30.05.1931 – 08.02.1999)
доктор фізико-математичних наук, професор, лауреат Державної премії України у галузі науки і техніки,
перший президент Академії наук вищої школи України
4
Стріха
Віталій Іларіонович
(30.05.1931 - 08.02.1999)
доктор фізико-математичних наук, професор,
лауреат Державної премії України у галузі науки і техніки,
перший президент Академії наук вищої школи України
ЗМІСТОсновні події і дати життя В.І.Стріхи ............................................................... 5Бібліографія основних друкованих праць В.І.Стріхи .................................... 13Кандидати наук, які захистили дисертації під науковим керівни-
цтвом В.І.Стріхи, та теми їхніх робіт ........................................................ 41Навчальні курси, які розробив і читав В.І.Стріха .......................................... 43Водні походи, які організував і в яких брав участь В.І.Стріха ..................... 44
Статті В.І. СтріхиВідновлювані джерела енергії як основа економічної незалежності
України ......................................................................................................... 48Шляхами поступу ............................................................................................. 53Три радянські міфи української науки ............................................................ 55Національна еліта – справжня чи «чорна»? (проблеми виховання
еліти незалежної України ........................................................................... 61Напівпровідникові сенсори – перспективний напрям напівпровід-
никової електроніки .................................................................................... 67
Cтатті та спогади про В.І. СтріхуМ.В.Стріха.Віталій Іларіонович Стріха: портрет на тлі історичної доби ........................ 75В.Г.ЛитовченкоСпогад про Віталія Іларіоновича Стріху, видатного українського
фізика, мого колегу і друга ......................................................................... 88М.Г.НаходкінМій друг Віталій Стріха ................................................................................... 91В.Т.ГрінченкоВіталій Стріха: штрихи до портрету ............................................................... 94М.І.ДробноходАкадемік Віталій Іларіонович Стріха – знакова постать в історії
української науки......................................................................................... 96А.Л.БойкоВіталій Іларіонович Стріха — інтелігент і видатний науковець .................. 99Ю.І.ЧутовНевиголошений виступ на Перших Академічних читаннях пам’яті
В.І.Стріхи 7 лютого 2004 року ................................................................. 101Р.П.ЗорівчакРаз добром нагріте серце…: запізніла подяка .............................................. 105Ф.О.ТишкоПам’яті академіка В.І.Стріхи ......................................................................... 107Н.М.ГулаЗ книги «Вірші» (2001) ................................................................................... 108
– 5 –
Основні події і дати життя В.І. Стріхи
30 травня 1931 р. У родині Наталі Бурчик та Іларіона Стріхи в Києві на-родився син Віталій. Його дитинство минає на Лук’янівці в старому будин-ку по вул.Дикій, 5 (знесений у 1980-ті рр., на теперішній вул.В.Дончука №5 має інший будинок) без комунальних вигод і з колонкою у подвір’ї.
1938 р., вересень. Пішов до першого класу середньої школи №1 м.Києва.1939 р. Наталя Бурчик та Іларіон Стріха розлучилися.1941 р., вересeнь. Київ захоплюють німці. Віталій Стріха, не встигши
почати навчання в 4-му класі, разом з мамою-геологом Наталею Бурчик, бабусею-вчителькою Ганною Бузницькою-Бурчик і дідусем-бухгалтером Андрієм Бурчиком опиняється на окупованій території. Стає свідком вибу-хів на Хрешатику. Неподалік від Дикої по вулиці Артема йдуть колони при-речених до Бабиного Яру.
1941–1943 (?). Навчання у відкритій Київською міською управою шко-лі, де вчителювала бабуся.
1942 р., 27 грудня. Від виразки шлунку помирає дідусь Андрій (похова-ний на Лук’янівському кладовищі).
1943 р., початок. Через голод і терор у Києві родина перебирається до села Немиринці Ружинського р-ну Житомирської обл.
1944 р. Визволення. Повернення до Києва. Наталя Бурчик працює асис-тентом кафедри мінералогії Київського ун-ту, Ганна Бурчик — учителькою початкових класів школи №55. Відновлення навчання у 4-му класі серед-ньої школи №55 м.Києва.
1950 р. Закінчує с.ш. №55 з золотою медаллю і вступає на фізичний ф-т Київського державного університету ім.Т.Г.Шевченка. Серед однокурсни-ків — Володимир Литовченко (пізніше — член-кореспондент НАН Украї-ни, президент Українського фізичного товариства).
1952 р, липень. Отримує другий спортивний розряд з легкої атлетики (спортивна ходьба).
1953 р. Переведений на новостворений радіофізичний ф-т КДУ ім.Т.Г.Шевченка.
1955 р, липень. Закінчує університет за спеціальністю «фізика напів-провідників», отримує кваліфікацію «фізик-дослідник».
1955 р, 1 вересня. Зарахований на посаду інженера радіофізичного фа-культету КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Працює під науковим керівництвом акаде-міка В.Є.Лашкарьова.
1956 р., 14 січня. Отримав третю категорію з шахів.20 січня. Переведений на посаду старшого інженера радіофізичного фа-
культету.1 серпня. Переведений на посаду молодшого наукового співробітника
радіофізичного факультету.1957 р. Поява друком перших наукових робіт (у співавторстві з В.Є.Лаш-
карьовим, В.Г.Литовченком та ін.).
– 6 –
Серпень. Перша серйозна туристична подорож через Кавказький хре-бет. 21.08.57 насилає картку до мами з озера Ріца: «Ура! Я уже в Ріці. Че-рез 7 перевалів, 15 днів у палатці, у лісі, на каменях, серед льоду і снігу. Те-пер все позаду. Цілую, Вітя».
1958 р. Знайомство з 22-річною студенткою 5 курсу Київського медич-ного інституту Надією Гулою, дочкою професора Марії Коломійченко і академіка, на той час віце-президента АН УРСР Максима Гулого.
12 червня отримав третій спортивний розряд з туризму.Липень. Участь спільно з Надією Гулою в літньому човновому поході
по річці Білій на Уралі.20 вересня. Надія Гула і Віталій Стріха взяли шлюб. Віталій Стріха пе-
реїздить жити до родини дружини на вулицю Леніна, 42, кв.24. У цій квар-тирі він житиме до кінця життя.
1959 р. Складає кандидатські іспити: «діалектичний та історичний ма-теріалізм» (задовільно), «англійська мова» (добре), «квантова механіка» (добре).
1960 р. 13–30 червня. Туристична подорож молодого подружжя по Ду-наю від Відня і до гирла — їхня перша закордонна подорож.
1961 р., 1 травня. Переведений на посаду старшого наукового співро-бітника заснованої В.Є.Лашкарьовим лабораторії напівпровідникових діо-дів радіофізичного факультету.
24 червня. У Надії Гулої і Віталія Стріхи народився син Максим.1962 р., 21 січня. Складає кандидатський іспит з фізики напівпровідни-
ків (відмінно).30 червня. На об’єднаній раді Інститутів фізики, металофізики і напів-
провідників АН УРСР захистив дисертацію на здобуття наукового ступе-ня кандидата фізико-математичних наук «Дослідження фізичних процесів у точкових діодах і їхні зв’язки з властивостями напівпровідника» (обсяг першої, «відкритої» частини дисертації становить 161 стор. плюс 17 сторі-нок літератури).
1963. 30 липня — 6 серпня. Пройшов разом з дружиною пішохідний маршрут №42 по Воєнно-осетинській дорозі (160 км). Присвоєно значок «Турист СРСР».
Кінець року. Подала до захисту кандидатську дисертацію «Досліджен-ня деяких властивостей чистої поверхні германію і кремнію» Юй Лі-шень, перша аспірантка Віталія Стріхи (пізніше — професор Пекінського універ-ситету). Початок формування наукової школи В.І.Стріхи.
1965 р., 1 квітня. Призначений завідувачем лабораторії фізики і техні-ки напівпровідників радіофізичного ф-ту КДУ ім.Т.Г.Шевченка (очолював її до останніх днів життя).
1966 р., липень-серпень. Очолює байдаркову групу під час походу по річці Вуокса та озерах Кольського перешийку (до групи також входять Віктор Грінченко, пізніше академік НАН України, Віталій Савченко, піз-ніше професор КДУ, Надія Гула, пізніше член-кореспондент НАН та
– 7 –
НАМН України). До 1996 р. щорічно проводив літню відпустку в байдар-ковому поході.
1968 р.. Виходить монографія В.І.Ляшенка, В.Г.Литовченка, І.І.Степка, В.І.Стріхи, Л.В.Ляшенко. «Электронные явления на поверхности полупро-водников» (Під загальною редакцією профессора В.І.Ляшенка; Київ: «На-укова думка», 1968. — 400 с.). В.І.Стріхою одноосібно написано розділ Х монографії: «Вплив поверхневих станів на електричні властивості контак-ту метал-напівпровідник» (С.302–349).
1969 р., 6 березня. На засіданні вченої ради КДУ ім.Т.Г.Шевченка за-хищає докторську дисертацію «Дослідження фізичних процесів у кон-такті метал-напівпровідник» (офіційні опоненти: член-кореспондент АН УРСР К.Б.Толпиго, д.т.н.В.О.Прєснов, д.ф.м.н. О.Г.Міселюк). Обсяг першої, «відкритої» частини дисертації становить 420 стор. Затверджений ВАК СРСР доктором фізико-математичних наук 18 вересня 1970 р.
1970 р., 21 грудня. Постановою ЦК КП України і Ради Міністрів УРСР №634 присуджено Державну премію Української РСР в галузі науки і техніки (в складі колективу авторів монографії «Електронні явища на по-верхні напівпровідників»).
1972 р, квітень: вступ до КПРС, що було передумовою дальшої науко-вої кар’єри.
4 жовтня — 1 листопада. Поїздка до Польщі — друга в житті закордон-на поїздка і перше наукове відрядження. Читає лекції з контактних явищ у напівпровідниках студентам Ягеллонського університету (Краків).
Перша участь у виборах на вакансію члена-кореспондента АН УРСР: ре-зультат невтішний. Надалі безуспішно балотувався до АН УРСР ще 7 разів (востаннє в січні 1988 р.).
1973 р., 9 березня. Затверджений ВАК СРСР професором за спеціаль-ністю «фізика напівпровідників і діелектриків».
9 листопада. Обраний за конкурсом професором кафедри фізики напів-провідників радіофізичного ф-ту.
1974 р. Виходять друком дві монографії: В.И.Стриха. Теоретичес-кие основы работы контакта металл-полупроводник (Киев: «Науко-ва думка», 1974. — 265 с) та В.И.Стриха, Е.В.Бузанева, И.А.Радзиевкий. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (Москва: «Советское ра-дио», 1974. — 248 с.), у яких систематизовано результати робіт з фізики контакту метал-напівпровідник, що здобули на той час загальне визнання і мали широке практичне впровадження при виробництві НВЧ пристроїв.
Серпень. Велика автомобільна подорож Західною Україною й Білорус-сю разом з матір’ю, дружиною, сином і родиною В.Г.Литовченка.
1975 р., 7 лютого. Помирає Ганна Терентіївна Бурчик — бабуся В.І.Стріхи.28 червня — обраний за конкурсом на посаду завідувача кафедри фізи-
ки напівпровідників (очолював кафедру до 1996 р.).Грудень — читання лекцій з контактних явищ у напівпровідниках у
Братиславському університеті (тоді — ЧССР).
– 8 –
1979 р, грудень. Читання лекцій з контактних явищ у напівпровідниках у Дебреценському університеті (Угорщина).
1970-ті — поч.1980-х рр. Активна робота в Товаристві «Знання» УРСР, зокрема на посаді голови Науково-методичної ради з пропаган-ди фізики і математики Київської міської організації. Водночас станом на 1.10.1981 р. є членом комісії з приладобудування при Київському місь-ккомі КПУ, членом ради директорів НПО «Електроніка», членом бюро Ради з фізики напівпровідників АН УРСР, членом Секції з гетерострук-тур АН СРСР, членом Секції з фізики і хімії напівпровідників Мінвузу СРСР, членом Секції з фізики та головою Секції з фізики напівпровідників МВССО УРСР, членом спеціалізованих рад із захисту в КДУ та в Ін-ті на-півпровідників АН УРСР, членом Ученої ради КДУ, членом програмового комітету Всесоюзної конференції з фізики напівпровідників (Баку, 1982). За підрахунком В.І.Стріхи, ці та інші громадські доручення (засідання, під-готовка до них та дорога) забирають близько 100 годин на місяць, тобто по-над 60% робочого часу!
1981, 13 квітня. Раптово від інфаркту помирає мати, Наталя Андріїв-на Бурчик.
4 червня. У зв’язку з 50-річчям нагороджений Почесною грамотою МВССО УРСР.
1980-ті рр. Розгортання робіт з фотовольтаїки (разом з С.С.Кільчицькою та ін.). Вихід (попри спротив цензури) першої україномовної брошури, присвяченої проблемам фотовольтаїки (В.І.Стріха. Сонячна енергетика і проблеми її розвитку. Київ: Товариство «Знання» УРСР, 1983). Перші ви-ступи проти безальтернативності атомної енергетики (В.І.Стріха. СЕС чи АЕС? // Прапор. — 1988. — №1. — С.148–153).
1984 р., 27 серпня. З ініціативи ректора академіка М.У.Білого призначе-ний на посаду проректора з навчальної роботи КДУ ім.Т.Г.Шевченка.
1985 р., 17 червня. Ректором В.В.Скопенком переведений на посаду проректора з наукової роботи.
Листопад. Перше в житті відрядження до країни, що не входить до «со-ціалістичного табору» — Фінляндії.
1986 р., 6 серпня. У Львові помирає батько, кандидат технічних наук Іларіон Опанасович Стріха, який у повоєнний час був одним із провідних в Україні фахівців з механічної обробки деревини. Похований на Брюхо-вицькому кладовищі.
1986–1993 рр. Керівник одного з основних наукових напрямків діяль-ності Київського ун-ту: «Електроніка твердого тіла, напівпровідників і структур на їх основі. Фізика поверхні та контактні явища у напівпровід-никах».
1986–1990 рр. Голова Координаційної ради спільної наукової програми АН УРСР та МВССО УРСР «Фізичні властивості нових напівпровіднико-вих матеріалів та створення на їх основі пристроїв та систем». Голова Сек-ції «Фізичні явища в гетеро структурах» Наукової ради АН УРСР з пробле-ми «Фізика напівпровідників».
– 9 –
1987 р. Зацікавлення новою тематикою — біосенсорами. Підготовка ра-зом з А.А.Шульгою першого в Україні огляду, присвяченого біосенсорам (вийшов у «Віснику АН УРСР», №2, 1988).
1988, 15 січня. В.І.Стріха востаннє бере участь у виборах до АН УРСР. З 34 членів відділення фізики і астрономії, які твердо обіця-ли проголосувати «за», реально підтримали 25. «Обманули — 9» — нотує того дня В.І.Стріха. «Прохідний бал» становив 33 голоси.
27 серпня. Народилася онука Ярослава.1980-ті, кінець. Наростання конфлікту, пов’язаного з різними світогляд-
ними принципами демократичного і толерантного В.І.Стріхи і авторитар-ного В.В.Скопенка. На засіданні бюро парткому КДУ 19 травня 1989 р. ро-боту НДЧ університету з ініціативи ректора піддано шельмуванню. Того ж дня В.І.Стріха на знак протесту написав заяву про звільнення з посади про-ректора. Однак ректор цього разу спустив її «на гальмах».
1990 р., початок. Готує звернення до Голови Комітету з науки, освіти, культури та виховання Верховної Ради СРСР Ю.Рижова та Голови Держ-комосвіти СРСР Г.Ягодіна, присвячене проблемам університетської науки.
2 квітня. Звільнений з посади проректора і залишений на посаді завіду-вача кафедри фізики напівпровідників радіофізичного факультету.
1991 р., лютий. Припиняє членство в КПРС.11 квітня. Дружину, Надію Гулу, обирають член-кореспондентом
НАН України за спеціальністю «медична біохімія».Початок активних наукових контактів з «Еколь централь» (м.Ліон,
Франція) в рамках робіт з сенсорної тематики. Своєрідний науковий «міст» Ліон-Київ дозволяє кафедрі пережити колапс початку 1990-х. «Сенсорні» роботи В.І.Стріхи цього часу мають високий індекс цитуван-ня. Роботу A.M.Nyamsi Hendji, N. Jaffrezic-Renault, C. Martelet, P. Clechet, A.A. Shlu’ga, V.I.Strikha, L.I. Netchiporuk, A.P. Soldatkin, W.B. Wlodarski. Sensitive detection of pesticides using a differential ISFET-based system with immobilized cholinesterases (Analytica Chimica Acta. — 1993. — v.281, n.1. — P.3–11) процитовано за даними ISI 63 рази.
1992–1996 рр. Науковий керівник Державної науково-технічної комп-лексної програми 5.21.04 «Нетрадиційні джерела енергії, включаючи со-нячні, вітрові та електрохімічні».
1992 р. Бере активну участь у процесах реформування та демокра-тизації української науки. Разом з професорами КДУ ім.Т.Г.Шевченка М.І.Дробноходом та Ю.І.Чутовим формує ініціативну групу зі створення АН вищої школи України.
27 грудня на Установчих зборах обраний академіком (по відділенню фі-зики і астрономії) і першим президентом АН ВШ України.
1992–1999 рр. як президент приділяє великі зусилля організаційній роз-будові АН вищої школи України, неодноразово звертається до органів вла-ди і посадових осіб у справі підтримки й реформування української науки і вищої освіти, виступає в ЗМІ.
1994 р., 1 вересня. Отримує звання «Соросівського професора».
– 10 –
1995 р.. Присуджено Нагороду Ярослава Мудрого АН ВШ України в га-лузі науки і техніки за роботи із сенсорної тематики.
16 грудня. Обрано президентом АН вищої школи України на другий трирічний термін.
26 грудня. Діагностовано злоякісну пухлину передміхурової залози — аденокарциному. Останні роки життя В.І.Стріха мужньо і методично бо-реться з хворобою.
1996 р., 2 лютого. Через небажання ректора В.В.Скопенка продовжува-ти контракт залишає посаду завідувача кафедри і працює професором ка-федри фізики напівпровідників радіофізичного ф-ту.
Лютий. Бере активну участь у підготовці Всеукраїнської наради з пи-тань науки. Друкує програмову статтю «Три радянські міфи української на-уки» («Дзеркало тижня», 16 березня).
1996 р., липень. Бере участь у 23 Міжнародній конференції з фізики на-півпровідників у Берліні.
Серпень. Востаннє проводить літню відпустку у байдарковому поході по Десні від Чернігова і до Києва (200 км).
1997 р., 20–24 вересня. Бере участь у Міжнародній конференції «Eurosensors-XI» у Варшаві.
31 жовтня. Докторську дисертацію «Оптичні та рекомбінаційні пере-ходи в напівпровідниках з дефектами, деформаціями та неоднорідностями складу» захищає син Максим.
11–13 грудня. АН вищої школи України за підтримки Міжнародного фонду «Відродження» проводить представницьку конференцію «Наука та освіта в Україні», учасниками якої стають понад 300 провідних україн-ських науковців.
1998 р., 1 червня — 3 липня. Останнє наукове відрядження в рамках співпраці з «Еколь Централь» (Ліон, Франція).
3–7 липня. Дорогою до Києва бере участь у Міжнародній конференції з сонячної енергетики у Відні.
29 липня — 13 серпня. Відпочиває разом з дружиною, сином та онуч-кою на озері Світязь.
Листопад. Купує разом з дружиною Надією Гулою стару селянську хату в селі Хоцьки на Переяславщині — рідному селі батьків, Наталки Бурчик і Ларіона Стріхи.
19 грудня. Загальні збори АН ВШ України. В.І.Стріху обрано президен-том АН вищої школи України на третій трирічний термін.
1998–1999 рр, 25 грудня — 17 січня. Лікується в санаторії «Конча-Заспа» під Києвом.
1999 р., 8 січня пише формально жартівливу «Конча-Заспівську відпо-відь дружині на зауваження про те, що нічого в житті не зроблено»:
«Що ж зроблено:1. Згуртована туристська група, з якою пройдено більше 40 походів
(біля 10 тисяч кілометрів).
– 11 –
2. Створена унікальна кафедра (11 докторів наук, 4 державні премії, звання «зразкової» і т.ін.).
3. Створена наукова школа з контактних явищ (5 докторів, 30 кандида-тів, 12 монографій, 5 всесоюзних конференцій і т.п.).
4. Прочитані курси лекцій для більше 10000 студентів (більше 20000 лек-цій).
5. Задумана й організована Академія наук вищої школи України (418 ака-деміків, 2800 докторів, 13000 кандидатів).
6. Організована лінія Україна-Франція (наукова робота, підготовка спе-ціалістів і т.ін.).
7. Організовані нові наукові напрямки (біосенсори, пористий кремній як матеріал для сенсорики).
8. Родив сина, здатного помножити цей список.Підпис.»1 лютого. На засіданні Вченої ради КНУ ім.Т.Г.Шевченка повинне було
розглядатися питання про присудження В.І.Стрісі почесного звання «По-чесний професор Київського університету». Однак без пояснення причин ректор В.В.Скопенко переніс розгляд питання на майбутнє. Паралельно він зажадав від АН вищої школи України звільнити надану їй раніше кімнату на четвертому поверсі «червоного корпусу» КНУ.
Ніч з 6 на 7 лютого. У В.І.Стріхи стався широкий інфаркт, його було гос-піталізовано до клінічної лікарні «Феофанія» з песимістичним прогнозом.
8 лютого. Ранок. Внаслідок інтенсивної терапії стан В.І.Стріхи по-кращав. Він працював над рукописом статті V.A.Vikulov, V.I.Strikha, V.A.Skryshevsky, S.S.Kilchitskaya, E. Souteyrand, J.-R. Martin. Electrical features of the metal-thin porous silicon — silicon structurе (вийшла в Journal of Physics D: Applied Physics. — 2000. — v.33. — P.1957–1964), на зворо-ті останньої сторінки рукопису залишив записку для дружини: «Надю, у мене все в порядку. Навіть вдалось частково розсмоктати інфаркт. (…) Вася [В.В.Ільченко] хай проведе завтра семінар. Статтю віддайте Вікуло-ву [В.Вікулов — учень В.І.Стріхи, один з авторів статті]. Беріть «День». Абонемент на столі [В.І.Стріха передплачував газету «День» через кни-гарню «Академкнига»]. Вітя». Однак надвечір стан В.І.Стріхи погіршав і о 22.15 він помер.
10 лютого. Відспівування В.І.Стріхи відбулося в ритуальній залі лікар-ні «Феофанія», відспівував настоятель Свято-Михайлівської церкви отець Андрій Власенко (УПЦ Київського патріархату). Громадське прощання відбулося на радіофізичному факультеті та в фойє «червоного корпусу» університету. Надійшли телеграми співчуття від учених різних країн, пред-ставників влади. Промовляли колеги, друзі й учні. О 14 год. В.І.Стріху було поховано на Байковому кладовищі поруч із його мамою і бабусею.
2004 р, 7 лютого. АН вищої школи України проведено Академічні читан-ня пам’яті В.І.Стрихи, які відтоді щорічно відбуваються на початку лютого.
– 12 –
17 квітня. Загальні збори АН вищої школи України ухвалили відзначи-ти В.І.Стріху Нагородою Святого Володимира за багатолітню роботу в ім’я розвитку науки і вищої освіти в Україні (посмертно).
2008 р. Роботу В.І.Стріхи «Випрямляючі властивості контакту метал-напівпровідник», вперше надруковану у «Віснику КДУ ім.Т.Шевченка», се-рія «Фізика», за 1967 рік (саме на основі викладених у ній результатів було обґрунтовано можливість створення надвисокочастотних приладів на осно-ві діоду Шотткі), вміщено в спецвипуску «Українського фізичного журна-лу», виданому до 90-річчя НАН України, серед 35 найвидатніших праць українських фізиків за всі роки (разом зі статтями Л.Ландау, Л.Шубнікова, М.Боголюбова, С.Пекаря, К.Толпига, В.Лашкарьова, Н.Моргуліса та інших класиків вітчизняної науки).
– 13 –
Бібліографія основних друкованих праць В.І.Стріхи
Книжки та брошури1. В.И.Ляшенко, В.Г.Литовченко, И.И.Степко, В.И.Стриха, Л.В.Ляшенко.
Электронные явления на поверхности полупроводников // Киев: «Нау-кова думка», 1968. — 400 с.
2. В.И.Стриха. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник // Киев: «Наукова думка», 1974. — 265 с.
3. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева, И.А.Радзиевкий. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки // Москва: «Советское радио», 1974. — 248 с.
4. В.І.Стріха, Є.В.Бузаньова, І.О.Радзієвський. Контакт метал-напівпровідник у приладах радіоелектроніки // Київ: Товариство «Зна-ння» УРСР, 1976. — 48 с.
5. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева. Достижения, перспективы исследования и применения приборов с барьером Шоттки // Киев: Общество «Зна-ние» УССР, 1978. — 48 с.
6. В.И.Стриха, А.П.Ветров. Применение ЭВМ в физическом эксперименте // Киев: Издательство КГУ, 1979. — 88 с.
7. В.И.Стриха. Контактные явления в полупроводниках // Киев: «Выща школа», 1982. — 224 с.
8. В.І.Стріха. Сонячна енергетика і проблеми її розвитку // Київ: Товари-ство «Знання» УРСР, 1983. — 16 с.
9. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике // Москва: «Радио и связь», 1987. — 256 с.
10. Ю.В.Воробьев, В.Н.Добровольский, В.И.Стриха. Методы исследова-ния полупроводников // Киев: «Выща школа», 1988. — 232 с.
11. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Солнечные элементы на основе контак-та металл-полупроводник // Санкт-Петербург: «Энергоатомиздат», 1992. — 136 с.
12. Г.П.Пека. В.І.Стріха. Поверхневі та контактні явища у напівпровідни-ках // Київ: «Либідь», 1992. — 240 с.
Наукові статті1957
1. Н.М.Омельяновська, В.Г.Литовченко, В.І.Стріха, Р.М.Бон-даренко. Довгочасові інерційні явища на точковому германієвому контакті // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1956 рік. — 1957. — С.494–495.
2. В.Є.Лашкарьов, Н.М.Омельяновська, В.Г.Литовченко, Р.М.Бондаренко, В.І.Стріха. Залежність часу життя сторонніх носіїв струму від концен-
– 14 –
трації домішки сурми в германії // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1956 рік. — 1957. — С.495–496.
3. В.Е.Лашкарев, В.Г.Литовченко, Н.М.Омельяновская, Р.Н.Бон-даренко, В.И.Стриха. Зависимость времени жизни сторонних носителей тока от концентрации примеси сурьмы в германии // Журнал технической физики. — 1957. — т.27, в.11. — С.2437–2439.
19584. Р.М.Бондаренко, В.І.Стріха, В.Г.Литовченко, Н.М.Омельяновська.
Зв’язок струмової чутливості приймальних кристалічних детек-торів з параметром α статичної вольтамперної характеристики // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1957 рік. — 1958. — С.309–310.
5. В.Г.Литовченко, В.І.Стріха. Вплив поверхневих рівнів прилипання на фотопровідність колектора // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щоріч-ник за 1957 рік. — 1958. — С.316–317.
6. В.І.Стріха. Вивчення випростуючих властивостей контак-ту магній-сурма // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1957 рік. — 1958. — С.318–319.
7. В.Г.Литовченко, В.І.Стріха, Р.М.Бондаренко. Ефект встановлення фото-е.р.с. точкового контакту на германії // Вісник КДУ. Серія фізики та хімії. — 1958. — Вип.1. — С.123–128.
8. В.І.Стріха, Р.М.Бондаренко, Н.М.Омельяновська, В.Г.Литовченко. Вплив питомого опору і об’ємного часу життя носіїв струму матеріа-лу на струмову чутливість детекторів сантиметрового діапазону // Ві-сник КДУ. Серія фізики та хімії. — 1958. — Вип.1. — С.143–144.
9. Р.Н.Бондаренко, В.И.Стриха, Б.Л.Соколов. Экранирование щели из-мерительной линии дециметрового диапазона // Приборы и техника эксперимента. — 1958. — №2. — С.109–110.
195910. Р.М.Бондаренко, Є.Д.Майборода, В.І.Стріха. Залежність параметрів
приймальних детекторів від потужності сигналу надвисокої частоти // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1958 рік. — 1959. — С.243–243.
11. Р.М.Бондаренко, Є.Д.Майборода, І.Г.Самбур, В.І.Стріха. До методи-ки дослідження схеми підключення нелінійного елементу детекто-ра на надвисокій частоті // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1958 рік. — 1959. — С.243.
12. Р.Н.Бондаренко, Е.Д.Майборода, В.И.Стриха. Измерение полных входных сопротивлений некоторых детекторов по ме-тоду шестиполюсника // Труды Госкомитета Совмина СССР по радиоэлектронике. — 1959. — в.10. — С.37–44.
– 15 –
13. В.И.Стриха, Г.П.Зубрин. К вопросу о связи физических свойств с по-терями преобразования смесительных диодов // Труды Госкомитета Совмина СССР по радиоэлектронике. — 1959. — в.10. — С.50–54.
14. В.Є.Лашкарьов, Р.М.Бондаренко, В.М.Добровольський, Г.П.Зубрін, В.Г.Литовченко, В.І.Стріха. Властивості германію з домішкою бери-лію // Український фізичний журнал. — 1959. — т.4, №3. — С.372–375.
15. В.Е.Лашкарев, Р.Н.Бондаренко, В.Н.Добровольский, Г.П.Зубрин, В.Г.Литовченко, В.И.Стриха. Электрические и рекомбинационные свойства германия с примесью бериллия // В кн.: «Физика твердого тела. Сборник ІІ». Москва, 1959. — С.40–56.
196016. І.П.Редько, В.І.Стріха. Залежність швидкості поверхневої реком-
бінації від концентрації носіїв струму та обробки поверхні для гер-манію n- та p-типу // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1959 рік. — 1960. — С.225–226.
196217. В.И.Стриха. Зависимость скорости поверхностной рекомбина-
ции германия от концентрации основных носителей заряда // В кн.: «Поверхностные свойства полупроводников». Москва: Изд. АН СССР. — 1962. — С.174–179.
196318. В.И.Стриха. К вопросу о применении диэлектрических прокладок при
исследовании поверхностных свойств полупроводников // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1963. — №1. — С.96–98.
196419. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Об измерении тонких пленок оки-
си на поверхности германия и кремния // Приборы и техника эксперимента. — 1964. — №3. — С.177–180.
20. В.И.Стриха. Расчет вольтамперной характеристики прижимного кон-такта металл-полупроводник с учетом пленки окисла // Радиотехника и электроника. — 1964. — т.9, №4. — С.681–687.
21. В.І.Стріха, Юй Лі-шень. Вивчення випрямляючих властивостей кон-такта метал — сколота поверхня кремнію у надвисокому вакуумі // Український фізичний журнал. — 1964. — т.9, №9. — С.983–990.
22. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Зависимость скорости поверхностной рекомбинации кремния от концентрации основных носителей заряда // В кн.: «Поверхностные и контактные явления в полупроводниках». Томск, 1964. — С.34–39.
23. В.И.Стриха. К вопросу о расчете прямой ветви статической вольтам-перной характеристики точечного контакта // В кн.: «Поверхностные
– 16 –
и контактные явления в полупроводниках». Томск, 1964. — С.296–306.
24. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева. Исследование зависимости высоты потен-циального барьера в точечном контакте от контактной разности по-тенциалов // В кн.: «Поверхностные и контактные явления в полупро-водниках». Томск, 1964. — С.335–344.
25. В.И.Стриха, Юй Ли-шень. Влияние поверхностной плен-ки на выпрямительные свойства прижимного контакта металл-полупроводник // Радиотехника и электроника. — 1964. — т.9, №11. — С.2192–2193.
196626. В.И.Стриха, К вопросу о расчете параметра α вольтамперной ха-
рактеристики металл-полупроводник // Радиотехника и электрони-ка. — 1966. — т.11, №11. — С.2092–2095.
27. В.И.Стриха. Исследование вольтамперных характеристик прижимно-го контакта металл — р-кремний (параметр α) // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1966. — вып.1. — С.132–142.
28. В.И.Стриха. Расчет вольтамперной характеристики точечного кон-такта металл-полупроводник с учетом зазора и двух типов носите-лей // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1966. — вып.1. — С.143–151.
29. И.А.Радзиевский, В.И.Стриха. Сверхвысокочастотные свойства полу-проводниковых диодов с прижимным контактом I // В кн.: «Вопросы радиофизики и спектроскопии. Выпуск 2». — Москва: «Советское ра-дио», 1966. — С.271–279.
30. И.А.Радзиевский, В.И.Стриха. Сверхвысокочастотные свойства полупроводниковых диодов с прижимным контактом II // В кн.: «Вопросы радиофизики и спектроскопии. Выпуск 2». — Москва: «Со-ветское радио», 1966. — С.280–288.
31. І.О.Радзієвський, В.І.Стріха. До питання про природу «вигоряння» на-півпровідникових надвисокочастотних діодів // Вісник КДУ. Серія фі-зики. — 1966. — С.83–67.
196732. В.И.Стриха. Влияние поверхностных состояний на прямую ветвь
вольтамперной характеристики контакта металл-полупроводник // По-лупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1967. — вып.2. — С.30–38.
33. В.И.Стриха, Д.И.Шека. О нахождении вольтамперной характеристики полупроводникового диода с малой площадью контакта // Полупро-водниковая техника и микроэлектроника. — 1967. — вып.2. — С.39–42.
– 17 –
34. В.И.Стриха. Эквивалентная схема контакта металл-полупроводник при учете поверхностных состояний // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1967. — вып.2. — С.108–121.
35. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Исследование распределения контак-тного потенциала и толщины пленки окисла на поверхности германия и кремния // В кн: «Электронные процессы на поверхности и в моно-кристаллических слоях полупроводников», 1967. — С.57–60.
36. В.И.Стриха, Д.И.Шека. Вольтамперная характеристика контак-та металл-полупроводник малой площади в предположениях диф-фузионной теории // Известия высших учебных заведений. Физи-ка. — 1967. — №7. — С.7–15.
37. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Скорость поверхностной рекомбинации на контакте полупроводника с металлом // Физика и техника полупро-водников. — 1967. — т.1, в.7. — С.993–1000.
38. В.И.Стриха. Об оценке эффективности полупроводниковых диодов на СВЧ в случае обеднения у выпрямляющего контакта // Радиотехника и электроника. — 1967. — т.12, в.9. — С.1694–1697.
39. В.І.Стріха, І.О.Радзієвський. Перерозподіл домішки алюмінію побли-зу поверхні кремнію при високотемпературному окисленні // Україн-ський фізичний журнал. — 1967. — т.12, №8. — С.1256–1258.
40. В.І.Стріха. Випрямляючі властивості контакту метал-напівпровідник // Вісник КДУ. Серія фізики. — 1967. — №9. — С.110–116.
196841. В.И.Стриха, И.А.Радзиевский. Влияние обеднения на границе полу-
проводника с металлом на свойства сверхвысокочастоных диодов // Известия вузов СССР — радиоэлектроника. — 1968. — т.11, №4. — С.340–349.
42. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. О «медленных» состояниях на по-верхности германия // Известия высших учебных заведений. Физи-ка. — 1968. — №11. — С.122–124.
43. В.І.Стріха, С.С.Кільчицька. Рекомбінація на контакті метал-напівпровідник // Вісник КДУ. Серія фізики. — 1968. — № 10. — С.134–140.
196944. В.И.Стриха, Д.И.Шека. О вольт-амперных характеристиках контактов
металл-полупроводник с барьером Шоттки // Полупроводниковая тех-ника и микроэлектроника. — 1969. — вып.3. -С.53–59.
45. Е.В.Бузанева, В.И.Паничевская, В.И.Стриха. Влияние абсорбции некоторых металлов на выпрямляющие свойства контакта W-pSi // По-лупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1969. — вып.3. — С.59–67.
46. Г.Е.Чайка, В.И.Стриха. Влияние электрон-электронного взаимо-действия на вольтамперную характеристику и эквивалентную
– 18 –
схему контакта металл-полупроводник // Радиотехника и электроника. — 1969. — т.14, в.1. — С.178–180.
47. Т.С.Сиденко, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с туннельно непрозрачным зазором // Вісник КДУ. Серія фізики. — 1969. — №11. — С.107–111.
48. В.И.Стриха, Г.Е.Чайка. Вольтамперная характеристика и эквивалент-ная схема контакта металл-полупроводник при учете токового нару-шения функции распределения // Физика и техника полупроводни-ков. — 1969. — т.3, в.4. — С.601–604.
49. А.П.Ветров, В.И.Стриха. Экспрессный метод измерения параметров полупроводниковых приборов // В кн.: «Автоматизация измерений полупроводниковых приборов». Рига, 1969. — С.105–110.
50. А.П.Ветров, В.И.Стриха. Автоматическое измерение и расчет вход-ного сопротивления СВЧ-диодов с помощью электронной цифро-вой вычислительной машины // В кн.: «Автоматизация измерений полупроводниковых приборов». Рига, 1969. — С.111–118.
197051. В.И.Стриха. О дробовых шумах в диодах с барьером Шоттки // Физи-
ка и техника полупроводников. — 1970. — т.4, в.10. — С.1991–1993.52. В.И.Стриха. Об определении коэффициента прозрачности зазора в
выпрямляющем контакте металл-полупроводник // Радиотехника и электроника. — 1970. — т.15, №11. — С.2428–2429.
197153. С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. О влиянии свойств промывающих ра-
створов на толщину окисной пленки на поверхности германия и крем-ния // Журнал физической химии. — 1971. — т.45, в.7. — С.1861.
54. В.И.Стриха. О заполнении локального уровня в контакте металл-полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физи-ка. — 1971. — №12. — С.35–42.
197255. В.И.Стриха, Д.И.Шека. К теории вольтамперной характеристики кон-
такта металла с тонкой полупроводниковой пленкой // Полупроводни-ковая техника и микроэлектроника. — 1972. — вып.7. — С.105–110.
56. В.И.Стриха. Об определении полной системы физических параме-тров диодов с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1972. — вып.7. — С.93–101.
57. С.С.Кильчицька, В.І.Стріха. Рекомбінація на контакті метал-напівпровідник за участю поверхневої зони // Вісник КДУ ім.Т.Г.Шев-ченка. Серія фізики. — 1972. — №13. — С.95–99.
58. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха. О физических основах изготовления смесительных СВЧ диодов с барьером Шоттки с минимальными по-терями преобразования в случае линейного распределения примесей
– 19 –
в обедненной области // Электронная техника. Серия 2. — 1972. — №6. — С.34–40.
59. С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. О медленной релаксации заряда на по-верхности германия // Известия высших учебных заведений. Физи-ка. — 1972. — №8. — С.153–156.
60. И.А.Радзиевский, В.И.Стриха. Преобразование частоты на реальной вольтамперной характеристике контакта металл-полупроводник // По-лупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1972. — вып.8. — С.73–80.
61. В.И.Стриха, М.Е.Кицай. Дробовый шум диодов с барьером Шоттки при наличии поверхностных электронных состояний в контакте // По-лупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1972. — вып.9. — С.38–44.
62. В.И.Стриха, М.Е.Кицай. Дробовый шум диодов с барьером Шоттки при нарушении функции распределения носителей тока // Полупро-водниковая техника и микроэлектроника. — 1972. — вып.10. — С.88–90.
197363. В.І.Стріха, Д.І.Шека. При вплив сил зображення і тунельного ефек-
ту на вольт-амперну характеристику контакту метал-напівпровідник з бар’єром Шотткі // Український фізичний журнал. — 1973. — т.18, № 4. — С.592–597.
64. Я.Р.Сороневич, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Вольтамперная характеристи-ка реального диода с барьером Шоттки с учетом туннелирования че-рез область пространственного заряда // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1973. — вып.11. — С.51–56.
65. М.Є.Кицай, В.І.Стріха. Про вплив сил зображення і тунельного ефек-ту на дробовий шум діодів з бар’єром Шотткі // Український фізичний журнал. — 1973. — т.18, № 6. — С.1021–1023.
66. В.И.Паничевская, В.И.Стриха. О влиянии поверхностного уровня на дифференциальный наклон полулогарифмической вольт-амперной характеристики диодов Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1973. — вып.12. — С.92–97.
67. В.И.Стриха, М.Е.Кицай. Дробовый шум реального диода с барьером Шоттки при туннелировании через область пространственного заря-да // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1973. — вып.12. — С.89–92.
68. S.S.Kilchitskaya, V.I.Strikha. Slow Relaxation of Charge on Germanium Surface // Surface Science. — 1973. — v. 38, n. 1. — P. 149–156.
69. Є.В.Бузаньова, Г.Д.Попова, В.І.Стріха. Про вплив абсорбції металів на випрямляючі властивості контактів і границю розділу метал — р-кремній // Вісник КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Серія фізики. — 1973. — №14. — С.97–104.
– 20 –
70. Е.В.Бузанева, В.А.Денисок, В.И.Стриха. О применении контактов металл-полупроводник для исследования дефектов диэлектрических слоев на полупроводниках // Микроэлектроника. — 1973. — т.2, в.3. — С.239–243.
71. В.И.Стриха. О вольтамперной характеристике контакта металл-полупроводник с учетом диэлектрического зазора и локального уров-ня // Acta Physica Polonica A. — 1973. — v.44, n.6. — P.741–746.
72. В.И.Стриха, В.И.Паничевская, Е.В.Бузанева. Об определении энерге-тического спектра поверхностных электронных состояний в контакте металл-полупроводник с барьером Шоттки // Известия высших учеб-ных заведений. Физика. — 1973. — № 11. — С.41–46.
73. Т.С.Сиденко, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Вольт-амперная характерис-тика контакта металл-полупроводник с туннельно непрозрачным диэлектрическим зазором // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Физи-ка. — 1973. — С.107–113.
74. В.И.Паничевская, В.И.Стриха. О влиянии толщины диэлектрического слоя на спектр поверхностных электронных состояний в контак-те металл-полупроводник с барьером Шоттки // Радиотехника и электроника. — 1973. — т.18, №9. — С.1988–1989.
75. Г.П.Пека, В.І.Стріха, Г.К.Тимофієва. Рекомбінаційне випромінювання в контакті GaAs — метал // Український фізичний журнал. — 1973. — т.18, №12. — С.2058–2061.
76. В.И.Стриха, В.Н.Фионик, А.П.Здебский. Свойства включения вто-рой фазы в сильно легированном алюминием кремнии и их влияние на производство диодов // Электронная техника. Серия 2. — 1973. — №10. — С.13–19.
197477. В.И.Паничевская, В.И.Стриха. О роли поверхностных состояний в
переносе тока через барьер Шоттки на кремнии // Радиотехника и электроника. — 1974. — т.19, №7. — С.1473–1478.
78. В.И.Паничевская, В.И.Стриха, В.А.Новицкий. Влияние легирования поверхности кремния металлами (из Н20) на спектр поверхностных состояний и перенос тока в контакте металл-полупроводник с барье-ром Шоттки // Физика и техника полупроводников. — 1974. — т.8, в.8. — С.1538–1543.
79. В.И.Паничевская, В.И.Стриха, В.А.Новицкий. Влияние леги-рования поверхности кремния металлами (из НР) на спектр поверхностных состояний и перенос тока в контакте металл-полупроводник с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1974. — вып.18. — С.30–34.
80. В.І.Стріха, Є.В.Бузаньова. Повний опір контакту метал-напівпровідник з бар’єром Шотткі // Вісник КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Серія фізи-ки. — 1974. — вип.15. — С.54–61.
– 21 –
81. А.Д.Абраменков, Я.М.Фогель, В.И.Стриха, В.М.Ткаченко, Г.Ф.Потебня, Л.А.Забашта. О химическом составе поверхностно-го слоя кремния, находящегося в вакууме // Физика твердого тела. — 1974. — т.16, в.8. — С.2395–2396.
82. М.Е.Кицай, В.И.Стриха. О дробовом шуме Mo-Si-диодов с барьером Шоттки // Физика и техника полупроводников. — 1974. — т.8, в.9. — С.1783–1785.
83. А.Н.Король, В.И.Стриха. О влиянии неоднородности на ВАХ реаль-ного контакта металл-полупроводник // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1974. — вып.18. — С.39–42.
84. Г.П.Пека, В.И.Стриха, Г.К.Володина, Н.К.Хмелюк. Примесное реком-бинационное излучение при поверхностном легировании // Physica Status Solidi A. — 1974. — v. 26, n. 2. — P. 547–552.
85. В.И.Стриха, И.А.Радзиевский, П.Е.Бердниченко. Коэффициент перекрытия реального диода с барьером Шоттки на эпитаксиальном арсениде галлия // В кн.: «Арсенид галлия. Выпуск 5». Томск: Изда-тельство Томского ун-та, 1974. — С.
86. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха. Энергетический спектр поверхностных электронных состояний в контакте арсенид галлия — металл // В кн.: «Арсенид галлия. Выпуск 5». Томск: Издательство Томского ун-та, 1974. — С.158–161.
87. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Действие освещения на контакт металл-полупроводник с барьером Шоттки // Сборник ВИМИРИ-ПОРТ. — 1974. — №8. — С.
197588. В.І.Стріха, Г.Д.Попова, Є.В.Бузаньова. Електрофізичні властивості
омічних контактів метал — тонкий діелектрик — напівпровідник // Вісник КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Серія фізики. — 1975. — в.16. — С.93–97.
89. A.П.Ветров, В.И.Стриха. Установка для автоматического измере-ния и обработки вольт-амперных характерискик полупроводниковых диодов с использованием ЭВМ // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1975. — вып.19. — С.72–75.
90. В.И.Стриха, Г.Д.Попова, Е.В.Бузанева. Физические основы изготов-ления омических контактов металл-полупроводник. I. // Полупровод-никовая техника и микроэлектроника. — 1975. — вып.19. — С.82–86.
91. В.И.Стриха, Г.Д.Попова, Е.В.Бузанева. Физические основы изготов-ления омических контактов металл-полупроводник. II. // Полупровод-никовая техника и микроэлектроника. — 1975. — вып.20. — С.20–35.
92. A.N.Korol, M.Ye.Kitsai, V.I.Strikha, D.I.Sheka. Effect of deep impurity levels on Shottky barrier diode characteristics // Solid State Electronics. — 1975. — v.18, n.5A. — P.375–379.
93. Ю.А.Доброжанский, С.С.Кильчицкая, В.А.Преснов, В.И.Стриха. О механизме прохождения фототока в поверхностно-барьерных диодах
– 22 –
металл-кремний // Физика и техника полупроводников. — 1975. — т.9, в.11. — С.1348–1350.
94. В.И.Паничевская, В.И.Стриха. О температурной зависимости диффе-ренциального сопротивления диодов с барьером Шоттки // Радиотех-ника и электроника. — 1975. — т.20, в.7. — С.1559–1560.
95. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая, Н.П.Пшеничников. Исследование спек-тра поверхностных электронных состояний и механизма прохождения тока в прижимных контактах металл-германий // В кн.: «Физические основы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки». Киев: «Знання», 1975. — С.
96. В.И.Стриха, Б.С.Муравский. Исследование уровней возникновения неустойчивостей тока в диодах с барьером Шоттки // В кн.: «Физи-ческие основы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки». Киев: «Знання», 1975. — С.
97. В.И.Стриха, Е.Н.Лобарев, Е.В.Бузанева. Влияние облучения электронами на свойства диодов Ni-n-Ge с барьером Шоттки // В кн.: «Физические основы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки». Киев: «Знання», 1975. — С.
98. В.И.Стриха, Д.И.Шека. О природе отрицательной емкости в диодах с барьером Шоттки // В кн.: «Физические основы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки». Киев: «Знання», 1975. — С.
99. А.П.Ветров, В.И.Стриха. Экспериментальный метод определения вы-соты потенциального барьера полупроводниковых диодов // Диэлек-трики и полупроводники. — 1975. — вып.8. — С.61–65.
1976100. В.І.Стріха, Т.С.Сіденко. Вольт-амперні характеристики діо-
дів з бар’єром Шотткі для струмів через поверхневі рівні // Вісник КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Серія фізики. — 1976. — в.17. — С.83–88.
101. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева, С.А.Груша, Г.В.Кузнецов. Некоторые вопросы создания низкотемпературных смесительных СВЧ диодов с барьером Шоттки // Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. — 1976. — №3. — С.12–20.
102. Т.Д.Попова, Е.В.Бузанева, В.И.Стриха. Температурная зависи-мость сопротивления омических контактов металл — n-арсенид галлия // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. — 1976. — в.6. — С.77- 82.
103. М.Е.Кицай, А.Н.Король, В.И.Стриха. Влияние глубоких уровней на избыточный шум диодов с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1976. — вып.22. — С.43–48.
104. В.И.Стриха. По поводу статьи В.Н.Фионика, В.Г.Шермаревича «Новый метод определения высоты потенциального барьера в выпрямляющем контакте металл-полупроводник» (ФТП, 9, 974, 1975) // Физика и техника полупроводников. — 1976. — т.10, в.3. — С.611.
– 23 –
1977105. В.И.Паничевская, Е.В.Бузанева, А.В.Осипов, В.И.Стриха. Спектр
поверхностных состояний и механизм переноса тока в напыленных контактах металл-кремний с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1977. — вып.26. — С.9–16.
106. Т.С.Сиденко, В.И.Стриха, Д.И.Шека, В.И.Паничевская. Вольтам-перная характеристика контакта металл-полупроводник с тун-нельно непрозрачным диэлектрическим зазором // Радиотехника и электроника. — 1977. — т.22, № 5. — С.1038–1042.
107. В.А.Чаплюк, Е.В.Бузанева, В.И.Стриха. Сравнение некоторых ме-ханизмов прохождения носителей заряда через тонкий диэлектрик в МД1Д2П-структурах // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физи-ки. — 1977. — вып.18. — С.96–101.
108. Т.С.Сиденко, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Вольтамперная характерис-тика контакта металл-полупроводник с туннелньо непрозрачным диэлектрическим зазором // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1977. — вып.18. — С.107–113.
109. С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Фотоэлектрические свойства контактов металл-кремний // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1977. — вып.26. — С.16–21.
1978110. В.И.Стриха. Физические основы работы и применения контакта
металл-полупроводник с барьером Шоттки // Полупроводниковая тех-ника и микроэлектроника. — 1978. — вып.27. — С.3–15.
111. В.И.Паничевская, В.И.Стриха. Спектр поверхностных электронных состояний в контактах металл-кремний с барьером Шоттки // Полу-проводниковая техника и микроэлектроника. — 1978. — вып.27. — С.27–33.
112. Е.В.Бузанева, Е.Н.Лобарев, В.И.Стриха. Физические процессы в структурах металл — тонкий диэлектрик — полупроводник с барьером Шоттки и возможные применения их в устройствах микроэлектроники // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1978. — вып.27. — С.50–59.
113. С.С.Кильчицкая, Т.С.Кильчицкая, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. Влияние поверхностного легирования на электрофизические свойства контак-тов металл-германий // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физи-ки. — 1977. — вып.19. — С.67–71.
114. А.Н.Король, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Учет неравновесности в задачах об определении параметров глубоких примесных уровней из характе-ристик контакта металл-полупроводник // Физика и техника полупро-водников. — 1978. — т.12, в.8. — С.1658.
115. П.Е.Бердниченко, В.И.Стриха, Ю.А.Тхорик, Ю.М.Шварц. Поверх-ностные электронные состояния в гетеропереходах Ge — GaAs // Фи-
– 24 –
зика и техника полупроводников. — 1978. — т.12, в. 11. — С.2266–2268.
1979116. В.В.Ильченко, Е.В.Бузанева, В.И.Стриха. Электронные свой-
ства границы раздела силицид палладия — n-кремний // В кн: «Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки». Киев: «Наукова думка», 1979. — С.100–103.
117. В.Б.Берников, В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Электронные состояния границы раздела и механизм переноса заряда в контактах силицид ти-тана — n-кремний // В кн: «Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки». Киев: «Наукова думка», 1979. — С.39–43.
118. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева, А.П.Ветров, Г.Д.Попова, А.Г.Шкавро, Т.П.Трайнис. Определение параметров р+-слоя в контактах Al — р+-слой — n-Si // В кн: «Полупроводниковые приборы с барьером Шот-тки». Киев: «Наукова думка», 1979. — С.193–197.
119. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева, Г.В.Кузнецов, Г.Д.Попова. Теоретическое и экспериментальное исследование контактов металл — тонкий ди-электрик — низкоомный арсенид галлия // В кн: «Полупроводнико-вые приборы с барьером Шоттки». Киев: «Наукова думка», 1979. — С.197–203.
120. И.А.Коломиец, Л.С.Мима, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спин-зависимый перенос тока в пластически деформированном кремнии // Физика и техника полупроводников. — 1979. — т.13, в.3. — С.427–434.
121. Д.И.Шека, А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Таммовские состоя-ния у поверхности высокой симметрии кубического полупроводника АIIIBV // Физика и техника полупроводников. — 1979. — т.13, в.6. — С.1068–1071.
122. А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Расчет поверхностных состояний в системе металл — диэлектрик — полупроводник методом функции Грина // Физика и техника полупроводников. — 1979. — т.13, в.6. — С.1065–1067.
123. Е.В.Бузанева, В.В.Ильченко, С.А.Королько, В.И.Стриха. Электронные свойства и механизм переноса заряда через границу раздела силицид титана — n-кремний // Украинский физический журнал. — 1979. — т.24, №12. — С.1893–1895.
124. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Спектр поверхностных электронных со-стояний в контактах металл-кремний // Украинский физический жур-нал. — 1979. — т.24, №12. — С..
125. О.С.Зинец, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Частотные характеристики контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки // Полупроводни-ковая техника и микроэлектроника. — 1979. — вып.31. — С.48–55.
126. В.И.Стриха. Поверхностные электронные состояния в контакте металл-полупроводник // В кн.: «Материалы IV Всесоюзной школы-
– 25 –
семинара по физике поверхности полупроводников». Ленинград: Из-дательство ЛГУ, 1979. — С.162–182.
127. В.И.Стриха, Т.С.Сиденко. Перенос заряда в структурах металл — переходной слой — полупроводник с участием локализованных со-стояний в объеме переходного слоя // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1979. — в.30. — С.97–102.
1980128. В.Г.Левандовский, В.И.Стриха, Г.Е.Чайка. ВАХ диодов Шоттки при
учете генерации-рекомбинации в области пространственного заряда для диодной теории // Радиотехника и электроника. — 1980. — т.25, №4. — С.847–855.
129. А.Н.Король, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Туннельный резонансный ток в контакте металл-полупроводник // Физика и техника полупроводни-ков. — 1980. — т.14, в.6. — С.1180–1185.
130. Д.И.Шека, А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Поверхностные моды плазмонов в контакте металл-полупроводник // Физика и техника по-лупроводников. — 1980. — т.14, в.9. — С.1772–1777.
131. Л.С.Мима, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спинзависимая рекомбинация в пластически деформированном кремнии // Физика и техника полупро-водников. — 1980. — т.14, в.11. — С.2242–2246.
132. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха, П.П.Шевчук. Внедрение ионов переходных металлов группы железа в кремний и разрушение кремния // Журнал технической физики. — 1980. — т.50, в.1. — С.173–175.
133. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха, П.П.Шевчук. Явления осаждения слоя пе-реходного металла на кремниевом аноде // Электрохимия. — 1980. — т.16, в.12. — С.1882–1883.
134. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха, П.П.Шевчук. Адсорбция на поверхности кремния из растворов вольфраматов натрия и калия // Журнал физи-ческой химии. — 1980. — т.54, в.3. — С.715–718.
135. Е.В.Бузанева, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. Энергетический спектр аморфных состояний в структурах титан — аморфный слой — крем-ний // Электронная техника. Серия 3. Микороэлектроника. — 1980. — в.4 (88). — С.19–23.
136. Н.П.Юрченко, Г.И.Баталин, В.И.Стриха. Исследование поверхности раздела алюминий-кремний в диодах с барьером Шоттки // Украин-ский физический журнал. — 1980. — т.25, № 8. — С. 1383–1384.
137. Н.П.Юрченко, Г.И.Баталин, В.И.Стриха. Перераспределение Sі в структурах Sі-Al-(111)Si при низких температурах отжига // Неорга-нические материалы. — 1980. — т.16, в.8. — С.913–915.
1981138. А.М.Воскобойников, Д.И.Шека, В.И.Стриха. Резонансные состояния,
локализованные у границы раздела контакта металл-полупроводник // Физика и техника полупроводников. — 1981. — т.15, в.1. — С.210.
– 26 –
139. В.И.Стриха, Г.В.Кузнецов. Перспективы применения диодов Шот-тки в СВЧ диапазоне // В кн.: «Институт радиофизики и электроники АН УССР», 1981. — С.3–20.
140. В.Г.Левандовский, В.И.Стриха, Г.Е.Чайка. ВАХ контакта металл-полупроводник с учетом генерации-рекомбинации в области про-странственного заряда в предположении диффузионной теории // По-лупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1981. — вып.32. — С.95–104.
141. Е.А.Альперович, М.Я.Бочарников, Э.Е.Вольфсон, В.И.Паничевская, Г.Ф.Рождественский, В.И.Стриха. Об оптимизации высоты барьера в выпрямительных диодах Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1981. — вып.33. — С.52–57
142. Е.В.Бузанева, Ю.П.Костиков, В.И.Стриха, В.И.Стрыканов. Рентге-новская фотоэлектронная спектроскопия легированной поверхности кремния // Физика и техника полупроводников. — 1981. — т.15, в.2. — С.269–274.
143. Ф.И.Борисов, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Некоторые спин-зависимые эффекты, связанные с прохождением тока в диодах с длинной базой // Физика и техника полупроводников. — 1981. — т.15, в.10. — С.1978–1982.
144. Л.С.Мима, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спин-зависимая рекомбинация в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. — 1981. — т.15, в.9. — С.172–1732.
1982145. Е.В.Бузанева, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. О прохождении туннельного
резонансного тока в контактах металл-полупроводник // Радиотехни-ка и электроника. — 1982. — т.27, №3. — С.615–617.
146. В.И.Стриха, А.П.Ветров. Лабораторные работы по курсу полу-проводниковых приборов с использованием мини-ЭВМ // Пробле-мы высшей школы. II. Применение ЭВМ при решении учебных за-дач. — 1982. — с.21–25.
147. И.В.Белоусов, В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Физическая модель и меха-низм переноса носителей заряда в контактах силицид вольфрама — кремний // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1982. — №11. — С.27–31.
148. Е.В.Бузанева, В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Тунельно-резонансный ток в контактах металл-кремний, легированный палладием // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1982. — №3. — С.76–79.
149. Е.В.Бузанева, Г.А.Зыков, В.И.Стриха, В.М.Ткаченко, П.П.Шевчук. Ка-тодное внедрение никеля в кремний // Электрохимия. — 1982. — т.18, в.2. — С.292–295.
150. Л.С.Мима, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спинзависимая рекомбинация при поляризованном оптическом возбуждении // Физика и техника по-лупроводников. — 1982. — т.16, в.9. — С.1700–1703.
– 27 –
151. Е.В.Бузанев, В.Л.Жук, В.И.Стриха, А.Г.Шкавро. Сравнение мате-матической модели распределения температуры в системах металл-полупроводникмс экспериментальными данными // Электронное мо-делирование. — 1982. — №2. — С.100–101.
152. В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спинзависимая рекомбинация в полупро-водниках и полупроводниковых структурах // Оптика и спектроско-пия. — 1982. — т.53, в.4. — С.750–752.
153. О.С.Зинец, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки при учете токов через поверхностные состояния // Гелиотехника. — 1982. — №1. — С.8–13.
1983154. Е.В.Бузанева, А.Д.Вдовиченко, В.В.Еременко, Ю.И.Прокопчук,
В.И.Стриха. Действие α-облучения на свойства границы раздела алюминий-кремний // Украинский физический журнал. — 1983 — т.28, №2. — С.259–263.
155. В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Перестройка электронной структуры границы раздела силицид металла-кремний при низкотемператур-ном отжиге // Украинский физический журнал. — 1983 — т.28, №2. — С.248–252.
156. С.С.Кильчицкая, С.В.Литвиненко, В.И.Стриха, А.И.Мехед. Влия-ние толщины промежуточных окисных слоев в контакте металл-полупроводник на свойства солнечных элементов с барьером Шоттки // Гелиотехника. — 1983. — №3. — С.17–19.
157. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха, Г.Е.Чайка. Об образовании поверхностного заряда на границе раздела металл-полупроводник // Украинский физи-ческий журнал. — 1983 — т.28, №4. — С.575–581.
158. Е.В.Бузанева, А.Д.Вдовиченко, В.Г.Левандовский, Г.Д.Попова, В.И.Стриха. Физическая модель структур металл — р+-n-кремний с радиационными дефектами в кремнии // Электронная техника. Се-рия 2. Полупроводниковые приборы. — 1983. — в.4(163). — С.15–28.
159. Д.И.Шека, А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Локальная плотность фундаментальных состояний в структуре металл — промежуточный слой — полупроводник // Известия высших учебных заведений. Фи-зика. — 1983. — №3. — С.89–93.
1984160. В.В.Ильченко, В.И.Стриха. ВАХ контакта металл — аморфный крем-
ний для экспоненциального распределения плотности локализованных состояний // Физика и техника полупроводников. — 1984. — т.18, в.5. — С.873–876.
161. А.М.Воскобойников, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Локализованные электронные состояния в контакте металл-полупроводник // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1984. — №25. — С.112–119.
– 28 –
162. А.Р.Назарьян, О.Б.Огурцов, В.И.Стриха, В.А.Хрусталев. Физические, функциональные и технологические ограничения минимальных раз-меров контактов металл-полупроводник в приборах с барьером Шот-тки // Электронная техника. Серия 8. — 1984. — №4. — С.18–29.
163. Е.В.Бузанева, В.Г.Левандовский, В.И.Стриха, А.А.Шумило. Опред-еление высоты потенциального барьера области пространственно-го заряда в полупроводнике с инверсионным изгибом зон для струк-тур металл — тонкий диэлектрик — полупроводник // Поверх-ность. — 1984. — №1. — С.84–88.
164. А.А.Андреев, И.В.Бублик, С.С.Кильчицкая, Р.П.Комиренко, А.В.Саченко, В.И.Стриха, Н.А.Феоктистов. Исследование фотоэлек-трических характеристик диодов Шоттки на основе аморфного крем-ния // Поверхность. — 1984. — №8. — С.64–68.
165. Е.В.Бузанева, В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Электронные свойства границы раздела силицида хрома и молибдена в контактах с кремни-ем // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1984. — №8. — С.105–106.
166. Ф.И.Борисов, В.И.Стриха, О.В.Третяк, А.А.Шматов. Спинзависимая генерация неравновесных носителей заряда // Физика и техника полу-проводников. — 1984. — т.18, в.9. — С.1552–1555.
167. Е.В.Бузанева, Е.В.Еременко, Ю.Г.Мунтян, А.И.Прокофьев, З.С.Саган, В.И.Стриха, Д.С.Таранец, П.П.Шевчек, Е.Шпира. Изменение свойств тонкого слоя Al на поверхности p-Si и границы Al приповерхностный слой p-Si при имплантации В+ в Al // Поверхность. — 1984. — №10. — С.131–139.
168. Е.В.Бузанева, Т.А.Вдовенкова, В.В.Еременко, В.И.Стриха, Т.П.Трай-нис, П.А.Шумило. Влияние легирования поверхности n-Si(111) га-долинием на твердофазное взаимодействие Al c Si и распределение примесей в структурах Al — n-Si // Поверхность. — 1984. — №12. — С.85–91.
169. О.С.Зинец, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Влияние промежуточного слоя на характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки // Гелиотехника. — 1984. — №6. — С.15–19.
1985170. В.И.Ильченко, В.И.Стриха. Влияние сил изображения на вольт-
амперную характеристику контакта металл — α-Si // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1985. — №2. — С.88–92.
171. В.И.Стриха, В.В.Ильченко, Е.В.Бузанева. Механизм переноса тока в контактах силицид платины — кремний // Радиотехника и электроника. — 1985. — т.30, в.5. — С.998–1001.
172. Е.В.Бузанева, В.Г.Левандовский, В.И.Стриха. Инжекция в структу-ру металл — тонкий р+ слой — n-полупроводник // Радиотехника и электроника. — 1985. — т.30, в.5. — С.1403–1408.
– 29 –
173. В.Г.Кобка, Р.П.Комиренко. Ю.П.Медведев. В.И.Стриха. О.В.Третяк. Спин-зависимая электропроводность нелегированного поликристал-лического кремния // Украинский физический журнал. — 1985. — т.30, №2. — С.252–256.
174. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха, Г.Е.Чайка. Об образовании поверхностного заряда на границе раздела металл-полупроводник // Украинский физи-чески й журнал. — 1985. — т.30, №4. — С.575–581.
175. В.И.Стриха, В.И.Паничевская, Г.А.Зыков, Л.И.Безрук, Е.Л.Зубарькова, Ж.А.Альперович. Особенности деградации контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки большой площади // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. — 1985. — в.1(174). — С.16–21.
176. Е.В.Бузанева, А.П.Ветров, В.Г.Левандовский, Г.Д.Попова, А.Г.Шкавро. Моделирование электрофизических характеристик структур металл-р+-слой-n-полупроводник с неоднородным по тол-щине р+-слоем // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. — 1985. — в.4(177). — С.31–36.
177. Е.А.Альперович, В.И.Паничевская, В.И.Стриха. Оптимиза-ция эффективности работы выпрямительных диодов с барье-ром Шоттки // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. — 1985. — в.6(179). — С..
178. Н.И.Бондарь, В.И.Стриха, А.Г.Шкавро. Тепловое старение структур алюминий-кремний с барьером Шоттки // Электронная техника. Се-рия 3. Микроэлектроника. — 1985. — в.3. — С.
179. Е.В.Бузанева, А.Д.Вдовиченко, В.И.Стриха, Т.П.Трайнис, А.Г.Шкавро. Исследование физических причин ненадежности контактов Al-Si дио-дов с барьером Шоттки в интегральных схемах // Электронная техни-ка. Серия 3. Микроэлектроника. — 1985. — в.2. — С.64–69.
180. Д.И.Шека, А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Локальная плотность фундаментальных состояний в структуре металл — промежуточный слой — полупроводник // Известия высших учебных заведений. Фи-зика. — 1985. — №3. — С.89–93.
181. Ф.И.Борисов, Ю.В.Воробьев, В.И.Стриха, О.В.Третьяк, А.А.Шматов. Исследование спин-зависимой рекомбинации в пленках кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. — 1985. — т.19, в.5. — С.859–863.
182. А.К.Бабак, С.С.Кильчицкая, А.И.Стриха, В.А.Афанасьев А.В.Иевский, Н.Г.Лозовая. Исследование лавинного фототока диодов с барье-ром Шоттки на краю собственного поглощения // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1985. — №12. — С.83–86.
1986183. Р.П.Комиренко, С.С.Кильчицкая, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха.
Спектральные характеристики контакта металл — α-Si:H — металл // Поверхность. — 1986. — №5. — С148–150.
– 30 –
184. Е.В.Бузанева, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. Температурные измене-ния электронных состояний границы раздела металл-кремний // Микроэлектроника. — 1986. — т.15, в.3. — С.275–277.
185. Ю.В.Воробьев, С.С.Кильчицкая, Р.П.Комиренко, С.В.Литвиненко, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Эффекты неаддитивности возбуж-дения фототока в контакте металл — гидрогенизованный аморфный кремний // Физика и техника полупроводников. — 1986. — т.20, в.4. — С.661–664.
186. Ю.Г.Аскеров, А.А.Гурбанов, В.И.Стриха, А.Г.Шкавро. Изменение ВАХ в диодах Шоттки при локальном механическом нарушении границы металл-полупроводник // Известия высших учебных заведе-ний. Физика. — 1986. — №2. — С.88–90.
187. В.И.Стриха, Д.И.Шека. ВАХ контакта металл-полупроводник в усло-виях токового нарушения функции распределения // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1986. — №4. — С.32–38.
188. Е.В.Бузанева, Е.В.Винник, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Физико-химические свойства окисленной поверхности поликристаллическо-го n-CdTe // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1986. — №10. — С.15–20.
189. В.И.Стриха, В.В.Ильченко. Учет туннелирования через область про-странственного заряда в контакте металл — аморфный кремний // Из-вестия высших учебных заведений. Физика. — 1986. — №11. — С.3–7.
190. Е.В.Бузанева, Т.А.Рогова, В.И.Стриха. Модификация состава окисла на поверхности n-Si(111) и α-Si:H с адсорбированным углеродом при электронном облучении // Поверхность. — 1986. — №1. — С.83–86.
191. Р.П.Комиренко, С.С.Кильчицкая, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Спектральные характеристики контакта металл — α-Si:H — металл // Поверхность. — 1986. — №5. — С.148–150.
192. Д.И.Шека, А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Формирование потенци-ального барьера и межэлектронное взаимодействие в квазидвумерном газе поверхностных электронов в структуре металл — полупроводник // Поверхность. — 1986. — №8. — С.74–80.
193. Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. Анализ детального хода вольт-амперной характеристики контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1986. — №27. — С.50–60.
194. Р.П.Комиренко, С.С.Кильчицкая, А.В.Саченко, В.И.Стриха, А.А.Ан-дреев. Характеристики солнечных элементов с барьером Шот-тки на основе аморфного гидрогенизованного кремния // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1986. — №27. — С.60–63.
195. Е.А.Альперович, В.И.Паничевская, В.И.Стриха. Свойства контак-тов алюминий — кремний, изготовленных по субмикронной тех-нологии // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. — 1986. — №4. — С.21–23.
– 31 –
196. С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Свойства солнечных элементов с барье-ром Шоттки (обзор) // Оптоэлектроника и полупроводниковая техни-ка. — 1986. — вып.10. — С.3–10.
197. В.И.Стриха, О.В.Третяк. Явления спин-зависимого переноса и ре-комбинации в кремнии и основанных на нем устройствах // Известия АН СССР. Серия физическая. — 1986. — т.50, в.2. — С.247–250.
198. В.І.Стріха, В.В.Ільченко. Стрибковий механізм перенесення струму в контакті метал — α-Si:H // Доповіді АН УРСР. Серія А — фізико-математичні та технічні науки. — 1986. — №10. — С.50–53.
199. И.А.Коломиец, Р.П.Комиренко, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спин-зависимый перенос носителей заряда в контакте Al-Si // Поверх-ность. — 1986. — №3. — С.69–73.
1987200. Е.В.Бузанева, Г.В.Кузнецов, А.Ю.Прокофьев, З.С.Саган, В.И.Стриха,
А.А.Шумило. Эффект уменьшения сопротивления пленки алюми-ния субмикронной толщины на кремнии при имплантации ионов бора // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1987. — №7. — С.103–105.
201. С.С.Кильчицкая, С.В.Литвиненко, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха, В.П.Толстой. ИК-спектры многократного пропускания сверхтонких слоев оксида кремния на кремнии // Поверхность. — 1987. — №4. — С.99–104.
202. В.И.Стриха. Об оценке эффективности полупроводниковых диодов на СВЧ в случае обеднения у выпрямляющего контакта // Радиотехника и электроника. — 1987. — т.32, в.5. — С.918–921.
203. И.В.Медведев, И.В.Белоусов, В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Исследова-ние особенностей электрофизических свойств контактов силицид Co-Si // В кн. «Физико-технологические методы в вычислительной техни-ке. Сборник научных трудов». — Киев: ИК АН УССР, 1987. — С.31–36.
204. В.В.Ильченко, В.Г.Левандовский, В.И.Стиха. Теоретический анализ генерационно-рекомбинационных токов в контакте металл — α-Si // Украинский физический журнал. — 1987. — т.32, №2. — С.290–295.
205. V.V.Ilchenko, V.I.Strikha. Current transport mechanisms for the metal-amorphous silicon contact // Journal of Non-Crystalline Solids. — 1987. — v.90, n.1–3. — P.335–338.
206. В.И.Стриха, О.В.Третяк, А.А.Шматов, Г.М.Мозок. К вопросу об изме-рении релаксации емкости в спектроскопии глубоких уровней // Фи-зика и техника полупроводников. — 1987. — т.21, в.4. — С.653–656.
207. Н.Г.Кувшинский, И.И.Ляшко, Н.Г.Находкин, В.И.Стриха, В.М.Комко. Явления наростания интенсивности фотогенерации в аморфном по-лимерном полупроводнике // Доклады АН СССР. — 1987. — т.294, в.5. — С.1093–1097.
– 32 –
1988208. В.І.Стріха, О.А.Шульга. Біосенсори на основі напівпровідникових
структур // Вісник АН УРСР. — 1988. — №2. — С.21–33.209. Ю.В.Воробьев, С.С.Кильчицкая, Р.П.Комиренко, В.А.Скрышевский,
В.И.Стриха. Продольная фотопроводимость структур металл — аморфный кремний — металл // Известия высших учебных заведе-ний. Физика. — 1988 — №9 — С.57–61.
210. В.И.Стриха, В.В.Ильченко М.М.Мездрогина, А.А.Андреев. Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморф-ном гидрированном кремнии // Физика и техника полупроводни-ков. — 1988. — т.22, в.3. — С.461–464.
211. И.В.Белоусов, В.П.Деркач, В.В.Ильченко, И.В.Медведев, В.И.Стриха. Исследование электрофизических свойств пленок дисилицидов ко-бальта и контактов на их основе // Микроэлектроника. — 1988. — т.17, в.4. — С.339–342.
212. Н.Г.Кувшинский, В.М.Комко, И.И.Ляшко, Н.Г.Находкин, В.И.Стриха. Явление двухступенчатой фотогенерация носителей тока в эксипленках // Украинский физический журнал. — 1988. — т.33, №7. — С.1026–1028.
213. Н.Г.Кувшинский, В.И.Стриха. Электронная структура энергетических зон транспорта носителей в полимерных полупроводниках // Хими-ческая физика. — 1988. — т.7, в.9. — С.1245–1247.
214. М.Г.Бузынный, В.В.Ильченко, П.Г.Лисняк, В.И.Стриха. Особеннос-ти элетрофизических характеристик контактов силицид платины — кремний при импульсных перегрузках // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1988 — №9 — С.70–73.
215. С.С.Кильчицкая, С.В.Литвиненко, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Влияние изменения промежуточного слоя на электрофизические свой-ства контакта металл-полупроводник // Известия высших учебных за-ведений. Физика. — 1988 — №9 — С.86–90.
216. С.С.Кильчицкая, Т.С.Кильчицкая, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха, В.П.Толстой. Применение ИК спектроскопии отражения-поглощения для исследования диэлектрических слоев в гетероструктурах In2S3-SiOx-Si // Журнал прикладной спектроскопии. — 1988. — т.48, в.3. — С.446–449.
217. В.Л.Винецкий, М.А.Манойло, А.С.Матвийчук, В.И.Стриха. Стиму-лированная ионизацией перестройка дефектов в кремнии // Письма в журнал технической физики. — 1988. — т.14, в.22. — С.2017–2021.
218. Н.Г.Кувшинский, В.М.Комко, И.И.Ляшко, В.И.Стриха. Явления двух-ступенчатой фотогенерации носителей тока в эксипленках // Доклады АН СССР. — 1988. — т.302, в.4. — С.839–841.
– 33 –
1989219. A.V.Elskaya, V.I.Strikha. Enzyme and immune biosensors on the
basis of field-effect transistors — theory and practice // Studia biophysica. — 1989. — v.132, n.1–2. — P.83–92.
220. А.К.Бабак, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Перенос фотогенерированных носителей тока в контакте металл-полупроводник в условиях нако-пления поверхностного заряда // Оптоэлектроника и полупропровод-никовая техника. — 1989. — №15. — С.26–31.
221. В.И.Стриха, В.И.Паничевская, К.И.Якимов, С.В.Пацковский, Е.Л.Зубарькова. Влияние дефектов кремния в барьере Шоттки на про-текающий ток // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. — 1989. — в.2(199). — С.
222. В.В.Еременко, Г.В.Кузнецов, С.С.Кильчицкая, С.В.Литвиненко, М.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Влияние условий формирования кон-тактов титан-кремний на параметры солнечных элементов на их осно-ве // Гелиотехника. — 1989. — №4. — С.20–25.
223. А.П.Ветров, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. Дифференцирующие методы контроля параметров диодных структур с барьером Шоттки // Микроэлектроника. — 1989. — т.18, в.1. — С.88–89.
224. В.А.Авраменко, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха, Д.И.Шека. N-образная вольт-амперная характеристика диодной структуры с переменной то-пологией области обеднения // Микроэлектроника. — 1989. — т.18, в.5. — С.470–472.
225. А.В.Ельская, В.И.Поломарчук, А.К.Сандровский, А.П.Солдаткин, Н.Ф.Стародуб, В.И.Стриха, О.С.Фролов, Л.Н.Хусточка, А.А.Шульга. Биосенсор на основе рН-чувствительных полевых транзисторов для определения глюкозы // Электрохимия. — 1989. — т.25, в.5. — С.674–679.
226. Г.В.Кузнецов, В.Г.Левандовский, В.И.Стриха,. Моделирование кон-такта металл — высокотемпературный сверхпроводник в услови-ях планарно-неоднородного прохождения туннельного тока // В кн.: «Проблемы высокотемпературной проводимости. Сборник научных трудов». — Киев: «Наукова думка», 1989. — С.59–62.
227. Ю.А.Аверкин, Н.К.Кардамонов, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха, А.В.Харламов. Исследование спектров ИК-поглощения тонких пле-нок оксида и нитрида кремния в р-поляризованном свете // Украин-ский физический журнал. — 1989. — т.34, №12. — С.1817–1821.
228. В.С.Львов, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Межцентровые переходы носите-лей в частично разупорядоченном кремнии — расчет // Физика твер-дого тела. — 1989. — т.31, в.11. — 197–205.
229. В.С.Львов, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Межцентровые переходы носите-лей в частично разупорядоченном кремнии — эксперимент и обсужде-ние результатов // Физика твердого тела. — 1989. — т.31, в.11. — 206–213.
– 34 –
230. Н.А.Давиденко, Н.Г.Кувшинский, В.И.Стриха. Электронная структу-ра и зоны энергии переноса носителей в тонких пленках полупровод-ников на основе карбазола // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1989. — №7. — С.47–51.
231. Б.С.Муравский, В.И.Стриха. Особенности токопереноса в структу-рах металл — туннельно-прозрачный окисел — полупроводник // В кн.: «Физика и применение контакта металл-полупроводник. Сбор-ник научных трудов». Краснодар: Кубанский государственный ун-т, 1989. — С.4–8.
232. А.М.Воскобойников, В.И.Стриха, В.В.Смоляр. Поверхностные элек-тронные состояния, участвующие в туннельно-резонансном токопро-хождении в контакте металл-полупроводник // В кн.: «Физика и при-менение контакта металл-полупроводник. Сборник научных трудов». Краснодар: Кубанский государственный ун-т, 1989. — С.12–15.
1990233. А.М.Воскобойников, В.В.Смоляр, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. За-
висимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке // Физика и техника полупро-водников. — 1990. — т.24, в.3. — С.413–417.
234. А.М.Воскобойников, В.В.Смоляр, В.И.Стриха. Туннельно-резонансное токопрохождение с участием поверхностных уровней в М-ТД-П структурах // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физи-ки. — 1990. — №1. — С.32–34.
235. В.В.Ильченко, В.И.Стриха, С.О.Тарасенко. Влияние тонких слоев ти-тана на электронные свойства границы раздела силицид молибдена-кремний // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1990. — №1. — С.37–42.
236. В.А.Скрышевский, С.В.Литвиненко, В.И.Стриха. Датчик электро-нов на основе кремниевого барьера Шоттки со слоем туннельно-прозрачного диэлектрика // Физика и техника полупроводников. — 1990. — т.24, в.10. — С.1886–1888.
237. В.А.Авраменко, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Масштабная неинвариант-ность экранирования двумерных электрических полей в эпитаксиаль-ных полупроводниковых структурах // Микроэлектроника. — 1990. — т.19, в.4. — С.408–411.
238. А.А.Шульга, В.И.Стриха. Современное состояние разработок биосен-соров на основе полупроводниковых структур // В кн.: «Биотехника — новое направление компьютеризации», Москва: «Наука», 1990. — С.63–91.
239. В.И.Стриха, В.И.Паничевская, А.П.Ветров, С.В.Пацковский, Е.Л.Зу-барькова. Свойства структурных дефектов барьера Шоттки и их роль в процессах токопереноса // Электронная техника. Серия 2. Полупро-водниковые приборы. — 1990. — в.2(204). — С.
– 35 –
240. А.П.Солдаткин, А.К.Сандровский, А.А.Шульга, В.И.Стриха. Глюкозный биосенсор на основе рН-чувствительных полевых тран-зисторов. Влияние состава раствора на отклик сенсора // Журнал ана-литической химии. — 1990. — т.45, в.7. — С. 1018–1021.
241. В.А.Авраменко, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Структура об-ласти обеднения и вольт-амперные характеристики контакта металл-полупроводник с омическими включениями // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1990. — №4 — С.21–25.
242. В.Л.Винецкий, М.А.Манойло, А.С.Матвийчук, В.И.Стриха, Г.А.Холодарь. Перестройка дефектов в кремнии под действием электронов подпороговых энергий // Известия высших учебных заве-дений. Физика. — 1990. — №6. — С.32–37.
243. А.Н.Король, Д.И.Шека, В.И.Стриха. О возможности получения отри-цательного дифференциального сопротивления в диодах Шоттки // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1990. — №10. — С.120–121.
244. С.С.Кильчицкая, С.В.Литвиненко, А.К.Сандровский, В.И.Стриха, Ю.С.Крас нов. Зависимость фоточувствительности солнечных эле-ментов со структурой металл — туннельный диэлектрик — полупро-водник от свойства границ раздела // Известия высших учебных заве-дений. Физика. — 1990. — №11. — С.30–35.
1991245. N.G.Kuvshinski, I.I.Liashko, N.G.Nakodkin, V.I.Strikha. Phenomenon of
photogeneration efficiency rising in amorphous polymeric semiconductors in the absorption region of charge-transfer // Journal of information recording materials. — 1991. — v.19, n.3. — P.221–226.
246. E.V.Buzaneva, A.P.Vetrov, G.D.Popova, V.I.Strikha. Atomic and electronic structure formation at the metal-Cd1-xMnxTe interface // Superlattices and microstructures. — 1991. — v.10, n.4. — P.479–483.
247. Ю.В.Воробьев, В.Н.Захарченко, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Не-аддитивность и неустойчивость фототока квазиоднородных пле-нок аморфного кремния Si // Физика и техника полупроводни-ков. — 1991. — т.25, в.2. — С.334–336.
248. Р.П.Комиренко, С.В.Литвиненко, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Фо-тоэлектрические характеристики каскадных структур a-Si:H/c-Si // Физика и техника полупроводников. — 1991. — т.25, в.11. — С.2030–2037.
249. В.А.Скрышевский, С.В.Литвиненко, В.И.Стриха. Свойства электрон-ночувствительных датчиков с барьером Шоттки // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1991 — №4. — С.76–81.
250. И.В.Белоусов, В.В.Ильченко, И.В.Медведев, В.И.Стриха, С.О.Та-расенко. Электрофизические свойства контактов силицид кобальта-кремний и влияние на них особенностей твердофазного взаимодей-
– 36 –
ствия на границе раздела металл-полупроводник // Микроэлектрони-ка. — 1991. — т.20, в.1. — С.16–20.
1992251. E.V. Buzaneva, G.D. Popova, V.I.Strikha, A. Rodzik, E. Czarnecka-Such.
Modelling and experimental studies of the metal (Pd, Sn)-CdTe structures with Ohmic behavior // Superlattices and Microstructures. — 1992. — v.11, n.1. — P.1–9.
252. A.A.Shulga, A.C.Sandrovsky, V.I.Strikha, A.P.Soldatkin, N.F.Starodub, A.V.Elskaya. Overall characterization of ISFET-based glucose biosensor // Sensors and Actuators B — Chemical. — 1992. — v.10, n.1. — P.41–46.
253 V.A.Skryshevsky, V.I.Strikha, H.Gleskova. The Au-SiOx-a-Si:H struc-tures with very thin anodic oxide layers // Czechoslovak Journal of Phys-ics. — 1992. — v.42, n.3. — P.331–338.
254 А.Г.Акимов, А.П.Ветров, В.В.Ильченко, В.С.Неволин, В.И.Стриха, А.Н.Ходан. Электрофизические свойства контакта YBaCuO пленки Ga-n-Si // Сверхпроводимость. — 1992. — т.5, в.4. — С.744–747.
255 А.Г.Акимов, В.В.Ильченко, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха, В.И.Паничевская, А.Н.Ходан, С.О.Тарасенко. Влияние тонких слоев титана на электрофизические свойства контактов силицид молибдена — кремний // Микроэлектроника. — 1992. — т.21, в.1. — С.91–94.
256 V.I.Strikha, A.A.Shulga, S.V.Patskovsky, S.V.Dziadevich, A.V.Elskaya, A.P.Soldatkin, O.A.Bubriak. Thin-film Conductometric Biosensor for Glu-cose and Urea Derermination // In: «Proceedings of Second World Con-gress on Biosensors. Geneva, Switzerland, 1992, 20–22 May». — Oxford: Elsevier, 1992. — P.81–88.
1993257. A.A. Shul’ga, V.I.Strikha, A.P. Soldatkin, A.V. El’skaya, H. Maupas,
C. Martelet, P. Clechet. Removing the influence of buffer concentration on the response of enzyme field effect transistors by using additional mem-branes // Analytica Chimica Acta. — 1993. — v.278, n.2. — P.233–236.
258. A.M.Nyamsi Hendji, N. Jaffrezic-Renault, C. Martelet, P. Clechet, A.A. Shlu’ga, V.I.Strikha, L.I. Netchiporuk, A.P. Soldatkin, W.B. Wlodar-ski. Sensitive detection of pesticides using a differential ISFET-based system with immobilized cholinesterases // Analytica Chimica Acta. — 1993. — v.281, n.1. — P.3–11.
259. A.A.Shulga, S.V.Dzyadevich, A.P.Soldatkin, V.I.Strikha, S.V.Patskovsky, N.F.Starodub, A.V.Elskaya. Thin-film conductometric enzyme for the determination of glucose and urea in blood // Russian Electrochemis-try. — 1993. — v.29, n.8. — P.1219–1224.
260. А.П.Ветров, В.В.Ильченко, П.Г.Лисняк, В.И.Стриха, Г.А.Холодарь, Г.Д.Хрыжановский. О возможности изменения свойств контактов
– 37 –
силицид молибдена — кремний при импульсных воздействиях // Радиотехника и электроника. — 1993. — т.38, в.4. — С.760–764.
261. A.P.Soldatkin, O.A.Bubryak, N.F.Starodub, V.I.Strikha. Urease biosensor on field-effect transistor basis design-features and operating parameters in model solutions // Russian Electrochemistry. — 1993. — v.29, n.3. — P.408–414.
262. H.Gleskova, V.V.Ilchenko, V.A.Skryshevsky, V.I.Strikha. CO2-laser an-nealing of Al/α-Si:H // Czechoslovak Journal of Physics. — 1993. — v.43, n.2. — P.169–178.
263. A.A. Shul’ga, S.V. Dzyadevich, A.P. Soldatkin, S.V. Patskovsky, V.I. Strikha. Conductometric biosensor for glucose and urea determina-tion based on microfabricated thin-film interdigitated array electrodes // Bi-ologi Italiani. — 1993. — v.23, n.6. — P.40–45.
264. С.В.Дзядевич, Я.И.Корпан, А.П.Солдаткин, А.А.Шульга, А.В.Ельская, В.И.Стриха. Использование кондуктометрических микробиосенсоров для изучения кинетических параметров ферментов // Украинский биохимический журнал. — 1993. — т.65, в.5. — С.47–53.
1994265. A.A. Shul’ga, A.P. Soldatkin, A.V. El’skaya, S.V. Dzyadevich, S.V. Patsk-
ovsky, V.I.Strikha. Thin-film conductometric biosensors for glucose and urea determination // Biosensors and Bioelectronics. — 1994. — v.9, n.3. — P.217–223.
266. I. V. Belousov, V. V. Il’chenko, G. V. Kuznetsov, V. I. Strikha. Effects of interaction in YBaCuO —- GaAs structures with chemical active sili-cide buffer layer /// Physica C: Superconductivity. — 1994. — v.235–240, part 1. — P.607–608.
267. Ю.В.Бойко, С.С.Кильчицька, Т.С.Кильчицька, В.І.Стріха, О.В.Третяк. Про роль поверхневих станів у перенесенні фотоструму в структурах метал — тунельний діелектрик — напівпровідник // Український фі-зичний журнал. — 1994. — т.39, №5–6. — С.723–726.
268. V.A.Skryshevsky, P.Kus, V.I.Strikha, T.S.Vdovenkova, K.Karlovsky. The photosensitivity of a YBaCuO-Si structure at room temperature // Superconductor science & technology. — 1994. — v.7, n.9. — P.651–654.
269. С.В.Дзядевич, А.П.Солдаткин, А.А.Шульга, В.И.Стриха, А.В.Ельская. Кондуктометрический биосенсор для определения фосфоорганичес-ких пестицидов // Журнал аналитической химии. — 1994. — т.49, в.8. — С.789–792.
270. С.В.Дзядевич, А.А.Шульга, С.В.Пацковский, В.Н.Архипова, А.П.Сол-даткин, В.И.Стриха. Тонкопленочный кондуктометрический дат-чик для ферментных биосенсоров // Электрохимия. — 1994. — т.30, в.8. — С.982–987.
271. С.В.Дзядевич, А.П.Солдаткин, В.К.Россохатый, Н.Ф.Шрам, А.А.Шуль-га, В.И.Стриха. Антропометрический ферментный биосенсор с электрохимически синтезированной мембраной глюкозооксидаза-
– 38 –
полианилин // Украинский биохимический журнал — 1994. — т.66, в.3. — С.54–60.
272. E. Buzaneva, T. Vdovenkova, S. Litvinenko, V. Makhnjuk, V. Strikha, V. Skryshevsky, P. Shevchuk, V. Nemoshkalenko, A. Senkevich, A. Shpak. XPS and AES study of reactive Ti-Si interface // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. — 1994. — v.8. — P.707–711.
1995273. T.A.Vdovenkova, A. P.Vetrov, S.S.Kilchitskaya, T.S.Kilchitskaya,
G.D.Popova, V.I.Strikha. Annealing effect on the characteristics of MTIS solar cells // Solid-State Electronics. — 1995. — v.38, n.11. — P.1929–1932.
274. V.S.Nevolin, V.A.Skryshevsky, V.I.Strikha. P. Kus, K. Karlovský. I–V curves of GdBaCuO/n-Si contact: Revealing of the structural phase transition in the GdBaCuO film at 210–220 K // Czechoslovak Journal of Physics. — 1995. — v.45, n.10. — P.871–877.
275. I.V.Belousov, A.I.Ruban, V.V.Ilchenko, G.V.Kuznetsov, V.I.Strikha. Superconducting YBaCuO thin-films on silicon with barium silicate buffer layers // IEEE transactions on applied superconductivity. — 1995. — v.5, n.2. — P.1510–1512.
1996276. Vjacheslav Volotovsky, Alexey P. Soldatkin, Alexander A. Shul’ga, Victor
K. Rossokhaty, Vitaliy I. Strikha, Anna V. El’skaya. Glucose-sensitive ion-sensitive field-effect transistor-based biosensor with additional positively charged membrane. Dynamic range extension and reduction of buffer concentration influence on the sensor response // Analytica Chimica Acta. — 1996. — v.322, n.1–2. — P.77–81.
277. V.A. Skryshevsky, A. Laugier, V.I. Strikha, V.A. Vikulov. Evaluation of quantum efficiency of porous silicon photoluminescence // Materials Science and Engineering B. — 1996. — v.40, n.1. — P.54–57.
278. В.В.Ильченко, П.Г.Лисняк, В.И.Стриха. Влияние гамма-излучения на электрофизические свойства контактов силицид металла — кремний // Радиотехника и электроника. — 1996. — т.41, в.7. — С.886–889.
279. V.I.Strikha Size Effects in Properties of Metal-Semiconductor Structures with Shottky Barriers // In: «Frontiers in Nanoscale Science of Micron/Submicron Devices. Edited by A.P.Jauho and E.V.Buzaneva. NATO ASI Series. Series E: Applied Sciences. Vol.328». Dordrecht / Boston / London: Kluwer Academic Publishers, 1996. — P.355–374.
1997280. T.Vdovenkova, V.Strikha, V.Vikulov. Auger electron spectroscopy study
of the electronic structure of porous silicon–metal interfaces // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. — 1997. — v.83, n.2–3. — P.159–163.
– 39 –
281. В.М.Поліщук, В.І.Стріха, Є.Сутра, Д.Ніколя, Ж.Р.Мартен. Дослі-дження чутливості на водень нового напівпровідникового сенсора, заснованого на вимірі фотопотенціалу // Український фізичний жур-нал. — 1997. — т.42, №2. — С.216–220.
282. О.Й.Бомк, Я.В.Булавацька, В.В.Ільченко, Г.В.Кузнецов, О.М.Пінчук, В.І.Стріха. Чутливість до аміаку контактів нікель-n-кремній та титан n-кремній // Вісник КНУ ім.Т.Г.Шевченка. Фізико-математичні нау-ки. — 1997. — в.3. — С.250–258.
283. I.Konovalov, V.Strikha, O.Breitenstein. Activation Energy of Locl Currents in Solar Cells Measured by Thermal Methods // Progress in Photovoltaics: Research and Applications. — 1998. — v.6. — P.151–161.
1998284. V. Lysenko, V. Gliba, V. Strikha, A. Dittmar, G. Delhomme, Ph. Roussel,
D. Barbier, N. Jaffrezic-Renault, C. Martelet. Nanoscale nature and low thermal conductivity of porous silicon layers // Applied Surface Science. — 1998. — v.123–124. — P.458–461.
285. V. Lysenko, Ph. Roussel, G. Delhomme, V. Rossokhaty, V.Strikha, A. Dittmar, D. Barbier, N. Jaffrezic-Renault, C. Martelet. Oxidized porous silicon: a new approach in support thermal isolation of thermopile-based biosensors // Sensors and Actuators A: Physical. — 1998. — v.67, n.1–3. — P.205–210
286. V.Polishchuk, E.Souteyrand, J.R.Martin, V.I.Strikha, V.A.Skryshevsky. A study of hydrogen detection with palladium modified porous silicon // Analytica Chimica Acta. — 1998. — v.375, n3. — P.205–210.
287. О.Й.Бомк, В.В.Ільченко, Л.Г.Ільченко, Г.В.Кузнєцов, О.М.Пінчук, В.І.Стріха. Механізм газової чутливості до аміаку структур нікель — n-кремній // Український фізичний журнал. — 1998. — т.43, №1. — С.125–128.
1999288. S.V.Litvinenko, S.S.Kilchitskaya, V.A.Skryshevsky, V.I.Strikha, A.Laugier.
Application of Dynamical Optical Reflection Thermography (DORT) for detecting of dark current inhomogeneity in semiconductor devices // Applied Surface Science. — 1999. — v.137, n.1–4. — P.45–49.
289. T. Vdovenkova, V. Strikha, A. Tsyganova. Application of the final state Auger parameter imperfect screening model for the Si L23VV spectrum of porous silicon // Applied Surface Science. — 1999. — v.144–145. — P.69–72.
290. T. Vdovenkova, V. Strikha, F. Cardon, R. L. Van Meirhaeghe, G. Vanalme. BEEM studies of the PtSi/Si(100) interface electronic structure // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. — 1999. — v.105, n.1. — P.15–19.
291. О.Й.Бомк, В.В.Ільченко, Л.Г.Ільченко, Г.В.Кузнєцов, О.М.Пінчук, В.І.Стріха. Про природу чутливості до амміаку газових сенсорів на
– 40 –
основі струкрур надтонка титанова плівка — кремній // Український фізичний журнал. — 1999. — т.44, №6. — С.759–763.
2000292. S. Litvinenko, L. Ilchenko, A. Kaminski, S. Kolenov, A. Laugier, E. Smir-
nov, V. Strikha, V. Skryshevsky. Investigation of the solar cell emitter qual-ity by LBIC-like image techniques // Materials Science and Engineering B. — 2000. — v.71, n.1–3. — P.238–243.
293. V.Strikha, V. Skryshevsky, V. Polishchuk, E. Souteyrand, J.R. Martin. A Study of Moisture Effects on Ti/Porous Silicon/Silicon Schottky Barrier // Journal of Porous Materials. — 2000. — v. 7, n.1–3. — P.111–114.
294. V. Lysenko, Ph. Roussel, B. Remaki, G. Delhomme, A. Dittmar, V.Strikha. Study of Nano-Porous Silicon with Low Thermal Conductivity as Thermal Insulating Material // Journal of Porous Materials. — 2000. — v.7, n.1–3. — P. 177–182.
295. V.A.Vikulov, V.I.Strikha, V.A.Skryshevsky, S.S.Kilchitskaya, E. Souteyrand, J.-R. Martin. Electrical features of the metal-thin po-rous silicon — silicon structure // Journal of Physics D: Applied Phys-ics. — 2000. — v.33. — P.1957–1964.
296. O. I. Bomk, V.V.Il’chenko, L.G.Il’chenko, G.V.Kuznetsov, V.I.Strikha, A.M.Pinchuk, V. M.Pinchuk, About the gas sensitivity of contacts metal — silicon with the superthin nickel and titanium films to the ammonia en-vironment // Sensors and Actuators B. Chemical. — 2000. — v.62, n.2.- P.131–135.
2008297. V.I.Strikha. Rectifying Properties of a Metal-Semiconductor Contact
// Ukrainian Journal of Physics. — 2008. — v.53, Special Issue, 90th Anniversary NAS Ukraine. — P.151–155
Науково-популярні та публіцистичні статті, інтерв’ю
1. І.Ляшко, В.Стріха. Об’єднуючи зусилля (про взаємодію науковців ВНЗ та АН УРСР) // Під прапором ленінізму. — 1980. — №6. — С.41–43.
2. В.І.Стріха. СЕС чи АЕС? // Прапор. — 1988. — №1. — С.148–153.3. Ганна Єльська, Віталій Стріха. Біосенсор: миттєвий діагноз // Наука і
культура. Україна. Щорічник. — 1989. — Вип.23. — С.174–178.4. Віталій Стріха. Чи є альтернатива новому Чорнобилю? //
Рада. — 1992. — 11 вересня. — С.2.5. Віталій Стріха, Орест Влох Інтелектуальна «зона». Якою бути кон-
цепції розвитку науки в Україні // Голос України. — 1993. — 11 черв-ня. — С.14–15.
– 41 –
6. Віталій Стріха. Наука — не розкіш, а засіб для розвитку держави // Освіта. — 1994. — 27 квітня — 3 травня. — С.7.
7. «Не «довгий карбованець», а умови для роботи потрібні сьогодні на-шим науковцям…» (З президентом АН ВШ України В.Стріхою роз-мовляв Р.Тхорук) // Освіта. — 1995. — 4–10 травня. — С.4.
8. В.И.Стриха. Три советских мифа украинской науки // Зеркало неде-ли. — 1996. — №11(76). — 16–22 марта.
9. В.І.Стріха. Звітна доповідь Президії на Загальних зборах АН вищої школи України // Український вчений. — 1997. — №1–2. — С.2–3.
10. В.І.Стріха. Незалежна Україна потребує справжніх еліт. Вона їх не дочекається, якщо не вдасться зупинити розвал освіти і науки // День. — 1997. — 20 березня. — С.6.
11. В.І.Стріха. Звітна доповідь Президії річним Загальним зборам АН ви-щої школи України // Український вчений. — 1997. — №7–8. — С.2–4.
12. В.І.Стріха. «Чому б не об’єднати зусиль?» // Освіта. — 1997. — 17–24 грудня 1997 р. — С.1.
Кандидати наук, які захистили дисертації під науковим керівництвом В.І.Стріхи,
та теми їхніх дисертаційних робіт
1963Юй Лі-шень (Китай). Дослідження деяких властивостей чистої поверх-
ні германію та кремнію.
1969Кільчицька Світлана Сергіївна. Дослідження деяких властивостей
оксидних плівок і їхнього впливу на електронні процеси на поверхні на-півпровідників.
1970Радзієвський Ігор Олександрович. Дослідження фізичних процесів у
напівпровідникових притискових НВЧ діодах з бартером Шотткі.
1974Бузаньова Євгенія Вікторівна. Фізична модель контактів метал-кремній
для НВЧ діодів Шотткі.
1975Панічевська Вілена Іванівна. Дослідження поверхневих електро-
нних станів і механізмів перенесення струму в контактах метал-кремній з бар’єром Шотткі.
– 42 –
Кіцай Михайло Євгенович. Шуми в діодах з бар’єром Шотткі.
1979Король Анатолій Миколайович. Вплив глибоких домішкових рівнів на
електрофізичні характеристики контакту метал-напівпровідник.
1980Сіденко Тетяна Сергіївна. Дослідження механізмів струмоперенесен-
ня в структурах метал-напівпровідник з тунельно непрозорими проміжни-ми шарами.
1983Воскобойніков Олександр Михайлович. Теорія поверхневих електро-
нних станів меж поділу контакту метал-напівпровідник.Кузнєцов Геннадій Васильович. Дослідження фізичних основ роботи
контакту метал-напівпровідник при низьких температурах.
1984Ільченко Василь Васильович. Дослідження фізичних властивостей кон-
тактів силіцид металу — кремній.
1985Шкавро Анатолій Григорович. Дослідження фізичних основ надійності
контактів алюміній-кремній з бар’єром Шотткі.Міма Лідія Сергіївна. Спін-залежна рекомбінація в пластично дефор-
мованому кремнії (співкерівник — О.В.Третяк).Левандовський Віталій Георгійович. Теорія підпорогового дефекто-
утворення в неоднорідних областях напівпровідників (співкерівник — Г.Є.Чайка).
Жук Володимир Леонідович. Математична модель системи метал-напівпровідник при високих напругах.
1986Коміренко Раїса Павлівна. Генерація і перенесення заряду в бар’єрних
структурах на основі невпорядкованого кремнію.
1987Ільченко Володимир Васильович. Дослідження механізмів перенесен-
ня струму в контактах з бар’єром Шотткі на основі аморфного кремнію.
1988Литвиненко Сергій Васильович. Дослідження фізичних процесів у со-
нячних елементах на основі структури титан-кремній.Манойло Маргарита Олександрівна. Вплив низькоенергетичних збу-
джень на кремній і структури на його основі (співкерівник — Г.А.Холодар).
– 43 –
1989Вєтров Олексій Петрович. Фізичне обґрунтування методик досліджен-
ня і створення вимірювальних пристроїв з ЕОМ для структур метал — пе-рехідний шар — напівпровідник.
Вдовєнкова Тетяна Анатоліївна. Електронна структура і фізико-хімічні властивості реальної поверхні кремнію з осадженим гадолінієм.
Воробець Георгій Іванович. Модифікація властивостей шарів і характе-ристик структур Al-Si, PlxSiy-Si з імпульсним лазерним випромінюванням
1991Авраменко Василь Олександрович. Розмірно-геометричні ефекти елек-
тростатичного екранування в напівпровідникових структурах з бар’єром Шотткі (співкерівник — Д.І.Шека).
1992Бабак Олександр Костянтинович. Дослідження фотоелектричних влас-
тивостей структур з бар’єром Шотткі в широкому діапазоні частот.
1993Лісняк Павло Григорович. Фізичні процеси в контактах силіцид мета-
лу — кремній при зовнішніх діях (співкерівник — Вас.В.Ільченко).
1995Дзядевич Сергій Вікторович. Розробка ферментних та клітинних кон-
дуктометричних біосенсорів для визначення деяких субстратів та інгібіто-рів ферментів (співкерівник О.П.Солдаткін).
Навчальні курси, які розробив і читав В.І.Стріха
1. Контактні явища у напівпровідниках.2. Основи наукових досліджень.3. Методи дослідження напівпровідників.4. Напівпровідникові прилади.5. Напівпровідникові сенсори.6. Відновлювані джерела енергії.7. Актуальні проблеми радіофізики та електроніки.8. Напівпровідникова електроніка.
– 44 –
Водні походи, які організував і в яких брав участь В.І.Стріха
Похід 1958 року по р.Білій здійснювався на дерев’яних човнах, ку-плених у місцевих мешканців, усі пізніші — на розбірних байдарках з металево-дерев’яним каркасом і брезентовою оболонкою. Починаючи з 1966 р. формувалася стала туристська група, якою В.І.Стріха керував як «вождь туристського народу» — зі своїми традиціями й ритуалами, а також з виразною атмосферою фрондерства (чимало ритуалів групи, аж до титу-лу «вождя» у самого В.І.Стріхи, були відвертою пародією на норми тодіш-нього офіційного життя). Склад групи (11–15 осіб у 1970-ті рр., 8–10 на по-чатку 1990-х) зазнавав постійних змін, але її основу складали В.І.Стріха, його дружина Н.М.Гула та син М.В.Стріха (з 1970 р.), брати В.Т.Грінченко та М.Т.Грінченко, їхні дружини Т.О.Грінченко та В.Ф.Ушкалова, їхні діти, В.І.Савченко та його дружина К.Ф.Савченко (до 1976 р.), Я.І.Сокіл та його дружина Є.А.Сокіл (з 1973 р.), О.А.Пучко та його дружина Н.М.Пучко (у 1990-ті роки), дружина сина Н.П.Старченко (з 1986 р.). Починаючи з 1992 р. в походи брали онучку Ярославу.
Згідно з прийнятою в СРСР класифікацією, водні туристичні марш-рути поділялися на п’ять категорій складності: І (без значних перешкод), ІІ (ускладнений), ІІІ (складний), IV (небезпечний), V (особливо небезпеч-ний). Категорійність могла змінюватися залежно від плавзасобів (той са-мий маршрут міг мати ІІІ категорію для байдарок і ІІ — для надувних ка-тамаранів). Крім того, існували розраховані на 2–3 денні переходи корот-кі «маршрути вихідного дня», які не дотягували до вимог І категорії (в них вирушали не під час відпустки, а найчастіше на травневі свята).
1958Липень. Річка Біла (Південний Урал) від Тирляна до Мелеуза (400 км.,
ІІ категорія).
1966Липень. Річка Вуокса й озера Карельського перешийка (250 км., ІІ ка-
тегорія).
1967Липень. Річка Охта (Центральна Карелія) від Хвойного до Кемі (250 км.,
ІІІ категорія).
1968Травень. Річка Рось від Корсуня-Шевченківського до Дніпра (80 км,
маршрут вихідного дня).
– 45 –
Липень. Шуришкарський сор — річки Хольце-Юган, Сезим-Юган, Та-нью, Варчатовіс, Войкар (Полярний Урал, 300 км, з них 70 км проти течії, ІІІ категорія).
1969Липень. Річка Сейм від Путивля до Десни (180 км, І категорія).
1970Травень. Річка Тетерів від Коростишева до станції Тетерів (100 км,
маршрут вихідного дня).Липень. Мис Покойніки на Байкалі — 8 км пішки через пере-
вал — 250 км по річці Лена до селища Качуг (IV категорія).
1971Липень-серпень. Річка Птіч (від станції Дараганово, Білорусь) — річка
Прип’ять до Мозиря (350 км, І категорія).
1972Травень. Річка Дніпро (від Корчуватого до Переяслава, 100 км, марш-
рут вихідного дня).Липень-серпень. Річка Біла (Південний Урал) від Білорецька до Мелеу-
за (400 км., ІІ категорія).
1973Липень. Ігналінські озера, річки Жеймяна і Няріс (Східна Литва, 300 км,
І категорія).
1974Травень. Десна (від Остра до с.Пірнове, 80 км, маршрут вихідного дня).Липень-серпень. Річка Молога від Бежецька до Весьєгонська (Північ і
Центр Європейської Росії, 450 км, І категорія).
1975Травень. Річки Сейм і Десна (від станції Сейм до селища Макоши-
не, 80 км, маршрут вихідного дня).Червень. Брацлавські озера — озеро Річі (Білорусь — Латвія, 200 км,
ІІ категорія).Липень-серпень. Річки Ус (від Буйби) та Єнісєй (до будівництва Саяно-
Шушенської ГЕС, тепер маршрут опинився на дні водосховища; IV кате-горія).
1976Липень. Озеро Нароч, річки Нароч та Вілія (Няріс) до Вільнюса (Біло-
русь, Литва; 300 км, І категорія).
– 46 –
1977Липень-серпень. Річка Юрюзань від міста Усть-Катав до річки Уфа
(Південний Урал, 300 км, ІІ категорія).
1978Серпень. Озеро Селігер (Північний Захід Європейської Росії, 170 км, І
категорія).
1979Липень-серпень. Річки Асуніца, Сарьянка, Даугава, Брацлавські озера
(Латвія, Білорусь, 250 км, ІІ категорія).
1980Липень-серпень. Сямозеро — річка Сяпся — Вагатозеро — Шотозе-
ро — річка Шуя — Укшозеро — Кончозеро — Пертозеро (Південна Каре-лія, 400 км, ІІІ категорія).
1981Липень. Річки Уборть, Прип’ять від Олевська до Мозиря (250 км, І ка-
тегорія).
1982Липень. Озеро Мядель — річки Мяделка та Бірвета — озера Дрісвяти
та Річі (Білорусь, Латвія, 250 км, з них 50 проти течії, ІІ категорія).
1983Липень. Річка Оять від Курби до Чашковичів (Приладожжя, 230 км,
ІІ категорія).
1984Липень. Річка Вєлікая (Псковщина, 350 км, ІІ категорія).
1985Липень. Річка Швянтойі (Центральна Литва, 250 км, І категорія).
1986Липень. Річка Вєтлуга (від Шабаліно до Вєтлугі, 300 км, І категорія).1987Липень-серпень. Річка Ловать (Псковщина, Новгородщина, від верхів’їв
до Великих Лук, 350 км, ІІ категорія).
1988Липень-серпень. Озеро Кереть, річка Кереть (Полярна Карелія, 250 км,
ІІ категорія).
– 47 –
1989Липень. Річки Овсянка, Західна Двіна до Вітебська (Білорусь, 200 км,
І категорія).
1990Липень. Річка Оболь, Лепельські озера, Західна Двіна (Білорусь, 200 км,
І категорія).
1991Липень. Річка Тверця (Тверська обл. Росії, 200 км, І. категорія).
1992Липень. Річка Сула від Ромен до Лубен (250 км, І категорія)
1993Липень. Річка Псел від Сум до Лебедина (170 км, І категорія).Серпень. Дніпро від Гідропарку до Нової Українки (50 км, маршрут ви-
хідного дня).
1994Липень. Річки Сейм і Десна від Батурина до Чернігова (200 км, І кате-
горія).Серпень. Десна від Літок до Московського мосту в Києві (40 км,
маршрут вихідного дня, пройдено однією байдаркою разом з дружиною Н.М.Гулою).
1995Липень. Річка Псел (вище від Гадяча і до траси Полтава-Київ, 180 км,
І категорія).
1996Серпень. Річка Десна від Чернігова і до Києва (200 км, І категорія).
1998Червень. Дніпро від Південного мосту до Нової Українки (40 км, марш-
рут вихідного дня).
– 48 –
Статті В.І.Стріхи
ВІДНОВЛЮВАНІ ДЖЕРЕЛА ЕНЕРГІЇ ЯК ОСНОВА ЕКОНОМІЧНОЇ НЕЗАЛЕЖНОСТІ УКРАЇНИ
Життєвою необхідністю для кожної розвинутої країни є забезпечен-ня достатньою кількістю енергії. Традиційна енергетика розвинутих кра-їн світу сьогодні базується на таких джерелах, як вугілля, газ, нафта та зба-гачений уран. Наприклад, у США за рахунок цих джерел отримують біль-ше 90% всієї енергії, в Україні — 97%.
Для забезпечення енергією України на рівні потреб 1992 року потрібно мати не менше, ніж 300 млн тон умовного палива. Власні енергетичні мож-ливості України дозволяють видобувати близько 100 млн тон енергетично-го вугілля (65 млн тон у.п.), 5 млн тон нафти (3,4 млн тон у.п.) та 22 млрд кубометрів газу (25,5 млн тон у.п.). Отже, разом маємо лише 94 млн тон у.п.. Решту нафти, газу та ядерне паливо ми повинні купувати.
У світових цінах для закупівлі потрібного нам палива при ціні на-фти 120 доларів за тону (1992 р. спожито близько 50 млн тон), газу 80 дола-рів за 1000 кубометрів (спожито 120 млрд кубометрів) та 10 млн доларів на річну заправку одного ядерного блоку ми повинні заплатити за все 15 млрд доларів річно. (Зауважу — ці розрахунки даються для потреб і цін 1992 р. і не враховують дальшого зменшення споживання енергії та динаміки цін на енергоносії).
На сьогодні монопольним постачальником енергоносіїв для України є Росія.
З огляду на постійне скорочення нашого ВВП Україна не має інакшої можливості розплачуватися за енергоносії, аніж віддаючи свої національ-ні багатства (або ж залазячи в боргову яму). Йдеться про те, щоб переда-ти Росії в сплату боргу за нафту й газ українську частину Чорноморсько-го флоту, віддати Росії-таки в довгострокову оренду газо- та нафтопрово-ди, які проходять територією України. Але ж це — прямий шлях до втрати своєї незалежності.
До того ж, це питання має й політичний аспект. Оскільки Росія є мо-нопольним постачальником енергоносіїв, то при зміні політичної ситуа-ції їхнє надходження може бути суттєво зменшене, або й зовсім припине-не з політичних міркувань. Не рятує тут і будівництво Одеського терміна-лу, оскільки російський Чорноморський флот може легко блокувати його роботу. До того ж, постачання нафти на термінал залежить і від позиції Ту-реччини.
– 49 –
Тому Україна може стати по-справжньому незалежною тільки тоді, коли повністю й гарантовано забезпечить себе основними енергоресурса-ми. І тут одним з найперспективніших шляхів, на нашу думку, є викорис-тання відновлюваних джерел енергії, тобто таких джерел, які постійно іс-нують у природі і є невичерпними.
До таких джерел належать: енергія сонячного випромінювання, тепло надр Землі та енергія припливів і відпливів, яка визначається гравітацій-ною взаємодію між Землею і Місяцем.
Від Сонця Земля загалом отримує енергію, яка перевищує сьогодніш-нє виробництво енергії людством у 8000 разів. Тепло надр Землі може дати приблизно половину від тієї енергії, яку зараз споживає людство. Приблиз-но стільки ж можна одержати, використовуючи енергію припливів і від-пливів.
Сама сонячна енергія перетворюється на різні види вторинної енер-гії — гідроенергію, енергія вітру та хвиль, тепло морів та океанів, енер-гію біомаси тощо.
Із трьох можливих видів відновлюваної енергії Україна, яка не має оке-анського узбережжя, може використовувати тільки два — енергію Сонця й тепло надр Землі.
Оскільки Україна розташована в середніх широтах, між 44 та 52 пара-лелями, то широко вкоренилася думка, начебто використання енергії Сон-ця в нас є неперспективним. Проте насправді нам припадає на рік енер-гія сонячного випромінювання, що відповідає близько 100 млрд тон у.п. Це лише в півтора рази менше від енергії, яку одержує аналогічна за тери-торією держава, розташована на екваторі, і в 330 разів перевищує енерге-тичні потреби України рівня 1992 року.
Оцінимо тепер ресурси вторинних видів сонячної енергії. Гідроресурси України майже вичерпані. Проте оцінки показують, що на приблизно 20% території України (це в основному південні області й Крим) середньорічна швидкість вітру перевищує 5 м/с. Річна енергія вітрового потоку над Укра-їною відповідає спаленню майже 70 млрд тон у.п. — лише в півтора рази менше від енергії прямого сонячного випромінювання. Але, зрозуміло, що реально можна використати лише вкрай незначну частку цієї енергії.
Україну омивають відносно спокійні Чорне та Азовське моря, тому наш ресурс хвильової енергії відносно невеликий і становить лише 6,8 млн тон у.п..
Загальна ж енергія біомаси, яку можна отримати на території України, залежить від коефіцієнту корисної дії фотосинтезу. Якщо вважати цей ко-ефіцієнт рівним 0,3%, то енергія біомаси приблизно дорівнюватиме річній потребі України в енергоносіях. Проте ця енергія може використовуватися не тільки безпосередньо, наприклад, при спалюванні біомаси, але й як вто-ринний продукт переробки при харчуванні тварин.
Дуже перспективним для України може бути отримання біогазу з гною корів та свиней на основі анаеробного бродіння. Наприклад, використання гною 8,1 млн корів в Україні може дати близько 12 млрд кубометрів газу на рік. Це відповідає близько 15 млн тон у.п. і дозволило б забезпечити сіль-
– 50 –
ські райони України власним газом. При такому використанні гною орга-нічне добриво не втрачається, а, навпаки, його ефективність підвищується, бо воно збагачується азотом.
Загальна геотермічна енергія на площі України в шарі завтовшки 10 км складає 150 млрд тон у.п.. Це — величезна енергія. Але в зручному для ви-користання вигляді вона сконцентрована тільки в деяких регіонах (пере-важно це Закарпаття й Крим).
Таким чином, запаси відновлюваної енергії на території України (навіть без урахування геотермальної) в десятки разів перевищують енергетичні потреби України 1992 року. Проте проблема в тому, чи може наша держава реально використати цю енергію.
Загалом можливість використання відновлюваних джерел енергії в будь-якій країні визначається такими факторами:
* наявністю наукових і технічних рішень щодо перетворення відновлю-ваної енергії на зручну для користування;
* науково-технічним потенціалом нації;* наявністю необхідних ресурсів для реалізації відповідної програми;* готовністю суспільства до суттєвих змін у методах використання енергії.
Розгляньмо з цієї точки зору ситуацію в Україні.Почнімо з прямого використання сонячного випромінювання. Тут є дві
можливості: пряме перетворення сонячної енергії на електричну та вико-ристання енергії Сонця для одержання тепла. В Україні є все для реаліза-ції обох цих можливостей. Так, українські вчені розробили серію сонячних елементів на основі кремнію для прямого перетворення сонячної енергії на електричну з коефіцієнтом корисної дії до 19%. Вивчення фотоелектрич-них явищ в напівпровідниках — традиційний напрям для української на-уки. Україна має потужну промислову базу для виготовлення кремнієвих сонячних батарей. Саме в нас вироблялося до 90% всього кремнію колиш-нього СРСР.
Україна має широкі можливості для застосування сонячних колекторів у теплоенергетиці, особливо в південних областях і в Криму. З наукового погляду цю проблему вивчають колективи декількох інститутів НАН Укра-їни та вищих навчальних закладів. Виробництво власних сонячних колек-торів налагоджене на одному з підприємств Києва.
Однією з перспективних областей застосування відновлюваної енергії є для України й вітроенергетика. В цій галузі Україна також має достатній науково-технічний та виробничий потенціал. Виробництво вітрогенерато-рів налагоджене на КБ «Південне».
В галузі хвильової електроенергетики Україна досі мала незначний до-свід. Проте певний науково-технічний потенціал накопичено й тут — пере-важно в науково-дослідних установах приморських областей.
Енергія біомаси може бути використана для заміни бензину й палива для автомобільного транспорту та для комунальних потреб у сільській міс-цевості. Для заміни бензину може бути використаний етанол, який виро-бляється з буряків, зерна (так роблять у Бразилії). Другий шлях — заміна
– 51 –
дизельного палива на рослинну олію. Так сконструйований нещодавно в Німеччині дизельний двигун на 100 км пробігу споживає тільки 3,5 л рос-линної олії. Для отримання олії, яка замінить 10–12 млн тон бензину, по-трібно засіяти олійними культурами 20% орних земель України. Хоч досі досвід нашої держави щодо заміни бензину на рослинну олію малий, але з точки зору науки великих проблем тут немає.
Україна має потужну харчову промисловість, яка виробляє етанол і рос-линну олію. Певні проблеми можуть виникати в промисловості, яка випус-кає автомобільні двигуни. Проте на початковому етапі можна користувати-ся наявними двигунами, додаючи до бензину до 20% етанолу.
В галузі використання біогазу Україна вже має певні успіхи. У Сумах навіть налагоджено виробництво промислових установок для отримання біогазу.
Щодо використання геотермальної енергії, то сьогоднішній обсяг її ви-користання не відповідає ані можливостям, ані потребам України. Одним з перспективних напрямків використання геотермальної енергії є освоєння нафтових свердловин. Наукові проблеми, які при цьому виникають, вивча-ються в Інститутах електродинаміки і технічної теплофізики НАН Украї-ни. Додатковою технічною проблемою є забезпечення корозійної стійкос-ті металу, оскільки нагріті підземні води містять, як правило, агресивні хі-мічні компоненти.
Як видно з розглянутого раніше, Україна може отримати достатню кіль-кість енергії з відновлюваних джерел. Наша держава має достатні та різно-манітні запаси цієї енергії, необхідний науково-технічний потенціал та ма-теріальні ресурси.
Які ж причини можуть гальмувати широке використання відновлюва-них джерел енергії?
Перш за все, це висока вартість так званого встановленого кіловата по-тужності. Він визначається як вартість будівництва станції з одиничною потужністю. Вона становить 5000–6000 доларів за квт потужності для со-нячних фотоелектричних станцій, 1000–1400 доларів для вітроелектрос-танцій, близько 150 доларів для сонячних теплових колекторів та стіль-ки ж — для біоенергетичних установок на одну тварину. Якщо порівняти це з вартістю будівництва сучасних теплових електростанцій, яка дося-гає 600 доларів за квт, то видно, що сонячні фотоелектричні та вітроенер-гетичні станції дорожчі. Але якщо порівняти це з вартістю будівництва на-дійних атомних станцій, яка в США досягає 3500 доларів за квт, то різни-ця виглядатиме вже не такою відчутною. До того ж, такий розрахунок не включає вартості палива, яка для України становить річно 15,7 млрд дола-рів. З урахуванням цієї суми запровадження відновлюваних джерел енер-гії вже не виглядатиме економічно невмотивованим. Відзначмо також, що мільярдних капіталовкладень потребує і приведення наших АЕС до світо-вих стандартів безпеки.
Таким чином, висока вартість енергетики на основі відновлювальних джерел не є основною перепоною на шляху їхнього широкого впровадження
– 52 –
Друга суттєва проблема, яка при цьому виникає — це накопичення енергії. Справді, Сонце світить не весь час, вітер не весь час дме... І ця про-блема — достатньо серйозна. На сьогодні існують декілька варіантів її ви-рішення. Це — і хімічні акумулятори, і отримання водню при розкладанні води, і накопичення енергії в маховиках.
Третя проблема — це кадри. Для розвитку та обслуговування відновлю-ваних джерел енергії потрібно щонайменше декілька тисяч фахівців з ви-щою та середньою спеціальною освітою. Їх треба готувати якомога швид-ше. І Україна має достатню кількість вищих навчальних закладів, щоб ви-рішити це питання.
Четверта проблема — опір традиційної енергетики. Програма впрова-дження відновлюваних джерел енергії не може розвиватися в рамках тра-диційної енергетики, а повинна бути окремою альтернативною державною програмою.
І насамкінець, розвиток відновлюваних джерел енергії може істотно змінити традиційний стиль життя суспільства. Це — непроста проблема, й вона потребує великої роз`яснювальної роботи серед людей.
Але, якщо ці проблеми будуть вирішені, Україна стане по-справжньому незалежною економічно, а отже — й політично.
До того ж, суттєво поліпшиться екологічна ситуація, бо всі відновлю-вані джерела енергії, пов`язані з сонячним випромінюванням, є екологічно чистими. Не менш важливо й те, що широкий розвиток відповідних техно-логій дозволив би Україні посісти одне з провідних місць у цій галузі й за-воювати світовий ринок. Але це станеться тільки тоді, коли впроваджен-ня енергетики на основі відновлюваних джерел стане по-справжньому за-гальнонаціональною ідеєю, якій буде приділено першочергову увагу уряду й народу України.
В.І.Стріха, академік АН вищої школи України,доктор фізико-математичних наук, професор
(початок 1993 р.)
– 53 –
ШЛЯХАМИ ПОСТУПУ
Надруковано в «Інформаційному віснику АН ВШ України», 1994, ч.1.Академія наук вищої школи України (АН ВШ України) була заснова-
на на установчих зборах 27 листопада 1992 року і зареєстрована Міністер-ством юстиції 10 березня 1993 року.
Основними завданнями Академії в її статуті визначені: піднесення рів-ня науки у вищих навчальних закладах, інтеграція науки з освiтою та ви-ховання нової генерації наукової громадськості, що керується принципами наукової об’єктивності та демократичності.
Створення АН ВШ України відповідає завданням державної національ-ної програми «Освіта» (Україна ХХІ століття), де визначено: «створен-ня в системі освіти органічно пов’язаної з нею нової гнучкої структури науково-дослідної діяльності академічного типу».
Що ж на сьогодні являє собою наша Академія? В організаційному пла-ні — це двадцять одне наукове відділення з усіх основних галузей наук, які представлені в вищих навчальних закладах країни. Крім того, організовані регіональні відділення Академії в усіх областях України та в Криму. В ро-боті наукових та регіональних відділень беруть участь доктори та кандидати наук, які працюють у вищих навчальних закладах та визнають статут Акаде-мії. Академія, як наукова організація, об’єднує вчених п’яти міністерств, що мають вищі навчальні заклади. Це міністерства Освіти, Охорони здоров’я, Сільського господарства, Культури та Оборони. Найбільш активні та потуж-ні вищі навчальні заклади стали колективними членами Академії. Це Націо-нальний університет ім. Тараса Шевченка, Національний технічний універ-ситет (КПІ), Національний аграрний університет та інші.
В результаті проведених виборів на сьогоднішній день біля 350 найкра-щих вчених вищих навчальних закладів обрані академіками АН ВШ Укра-їни. Відрадно, що серед обраних академіків є члени всіх державних ака-демій. Це свідчить про авторитет АН ВШ України і дозволяє об’єднати зусилля всіх академій. Про міжнародний авторитет АН ВШ України свід-чить те, що сьогодні 29 вчених із зарубіжних країн є її почесними академі-ками. Серед них — вчені США, Франції, Італії, Австрії, Нідерландів та ін-ших країн.
На сьогоднішній день Академія зосередила свої зусилля на науковій та координаційній роботі. Так, сформовані основні наукові напрямки, в рам-ках яких ведеться наукова робота, організована система експертизи, ство-рена система наукових семінарів тощо.
Основним своїм завданням Академія вважає збереження науки у ви-щих навчальних закладах як основи високого рівня вищої освіти нації. Це пов’язане з тим, що на тлі загальної кризи науки в Україні наука у ви-щих навчальних закладах опинилася в особливо важкому становищі.. Так, вищі навчальні заклади втратили фінансування значно більше, ніж інститу-ти Національної академії наук. У вищих навчальних закладах ще декілька
– 54 –
років тому до 90% від усього об’єму наукових досліджень складала госп-договірна тематика. Зараз її внесок малий. Не вписались вищі навчальні заклади і в конкурсну систему Держкомітету з науки і технологій, а по-тім Міннауки. У 1992 році, наприклад, вони отримали за конкурсами тіль-ки 3,2% від загального об’єму фінансування науково-технічних програм.
Відділеннями академії підготовлено і виконується ряд програм досліджень як в рамках самого відділення, так і програм, що виконуються разом з інши-ми відділеннями. Як наслідок тільки за останній рік академіки АН ВШ Украї-ни видали 84 монографії, 183 колективні збірники наукових праць, 72 підруч-ники, 189 навчальних посібників, опублікували понад 4,5 тис. наукових статей. Одержали 61 свідоцтво на винаходи. За рік маємо 2 лауреати Державної пре-мії України, 3 академіки удостоєні почесного звання «Заслужений діяч науки і техніки України», 1 академік нагороджений орденом «Пальмова вітка» (Фран-ція), п’ятеро — відзнаками президента України різних рівнів.
Академія в 1994 р. запровадила нову систему нагород за визначні вклад в розвиток науки та вищої освіти в Україні (Нагорода Святого Володими-ра) та за особливі досягнення в різних галузях науки (Нагорода Яросла-ва Мудрого). Серед нагороджених вищою нагородою Академії — Олесь Гончар, Іван Драч, ректор Національного університету ім. Т.Г.Шевченка В.В.Скопенко, ректор Київського медичного університету Є.Г.Гончарук, ректор Аграрного університету Д.О.Мельничук, ректор Одеського еконо-мічного університету В.П.Бородатий.
Для більш повного інформування наукових та громадських кіл держа-ви про діяльність Академії був створений «Iнформаційний вісник Акаде-мії наук вищої школи» з періодичністю виходу один раз на два місяці. По-чали виходити наукові видання, створені за участю Академії — «Украї-нознавство», «Механіка та машинобудування», «Проблеми архітектури та містобудування», «Інфекційні хвороби» та ін. Академія виступає ініціато-ром багатьох наукових конференцій з різних питань. Тільки в минулому році проведено 418 наукових конференцій та симпозіумів, на яких виголо-шено 4500 доповідей. Вчені АН ВШ України взяли участь у 169 Міжнарод-них наукових конференціях та з’їздах.
Президія Академії розробила ряд пропозицій про поліпшення наукової роботи у вищих навчальних закладах та її зв’язку з освітою. Ці пропозиції надіслані до Президента України, Верховної ради, Кабінету Міністрів та від-повідних міністерств. Академія наук підписала угоди про співробітництво з Міносвіти та рядом інших Міністерств, що мають вищі навчальні заклади.
У зв’язку з важкою економічною ситуацією в останній час Академія активно розвиває регіональні форми роботи в рамках наукових відділень. Розвиває вона і міжнародні наукові зв’язки.
Подальші успіхи АН ВШ України залежать не тільки від її діяльності, але й від підтримки її діяльності з боку владних структур, зокрема її дер-жавного визнання. В цьому випадку можна буде повністю використати ве-личезний науковий, потенціал вищої школи та зберегти в умовах еконо-мічної кризи науку та вищу освіту, без якої неможливе майбутнє держави.
– 55 –
ТРИ РАДЯНСЬКІ МІФИ УКРАЇНСЬКОЇ НАУКИ
Надруковано російською мовою в: «Зеркало недели», № 11 (76), 16 — 22 марта 1996 года.
Більшість учених у пресі й на конференціях, проведених громадськи-ми організаціями, виступило за реорганізацію української науки в рамках світового досвіду. Більшість керівників науки у пресі й на нараді, органі-зованій державною комісією, виступило за збереження структури й існу-ючих цінностей. Таким чином, в українській науці сформувалися два сві-ти, вододіл між якими лежить, за невеликими винятками, на рівні дирек-тора інституту.
Щоб проаналізувати природу й наслідки цього вододілу, необхідно по-вернутися до часів СРСР, де були сформовані структура й цінності україн-ської науки, і розглянути їх у контексті досвіду світової науки.
Як відомо, в СРСР була створена ціла система ідеологічних, економіч-них та інших міфів. Більшість із цих міфів сьогодні отримали адекватну оцінку. Проте найживучішими виявилися наукові міфи, якими й сьогодні годують український народ (і його керівництво).
Міф перший полягає в тому, що адміністративно-командна система організації науки є ефективною. Цією системою наука СРСР була розді-лена на академічну, вузівську і галузеву з своїми структурами управлін-ня. На чолі науки як її штаб була поставлена академічна наука. Аналогіч-ні структури були створені в республіках, але з підкоренням Москві. Ство-рення такої вертикалі переслідувало далекосяжні політичні цілі. Міф про ефективність адміністративно-командної науки і сьогодні на озброєнні у керівників науки України.
Проте порівняння зі світовим досвідом показує, до яких серйозних не-гативних наслідків приводить цей міф.
Другий міф полягає в тому, що слово «наука» стало синонімом слово-сполучення «наука Академії наук». Отже, тільки в Академії наук працю-ють справжні учені і робиться справжня наука. Цей міф є природним на-слідком першого міфу про побудову науки на чолі з Академією наук. Голо-вна наука і повинна стати єдиною. Так, існує ще університетська і галузева науки. Але створювалася громадська думка, що, оскільки професорсько-викладацький склад переобтяжений викладацькою роботою, то не може реально займатися наукою. Ну, а галузева наука — це взагалі не наука, а техніка.
Чи це так — можна побачити на прикладі порівняння сьогоднішнього наукового потенціалу НАН і Міносвіти України. За офіційними даними по-тенціал НАН складає не менше 27% сумарного наукового потенціалу дер-жави, а Міносвіти — близько 10%. Водночас за статистичними даними в НАН є близько 17 тисяч наукових співробітників (близько 2 тисяч докто-
– 56 –
рів наук) плюс науковою роботою займається близько 2,5 тис. аспірантів і докторантів — всього близько 20 тис. осіб. У Міносвіти науковою робо-тою займається близько 20 тис. наукових співробітників, близько 35 тис. професорсько-викладацького складу (близько 4 тис. докторів наук), близь-ко 12 тис. аспірантів і докторантів. Всього 67 тисяч осіб. Це — не раху-ючи декількох десятків тисяч студентів старших курсів. З цих цифр ніяк не випливають офіційні дані з розподілу бюджетного фінансування. Роз-біжність у понад 10 разів. Тож, може бути, справа в науковій продукції? Як показує аналіз, кількість публікацій на одного зайнятого в науці в Мі-носвіти приблизно така ж, як і в НАН України. Можливо, ці публікації — істотно гіршої якості? Теж ні, оскільки кількість цитувань і число узагаль-нюючих монографій на кількість статей в Міносвіти приблизно така ж, як і в НАН України.
Так звідки ж узялися цифри, наведені вище? Для цього потрібно по-дивитися бюджет науки. І справді, НАН одержує 27% від цього бюджету, а Міносвіти — 10%. Але ці цифри не мають жодного відношення до нау-кового потенціалу. (Якщо виходити із загальної кількості учених України, що виконують дослідження — 207 тисяч, — то частка НАН не перевищу-ватиме 10 %).
Міф третій. Академія наук є і повинна залишитися флагманом фун-даментальної науки. Те, що це — міф, можна ясно бачити на прикладі НАН України, де 70–80% інститутів — технічного профілю. Про приклад-ний характер академічної науки свідчать також численні експонати ака-демії — прилади, механізми тощо — на виставках наукових досягнень. Причому внаслідок того, що називають «патонізацією науки» (створення інженерних центрів, вимога економічного ефекту тощо), поняття фунда-ментальної науки було деформоване і в середовищі самих учених. Виник такий невідомий світовій науці термін, як «фундаментальні дослідження в галузі технічних наук».
Тут не зайве порівняти результативність науки країн, що сповідують різні принципи її організації. Причому слід порівнювати результати, які справді змінили наші наукові уявлення про навколишній світ. Таким міри-лом є Нобелівські премії. За останні 25 років перед розпадом СРСР вчені США отримали 77 Нобелівських премій, а учені СРСР — 2. Учені ж Укра-їни не отримали жодної Нобелівської премії за весь час їх існування. В той же час вчені Франції мають 19 Нобелівських премій. Так, може, укра-їнська земля не народжує талантів? Ні, це не так. 7 учених, що народили-ся і працювали на території України, стали лауреатами Нобелівської пре-мії за її межами.
Тепер хотілося б повернутися до аналізу обговорення питання про ре-організацію науки в рамках двох наукових світів.
На конференціях, організованих науковою громадськістю, в яких бра-ли участь учені всіх гілок науки, основну увагу приділено питанню підви-щення ефективності науки шляхом підняття статусу вченого. Була сформо-вана концепція організації науки, де головним є підвищення ролі ученого в
– 57 –
управлінні наукою і створення загальнодержавної спільноти учених одні-єї спеціальності незалежно від відомчої приналежності. Для роботи з реа-лізації цієї концепції була вибрана координаційна порада. Висновок, який можна зробити, полягає в тому, що учені стурбовані загальним станом у на-уці, а не тільки своїм особистим благополуччям у ній.
Тепер про нараду, скликану державною комісією по реорганізації на-уки. Тут також було присутнє широке коло учасників, що представляють всі гілки української науки. Нарада супроводжувалася виставкою наукових досягнень. Проте режисура зібрання полягала в тому, щоб дати слово тіль-ки керівникам науки і членам НАН України. Практично нікому з представ-ників неакадемічної науки слова не дали, як не дали слова і академічним дисидентам. Тому тут був представлений тільки один світ — світ керівни-ків науки (головним чином — керівників НАН України). Як наслідок, нія-кого аналізу причин кризового стану науки в Україні, за винятком деяких положень з промови Л.Кучми, на цій нараді не було. Висновки більшос-ті промовців зводилися до того, що якщо держава додасть грошей і прав НАН України, то всі проблеми науки будуть вирішені. Слід проте відзна-чити, що все ж таки в матеріалах комісії, а також у виступах на нараді ви-словлювалися конкретні пропозиції, якщо і не щодо істотного поліпшення стану науки, то щодо його часткового виправлення.
Але хотілося б зробити зауваження щодо способу реалізації цих про-позицій. Так, висловлювалася добра пропозиція про організацію Наукової ради при Президенті. Але, якщо ця рада буде створена тільки з керівників НАН України або з керівників науки республіканського масштабу, від нього буде більше шкоди, ніж користі, оскільки вона закріпить соціалістичні прин-ципи в науці, і міфи СРСР надовго стануть державними міфами України.
Розглядалася добра пропозиція про створення Фонду фундаментальних досліджень. Проте, якщо цей Фонд буде передано в НАН України або до органу, в якому їй належатиме контрольний пакет акцій, то буде завдано шкоди не тільки науці, а й вищій освіті (див. міф 3).
Підготовлений указ Президента про встановлення стипендій видатним ученим. Але присудження цих стипендій передбачається покласти на Ко-мітет із державних премій України, фактично підконтрольний НАН Укра-їни. Природно, що більшість «видатних учених» складуть представники НАН. В таких умовах об’єктивніше було б встановити квоту для різних ві-домств, пропорційну їх кадровому потенціалу вищої кваліфікації.
Нарешті, про головний висновок наради: всі біди науки України — в рів-ні її фінансування. Не применшуючи значення питання, автор статті, про-те, був переконаний, що це не так, і навіть відновивши рівень фінансуван-ня 1990 року, ми не відновимо рівня науки Української РСР. Це пов’язано з подальшими причинами. По-перше, структура нашої науки була створена під інші завдання (див. витоки міфу 1) і в нових економічних і соціальних умовах працюватиме ще гірше, ніж раніше. По-друге, істотно погіршився кадровий склад науки. Тут — і відхід кваліфікованих кадрів, і відсутність
– 58 –
поповнення молодими ученими. По-третє, істотно постаріла матеріально-технічна база, а приладобудування в країні практично вже немає тощо.
Основне питання — про напрям реформування науки — через викладе-не вище обговорювався тільки світом учених. І у зв’язку з цим аналізувався світовий досвід організації науки. Як відомо, єдина, не розділена по відом-ствах світова наука все ж таки формується навколо університетів.
Виникає питання: а чому? Перш за все тому, що наука і освіта нероз-дільні. Триєдине завдання науки — це освіта, науковий результат і нові тех-нології. В багатьох країнах керівництво ними здійснюється одним мініс-терством: наприклад, у ФРН — міністерством освіти, науки, досліджень і технологій. Там же, де є наукові організації, подібні до наших держав-них академій, вони виконують абсолютно інші функції. Так, наприклад, підвідомчі Товариству Макса Планка (аналог НАН України) інститути у ФРН живуть в умовах постійної зовнішньої експертизи, французький ана-лог НАН має 70% лабораторій, спільних з університетами... І ні в одній країні (Лівія або Північна Корея — не беруться до уваги) ніхто не володіє монополією на наукову істину.
По-друге, наука, зосереджена навколо університетів, — найдешев-ша наука: на одиницю витрат тут можна отримати найбільший результат. Це визначається тим, що науково-технічний потенціал використовуєть-ся двічі: в науковій роботі і в навчанні. Виробництво наукового продук-ту і навчання при цьому поєднані: наукова робота підтримує високий рі-вень професорсько-викладацького складу, розроблені технології одночас-но одержують кадровий супровід.
По-третє, організація університетської науки відповідає завданням рин-кової економіки. Це було пов’язано з тим, що наукова робота у вишах ве-деться, як правило, невеликими автономними колективами, здатними гнуч-ко реагувати на потреби ринку. В цій роботі бере участь студентська мо-лодь, легко сприйнятлива до нових ідей.
Виникає питання: а чи підходить нам цей світовий досвід? Для відпо-віді проаналізуємо сьогоднішній стан університетської науки в Україні. Її принципи були закладені ще в СРСР. Проте виші через свою специфі-ку (багатопрофільності переважної більшості з них) уникнули того рівня адміністративно-командної єдиноначальності, який встановився в акаде-мічній (та і в галузевій) науці. Крім того, в останні 15–20 років перед роз-падом СРСР основним джерелом фінансування університетської науки стала госпдоговірна тематика, а учені вишів були поставлені в умови, коли тільки їх справжній рівень давав можливість знайти замовника. В результа-ті в університетській науці в більшій мірі збереглися принципи, характер-ні для світової практики. Тому і мали кращі виші таку ж наукову ефектив-ність, що й академічні установи (при витратах у декілька разів менших). Це ж забезпечувало і достатньо високий рівень освіти.
На жаль, за роки незалежності університетська наука України понесла не менші втрати, ніж академічна. Діяли тут як загальні причини, так і ряд додат-кових чинників. Так, унаслідок помилок керівництва Міносвіти було знище-
– 59 –
но наукове середовище в рамках самого міністерства (були ліквідовані коор-динаційні ради, базове фінансування було передане ВНЗ тощо). Введенням контрактної системи в її теперішньому вигляді були суттєво урізані права традиційного університетського самоврядування і був створений механізм розправи з «небажаними». Крім того, університетська наука практично втра-тила госпдоговірну тематику, яка давала до 90% всього об’єму фінансуван-ня. Результатом стала глибока криза, яка може мати катастрофічні для всієї нашої науки наслідки, бо здатна підірвати відтворювання кваліфікованих ка-дрів. Та все ж наша університетська наука за своїми завданнями, структурою та організацією ще може служити основою для створення системи науки, що більш-менш відповідає світовому досвіду.
Чи можливо це в наших умовах, а якщо так, то хто цьому заважає? Щоб відповісти, проаналізуємо нові форми організації науки, які виникли «зни-зу» в умовах демократизації суспільства. Я маю на увазі громадські академії, що з’явилися і як протест проти адміністративних засад у науці, і як спро-ба пристосувати до наших умов апробовані досвідом розвинених країн ре-цепти. Такі академії мають різну структуру і різний потенціал. Деякі з них справді важко назвати співтовариствами учених. Але деякі володіють потен-ціалом, що не поступається державним академіям, і навіть за відсутності бю-джетного фінансування встигли немало зробити для науки України.
Для прикладу хотів би сказати про Академію наук вищої школи Украї-ни. Вона була створена в листопаді 1992 року з метою підняти рівень уні-верситетської науки, реалізувати демократичні принципи, об’єднати на-уку і освіту. Сьогодні академія має 20 відділень, що охоплюють ширше коло питань, ніж НАН (є відділення морських наук і технологій, військо-вих наук тощо). Регіональними об’єднаннями у всіх областях і в Криму АН ВШ України охоплює всю територію України, а не тільки декілька тра-диційних наукових центрів. В роботі академії бере участь понад 2500 док-торів наук, які представляють виші п’яти міністерств. 290 кращих уче-них — докторів наук були вибрані академіками з використанням найдемо-кратичнішого принципу відбору, коли в голосуванні могли брати участь всі доктори наук з відповідної спеціальності. Отримала АН ВШ України і ви-знання вчених інших академій (в її склад були вибрані академіки і члени-кореспонденти всіх державних академій), а також міжнародне реноме (вче-ні США, Італії, Австрії, Польщі та інших країн є її почесними членами).
І в той же час АН ВШ України зазнає постійної протидії з боку адміністративно-командної системи, особливо в особі керівництва держав-них академій. Звучать слова, що такої академії немає, що її слід заборони-ти як організацію академічного типу. І убілених сивиною метрів нітрохи не бентежить, що така заборона не відповідала б принципам правової держа-ви, оскільки поняття «академія» з’явилося ще в Стародавній Греції і не є чиїм-небудь товарним знаком, а звання «академіка» не є державною поса-дою, а лише визнанням наукових заслуг з боку найбільш об’єктивних суд-дів — власних колег-учених. Але, на жаль, дуже твердо були засвоєні бага-то ким принципи організації соціалістичної науки СРСР...
– 60 –
То яка ж лінія візьме верх в українській науці? Як випливає з недавньої всеукраїнської наради, всі шанси на успіх має лінія адміністраторів від на-уки, що безумовно приведе до поглиблення кризи в нашій науці, а в близь-кій перспективі — і до її загибелі. Позиція декількох сотень наукових бю-рократів сьогодні виявляється сильнішою, ніж позиція багатьох десятків тисяч людей, що займаються науковими дослідженнями. Жива ще «соціа-лістична наука» зі всіма її міфами. Але деякий оптимізм вселяють слова з виступу Л.Кучми на Всеукраїнській нараді учених про те, що питання ще не закрито остаточно.
Віталій СТРІХА, доктор фізико-математичних наук
– 61 –
НАЦІОНАЛЬНА ЕЛІТА — СПРАВЖНЯ ЧИ «ЧОРНА»? (ПРОБЛЕМИ ВИХОВАННЯ
ЕЛІТИ НЕЗАЛЕЖНОЇ УКРАЇНИ)
(Надруковано в скороченому вигляді: В.І.Стріха. Незалежна Україна потребує справжніх еліт. Вона їх не дочекається, якщо не вдасться
зупинити розвал освіти і науки // День. — 1997. — 20 березня. — С.6.)
Рівень політичної, адміністративної, науково-технічної та мистецької еліти в сучасних умовах визначає рівень нації та її місце в світовому спів-товаристві.
Особливо чітко це можна побачити на прикладі Франції, яку за кількіс-тю населення, площею, природними багатствами та іншими показниками часто порівнюють з Україною. Саме еліта цієї країни з всесвітньо відоми-ми іменами політиків Наполеона, де Голля, Міттерана, діячів науки та тех-ніки Вольтера, Дідро, Ампера, братів Люм’єрів, Ейфеля, Кюрі, митців та письменників Гюго, Бальзака, Родена, Пікассо та багатьох інших зроби-ли Францію всіма визнаною великою державою. Україна ж протягом бага-тьох віків входила в склад інших держав, і тому формування її еліти відбу-валося в умовах залежності від центральної влади. Зокрема, сучасна еліта України формувалась як частина еліти Радянського Союзу в умовах тота-літарного режиму.
Керівництво суспільством з боку Комуністичної партії визначало мож-ливості та рівень цієї еліти. Сама верхівка Комуністичної партії формува-лась не на основі високого рівня освіченості чи професіоналізму, а на осно-ві відданості комуністичній ідеї. Ідейна зашореність цієї верхівки зробила політичну еліту Радянського Союзу вузькомислячою, а це привело до тра-гічних наслідків при формуванні інших шарів еліти.
Заради об’єктивності слід визнати, що в Радянському Союзі було ви-ховано чимало видатних представників адміністративної та науково-технічної еліти, що дозволило побудувати могутню промисловість та ство-рити потужний військово-промисловий комплекс. Менше поталанило творчій та мистецькій еліті, де партійне керівництво влаштовувало періо-дичні чистки, а то й вдавалося до прямого знищення письменників і мит-ців, які, на думку керівництва СРСР, відхилялись від основної ідеї побудо-ви комунізму.
Крім того, формування еліти нації, як кращої частини інтелігенції, в Ра-дянському Союзі завжди відбувалося в умовах, коли інтелігенція, за визна-ченням, була тільки прошарком між пануючим робітничим класом та селян-ством, союз між якими був ідеологічною основою радянського суспільства.
Українська РСР, як одна з республік, була в провінційному становищі щодо умов формування еліти. В результаті відбувалась асиміляція кращих
– 62 –
представників української еліти центром і зарахування їх до російської елі-ти, а ті представники української еліти, які тільки підозрювалися в так зва-ному буржуазному націоналізмі, переслідувалися, або й просто знищува-лися. Справді, скільки людей, народжених українською землею, стали гор-дістю тільки російської науки та культури. І тут можна почати ще з імен Прокоповича, Бортнянського, Короленка, Гоголя, Чайковського і закінчи-ти Корольовим, Александровим, Козловським, Бондарчуком, Віктюком....
Але пішов уже шостий рік нашої незалежності і час проаналізувати, який же стан з формуванням справді української еліти незалежної країни.
Спочатку про політичну еліту. Базою для формування цієї еліти в осно-вному стали партійні та комсомольські функціонери другого та третього ешелону, які прийняли ідею незалежності, або скористалися з неї. При її формуванні, особливо на першому етапі, значний вплив мали й ті, хто були дисидентами чи інакодумцями за часів колишнього Радянського Союзу. Але потім усе більшу, а зараз основну роль стали відігравати адміністра-тивні частини еліти, що контролюють фінансові й матеріальні ресурси дер-жави. Таке формування політичної еліти супроводжувалось трьома дуже важливими чинниками: політичним та економічним тиском Росії, тиском Заходу в напрямку проведення економічних реформ та політичною пасив-ністю основної маси населення.
В результаті різновекторної дії всіх цих чинників в Україні так і не була сформована політична еліта належного рівня. Виняток, може, станов-лять 3–5 осіб, яких можна було б назвати лідерами нового типу, але й на них лежить певний відбиток традицій провінціалізму.
Підтвердженням практичної відсутності справжньої політичної еліти є те, що кількість неправильних політичних рішень до сьогоднішнього дня (може за винятком сфери зовнішньої політики), значно перевищує кіль-кість правильних. Це, зокрема, підтверджується безперервним погіршен-ням економічного стану країни та розвалом освіти, науки, культури, меди-цини.
До того ж, більшість політичних рішень, що визначали економічні пе-ретворення в Україні, були простим повторенням відповідних кроків Росії, включаючи всі її вже очевидні на той час помилки. Хто ж сумнівається в справедливості зроблених висновків про низький рівень та провінціалізм нашої політичної еліти, той може проаналізувати хоча б один день роботи нашої Верховної Ради.
Зрушення на краще тут, на думку автора, можна чекати лише при фор-муванні рівноцінних за вагою політичних сил, боротьба між якими буде справою всього електорату України. Це може відбутися лише шляхом по-яви двох-трьох потужних партій та зміни радянського менталітету народу з його переконаністю, що все йде зверху, а знизу нічого зробити не можна. Перші кроки на цьому шляху показують, що такий процес забере не мен-ше 10–15 років. До того часу, на жаль, українська політична еліта не буде мати рівня, що відповідає не тільки світовим стандартам, а й потребам роз-будови незалежності України.
– 63 –
Тепер про адміністративну еліту, яка об’єднує представників виконав-чої влади та керівників економіки, включаючи приватний бізнес.
За роки незалежності в Україні сформувався потужний (надто потуж-ний) шар державних службовців різного рівня. В умовах існуючої політич-ної та економічної ситуації це привело до того, що Україна, за оцінками за-хідних експертів, стала однією із найбільш корумпованих країн світу. Ко-румпований весь державний апарат, включаючи й структури, обов’язком яких є боротьба з корупцією (міліція, прокуратура та інші). Водночас рі-вень виконавчих структур, які не контролюються демократичним шляхом, залишається низьким.
Тепер про керівників економіки. В Радянському Союзі був сформова-ний шар керівників промисловості та сільського господарства, які в умовах планової та контрольованої партійними органами економіки забезпечували досить високий її рівень. При переході до ринкової економіки керівники, звичні до певних правил гри, фактично обумовили розвал економіки в но-вих умовах, не створюючи замість цього практично нічого нового. Не мож-на ж вважати корисним для країни створення навколо державних структур мережі приватних «супутників», які в основному спеціалізувалися на пе-ретворенні значної частини продукції державних підприємств на приват-ні гроші, основна частина яких і осідала в кишенях керівників державних підприємств. При цьому виробництво неухильно падало.
В цьому сенсі стара еліта перетворилася на власного антипода, якого можна було б назвати «чорною елітою». Часто кримінальний характер но-сить і її участь в приватизаційному процесі, де вона, користуючись своїм адміністративним становищем, приватизувала основну частину державного майна, але не дбала про зростання чи навіть про стабілізацію виробництва.
Ще реакційнішу роль в процесі становлення ринкових відносин віді-грає прошарок керівників сільського господарства. Користуючись своїм виключним становищем у селах, де від їх волі залежить доля кожної люди-ни, та політичною відсталістю селян, ці люди усіляко гальмують перехід сільського господарства на нові рейки. В цьому розумінні керівників сіль-ського господарства, за невеликими винятками, взагалі не можна віднести до еліти, — якщо ми будуємо не соціалістичну державу, а державу ринко-вої економіки.
Протягом останніх років активно формувався прошарок керівників при-ватного бізнесу (керівників фірм, банків, тощо), в руках яких зосереджува-лися величезні гроші. Але особливістю формування цього прошарку було те, що він створювався майже виключно за рахунок посередницької діяльності, а не розвитку нового виробництва. Ці люди зараз в основному залишаються «поза кадром», але їх роль в суспільстві стає дуже великою, бо їм належить значна, а, може, й основна частина економіки країни, яка, за визнанням екс-пертів, більш як на 50% перебуває «в тіні». Саме ці люди дуже істотно впли-вають на прийняття чи виконання тих чи інших політичних рішень.
Які ж перспективи перетворення сучасної адміністративної еліти на еліту, яка б відповідала потребам побудови економічно процвітаючої Укра-
– 64 –
їни? Для цього перш за все потрібно змінити умови роботи прошарку дер-жавних службовців. Вони мусять перебувати під контролем суспільства. І це може бути реалізовано, як і для політичної еліти, при формуванні різ-них політичних сил, що мають співрозмірну вагу. Крім того, потрібна ці-леспрямована боротьба з корупцією і, в першу чергу, в структурах, які му-сять стояти на охороні закону.
Заміни «чорної» еліти на справжню в промисловості не можна досяг-нути без завершення процесу приватизації. Тільки після цього колишні розпорядники державного майна можуть перейти до створення нової сис-теми господарства. Гірша справа в селі, де ще довгий час йтиме бороть-ба за зміну менталітету селян, вихованих в умовах колективного госпо-дарства. На жаль, мало оптимізму вселяє формування класу бізнесменів-виробників на основі бізнесменів-посередників. Як показує досвід, бізнесмени-посередники не здатні вкладати гроші в розвиток власного ви-робництва. Так, сьогодні накопичені кошти, які дістаються в результаті операцій «купи-продай», вкладаються лише в машини, дачі, відпочинок за кордоном чи нічні клуби, а не в створення нового виробництва.
За оцінками, для формування справжньої адміністративної еліти по-трібно не менше 5–10 років. Але слід відзначити, що тривалість цього про-цесу надзвичайно сильно залежить від тривалості формування політичної еліти.
Сьогоднішня науково-технічна еліта країни була сформована за прави-лами гри Радянського Союзу під тиском адміністративної системи. В ре-зультаті наукова еліта не спромоглася за сімдесят років Радянської та п’ять років незалежної України отримати бодай одну Нобелівську премію. Для порівняння, та ж Франція, де працювало менше вчених, ніж в Україні, за той же час отримала близько 20 Нобелівських премій.
Трохи кращими були справи в технічної еліти, де досягнуті значні успіхи в ряді областей техніки, головним чином пов’язаних з військово-промисловим комплексом (ракетобудування, літакобудування, зварю-вання, матеріалознавство тощо). Але, на жаль, сьогодні йде розвал як структури всієї української науки, так і структур, пов’язаних з технікою. І це пов’язано не тільки з погіршенням економічного становища, але і з суб’єктивними факторами. Так, зберігається організаційна структура на-уки радянського типу, створена для побудови зовсім іншого суспільства, яка не формує справді наукові цінності, знищена мотивація наукової ро-боти. І це при тому, що для збереження, наприклад, науки України потріб-но лише 2–3% ВВП, а в тіньовій економіці обертається 50% всіх грошей. Якщо вірити пресі, то в нашій країні і, зокрема, в нашому парламенті є люди, кожен з яких на власні кошти міг би утримувати всю українську на-уку від розвалу протягом 2–3 років.
Особливу тривогу викликає стан вищої школи України, яка є основою виховання не тільки науково-технічної еліти, але й інших шарів еліти на-ції. Зараз вища школа знищується випереджаючими темпами, попри зовні благополучну ситуацію. Так, не зменшується, а навіть збільшується кіль-
– 65 –
кість вищих навчальних закладів, більш-менш стабільна кількість студен-тів тощо, і це робить внутрішній розпад вищої школи майже непомітним для суспільства.
Проте стрімкими темпами знищується наука в вищих навчальних за-кладах, а саме вона є основою відтворення кваліфікованих викладацьких кадрів та основою сучасного навчального процесу. Водночас відбуваєть-ся погіршення матеріально-технічної бази та зміна на гірше студентсько-го складу. Не останню роль відіграє також контрактова система наймання на роботу професорсько-викладацького складу та особисте становище рек-торів. Справді, сьогоднішній ректор особисто перебуває в кращому право-вому та матеріальному становищі, ніж раніше, коли краще жила вся вища школа. Натомість викладач боїться висловлювати думки, що не збігають-ся з думками ректора (а хто висловлюється інакше, той, як правило, швид-ко втрачає роботу).
Яка ж перспектива змінити стан з вихованням науково-технічної елі-ти країни? Потрібно здійснити ряд заходів. І, перш за все, зберегти рівень вищої освіти хоча б у 30–40 провідних вищих навчальних закладах краї-ни. Це збереження вищої освіти неможливе без збереження науки в вищих навчальних закладах, відновлення мотивації викладацької діяльності. Від-значмо також, що в науці загалом формування справжньої еліти не може бути реалізовано без зміни принципів її формування. Головним мусить ста-ти рейтинг вченого в середовищі вчених його спеціальності, а не його міс-це в адміністративній ієрархії. Це вимагає перегляду принципів організа-ції державних академій, підтримки нових форм організації науки, зокрема громадських академій тощо. Всі ці заходи вимагають тільки правильних політичних та організаційних рішень і можуть бути здійснені за відносно короткий термін протягом 2–3 років. Але їх виконання вимагає певної по-літичної рішучості, а головне — мудрості всіх учасників необхідних пере-творень, якої так не вистачає на сьогоднішній день. І тут особливо треба підкреслити, що, коли не зупинити процесу розвалу освіти та науки, то для відновлення тільки теперішнього стану потрібно буде декілька десятків ро-ків та величезні фінансові вкладення.
Сьогоднішній парадокс полягає в тому, що навіть у Радянському Союзі, де інтелігенція була прошарком, вона була шанованим прошарком суспіль-ства. Натомість у незалежній Україні вона стала прошарком другого сорту. Невже незалежній Україні не потрібен розум?
На перший погляд, після здобуття незалежності найбільш сприятливі умови для свого розвитку отримала творча та мистецька еліта. Зняті всі ідеологічні заборони на художню творчість. Але, як не дивно, це не приве-ло до швидкого формування повноцінної художньої еліти демократично-го суспільства. На нашу думку, це пов’язано з декількома причинами. По-перше, головну ідею творчої еліти (переважно письменницької її части-ни) — ідею незалежної України — суспільством спочатку було сприйнято практично без труднощів (результати референдуму). Інших же ідей ця час-тина еліти за короткий час незалежності не виробила. По-друге, художня
– 66 –
еліта потрапила в нові економічні умови, коли фінансування її діяльності різко зменшилося. В результаті значна її частина опустилася до рівня куль-тури широкого вжитку, де можна заробити гроші. По-третє, яскраво вия-вилась наша провінційність в культурі, яка вироблялась державною полі-тикою Радянського Союзу протягом десятиліть. Але, попри сьогоднішній стан речей, становлення художньої національної еліти викликає наймен-ше побоювань. Для цього потрібен тільки час та покращання економічно-го становища.
Загалом незадовільний стан з національною елітою є не виною, а бі-дою України, наслідком її залежності від центру імперії. Але на створен-ня справжньої еліти нам відпущено не більше 10–15 років. Якщо ми не ви-користаємо цей шанс, то нас чекає або втрата незалежності, або перехід до рівня держав третього світу з дуже примарними надіями на повернен-ня до кола передових чи розвинутих країн, — таких, як, наприклад, Фран-ція, про яку вже йшла мова на початку нашої статті. Причому ключовим на сьогоднішній день є збереження, якщо не кількісно, то якісно, науки та освіти країни як основи для подальшого виховання інших прошарків наці-ональної еліти.
Академік Академії наук вищої школи України,професор, доктор фізико-математичних наук,
Соросівський професор В.І.Стріха
(1996 рік.)
– 67 –
НАПІВПРОВІДНИКОВІ СЕНСОРИ — ПЕРСПЕКТИВНИЙ НАПРЯМ
НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
ВступВсім відомі величезні успіхи напівпровідникової електроніки, які при-
вели до створення інтегральних схем з високим ступенем інтеграції. В свою чергу інтегральна техніка визначила розвиток обчислювальної техні-ки, техніки зв’язку та контролю за виробничими процесами, побутової тех-ніки високого класу, створення високоточної зброї тощо. Саме це і визначи-ло основні науково-технічні досягнення сучасної цивілізації.
В останні 10–15 років велика увага дослідників у галузі напівпровідни-ків та напівпровідникової електроніки була привернута до створення різно-го роду напівпровідникових сенсорів, які активно використовуються разом з мікросхемами і визначають новий перспективний напрям напівпровідни-кової електроніки — напівпровідникову сенсорику.
Чим же викликаний активний розвиток напівпровідникової сенсори-ки? Справа в тому, що розвиток цивілізації вимагає все більшого контр-олю за хімічним складом навколишнього середовища, контролю велико-го числа виробничих операцій, контролю великого числа медичних показ-ників тощо. Якщо допустити, що кожна людина має право щоденно знати лише 10 параметрів, що важливі для її життя, то загальна кількість вимі-рювань кожного дня досягне 5 1010. Це — величезна кількість вимірювань, яку не можна реалізувати існуючими методами. Тому потрібний принципо-во новий підхід. І цей підхід можливий у рамках застосування напівпровід-ників, які чутливі до різноманітних зовнішніх дій, та використання розро-бленої в інтегральній техніці технології, яка вже сьогодні дозволяє в одно-му технологічному процесі отримувати до 107 окремих елементів.
Визначення та класифікація напівпровідникових сенсорів
Загалом поняття «сенсор» можна визначити як первинний елемент ви-мірювальної системи, який перетворює вимірюваний сигнал однієї приро-ди в сигнал іншої природи.
Всі вимірювані сигнали залежно від їх природи можна розділити на три великі групи: фізичні, хімічні та біологічні. Виходячи з цього, всі сенсори також поділяються на три групи:
1) фізичні сенсори,2) хімічні сенсори,3) біологічні сенсори або біосенсори.
В свою чергу фізичні сенсори в залежності від характеру фізичного сигналу можуть бути поділені на подальші групи:
1) Механічні,
– 68 –
2) Термічні,3) Електричні,4) Магнітні,5) Радіаційні.
Як видно з цього розподілу, механічні сенсори чутливі до швидкості, прискорення, розмірів тощо. Термічні сенсори чутливі до температури, по-токів тепла тощо. За допомогою електричних сенсорів можна фіксувати струм, напругу, заряд та інші електричні параметри, а за допомогою маг-нітних сенсорів — магнітне поле, магнітний момент та інші магнітні ха-рактеристики. Радіаційні сенсори вимірюють інтенсивність випроміню-вання різної природи, його фазу тощо. Хімічні сенсори розділяються на газові та рідинні і можуть реєструвати склад, концентрацію та інші харак-теристики хімічних сполук.
Біосенсори реєструють склад та концентрацію біологічно активних ре-човин.
Принципи застосування напівпровідників у сенсорахЯк відомо, напівпровідники є надзвичайно чутливими до зміни зовніш-
ніх умов. Їх властивості змінюються зі зміною температури, під дією елек-тричного та магнітного полів, під дією зовнішнього опромінювання і бага-тьох інших факторів.
Чим же обумовлені такі зміни? В самому напівпровіднику ці зміни, в першу чергу, визначаються енергетичними переходами між валентною зо-ною та зоною провідності, а також між домішковими рівнями та дозво-леними зонами. При цьому змінюється провідність напівпровідника. Крім того, зміна властивостей напівпровідника відбувається також при просто-ровому переміщенні зарядів. Такий ефект, наприклад, спостерігається при одночасному впливі електричного так магнітного полів, коли носії заряду накопичуються на поверхнях, перпендикулярних електричному та магніт-ному полям (ефект Холла).
У випадку напівпровідникових приладів дія зовнішніх полів може бути складнішою, але і в цьому випадку важливими складовими процесів, що відбуваються, є енергетичні та просторові переходи носіїв заряду. Напри-клад, в р-n переході важливими є просторові переходи від n- до р-області, а в біполярному транзисторі важливими є просторові переходи інжектова-них носіїв від емітера до колектора, що при різних опорах кола емітера і ко-лектора і спричиняє ефект підсилення сигналу. Якщо на біполярний тран-зистор діє також освітлення, то ми маємо одночасно енергетичні та про-сторові переходи.
Чутливість напівпровідників до хімічного чи біологічного сигналу го-ловним чином визначається зміною вигину енергетичних зон коло поверх-ні напівпровідника. Це може обумовлюватися зміною поверхневих зарядів в результаті адсорбції і приводить до зміни провідності напівпровідника, зміни випростуючих властивостей контакту метал-напівпровідник тощо.
– 69 –
Основні параметри сенсорівНапівпровідникові сенсори характеризуються передаточними характе-
ристиками, а також довгочасовою стабільністю та надійністю їх роботи. Серед передаточних характеристик найбільш важливими є точність вимі-рювань:
E (%) = 100 (Xm — X1)/X1,
де X1 — точне значення невідомої величини, а Xm — значення, що вимі-рюється, а також чутливість
S = ∆Y/∆X,
де Y та X вихідний та вхідний сигнали.Крім того, важливими передаточними характеристиками є нелінійність,
повторюваність та інші.Важливу роль відіграють також стабільність та відсутність дрейфу ха-
рактеристик при зміні температури і з перебігом часу.Особливе значення має надійність сенсорів. Як відомо, надійність ви-
значається відмовами, які поділяються на катастрофічні, коли сенсори ви-ходять з ладу, короткочасові, після яких параметри відновлюються до попе-редніх значень, та довгочасові зміни, після яких наступає відмова.
Всі ці параметри та характеристики треба враховувати при розгляді ро-боти напівпровідникових сенсорів.
Основи технології напівпровідникових сенсорівБільшість напівпровідникових сенсорів виготовляється з використан-
ням технології виготовлення інтегральних схем. Як відомо, основні ета-пи виготовлення інтегральних схем такі: вирощування епітаксіальних ша-рів, окислення, легування, травлення, створення полікремнієвих чи діе-лектричних шарів, нанесення металічних шарів. Формування планарної структури вимагає також застосування літографії.
Вирощування епітаксіальних шарів звичайно проводиться методом га-зової чи рідинної епітаксії. Окислення проводиться при високих темпера-турах і може бути сухим чи вологим. В результаті спостерігається різна швидкість окислення та отримують окисли з різними властивостями.
При легуванні напівпровідників може застосовуватися дифузія домі-шок чи іонна імплантація. При дифузії ми маємо зменшення концентрації домішок від поверхні вглиб напівпровідника. При іонному легуванні кон-центрація домішок має максимум під поверхнею напівпровідника.
При літографії застосовуються фоторезисти, які можуть бути позитив-ними (розчиняється область, що освітлюється) та негативними (розчиня-ється затемнена область).
Процес травлення, який забезпечує необхідні властивості поверхні, звичайно складається з трьох етапів: доставка реактивів до поверхні, ре-акції, видалення продуктів реакції. Травлення буває рідинним та сухим. В
– 70 –
свою чергу, сухе травлення може бути фізичним (розпилення) та хімічним (травлення в реактивній плазмі).
Металізація необхідна для створення омічних та випростуючих контак-тів. Найбільш поширені такі методи металізації: вакуумне напилювання, катодне розпилення та хімічне нанесення в розчинах.
Але крім стандартних операцій, які застосовуються в мікроелектро-ніці, для створення сенсорів розроблений ряд особливих технологічних прийомів. Це, перш за все, технологія формування трьохмірних сенсорів. Вона базується на тому, що кремній в деяких травниках травиться з різ-ною швидкістю в різних кристалографічних напрямках. Так, наприклад, при травленні кремнію в КОН швидкість травлення в напрямку (100) від-різняється від швидкості травлення в напрямку (111) в 400 разів. Це дозво-ляє отримувати трьохмірні кремнієві структури для механічних сенсорів різного призначення.
Розроблені також технології з’єднання діелектричних та напівпровід-никових шарів для створення спеціальних сенсорів. Особливу проблему являє капсулювання сенсорів різного призначення. І тут розроблені оригі-нальні технологічні рішення, які забезпечують вирішення цієї проблеми.
Механічні сенсориМеханічні сенсори є приладами, які використовують для вимірювань
механічних дій. Сюди відносять сенсори для визначення положення, швид-кості, прискорення, сили, тиску, маси, густини, в’язкості та багатьох інших фізичних величин. Для більшості цих сенсорів використовується техноло-гія спеціального травлення, що дозволяє отримувати трьохвимірні струк-тури. Великою проблемою при створенні таких сенсорів є проблема ство-рення комбінованих структур. Для цього, як уже відзначалося раніше, роз-винуті спеціальні технології, наприклад, технологія з’єднання кремнію зі склом чи кремнію з кремнієм.
У багатьох механічних сенсорах використовується п’єзоопір, що базо-ваний на зміні енергетичної структури кремнію при дії на нього механіч-ної сили. В результаті цієї зміни відбувається зміна електричного опору кремнію.
Крім того, в механічних сенсорах широко використовується також змі-на ємності під дією механічних сил у спеціальній структурі сенсора.
Важливою проблемою для механічних сенсорів є також проблема вимі-рювання швидкості рідинних потоків. Такі потоки можна, наприклад, ви-міряти за допомогою контролю охолодження гарячої області напівпровід-ника потоком, що проходить повз цю область.
Мікромеханічні сенсори можуть застосовуватися в промисловості, ав-томатиці, медичному обладнанні та домашньому господарстві.
– 71 –
ТермосенсориТермосенсори застосовуються для вимірювань температури, потоків
тепла, потужності тощо. В цих сенсорах використовується зміна провід-ності напівпровідника за рахунок переходів носіїв між дозволеними зона-ми напівпровідника та між домішковими рівнями і дозволеними зонами, а також зміна з температурою характеристик напівпровідникових приладів. Звичайно використовують експоненціальну залежність опору чи параме-трів приладу від температури:
R ∼ e-E/kT
де Е може бути шириною забороненої зони, енергетичним положенням домішкового рівня, висотою потенційного бар’єру тощо.
Крім того, в напівпровідникових сенсорах може використовуватися та-кий ефект, як термо-ЕРС. Як відомо, сигнал термо-ЕРС
∆V = α ∆T,де α — коефіцієнт термоерс, а ∆Т — різниця температур між гарячим
та холодним контактами.Для підсилення вихідного сигналу звичайно використовують сигнал від
багатьох термопар, які включені послідовно. В цьому випадку загальний сигнал V = ∑ ∆V, де ∆V — сигнал від кожної окремої термопари. Слід осо-бливо відзначити, що термосенсори є також базовим елементом для ство-рення сенсорів іншого типу, наприклад, механічних сенсорів для вимірю-вання потоків, радіаційних сенсорів та хімічних або біологічних сенсорів.
Електричні сенсориЕлектричні напівпровідникові сенсори перетворюють електричний сиг-
нал однієї форми в іншу, або електричний сигнал в сигнал іншої природи.Прикладом сенсорів першої групи є перетворення змінного сигналу в
постійний за допомогою нелінійного напівпровідникового елементу або застосування транзистора для підсилення електричного сигналу.
Прикладом сенсорів другого типу є п’єзосенсори чи ємнісні сенсори. В п’єзосенсорах, як відомо, під дією електричних полів змінюються розміри п’єзокристалу, а в ємнісних сенсорах під дією постійної напруги може змі-нюватись ємність мікроконденсатора, яку можна вимірювати при прикла-данні змінної напруги.
На сьогоднішній день створена величезна кількість різних напівпровід-никових електричних сенсорів для вимірювань струму, напруги, напруже-ності поля та інших електричних величин.
Магнітні сенсориМагнітні сенсори, як правило, перетворюють дію магнітного поля в
електричний сигнал.Найширше в магнітних сенсорах використовують гальваномагніт-
ні ефекти в напівпровідниках. Це, перш за все, ефект Холла. Як відомо, цей ефект виявляється, коли через напівпровідник проходить електричний
– 72 –
струм, а сам напівпровідник вміщений в магнітне поле, напрям якого пер-пендикулярний до електричного поля. Тоді, завдяки дії сили Лоренца, на гранях напівпровідника, перпендикулярних як до електричного, так і маг-нітного поля, виникає електрорушійна сила, яка і називається ЕРС Холла.
Другим гальваномагнітним ефектом, який використовується в магніт-них сенсорах, є магнітоопір. Він обумовлений зміною довжини вільного пробігу носіїв заряду в перпендикулярному магнітному полі.
Як магнітні сенсори можуть також використовуватись напівпровідни-кові структури, наприклад, МДН транзистор, в якому відбувається зміна вільного пробігу носіїв у магнітному полі. Існуючі магнітні сенсори на основі напівпровідників та напівпровідникових структур можуть перекри-вати шість порядків величин магнітного поля, починаючи з 10–5 Т до 10 Т.
Радіаційні сенсориРадіаційні сенсори трансформують вхідний сигнал в електричний сиг-
нал. Вхідним сигналом у випадку радіаційних сенсорів може бути елек-тромагнітне випромінювання (НВЧ хвилі, світло), або потоки часточок (електрони, протони тощо). Ці сенсори мають забезпечувати детектуван-ня в надзвичайно широкому спектрі енергій від 109 еВ (космічні промені) до 10–10 еВ (радіохвилі).
Електромагнітні випромінювання або часточки, які поглинаються в на-півпровіднику, можуть викликати різні зміни його характеристик. Погли-нання залежить від віддалі до х поверхні по закону
Φ(x) = Φoe-αX
де α є коефіцієнтом поглинання. Коефіцієнт α залежить від харак-теру радіаційного випромінювання. Наприклад, електрони з енергією від 10 до 100 кеВ поглинаються в кремнії на глибині від 4 до 40 мікрон, а фо-тони з тією ж енергією поглинаються на глибині від 0,06 до 60 см відповідно.
Поглинання радіаційного випромінювання може приводити до зміни провідності за рахунок зміни концентрації носіїв у дозволених зонах та до появи електрорушійної сили за рахунок розділення носіїв внутрішніми по-лями (р-n перехід, транзистор та інше).
Хімічні сенсориХімічні сенсори виконують функцію визначення роду хімічної сполу-
ки та її концентрації в газовому та рідкому середовищі. Для цих сенсорів найбільш широко використовуються напівпровідникові плівки та польові транзистори.
В багатьох випадках в результаті адсорбції відбувається зміна вигину зон, яку можна детектувати різними методами (зміна провідності, ємності, контактної різниці потенціалів тощо).
Зміна вигину зон відбувається в результаті зміни заряду адсорбованих часточок. Наприклад, при адсорбції кисню відбувається його дисоціація до форми О-, де електрон екстрагується із об’єму напівпровідника. При ад-сорбції важливим є також склад напівпровідника, на якому відбувається
– 73 –
адсорбція. Наприклад, при адсорбції кисню на поверхні GaAs він взаємо-діє переважно з As. Для підсилення адсорбції або створення чи збільшення концентрації активних часточок часто використовують покриття поверхні каталітично активними сполуками.
Як приклад, що пояснює каталітичну дію додаткового покриття, можна привести дію покриття Pt на адсорбцію водню. В результаті адсорбції Но на Pt відбувається перехід Не→Н+, а це і означає збільшення концентрації актив-них заряджених часточок при адсорбції водню на поверхні напівпровідника.
На сьогоднішній день розроблена величезна кількість хімічних напівпро-відникових сенсорів, які використовують різні напівпровідники та різні прин-ципи детектування хімічних сполук в газових та рідинних середовищах.
БіосенсориБіосенсори детектують біологічно активні речовини.Як відомо, в живому організмі сукупність всіх внутрішньоклітинних та
міжклітинних реакцій мусить підтримуватись на стабільному рівні. Така підтримка постійного складу внутрішнього середовища живого організму називається гомеостазом. Існування гомеостазу обумовлюється біологічно активними сполуками — ферментами, антитілами та гормонами. Фермен-ти — це біологічно активні каталізатори, які працюють в кожній клітині. Каталіз проходить на активному центрі ферменту за схемою:
E + S → E — S → E + Pде Е — фермент, S — субстрат, P — продукт.Антитіла захищають організм від чужорідних білків. Схема такого за-
хисту подальша: антитіла взаємодіють з антигенами чужорідного білка, в результаті утворюється складна структура антитіло-антиген, що розпада-ється. Це і приводить до знищення чужих для організму білків.
Гормони виконують в організмі регулюючу функцію.Для реєстрації біологічно активних речовин, як правило, застосовують
біологічно активні мембрани, які наносяться на поверхню напівпровідника чи напівпровідникової структури. Така біологічно активна мембрана може включати в себе іммобілізовані (прив’язані) ферменти чи інші біологічно активні компоненти. В результаті взаємодії таких біологічно активних ком-понентів з розчином, в якому є біологічно активні речовини, відбувається зміна хімічного складу розчину, яка може детектуватися на принципах, які застосовуються в хімічних сенсорах.
В біосенсорах можна також використовувати і фізичні методи детекту-вання. Наприклад, при реакції антитіла, іммобілізованого на поверхні, з ан-тигеном, змінюється величина ємності системи металічний електрод — на-півпровідник за рахунок зміни діелектричних властивостей проміжку між металом та напівпровідником.
Сьогодні проблема створення біосенсорів різного призначення активно розробляється дослідниками, випуск таких сенсорів налагоджується різни-ми фірмами.
– 74 –
Області застосування та ринок напівпровідникових сенсорів
На сьогоднішній день напівпровідникові сенсори найбільш активно за-стосовуються в таких областях:
1) Периферія обчислювальних машин.2) Космос та авіація.3) Контроль навколишнього середовища.4) Телекомунікації.5) Системи безпеки.6) Контроль виробничих процесів.7) Транспорт.8) Медицина.9) Домашнє обладнання.
10) Іграшки.В цих областях найбільше застосування знайшли такі сенсори:
1) прискорення,2) тиску,3) температури,4) потоків,5) рівня,6) хімічні,7) положення,8) мікрохвильові,9) контролю інжекції чорнил,
10) контролю роботи мікрофільтрів,11) контролю запису та відтворення інформації на магнітних дисках і т.п.
Проблемою напівпровідникових сенсорів на сьогоднішній день займа-ються тисячі вчених у всьому світі, а кількість публікацій вже перевищи-ла 20000 робіт. Тільки в Європі проблемою напівпровідникових сенсорів займаються понад 300 фірм. Ринок сенсорів тільки в Європі в 1995 році складав 11 млрд. дол., і за прогнозами в 2002 році цей ринок виросте більш ніж у 3 рази і досягне 38 млрд. доларів.
Таким чином, напівпровідникові сенсори вже в найближчий час можуть посісти друге місце в напівпровідниковій електроніці після традиційної ін-тегральної електроніки.
Література1. С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. Т.1,2. Москва, Мир, 1984.2. S.M.Sze. Semiconductor Sensors. New York, John. Wiley, 1994.3. A.F.P.Turner. Biosensors Fundamentale and Applications, Oxford, 1987.4. W.Gopel et al, New York, VCH, Sensors, v.1–5, 1992.
(1997 р.)
– 75 –
Cтатті та спогади про В.І.Стріху
ВІТАЛІЙ ІЛАРІОНОВИЧ СТРІХА: ПОРТРЕТ НА ТЛІ
ІСТОРИЧНОЇ ДОБИМаксим Стріха,
доктор фізико-математичних наук, дійсний член АН вищої школи України
Минуле двадцяте століття було без перебільшення добою, коли наука вийшла з кабінетів дослідників і змінила життя кожної людини. Цей вплив був різний. Дуже часто рушієм отримання нових результатів було створен-ня зброї — чи то «високоточної», чи то масового ураження, здатної вод-номить перетворити квітучі країни на радіоактивні пустелі. І все ж навіть найзатятіший скептик не стане заперечувати: сумарний вплив розвитку на-уки на людську історію був безумовно позитивний. Зброї потребували по-літики й військові (облишу той унікальний випадок, коли кращі фізичні уми вільного світу добровільно об’єдналися в «урановому проекті», аби не дати Гітлерові першим отримати атомну бомбу). Учених натомість цікави-ло насамперед пізнання нового. А ще — прагнення дати людству техноло-гії, які зроблять повсякденне життя зручнішим і влаштованішим, запропо-нувати способи лікування недуг, які ще вчора були смертельними, зрозумі-ти закономірності розвитку суспільства.
«Найважливішою» наукою ХХ століття була, безумовно, фізика. А тим розділом фізики, який найбільшою мірою змінив щоденне життя, дав-ши людям комп’ютери й побутову електроніку, була фізика напівпровід-ників — малознаних ще в першій половині минулого віку матеріалів, які сильно змінюють свої властивості під дією зовнішніх впливів.
Український внесок у фізику напівпровідників вельми значущий. І се-ред тих постатей, які творили цей новий розділ науки в Україні, помітне місце належить професору Віталію Іларіоновичу Стрісі, якому 30 трав-ня 2011 року виповнилося б 80. У його житті наче в дзеркалі відбилися не лише цікаві (й часом драматичні!) моменти історії вітчизняної науки, але й, ширше — ті тектонічні процеси, які впливали в ХХ столітті на долі міль-йонів українців.
Отже, спробую коротко окреслити портрет професора Стріхи — на-уковця, педагога, громадського діяча (й батька автора цих рядків) на тлі дуже складної, трагічної, але й водночас дуже цікавої історичної доби.
30 травня 1931 року в родині красуні-студентки Наталі Бурчик (схожої на тодішню оперну зірку Оксану Петрусенко) та молодого інженера Іларі-она Стріхи в Києві народився син Віталій. Це сталося в Києві — хоч обоє батьків народилися в селі Хоцьки на Переяславщині (на початку ХХ сто-
– 76 –
ліття це була Полтавська губернія). Хоцьки славилися тим, що тут ніколи не було панщини (в родинному архіві досі збереглися датовані 1898 роком документи «козака Опанаса Стріхи», Іларіонового батька). Проте найбіль-ший вплив на формування маленького Віталія мала, очевидно, його бабуся по мамі Ганна Терентіївна Бузницька-Бурчик (1892–1975).
Ще 1908 року вона склала екстерном у переяславській гімназії іспити, які давали право на посаду «народної вчительки» й відтоді упродовж понад півстоліття вчителювала — спершу в церковнопарафіяльних і земських школах Переяславщини, потім — у Києві. Тут у її біографії значилася й ро-бота вчителькою молодших класів у «Першій трудшколі імені Тараса Шев-ченка» — саме тій, з якої ГПУ зробило один з головних осередків «Спіл-ки визволення України». 1929 року було заарештовано й Ганну Терентіїв-ну (благо, в її долі була уже тюрма Переяславського «ЧК» в 1920-му — тоді молоду вчительку врятувала від розстрілу лише вчасна заміна начальника-садиста на когось більш поміркованого). На щастя, в схему ГПУ тоді вона, очевидно, «не вписалася»: на сумновідомий процес 1930 року в Харків-ській опері «випускали» дітей дворян і священиків. Ганна Бурчик була ж із заможного, але козацького роду. Тож по кількох тижнях у Лук’янівській тюрмі її випустили. Другу половину 1930-х вона пережила, мабуть, тому, що знову виїхала вчителювати на село — й ніде довго не затримувалася…
Цікавою й талановитою людиною був її чоловік Андрій Оврамович Бурчик. Походив він із села Андруші (40 років тому воно зникло під хви-лями Канівського моря) і пам’ятав розповіді свого діда Дениса про зустрічі з Тарасом Шевченком, який відвідував Андруші в 1845-му (цікаво, що про зустрічі Шевченка з селянином з Андрушів Денисом Бурчиком, який знав безліч народних пісень і переказів, оповідає і невтомний дослідник укра-їнської старовини Микола Сікорський у своїй книзі «На землі Переяслав-ській»).
Андрій Бурчик самотужки вивчився на бухгалтера і був причетний до перших років роботи знаменитого Московського художнього театру (піз-ніше в родині довго зберігався подарований Немировичем-Данченком вже під час київських гастролей МХТ наприкінці 1920-х срібний портси-гар). Мама Ганни Терентіївни не давала благословення на шлюб 18-річної дочки-вчительки зі старшим на 12 років парубком із досвідом столичного життя — але той повіз наречену вінчатися в Андруші проти материнської волі, приїхавши в Хоцьки на мотоциклеті (1910 року то була, можливо, перша поява мотоциклету на сільських вулицях). Церква ж, у якій було об-вінчано Ганну з Андрієм, збереглася стараннями того ж таки Миколи Сі-корського — і нині прикрашає Національний музей-заповідник народної архітектури в Переяславі-Хмельницькому.
Пишу про це тому, щоб наголосити: майбутній фізик зростав в у роди-ні, де імена Шевченка, Дурдуківського, Єфремова й Немировича-Данченка були частиною родинної історії, а пам’ять про часи УНР (установи якої розбудовувала на Переяславщині й Ганна Бузницька-Бурчик) була ще над-то свіжа.
– 77 –
Звичайно, школяреві Віталієві пощастило: таку родину надто легко мо-гли б поглинути репресії 1930-х, але завдяки якомусь щасливому випад-кові цього не сталося. В усьому ж іншому йому жилося, як і всім одноліт-кам з незаможної і «непрестижної» Лук’янівки: в старому двоповерховому будинку по вул.Дикій, 5, характерному для тодішніх міських околиць (він знесений у 1980-ті, і на теперішній вул.В.Дончука №5 має зовсім інший бу-динок) всі «комунальні вигоди» містилися на подвір’ї.
До війни Віталій встиг закінчити три класи середньої школи №1 — тієї, що раніше була «імені Шевченка», і де ще вчителювала бабусина подру-га Мотрона Миколаївна Голубнича, яка добре пам’ятала засланого за про-цесом СВУ колишнього директора В.Дурдуківського. Однак вибухнула ві-йна і у вересні Віталій Стріха, не встигши почати навчання в 4-му класі, разом з мамою-геологом (яка встигла розлучитися з чоловіком), бабусею-вчителькою і дідусем-бухгалтером опиняється на окупованій території. Десятирічний хлопчик стає свідком вибухів на Хрешатику (за наказом ко-мендатури саме ніс туди з дідусем здавати радіоприймач, але, на щастя, не встиг дійти). Неподалік від Дикої по вулиці Артема йшли колони прирече-них до Бабиного Яру.
Але життя (для тих, хто лишився живий) тривало. І Віталій Стріха на-вчався у відкритій Київською міською управою школі, де вчителювала його бабуся (пізніше ця сторінка буде чи не «найзасекреченішою» в його біогра-фії). Ближче до кінця 1942-го в місті стає зовсім нестерпно. 27 грудня від виразки шлунку (помноженої на голод і брак ліків) помирає дідусь (збере-глася довідка від «Шевченківської районової управи» про смерть 62-річ-ного «Андрія Бурчика, православного»). На початку 1943-го через голод і терор у Києві родина перебирається до села Немиринці на Житомирщині.
Визволення прийшло в Немиринці лише на початку 1944-го. Родина вер-тається до зруйнованого й збезлюднілого Києва. Наталя Бурчик стає до пра-ці за фахом асистентом кафедри мінералогії Київського університету (за своє життя геолога вона описала понад 70 нових родовищ будівельних глин), Ган-на Бурчик — учителькою початкових класів школи №55. Тут із затримкою в три роки Віталій відновлює навчання у 4-му класі, де його однокласниками стають цікаві, талановиті діти: Володимир Скок (пізніше — відомий біолог, академік АН УРСР), Юрій Огульчанський (фактичний ініціатор створення всеукраїнського Товариства української мови в 1988-му, пізніше — перший секретар ТУМ), Андрій Воронович (змушений носити прізвище матері син засланого тоді геніального перекладача Григорія Кочура, пізніше — відомий публіцист і чемпіон України з боксу в надлегкій вазі).
У 19 років Віталій закінчує школу з золотою медаллю. Самої медалі — на той час справді позолоченої — йому так і не видали, але мала значення довідка, яка допомогла вступити на фізичний факультет Київського держав-ного університету імені Тараса Шевченка. Тут серед однокурсників і друзів вартий згадування Володимир Литовченко (пізніше — член-кореспондент НАН України, президент Українського фізичного товариства).
– 78 –
Студентські роки Віталія Стріхи минали так, як і в більшості його од-нолітків. Були лекції й семінари (навіть студентські його конспекти й зо-шити вражають методичністю й охайністю — по них хоч зараз можна ре-конструювати прослухані курси й виконані лабораторні). Було захоплення спортом — у липні 1952-го він отримує другий розряд зі спортивної ходь-би (звичка до довгих прогулянок і невміння ходити повільно залишилися на все життя). Була й перша студентська закоханість — яка не лишила по собі нічого, окрім світлих спогадів.
Проте по-справжньому важливим не лише для студента Віталія Стрі-хи, а й для всієї майбутньої фізики напівпровідників в Україні виявив-ся 1953 рік — рік смерті Сталіна. Цього року Віталій Стріха був переве-дений на новостворений радіофізичний факультет — зорієнтований на об-слуговування найновіших напрямків науки й техніки, а тому настільки секретний, що навіть кафедри на ньому певний час позначалися цифрами. Кафедру, що пізніше отримала назву «фізики напівпровідників», тут очо-лив Вадим Євгенович Лашкарьов (1903–1974).
Цей учений, чиє ім’я носить сьогодні заснований ним у 1960-му Інсти-тут фізики напівпровідників НАН України, вартий окремої розповіді. В його біографії на той час була й робота в Ленінградському фізико-технічному ін-ституті (на особисте запрошення фундатора фізики напівпровідників і ді-електриків в СРСР Абрама Йоффе), і заслання до Архангельська (де він у місцевому медінституті читав фізику майбутньому славетному хірур-гові Миколі Амосову). Було й експериментальне відкриття p-n-переходу, який лежить в основі роботи всіх сучасних напівпровідникових приладів, та вентильного фотоефекту в напівпровідниках (на його основі працюють усі сонячні перетворювачі). Робота 1941 року, де ці результати було опи-сано, була по-справжньому «нобелівського» рівня. Але вона пройшла тоді майже непоміченою — можливо, тому, що надто випереджала можливос-ті тодішніх технологій…
У липні 1955 року Віталій Стріха закінчує університет за спеціальніс-тю «фізика напівпровідників» і, зарахований на посаду інженера радіофі-зичного факультету, працює під науковим керівництвом професора Лашка-рьова. У 1957 році з’являються друком перші серйозні наукові роботи вчо-рашнього студента (у співавторстві з В.Лашкарьовим, В.Литовченком та іншими співробітниками факультету). Їх було присвячено контакту напів-провідника германію з металом. Ця «контактна» тематика пройшла через усе наукове життя Віталія Стріхи, вилившись у низку фундаментальних і чимало важливих прикладних результатів.
Паралельно формується ще одна пристрасть, яку згодом учений проне-се крізь усе життя. Це — далекі мандри. В серпні 1957-го молодий інженер-дослідник відбуває першу серйозну туристичну подорож через Кавказький хребет. 21 серпня він насилає картку до мами з озера Ріца: «Ура! Я уже в Ріці. Через 7 перевалів, 15 днів у палатці, у лісі, на каменях, серед льоду і снігу. Тепер все позаду».
– 79 –
На 1958 рік припадає ще одна подія «на все життя» — знайомство з 22-річною студенткою 5 курсу Київського медичного інституту Надією Гулою, дочкою знаних біохіміків професора Марії Коломійченко і акаде-міка, на той час віце-президента АН УРСР Максима Гулого. У липні Віта-лій і Надія разом беруть участь у човновому поході по річці Білій на Уралі. А 20 вересня. беруть шлюб, який протривав понад 40 років. 1961 року в мо-лодого подружжя народився син Максим, який нині пише ці рядки.
І весь цей час триває інтенсивна наукова праця. 30 червня 1962 року на об’єднаній раді Інститутів фізики, металофізики і напівпровідників АН УРСР Віталій Стріха захищає дисертацію на здобуття наукового сту-пеня кандидата фізико-математичних наук «Дослідження фізичних проце-сів у точкових діодах і їхні зв’язки з властивостями напівпровідника». Річ у тому, що попередні теорії роботи таких діодів зовсім не враховували на-явності проміжного шару оксиду, який неминуче утворюється на поверхні напівпровідника. Дисертант не лише побудував строгу теорію роботи кон-такту з урахуванням проміжного шару, а й показав, як у ряді випадків цей шар можна зробити «союзником», підвищивши характеристики напівпро-відникових приладів.
Уже в кандидатській повною мірою виявилися риси Віталія Стрі-хи — науковця. Насамперед — це надзвичайна скрупульозність у про-веденні експерименту, бажання і вміння дослідити всі можливі ситуації. По-друге, це добре володіння математичним апаратом (відомий теоретик член-кореспондент НАН України Кирило Толпиго якось сказав: «я вважаю Стріху теоретиком», хоч сам Віталій Іларіонович зараховував себе до екс-периментаторів). І, нарешті, це зорієнтованість на практичні завдання, які ставив швидкий розвиток напівпровідникової техніки.
Варта наслідування й методичність, з якою учений працював з літера-турою. У його великій науковій бібліотеці практично до кожної моногра-фії вкладено кілька аркушиків, де ретельно законспектовано основні думки (або ж вказано на можливі помилки автора чи авторів). А з кожної конфе-ренції неодмінно привозився зошит з акуратно законспектованими допо-відями. Відтак Віталій Стріха дуже добре знав, що діється в його науковій галузі й навколо неї.
Уже наступного 1963 року подала до захисту кандидатську дисертацію Юй Лі-шень, перша аспірантка 32-річного тоді кандидата наук (пізніше — професор Пекінського університету). Розпочалося формування наукової школи В.І.Стріхи (пізніше вона об’єднуватиме понад 30 кандидатів і близь-ко 10 докторів наук). 1 квітня 1965 року учений був призначений завідува-чем лабораторії фізики і техніки напівпровідників радіофізичного факуль-тету (очолював її до останніх днів життя).
А в липні-серпні 1966 року, після кількох років подорожей Кавказом, Віталій Стріха очолює байдаркову групу під час походу по річці Вуокса та озерах Кольського перешийку. Склад групи дещо мінявся з року в рік, але кістяк її складали Віктор Грінченко, пізніше академік НАН України, Віта-лій Савченко, пізніше професор Київського університету, дружина Надія
– 80 –
Гула, пізніше член-кореспондент НАН та НАМН України. На рахунку цієї групи — складні подорожі Полярним Уралом, верхів’ями Лени, Саянським коридором Єнісею (нині затопленим водосховищем Саяно-Шушенської ГЕС), порожистими річками й озерами Карелії. Аж до 1996 року Віталій Стріха щорічно проводив літню відпустку в байдарковому поході, викону-ючи обов’язки «вождя туристського народу». А в самій групі панували на-строї відвертої фронди і багато її ритуалів (аж до титулу «вождя» в керів-ника) були відвертою пародією на маразм радянських реалій доби «зріло-го застою».
1968 року у видавництві «Наукова думка» виходить друком піонер-ська за змістом колективна монографія за редакцією професора Василя Ля-шенка «Електронні явища на поверхні напівпровідників». Віталій Стрі-ха написав великий (на понад 3 друковані аркуші) розділ Х монографії: «Вплив поверхневих станів на електричні властивості контакту метал-напівпровідник». 21 грудня 1970 року постановою ЦК КП України і Ради Міністрів УРСР №634 Віталію Стрісі разом з чотирма іншими авторами монографії було присуджено Державну премію Української РСР в галузі науки і техніки.
А 6 березня 1969 року на засіданні вченої ради КДУ ім.Т.Г.Шевченка Віталій Стріха з блиском захищає докторську дисертацію «Досліджен-ня фізичних процесів у контакті метал-напівпровідник». У збереженій стенограмі захисту звертає на себе увагу виступ директора Всесоюзного НДІ кріогенної техніки професора В.Алфєєва. З нього зрозуміло, наскільки важливою була робота для оборонного комплексу колишнього СРСР. Адже ще в 1950-ті доводилося міняти кристалічні детектори на радіолокаційних станціях по кілька разів на добу. З урахуванням пропозицій Віталія Стріхи (базованих на все тих-таки властивостях перехідного шару) надвисокочас-тотні детектори стали на порядки надійніші…
1972 рік став для Віталія Стріхи важливий двома подіями. Восени він їде до Польщі. Це — друга в житті закордонна поїздка 41-річного вченого (першою була туристична подорож Дунаєм разом з дружиною в 1960-му) і перше наукове відрядження. Саме таким був стиль «закритої» радянської доби. В Кракові учений читає лекції з контактних явищ у напівпровідниках студентам Ягеллонського університету, а заодно відкриває для себе мен-тальність людей, які з волі обставин теж жили в «соціалістичному таборі», але були значно вільніші від своїх радянських колег.
Відтоді з кожної закордонної подорожі учений привозив із собою дріб-но списаний блокнот, де було все — і наукова інформація, і подорожні вра-ження від країни, її пам’яток та музеїв, минулого і сучасного. В Польщі вихованого в атеїстичному СРСР Віталія Стріху цікавило й те, як зі світо-глядом сучасної людини (і особливо науковця) сполучається віра в Бога. «Польський» блокнот містить записи трьох розмов на цю тему: з пілотом літака, з жінкою-науковцем і ксьондзом. В цих записах немає комента-рів — лишень відповіді співрозмовників на запитання, які вочевидь хви-лювали й українського вченого.
– 81 –
1972 роком датовано й першу спробу участі у виборах на вакансію члена-кореспондента АН УРСР. «Кампанії» Віталій Стріха не вів: сподівався, що за нього говоритиме список його робіт. Однак результат був провальний: лише 5 голосів «за». Надалі учений балотувався до АН УРСР ще 7 разів: уже з усталеними в академічному світі доповідями, поїздками й прохан-нями підтримати. Однак незалежний університетський учений, що сто-яв поза боротьбою «київської» та «харківської» партій, які змагалися тоді за вплив у відділенні фізики та астрономії, і не мав впливових академіч-них покровителів, щоразу не добирав кількох голосів. 15 січня 1988 року В.І.Стріха бере участь у виборах до АН УРСР востаннє. З 34 членів від-ділення, які твердо обіцяли проголосувати «за», реально підтримали 25. «Обманули — 9» — нотує того дня В.І.Стріха. «Прохідний бал» стано-вив 33 голоси…
Ця історія наочно показала Віталію Стрісі несправедливість систе-ми організації науки, за якої університетський професор має приблизно в 10 разів менше шансів бути обраним до елітної наукової установи — Ака-демії наук, аніж його колега, нехай навіть з гіршим списком робіт, але — з академічного інституту. Уже в 1990-ті учений прагнув подолати цю неспра-ведливість, створивши Академію наук вищої школи України.
А поки триває напружена викладацька й наукова робота. 9 листопа-да 1973 року Віталій Стріха обраний за конкурсом професором кафедри фі-зики напівпровідників радіофізичного факультету. А наступного 1974 року виходять друком дві монографії: одноосібна «Теоретичні основи роботи контакту метал-напівпровідник» та написана в співавторстві з двома ко-лишніми аспірантами, Євгенією Бузаньовою та Ігорем Радзієвським, «На-півпровідникові прилади з бар’єром Шотткі». У них було систематизовано результати робіт з фізики контакту метал-напівпровідник, що здобули на той час загальне визнання і мали широке практичне впровадження при ви-робництві НВЧ пристроїв. 28 червня 1975 року Віталій Стріха був обраний за конкурсом на посаду завідувача кафедри фізики напівпровідників (очо-лював кафедру до 1996 року).
1970-ті — початок 1980-х років були й часом активної роботи на по-саді голови Науково-методичної ради з пропаганди фізики і математики Київської міської організації Товариства «Знання» (їх тоді популяризу-вали значно краще, ніж зараз). Зберігся аркушик, на якому Віталій Стрі-ха сумлінно інвентаризував свої інші громадські навантаження. Станом на 1.10.1981 р. він був членом комісії з приладобудування при Київсько-му міськкомі КПУ, членом ради директорів НПО «Електроніка», членом бюро Ради з фізики напівпровідників АН УРСР, членом Секції з гетеро-структур АН СРСР, членом Секції з фізики і хімії напівпровідників Мін-вузу СРСР, членом Секції з фізики та головою Секції з фізики напівпро-відників МВССО УРСР, членом спеціалізованих рад із захисту в КДУ та в Інституті напівпровідників АН УРСР, членом Ученої ради КДУ, членом програмового комітету Всесоюзної конференції з фізики напівпровідників (Баку, 1982). За наведеним на тому ж аркушикові підрахунком В.І.Стріхи,
– 82 –
ці та інші громадські доручення (засідання, підготовка до них та дорога) забирали близько 100 годин на місяць, тобто понад 60% робочого часу!
З початку 1980-х років професор Стріха розгортає інтенсивні роботи з напівпровідникових перетворювачів сонячної енергії на електричну (став-ши разом зі своєю колишньою аспіранткою Світланою Кільчицькою піо-нером у цій сьогодні вельми відомій, а тоді щойно формованій галузі до-сліджень). Вже за кілька років до катастрофи на ЧАЕС учений наважив-ся публічно опонувати офіційно прийнятій тезі про «безальтернативність» атомної енергетики, доводячи: лише сонячна енергетика не лише позбав-лена притаманних «мирному атому» ризиків, але й реально може задо-вольнити енергетичні потреби людства. Відтак вихід першої україномов-ної брошури, присвяченої проблемам фотовольтаїки «Сонячна енергети-ка і проблеми її розвитку» (1983) наразився на чималі цензурні проблеми. А публіцистична стаття «СЕС чи АЕС?» (Прапор, 1988, №1) мала значний резонанс, — тоді, на хвилі перебудови, «товсті» літературні журнали чита-ли інтенсивно.
27 серпня 1984 року з ініціативи ректора-фізика академіка Михайла Бі-лого учений був призначений на посаду проректора КДУ ім.Т.Г.Шевченка (спершу з навчальної, а через рік — з наукової роботи). У 1986–1993 ро-ках Віталій Стріха очолює однин з основних наукових напрямків діяль-ності Київського університету: «Електроніка твердого тіла, напівпровід-ників і структур на їх основі. Фізика поверхні та контактні явища у на-півпровідниках». Він — керівник спільної наукової програми АН УРСР та МВССО УРСР «Фізичні властивості нових напівпровідникових матеріалів та створення на їх основі пристроїв та систем», голова секції «Фізичні яви-ща в гетеро структурах» Наукової ради АН УРСР з проблеми «Фізика на-півпровідників».
У 1987 році приходить і зацікавлення абсолютно новою тематикою — біосенсорами. Ці пристрої, що поєднують переваги напівпровідникових структур із чутливістю біологічних молекул, сьогодні незамінні при визна-ченні стану довкілля, аналізі харчів, діагностиці хвороб тощо. А тоді тех-нології біосенсорів робили лишень перші кроки. Разом з колишнім аспі-рантом Анатолієм Шульгою учений готує перший в Україні огляд, присвя-чений біосенсорам (вийшов у «Віснику АН УРСР», №2, 1988).
На жаль, працювати вченому стає дедалі складніше. На кінець 1980-х припадає наростання конфлікту, пов’язаного з різними світоглядними принципами демократичного і толерантного проректора Віталія Стріхи і авторитарного нового ректора Віктора Скопенка. На засіданні бюро парт-кому КДУ 19 травня 1989 р. роботу науково-дослідної частини університе-ту з ініціативи ректора було піддано шельмуванню. Того ж дня В.І.Стріха на знак протесту написав заяву про звільнення з посади проректора. Однак ректор цього разу спустив її «на гальмах».
На початку наступного, 1990 року учений готує звернення до голови Комітету з науки, освіти, культури та виховання Верховної Ради СРСР Ю.Рижова та голови Держкомосвіти СРСР Г.Ягодіна. Віталій Стріха наголо-
– 83 –
шує: умови змінилися, старі важелі вже не діють, і потрібні інтенсивні кро-ки для захисту науки, яка є основою всього життя університетів. Але Союз уже стрімко розвалювався і московським «достойникам» було явно не до проектів активного київського проректора. Тим більше, що вже 2 квітня ректор таки звільнив цього проректора з посади, милостиво дозволивши йому зосередитися на роботі завідувача кафедри фізики напівпровідників.
На 1991 рік припадає початок активних наукових контактів з «Еколь цен-траль» (м.Ліон, Франція) в рамках спільних робіт з сенсорної тематики. Сво-єрідний науковий «міст» Ліон-Київ дозволяє кафедрі пережити колапс по-чатку 1990-х. «Сенсорні» роботи Віталія Стріхи цього часу мають високий індекс цитування: роботу з журналу «Analytica Chimica Acta» (1993. — v.281, n.1. — P.3–11) процитовано за даними ISI 63 рази. Водночас розвиваються і роботи у фотовольтаїки. У 1992–1996 роках Віталій Стріха — науковий ке-рівник Державної науково-технічної комплексної програми «Нетрадиційні джерела енергії, включаючи сонячні, вітрові та електрохімічні».
Починаючи з 1992 року Віталій Стріха бере активну участь у процесах реформування та демократизації української науки. Разом з професорами Київського університету геологом Миколою Дробноходом та фізиком Юрі-єм Чутовим формує ініціативну групу зі створення АН вищої школи Укра-їни — наукової організації нового типу, заснованої провідними ученими «знизу» на демократичних засадах. 27 грудня 1992 року на Установчих збо-рах Віталій Стріха обраний академіком (по відділенню фізики і астрономії) і першим президентом АН ВШ України (у 1995 і 1998 роках його переоби-рають на цю посаду ще двічі). Усі подальші роки він як президент приділяє великі зусилля організаційній розбудові АН вищої школи України, неодно-разово звертається до органів влади і посадових осіб у справі підтримки й реформування української науки і вищої освіти, виступає в ЗМІ.
При цьому вчений вже не женеться за офіційним визнанням. Він більше не балотується до НАН України (хоч за якістю списку робіт набагато випе-реджає більшість членів відділення фізики і астрономії), демонстративно не подає документів на звання «заслуженого діяча науки і техніки». Нато-мість пишається недержавними відзнаками: званням «Соросівського про-фесора» (1994), нагородою Ярослава Мудрого АН ВШ України в галузі на-уки і техніки за роботи із сенсорної тематики (1995).
Останні роки життя Віталія Стріхи було позначено кількома драматич-ними подіями. Наприкінці 1995 року в нього було діагностовано злоякісну пухлину передміхурової залози. Але учений мужньо і методично бореть-ся з хворобою, намагаючись не знизити інтенсивності свого життя. Не про-щає йому вільнодумства й ректор, чий стиль керівництва університетом стає дедалі авторитарніший. На початку 1996-го через небажання ректора продовжувати контракт учений залишає посаду завідувача кафедри і пра-цює звичайним професором, науковим керівником проблемної лабораторії.
Попри всі випробування, Віталій Стріха бере активну участь у підго-товці Всеукраїнської наради з питань науки (на неї покладали великі на-дії, що, на жаль, абсолютно не виправдалися). Друкує програмову стат-
– 84 –
тю «Три радянські міфи української науки» («Дзеркало тижня», 16 бе-резня 1996 року). У липні того ж року бере участь у 23 Міжнародній конференції з фізики напівпровідників у Берліні. А в серпні востаннє про-водить літню відпустку у байдарковому поході по Десні від Чернігова і до Києва, — залишившись в строю останнім з когорти тих, із ким починав байдаркову епопею 30 років перед тим.
1997 і 1998 роки так само заповнені по вінця науковою працею і гро-мадською роботою. Зокрема, учений домовився був про спільну діяльність із «класиком» напівпровідникової науки, автором чи не найпопулярнішо-го сьогодні в світі підручника з фізики напівпровідників Мануелем Кар-доною. А на Міжнародному конгресі з сонячної енергетики у Відні в лип-ні 1998-го його вже впізнають в обличчя як «класика» напрямку, поваж-ні західні фірми цікавляться його розробками фотоелементів на дешевому аморфному кремнії.
Але сил помітно меншає. У вересні 1998-го учений встигає відсвятку-вати разом з помітно постарілими друзями-туристами 40-річчя весілля. А в листопаді купує разом з дружиною Надією Гулою стару селянську хату в селі Хоцьки на Переяславщині — рідному селі батьків, Наталки Бурчик і Ларіона Стріхи. Проте пожити в ній йому вже не судилося.
19 грудня загальні збори АН ВШ України обирають В.І.Стріху на тре-тій трирічний термін президентства. 25 грудня він вирушає в санаторій «Конча-Заспа» під Києвом, де зустрічає Новий рік разом з дружиною і най-ближчим другом, академіком-механіком Віктором Грінченком, із яким веде нескінченні дискусії щодо шляхів розвитку науки, України й світу.
Тут, у санаторії, 8 січня він пише зовні жартівливу «Конча-Заспівську відповідь дружині на зауваження про те, що нічого в житті не зроблено»:
«Що ж зроблено:1. Згуртована туристська група, з якою пройдено більше 40 походів
(біля 10 тисяч кілометрів).2. Створена унікальна кафедра (11 докторів наук, 4 державні премії,
звання «зразкової» і т.ін.).3. Створена наукова школа з контактних явищ (5 докторів, 30 кандида-
тів, 12 монографій, 5 всесоюзних конференцій і т.п.).4. Прочитані курси лекцій для більше 10000 студентів (більше 20000 лек-
цій).5. Задумана й організована Академія наук вищої школи України (418 ака-
деміків, 2800 докторів, 13000 кандидатів).6. Організована лінія Україна-Франція (наукова робота, підготовка спе-
ціалістів і т.ін.).7. Організовані нові наукові напрямки (біосенсори, пористий кремній як
матеріал для сенсорики).8. Родив сина, здатного помножити цей список.
Підпис.»Відпустка закінчилася, почався новий семестр. 1 лютого на засіданні
Вченої ради КНУ ім.Т.Г.Шевченка повинне було розглядатися питання про
– 85 –
присудження Віталію Стрісі звання «Почесний професор Київського уні-верситету» (за всіма формальними показниками, як засвідчила своїм ви-сновком Рада старійшин університету, учений набагато перевищував вста-новлені для цього звання критерії). Однак без пояснення причин ректор Віктор Скопенко переніс розгляд питання на майбутнє. Паралельно він за-жадав від АН вищої школи України звільнити надану їй раніше кімнату на четвертому поверсі «червоного корпусу» КНУ.
Ніч з 6 на 7 лютого. У В.І.Стріхи стався широкий інфаркт, його було гос-піталізовано до клінічної лікарні «Феофанія» з песимістичним прогнозом.
Вранці 8 лютого внаслідок інтенсивної терапії стан В.І.Стріхи по-кращав. Він працював над рукописом статті V.A.Vikulov, V.I.Strikha, V.A.Skryshevsky, S.S.Kilchitskaya, E. Souteyrand, J.-R. Martin. Electrical features of the metal-thin porous silicon — silicon structurе (вийшла посмерт-но в Journal of Physics D: Applied Physics. — 2000. — v.33. — P.1957–1964), на звороті останньої сторінки рукопису залишив записку для дружини: «Надю, у мене все в порядку. Навіть вдалось частково розсмоктати ін-фаркт. (…) Вася [Василь Ільченко, один з найближчих учнів В.Стріхи] хай проведе завтра семінар. Статтю віддайте Вікулову (…) Вітя». Однак надве-чір стан ученого погіршав і о 22.15 він помер.
10 лютого відспівування відбулося в ритуальній залі лікарні «Феофа-нія», відспівував настоятель Свято-Михайлівської церкви отець Андрій Власенко (УПЦ Київського патріархату). Громадське прощання пройшло на радіофізичному факультеті та в фойє «червоного корпусу» університе-ту. Надійшли телеграми співчуття від учених різних країн, представників влади. Промовляли колеги, друзі й учні. Ректор Віктор Скопенко віддати останню шану вченому не прийшов. О 14 год. професора Віталія Стріху було поховано на Байковому кладовищі поруч із його мамою і бабусею.
7 лютого 2004 року, на п’яті роковини смерті вченого, АН вищої шко-ли України провела Академічні читання пам’яті В.І.Стріхи, які відтоді що-річно відбуваються на початку лютого, збираючи провідних науковців на-ших університетів. 17 квітня того ж року загальні збори АН вищої школи України ухвалили відзначити В.І.Стріху нагородою Святого Володимира за багатолітню роботу в ім’я розвитку науки і вищої освіти в Україні (по-смертно).
А 2008 року роботу В.І.Стріхи «Випрямляючі властивості контакту метал-напівпровідник», вперше надруковану у «Віснику КДУ ім.Т.Шев-ченка», серія «Фізика», за 1967 рік (саме на основі викладених у ній ре-зультатів було обґрунтовано можливість створення надвисокочастотних приладів на основі діоду Шотткі), вміщено в спецвипуску «Українського фізичного журналу», виданому до 90-річчя НАН України, серед 35 найви-датніших праць українських фізиків за всі роки (разом зі статтями Лева Ландау, Лева Шубнікова, Миколи Боголюбова, Соломона Пекаря, Кирила Толпига, Вадима Лашкарьова, Наума Моргуліса та інших класиків вітчиз-няної науки).
– 86 –
Професор Віталій Стріха був живою людиною, здатною і захоплювати-ся і помилятися. Він був пристрасним рибалкою (в поході здатен був недба-ло викинути на берег дорогий імпортний фотоапарат — і тут-таки обереж-но передати з рук у руки бляшанку з червами). Він був добрим (тверезим і розважливим, — такі ніколи не йдуть на невиправданий ризик) водієм. Страшенно любив нову техніку — і завше купував найсучасніші приймачі й програвачі. Сівши за комп’ютер уже в 60-річному віці, встиг стати справ-жнім хакером і залюбки гуляв інтернетом (тоді, коли більшість українців ще й не чули цього слова). Цікавився політикою, і ще в 1997-му після зу-стрічі в Будинку вчених побачив у Юлії Тимошенко (до якої здебільшого ставилися ще як до «газової принцеси») неабиякі лідерські якості.
Він любив довгі прогулянки в лісі (під Пісківкою неподалік від Тетере-ва на своїх улюблених стежках змайстрував лавочки, де можна було б пе-репочити; їх дуже швидко викорчували новітні вандали). Під старість до-бре навчився майструвати в хаті, обклавшись усілякими посібниками (тут він виявився таким самим методичним, як і в науці). В останні роки багато любові й тепла віддав онучці Ярославі.
Як керівник був не жорсткий, але ефективний, умів тримати дисциплі-ну не примусом, а цікавістю до спільної справи. Про це свідчить не лише досвід керівництва кафедрою й лабораторією, але й пройдені без жодної позаштатної ситуації часом дуже складні, а то й просто небезпечні байдар-кові маршрути.
В публічних ситуаціях був стриманий, хоч насправді болісно пережи-вав хамство і несправедливість. Не належав до трибунних борців, але свої переконання обстоював послідовно і теж доволі ефективно (свідчення — авторитет, який мала за його життя очолювана ним Академія наук вищої школи України).
З погляду «офіційної» ієрархізованої науки професор Віталій Стріха не належав до першого ешелону: не був обраний до НАН, очолював громад-ську структуру з назвою «АН вищої школи», до якої «справжні» «безсмерт-ні» з НАН ставилися здебільшого напівіронічно. Відтак і довідка про ньо-го в найповнішому на сьогодні, але складеному за суто формальними кри-теріями довіднику про фізиків авторства Юрія Храмова відсутня. (На сайті Національної наукової бібліотеки імені Вернадського в розділі «Біографії учених», на щастя, вона вже з’явилася, сформовано й фонд Віталія Стрі-хи в Інституті археографії цієї бібліотеки, — все ж таки щось змінюється на краще і в нас).
Адже там, де існує сформоване і здатне оцінювати наукове середовище, «вагу» науковця визначає не тільки те, наскільки вправно він зумів зігра-ти на виборах на боротьбі різних угруповань у межах певного відділення НАН. Вона зумовлена й списком наукових праць, їхньою цитованістю, іме-нами учнів, здатних продовжити наукову справу. Нарешті, переліком роз-винутих ним наукових напрямків.
За Віталієм Стріхою — 12 монографій і підручників і близько 300 ста-тей, частина з яких досі є «класичними». За ним — розвинута теорія реаль-
– 87 –
ного контакту метал-напівпровідник, яка мала велике значення для розви-тку НВЧ електроніки, піонерські роботи з фотоперетворювачів на аморф-ному кремнії, започаткований в Україні напрямок біосенсорики. (А ще ж існували перспективні напрямки, де Віталій Стріха зробив кілька перших кроків, віддавши потім їх учням; як-от спін-залежна рекомбінація чи кон-такт напівпровідник — високотемпературний надпровідник).
Нарешті, за Віталієм Стріхою — сформована громадська структура АН вищої школи України, яка об’єднує сьогодні близько 300 провідних професорів українських ВНЗ і яка (без жодної копійки бюджетних коштів!) досі чимало робить для розвитку нашої університетської (й не лише уні-верситетської) науки.
А відтак сам професор Віталій Стріха, учений, педагог і громадський діяч, може для майбутніх істориків української науки (якщо такі будуть!) стати справжнім і правдивим дзеркалом тих складних і цікавих процесів, які відбувалися в ній упродовж яскравого і трагічного минулого ХХ сто-річчя.
– 88 –
СПОГАД ПРО ВІТАЛІЯ ІЛАРІОНОВИЧА СТРІХУ, ВИДАТНОГО УКРАЇНСЬКОГО ФІЗИКА,
МОГО КОЛЕГУ І ДРУГАВ.Г.Литовченко,
Президент Українського Фізичного Товариства, член-кореспондент НАН України
В 2008 році Національна Академія Наук України випустила спеціаль-ний ювілейний (присвячений 90-літю НАНУ) випуск Українського фізич-ного журналу (том 53, http://ujp.bitp.kiev.ua), в передмові для якого зазна-чалось, що в ньому вміщені найбільш знакові оригінальні наукові публіка-ції українських фізиків за весь 90-літній період існування академії наук в Україні як основної наукової установи Української держави.
Фізика напівпровідників почала активно розвиватися ще в кінці 30-х років минулого століття завдяки активній діяльності таких відомих вче-них, як В.Є.Лашкарьов та В.І.Ляшенко — одночасно в Академії наук та в Київському університеті. Саме роботам цих фізиків ми завдячуємо екс-периментальним відкриттям електронно-діркової бар’єрної структури та контактної структури з запірним шаром, що згодом в іноземній літерату-рі отримали назву «електронно-діркового» (т.зв. р-п) переходу та діодної структури Шотткі. Ці структури й до теперішнього часу створюють осно-ву функціонування всієї напівпровідникової електроніки, зокрема й мікро та наноелектроніки.
В.І.Стріха був одним з перших учнів В.Є.Лашкарьова та В.І.Ляшенка. Безпосередньо від них він продовжив дослідження структур контакту мета-лу з напівпровідником, коли створюються діоди з запірним Шотткі-шаром.
Але в той час, коли першовідкривачі базових структур електроніки мали справу фактично з ідеальними структурами, які потрібно було ще до-водити до їх практичного застосування, В.І.Стріха провів величезну робо-ту з реальними структурами Шотткі, що включало теоретичне врахуван-ня і експериментальне дослідження багатьох принципово важливих факто-рів та ефектів, які й забезпечили широке використання названих приладів на практиці.
Тому не дивно, що поряд з фундаментальними публікаціями В.Є.Лаш-карьова та В.І.Ляшенка, в ювілейний номер УФЖ, серед понад 30 най-кращих публікацій українських фізиків, вміщена також велика стаття В.І.Стріхи, опублікована ще в 1967 році в Віснику Київського університе-ту з посиланням на публікацію в тодішньому центральному журналі «Раді-отехніка та електроніка» (том 9, стр.681, 1964).
В названому ювілейному випуску УФЖ в короткому резюме було пе-реконливо аргументовано такий вибір, — вибір В.І.Стріхи як фізика, що
– 89 –
вніс яскравий та важливий в практичному плані вклад у розвиток україн-ської напівпровідникової науки. Там (англійською мовою) констатувалося:
«Наукову діяльність В.І.Стріхи було зосереджено на вивченні фізич-них принципів дії і застосування контактних структур і насамперед кон-такту метал-напівпровідник з бар’єром Шотткі. Вперше було експери-ментально підтверджено модель реального контакту з урахуванням зазо-ру між металом і напівпровідником і поверхневих станів на інтерфейсі контакту. Цю модель було використано як основу для розвитку теорії ре-альних контактів. Було передбачено низку нових фізичних ефектів: зміну вольт-амперних характеристик з частотою, слабку залежність ємності від напруги, наявність ділянок з негативним опором у вольт-амперних харак-теристиках тощо. Вони знайшли практичне застосування в виробництві напівпровідникових приладів. В.І.Стріха також розвинув теорію роботи надвисокочастотних пристроїв з бар’єром Шотткі і сонячних елементів на основі контакту метал-напівпровідник. Його теорії було використано для оптимізації параметрів приладів. На базі напівпровідникових контактних структур було створено новий клас приладів — біосенсори».
Хочу далі зупинитись на моїх персональних контактах з В.І.Стріхою, з яким я як найближчій друг провів усі 5 років (1950–1955) навчання в Київ-ському університеті, спочатку на фізичному факультеті, а з часу відкриття радіофізичного, куди були переведені декілька кафедр — на ньому. Ми ра-зом готували і виконували лабораторні та практичні завдання, обмінюва-лися «знахідками» при розв’язанні задач з матфізики, теормеханіки, об-говорювали важкі питання нових розділів фізики тощо. Мені імпонувала ретельність та вдумлівість мого товариша, винахідливість при виконанні практичних завдань, обов’язковість. І це давало позитивні результати від такого спілкування як в студентські роки, так і після закінчення навчан-ня, коли ми обоє були направлені працювати в нову спеціальну лабора-торію надвисокочастотного випромінювання, я — на ділянку досліджень фізичних властивостей напівпровідникового матеріалу (на той час — гер-манію та кремнію), з якого в лабораторії виготовлялись НВЧ Шотткі точ-кові діоди, а він — на вивчення параметрів цих новостворених приладних НВЧ структур.
Ми зразу ж знайшли шлях як об’єднати наші дослідження: я — вивчен-ня поверхневих станів на вихідних структурах, він — роль цих станів та стану поверхні (через вплив поверхневого діелектричного шару) — на па-раметри НВЧ структур. Так нами, разом з В.Є.Лашкарьовим, були підго-товлені і опубліковані (у «Науковому щорічнику» та «Віснику» Київсько-го університету за 1956, 1957 рр.) та в центральних журналах (УФЖ та ЖТФ, 1957–1959 рр.) наші перші, і, як виявилось пізніше, доленосні для нас публікації. З цих робіт, їх розвитку і багаторазового поглиблення, по-чинався науковий шлях В.І.Стріхи, що визначив і його основну діяльність.
Створена ним фізика реальних контактів метал-напівпровідник Шот-ткі, викладена в чисельних монографіях та статтях, в його персональних
– 90 –
працях та працях його учнів, стала великим надбанням української напів-провідникової електроніки і фізики.
Потом було визнання зарубіжних шкіл, запрошення читати лекції в Росії, Франції, Німеччині, Польщі, пропозиція очолити Секцію «Фізичні властивості контакту метал-напівпровідник» Наукової Ради по фізиці на-півпровідників НАН України, праця завідувача кафедри фізики напівпро-відників, проректора та професора Київського університету, контакти з бі-ологами по сенсорній тематиці, організація Академії наук вищої школи України та багато іншого.
Внесок В.І.Стріхи у всі напрямки, де він прикладав зусилля, завжди був визначним, спілкування з цією чуйною, мудрою і доброю людиною завжди приносило велике задоволення.
– 91 –
МІЙ ДРУГ ВІТАЛІЙ СТРІХА
М.Г.Находкін, академік НАН України
Найболючіші втрати — це втрати близьких тобі людей, з якими долав труднощі, товаришував, дискутував, мав спільні справи, досягав якихось звершень. Іскорки пам’яті зажди нагадують: щось не договорив, щось не зробив…
Одним із таких людей був Віталій Іларіонович Стріха. Я познайомив-ся з ним ще у 1954 році, коли він був студентом і разом зі своїм другом Володимиром Григоровичем Литовченком виконував лабораторні робо-ти. Виконуючи мої завдання, вони не боялися труднощів й успішно дола-ли їх, виявляючи при цьому вдумливість та винахідливість. Це була слав-на пара красивих молодих людей, які виділялися тактовною поведінкою та прагненням якнайкраще виконати навчальні завдання, аби чомусь на-вчитись. Крім того, дуже приємно було слухати красиву українську мову із вуст Віталія Іларіоновича. Згодом, після закінчення радіофізичного фа-культету, Віталій Іларіонович почав працювати в університеті, де працю-вав і я. Наші життєві шляхи перетнулись і ми дружно працювали на раді-офізичному факультеті протягом усього часу, що дав нам Бог для спільно-го життя та праці.
Працювати з Віталієм Іларіоновичем було легко і приємно, бо він у всіх обговореннях та дискусіях спирався тільки на факти і, навіть коли в його душі горів огонь незгоди або пристрастей, висловлював свої думки чітко й без емоційного забарвлення. Навіть тоді коли його точка зору була повніс-тю протилежна думкам опонента, він продовжував, спираючись на відо-мі йому факти, тактовно обстоювати свою думку з приводу обговорюва-ного питання.
Наприклад, після мого досить емоційного критичного виступу, в якому я зауважив, що використання самих тільки вольт-амперних характеристик контактів метал-напівпровідник не достатньо для з’ясування їхніх елек-тронних властивостей, він зовні спокійно, доброзичливо і чемно почав за допомогою відомих фактів переконувати в помилковості мого виступу. Але на цьому дискусія не закінчилася, бо почалися нові дослідження із залу-ченням інших методик, які давали нові результати, за допомогою яких фор-мувались наші нові уявлення про обговорювану проблему. Але в тих ви-падках, коли його аргументи виявлялися не цілком переконливими, Віта-лій Іларіонович погоджувався і швидко вносив відповідні корективи в свої дослідження, розрахунки, твердження або способи досягнення результату.
У всіх проявах життя Віталій Іларіонович був дуже дисциплінованим і надійним партнером. Коли з ним після обговорення вдавалося про щось домовитися, то не виникало необхідності перевіряти виконання цієї домов-леності, бо вона неодмінно виконувалася доброякісно і своєчасно. Він був
– 92 –
доброю людиною, яка поважала інших людей. Це допомогло йому сфор-мувати навколо себе міцний колектив співробітників, у якому не виникало серйозних інцидентів, а приклад працьовитого та цілеспрямованого лідера надихав колектив до напруженої творчої праці.
Віталій Іларіонович не без впливу свого керівника академіка В.Є.Лашкарьова вдало вибрав напрямок своїх наукових досліджень, зосе-редившись після закінчення університету на вивченні властивостей кон-такту металу з поверхнею напівпровідника. В ті далекі часи вибір такого напрямку досліджень був революційним, бо більшість дослідників вважа-ли, що властивості напівпровідникових приладів головним чином залежать від їхніх об’ємних характеристик. Лише через багато років звернули осо-бливу увагу на надзвичайно важливу роль фізики поверхні напівпровід-ників, бо з’ясувалося, що більшість існуючих напівпровідникових прила-дів використовують властивості гетеропереходів, створення та досліджен-ня яких було відзначено нобелівськими преміями й досі ще не втратило актуальності, адже ці результати застосовують у сучасній наноелектроніці.
Свою роботу Віталій Іларіонович почав у науковій лабораторії, яка вивчала фізичні процеси у напівпровідникових діодах. Невеликий, але дружний колектив, до складу якого входили, крім Віталія Іларіонови-ча, Р.М.Бондаренко, Г.П.Зубрин, Є.Д.Майборода, Н.М.Омельяновська та інші, вибрав своїм напрямком досліджень властивості контакту метал-напівпровідник у надвисокочастотному діапазоні електромагнітних хвиль. Їм вдалося показати, що контакт метал-напівпровідник успішно може пра-цювати у цьому частотному діапазоні. Це були одні із перших наукових до-сліджень на цю тему, які показали перспективність використання напів-провідникових діодів для роботи в НВЧ діапазоні, і це визнає світова нау-кова спільнота.
На жаль, доля склалася так, що ця творча група через низку причин не збереглася. Але Віталій Іларіонович успішно продовжив дослідження контактних явищ. Зокрема, він вперше експериментально підтвердив мо-дель реального контакту з урахуванням зазору між металом і напівпровід-ником та оксидного прошарку й вказав на необхідність врахування поверх-невих станів на інтерфейсі контакту. Така модель служила для розвитку уявлень про реальні контакти метал-напівпровідник. Чітко вибраний на-уковий напрямок досліджень, пристрасне відстоювання своїх ідей, пози-тивні риси характеру дозволили створити ученому наукову школу і роз-винути кафедру фізики напівпровідників радіофізичного факультету Київ-ського університету імені Тараса Шевченка. Це була одна з кращих кафедр факультету, відома науковій спільноті широкими та тісними зв’язками з ін-шими науковими колективами, які вивчали поверхневі явища у напівпро-відниках. Кафедра успішно виконала значну кількість спеціальних важли-вих досліджень з питань фізики напівпровідників, підготувала 11 докторів фізико-математичних наук, отримала 4 державних премії з науки і техніки УРСР, підготувала понад 30 кандидатів фізико-математичних наук, підго-тувала і видала 12 монографій, започаткувала проведення всесоюзних нау-
– 93 –
кових конференцій «Напівпровідникові прилади з бар’єром Шотткі», зро-била значний внесок у популяризацію науки про напівпровідники.
Становлення та розвиток наукової школи й кафедри відбувався успіш-но, бо її керівник чітко відчував нові ідеї розвитку науки. Так, наприклад, Віталій Іларіонович вчасно звернув увагу на необхідність розвитку фотое-лектроніки, де знайшлося відповідне місце властивостям контакту метал-напівпровідник, та досить ефективно почав розвивати напівпровідникову сенсорику, однин із актуальних напрямків сучасної радіоелектроніки, бо напівпровідникові сенсори виявились конче необхідними для розвитку ав-томатизації наукових досліджень у різних галузях науки і техніки. Прой-шов час, вже немає Віталія, а справа його живе і буде жити.
Віталій Іларіонович був активним патріотом України. Він завжди чітко й твердо, не зважаючи на всі перепони, відстоював інтереси розвитку Укра-їни, її мови, культури та науки. Це здійснювалось безпосереднім прикла-дом, бесідами із студентами, через активну популяризаторську діяльність у товаристві «Знання» і шляхом активної участі у громадській та науково-організаційній роботі. Його принципові позиції з цих питань іноді викли-кали в декого невдоволення, але згодом ставало зрозуміло, що пан Віталій був правий.
Я згадую Віталія Іларіоновича як одного із моїх вірних соратників і друзів. Він був щедрою людиною й завжди безкорисно й щиро приходив на допомогу. Мені подобалась його сім’я: дружина Надія Максимівна Гула й син Максим Віталійович Стріха, — сім’я справжніх українських інтеліген-тів, справжніх українських патріотів, які скромно і сумлінно роблять добру справу. Шкода, що так рано покидають цей світ такі світлі люди, як Віта-лій Іларіонович.
30.03.2011
– 94 –
ВІТАЛІЙ СТРІХА: ШТРИХИ ДО ПОРТРЕТУ
В.Т.Грінченко, академік НАН України
Я не є фахівцем у тій галузі фізики, розвитку якої присвятив своє життя Віталій Стріха, але добре розумію, що для характеристики його особистос-ті важливо поглянути не лише на його вузькопрофесійні досягнення. Укла-дачі цієї книги помістили в ній повністю саме ті статті Віталія, які без сум-ніву мали і мають зараз широке суспільне значення. Активно займаючись наукою в наш час, практично неможливо відгородитися від важливих про-блем суспільства, пов’язаних із розвитком енергетики, освіти, формуван-ням громадського розуміння ролі науки в розвитку сучасного людського суспільства. Всі ці проблеми стимулювали глибокі роздуми Віталія, і я мав можливість не тільки знайомитися з його точкою зору, але і (в інколи до-сить жвавих дискусіях з ним) формувати і своє бачення проблем.
Згадуючи про такі моменти в наших зустрічах, зараз досить чітко ро-зумію важливі для формування образу Віталія Стріхи риси. Сам я досить емоційна людина і, природно, в гострих дискусіях часто не досить чітко формулював думки, мав витрачати енергію на багато уточнень і це, звісно, зменшувало ефективність аргументації. Що стосується Віталія, то інколи в мене виникала думка: аргументацію щодо деяких моїх експромтних думок він уже давно підготував. Думки висловлювалися чітко, зважено і без за-йвих емоцій. Я думаю, такі факти якнайкраще відображали те, що соціаль-ні аспекти розвитку науки дуже глибоко хвилювали його і їх аналіз він ви-конував з усією серйозністю.
Однією із проблем, що надзвичайно захоплювала Віталія, була пробле-ма розвитку вузівської науки. Я погоджувався із ним щодо специфічного для науки Радянського Союзу штучного поділу науки на академічну, вузів-ську та галузеву. В такому поділі є декілька аспектів, які породжували про-блеми, що негативно впливали на розвиток науки в країні. У нас були дещо різні точки зору щодо вагомості різних факторів. Віталія особливо турбу-вав фактор соціального стану вузівського вченого, і вбачав у наявному по-рядку визнання досягнень ученого, пов’язаному, зокрема з виборами до Національної академії, певні ознаки дискримінації. Я не був згоден із його негативною оцінкою ролі директорського корпусу Національної академії. Оцінка мала загальний і в певному сенсі несправедливий відтінок, що, вре-шті, завжди трапляється при узагальненнях.
Пройшло вже досить багато часу від тих днів наших зустрічей і диску-сій, і зараз ми можемо лише констатувати, що погані часи настали для всіх гілок української науки. Тут не місце аналізувати причини та намагатися випрацювати ідеї щодо покращення ситуації. Однак саме тут слід конста-тувати, що відпрацьована Віталієм та втілена в життя ідея створення Ака-
– 95 –
демії наук вищої школи України виявилася надзвичайно життєстійкою та ефективною.
Так сталося, що зараз і я особисто, і енергійна команда в Інституті гід-ромеханіки НАН України активно включилися в роботи зі створення бази для розвитку в Україні галузі відновлюваної енергетики. І хоч я прочитав статтю Віталія з цього приводу майже відразу після її публікації, однак лише тепер я зрозумів, наскільки ситуація в нашій країні в цій сфері могла б бути кращою, якби висловлені в статті думки стали основою для прак-тичної роботи в суспільстві багато років тому. До речі, саме роботи з від-новлюваної енергетики в нашому Інституті особливо гостро поставили пи-тання інтеграції зусиль науковців академії та вищої школи. Цей приклад є, на мою думку типовим. По суті широке використання відновлюваних дже-рел енергії пов’язане зі створенням нових галузей промисловості, і тому підготовка висококваліфікованих кадрів, кадрів, здатних якомога швидше акумулювати міжнародний досвід, стає одним з найактуальніших завдань.
Читач мабуть звернув увагу на те, що я дещо фамільярно називаю Ві-талія лише на ім’я. Ми так давно знали один одного, що я не відчуваю якоїсь незручності в цьому. На початку книги згадано цікаве хобі Віталія, пов’язане з походами на байдарках по річках в різних регіонах колишнього Радянського Союзу. Мені здається, що я не брав участі лише в одному з по-ходів, які він організовував і очолював. Любов до походів і до рибалки мені прищепив саме Віталій. Причому в цій процедурі він виявив і сміливість і прозорливість, відразу зрозумівши, що я маю якості туриста. Він узяв мене в перший для мене похід на дуже маленькому нестійкому човні по поро-жистій карельській річці третьої категорії складності. Я думаю, що він зро-бив ризикований, але правильний вибір.
Завдання цієї книги і її авторів досить складне. Зусиллями багатьох людей, які знали Віталія Стріху, ми намагаємося відтворити багатогран-ну життєву історію перш за все відомого вченого, творча діяльність яко-го тісно пов’язана з Київським національним університетом. Для повноти портрету такої особистості важливо відзначити багатогранність інтересів ученого, його вміння створити навколо себе атмосферу дружнього спілку-вання, від якої всі його друзі отримували велике задоволення. Непересічна особливість Віталія завжди притягувала до нього людей, які згадують про нього з найтеплішими почуттями.
– 96 –
АКАДЕМІК ВІТАЛІЙ ІЛАРІОНОВИЧ СТРІХА —
ЗНАКОВА ПОСТАТЬ В ІСТОРІЇ УКРАЇНСЬКОЇ НАУКИ
М.І.Дробноход, президент АН вищої школи України
Я певен, що кожна людина час від часу, можливо, навіть на підсвідомо-му рівні, гортає сторінки свого життя, робить узагальнення, виокремлює й оцінює різні життєві ситуації. У «сухому залишку» зостається переваж-но те, що було певною віхою в біографії. Саме такою віхою були для мене спілкування й творча співпраця з Віталієм Іларіоновичем Стріхою — неор-динарною, світлою, високо інтелігентною людиною.
Вперше зустрівся з ним я в травні трагічного «чорнобильсько-го» 1986 року. Тоді я працював на посаді доцента геологічного факульте-ту Київського університету імені Тараса Шевченка і мене в складі групи Президії АН України було відряджено до Москви для роботи в союзній надзвичайній комісії на чолі з першим заступником голови Ради Міністрів СРСР. Саме для визначення напрямків і завдань моєї роботи мене й запро-сив проректор університету з науки В.І.Стріха.
Наслідком нашої тритижневої спільної з московськими колегами робо-ти стали висновки й рекомендації, які мені довелося доповідати в Кремлі на засіданні надзвичайної комісії. Пізніше ці ж результати я доповідав і в Києві на засіданні Президії АН під головуванням Б.Є.Патона. Була в мене й довга розмова на цю тему з Віталієм Іларіоновичем — під час якої я був остаточно зачарований мудрістю й виваженістю цієї людини.
Через кілька років Україна стала незалежною. Саме в цей час В.І.Стріха виявив себе не лише як визначний учений-фізик, але і як людина широко-го гуманістичного світогляду та активної громадянської позиції. Він був одним з перших наших інтелектуалів, хто зрозумів: реформування науко-вої сфери держави має стати основою її успішного соціально-економічного розвитку. Наслідком його тривалих роздумів стала пропозиція створи-ти громадське об’єднання провідних університетських учених під назвою «Академія наук вищої школи України».
Разом з професором радіофізичного факультету Ю.І.Чутовим Віта-лій Іларіонович прийшов до мене як до професора геологічного факуль-тету, що очолював новостворену Спілку викладачів вищої школи і науков-ців України, з пропозицією долучитися до справи створення АН ВШ Укра-їни, на що я з великим задоволенням погодився. Професори В.І.Стріха, Ю.І.Чутов, М.І.Дробноход та М.Г.Кувшинський створили робочу групу з підготовки Установчих зборів Академії.
Було опрацьовано проект Статуту. Принципову позицію Віталій Іларі-онович займав щодо визначення поняття про членство в академії. Було пе-
– 97 –
редбачено, що участь у її роботі можуть брати колективні члени, а також окремі кандидати й доктори наук. Проте В.І.Стріха наполіг, що з метою збереження високого академічного статусу дійсним членом АН ВШ Укра-їни може бути лише провідний учений зі ступенем доктора наук. Нагадаю, на той час членами всіх державних академій, навіть НАН України, става-ли і кандидати наук, і взагалі люди без наукового ступеня. Такий Статут АН ВШ України пережив випробування часом і досі захищає академію від наукових пройдисвітів і нездар.
27 листопада 1992 року відбулися Установчі збори АН ВШ України за участі 50 докторів наук, професорів-засновників академії. Збори затвер-дили Статут, обрали склад Президії академії. Президентом академії було обрано доктора фізико-математичних наук професора В.І.Стріху, віце-президентами — професорів М.І.Дробнохода та Ю.І.Чутова, головним ученим секретарем — професора М.Г.Кувшинського. Академію як всеу-країнську громадську організацію вчених було зареєстровано міністер-ством юстиції 19 березня 1993 року (свідоцтво №422). Для офісу академії було виділено приміщення в історичному «червоному» корпусі КНУ іме-ні Тараса Шевченка.
АН ВШ України відразу ж набула великої популярності і авторитету в науково-освітянських колах. На грудень 1994 року число академіків уже перевищувало 150, колективними членами академії стали провідні універ-ситети держави. У 1994–1995 було присуджено перші академічні нагороди Святого Володимира і Ярослава Мудрого, які зробилися вельми престиж-ними. Ці успіхи академії були обумовлені високим науковим і моральним авторитетом її першого президента.
На жаль, цей злагоджений і конструктивний ритм роботи академії по-рушила людина, готова на будь-що заради досягнення егоїстичних цілей. Цією людиною був філолог за освітою М.І.Дубина. З’ясувати, за чиєю ре-комендацією він став академіком АН ВШ України, виявилося річчю мар-ною. Можу засвідчити одне: ні я, ні Ю.І.Чутов гадки не мали, що це за особа. Не знали ми тоді й про те, що в квітні 1995 року М.І.Дубину було звільнено з Київського університету за статтею за здійснення аморального вчинку, несумісного з роботою в навчально-виховному закладі.
Як з’ясувалося пізніше, після звільнення з КНУ М.І.Дубина виготовив шахрайським шляхом фальшиву трудову книжку, яку й використовував для працевлаштування в інших ВНЗ. Але Віталію Іларіоновичу була власти-ва надзвичайна довірливість до людей і він рекомендував наділеного до-свідом апаратної роботи в Президії АН УРСР М.І.Дубину не лише до пре-зидії, але й на посаду головного ученого секретаря АН ВШ України (після того, як цю посаду залишив М.Г.Кувшинський).
Помилкою стало й те, що Віталій Іларіонович (який на той час уже мав проблеми зі здоров’ям) дозволив М.І.Дубині діяти безконтрольно, розпоря-джаючись печаткою академії. Шляхом зловживань учений секретар упро-довж 2–3 років зумів сформувати групу подібних до себе прибічників і по-чав реалізацію плану з відсторонення В.І.Стріхи і обрання на посаду пре-
– 98 –
зидента академії себе. Для цього він створив собі імідж людини незамінної, здатної «вирішити» будь-які питання обрання до академії, присудження академічних нагород тощо. Водночас він не втрачав нагоди шепнути кож-ному (навіть мені — попри мої відомі всім теплі й дружні стосунки з Віта-лієм Іларіоновичем) 2–3 негативні слівця на адресу президента.
Врешті-решт Віталій Іларіонович усвідомив підступність головного вченого секретаря. Але в академії вже сформувалася «проблема Дубини», вирішити яку виявилося не так просто. Тоді Віталій Іларіонович радився зі мною й Ю.І.Чутовим: яким чином таки позбутися Дубини в складі прези-дії. Врешті-решт М.І.Дубину таки було виключено зі складу академії, але сталося це значно пізніше, після того, як він встиг накоїти ще дуже бага-то шкоди. Очищено було академію й від принесеного Дубиною непотребу. Однак це відбулося вже після раптової смерті Віталія Ілларіоновича 8 лю-того 1999 року, яка стала для академії величезною і невідшкодовною втра-тою…
Світла пам’ять про високоінтелектуальну й високодуховну постать В.І.Стріхи є дороговказом для учених академії. Щороку в пам’ятні дні в лютому проходять Академічні читання пам’яті В.І.Стріхи, які набули ста-тусу авторитетного форуму українських і зарубіжних науковців.
– 99 –
ВІТАЛІЙ ІЛАРІОНОВИЧ СТРІХА — ІНТЕЛІГЕНТ І ВИДАТНИЙ НАУКОВЕЦЬ
А.Л.Бойко, академік НААН України та АН ВШ України
Мені завжди щастило на справжніх знавців нового на ниві науки. По-думки я часто звертаюсь до тих часів, коли проректором цього ланцюга освітянського життя в Київському університеті імені Тараса Шевченка був професор Віталій Стріха — фізик, людина закохана в досліди, любитель філософії та знавець природних катаклізмів Планети.
За результатами конкурсу отримавши право завідувати кафедрою віру-сології (1977–1978 рр.), я зустрів безліч проблем, які потребували невід-кладного вирішення: формування нових спецкурсів, добування коштів на обладнання, добір кадрів викладачів і науковців... Ця ситуація притримува-ла виконання дослідів з вірусологічних проблем.
Кафедрі не вистачало такого потужного комплексу обладнання, який існував в Інституті мікробіології і вірусології ім. Д.К. Заболотного, де я пройшов аспірантуру та проводив наукові дослідження протягом 15 ро-ків. На той час кафедра продовжувала дослідження вірусу грипу у пере-літних птахів, започатковані першою завідуючою кафедрою вірусології Н.П. Корнюшенко. Проте нам вдалося розпочати вивчення молекулярно-біологічних властивостей вірусів бактерій, рослин, гідробіонтів.
Знаючи наші проблеми та успіхи, у 1984 році Віталій Іларіонович бла-гословив мою доповідь за результатами наших досліджень вірусу соняш-нику, однієї із стратегічних культур у країні, на сесію ВАСГНІЛ, що від-бувалась у Москві. Пам’ятаю, як до від’їзду на сесію Академії я вечорами після робочого дня заходив до ректорату, де знаходився невеличкий кабі-нет проректора з науки професора В.І. Стріхи. Саме там за порадами Віта-лія Іларіоновича викристалізувалась моя доповідь про актуальну науково-виробничу проблему для держави, яку міг вирішити саме Київський уні-верситет імені Тараса Шевченка.
На сесії, підводячи підсумок моєї доповіді, академік В.С.Шевелуха, який вів засідання, запропонував підтримати дослідження вірусів соняш-нику у Київському університеті та просити Державний Комітет з науки і техніки виділити кошти на цю проблему. Цю пропозицію підтримав Інсти-тут олійних культур (м. Краснодар), відділ науки і сільського господарства ЦК КПРС. Проте найголовніша підтримка для вирішення цієї проблеми була з боку голови Держкомітету з науки і техніки академіка О.О.Жученка, керівника відділу Є.О.Смолінського та завідувача кафедри Університету ім. М.В. Ломоносова академіка Й.Г.Атабекова. Ці люди багато допомогли, щоб проект з великою фінансовою підтримкою втілився в життя.
Після повернення мене і моїх колег до Києва Віталій Іларіонович приві-тав нас з доброю новиною. Наші здобутки були відмічені на вченій раді уні-
– 100 –
верситету ректором М.У.Білим, деканом біологічного факультету М.Є. Ку-черенком.
Пройде час і завдяки науковим розробкам у 1994 році кафедра виграє грант Всесвітнього конгресу з вірусології (м. Глазго). Наші доповіді з фі-зичної структури тосповірусу соняшника (Бойко А.Л., Князєва Н.А., Заку-сило А.О.) та магнітних властивостей вірусів (Поліщук В.П., Бойко А.Л., Литвинов Г. С.) зацікавили світову наукову спільноту.
Спрямування цих досліджень пізніше будуть розвинені кандидатськи-ми та докторськими дисертаціями, новими грантами кафедри. В.І.Стріха завжди підкреслював, що тільки спільні підходи фізиків, кібернетиків, хі-міків, біологів та науковців інших галузей спроможні вирішувати склад-ні питання природничих наук. Саме з його ініціативи вірусологи універси-тету виконали цікаві та важливі дослідження з тонкої структури РНК- та ДНК-геномних вірусів, математичного моделювання екологічних процесів агроценозів за умов вірусної інфекції.
Хочу підкреслити, що В.І.Стріха уже на той час дав слушні поради та висловив ряд ідей з питань створення і використання біосенсорів у вірусо-логічних напрямах науки.
Після Чорнобильської катастрофи, коли постало питання про викорис-тання зміїної отрути як протектора при радіаційному навантаженні на ор-ганізм, Віталій Іларіонович підтримав нашу ініціативу про створення в уні-верситеті на базі лабораторії екології і токсикології біологічного факульте-ту герпетологічного відділу. І вже наприкінці того ж «чорнобильського» року група спеціалістів з України, Росії, Узбекистану відбула до В’єтнаму для відлову змій в біоценозах південної частини цієї країни, а також для відбору їх у спеціальних лабораторіях. Це важливе завдання було успіш-но виконано і наукові підрозділи України поповнювались фракціями отру-ти змій різних видів, які використовувалися в дослідах як протектори при радіаційному навантаженні.
Потрібно підкреслити, що співпраця з В’єтнамом після цього була над-звичайно плідна. Вона переросла у наукову співдружність на ниві підготов-ки кадрів, створення спільних лабораторій. Приємно, що ця праця завжди супроводжувалася дружнім контролем та порадами В. І. Стріхи.
Далекоглядність цієї людини в галузі науки та її організації дали змо-гу Віталію Іларіоновичу заснувати Академію наук вищої школи України. Він став першим президентом цієї академії, яка вирішує важливі наукові та освітянські проблеми.
– 101 –
НЕВИГОЛОШЕНИЙ ВИСТУП НА ПЕРШИХ АКАДЕМІЧНИХ ЧИТАННЯХ
ПАМ’ЯТІ В.І.СТРІХИ 7 ЛЮТОГО 2004 РОКУ
Ю.І.Чутов (1937–2005),академік АН ВШ України
Шановні друзі!На жаль, я не можу бути присутнім на Академічних читаннях пам’яті
Віталія Іларіоновича, бо знаходжусь в тривалому закордонному відря-дженні, але мені хотілося б цим листом засвідчити свою повагу до Віталія Іларіоновича та висловити кілька міркувань з приводу сьогоднішньої ситу-ації в Академії.
Ми працювали з Віталієм Іларіоновичем на радіофізичному факульте-ті Київського університету імені Тараса Шевченка з 1960 року (правда, на різних кафедрах), і я добре знав його як відомого вченого в області фізики напівпровідників, що почала інтенсивно розвиватися в 60-і роки минуло-го століття. Він відрізнявся цілеспрямованістю і науковою плодовитістю, і природно, що він досить швидко організував на факультеті самостійну на-укову лабораторію, що плідно працювала в області фізики напівпровідни-ків, а потім став завідувачем кафедри фізики напівпровідників і проректо-ром з навчальної, а пізніше наукової роботи.
З 1986 року, коли я очолив кафедру фізичної електроніки, ми почали регулярно зустрічатися з ним на вчених радах факультету та на робочих нарадах завідувачів кафедр радіофізичного факультету, що тоді відбували-ся практично щотижня, До того ж, наші робочі кабінети розташовувалися один над одним, так що зустрічалися і спілкувалися ми досить часто.
Саме на одній з таких нарад весною 1992 року я висловив пропозицію про організацію Академії наук вищої школи на базі Київського університе-ту. Через кілька днів до мене підійшов Віталій Іларіонович і показав газету, де писалося про створення подібної Академії в Росії. Ми вирішили негай-но приступити до справи. Віталій Іларіонович залучив до цього М.І. Дроб-нохода, що в той час очолював Спілку викладачів вищої школи і брав ак-тивну участь в реформуванні вищої освіти в Україні, а я залучив М.Г. Кув-шинського, як людину, що має значні організаційні здібності — і справа пішла досить швидко. Ми регулярно зустрічалися або в моєму кабінеті, або в кабінеті Віталія Іларіоновича, і за досить короткий час змогли створити ініціативні групи практично в усіх областях України, звертаючись до лю-дей, яких ми знали як досвідчених і порядних професорів. Безперечно, що найактивнішим членом нашої групи був Віталій Іларіонович, що і визначи-ло його майбутнє лідерство.
– 102 –
Ми вдвох з Віталієм Іларіоновичем відвідали ректора нашого універ-ситету проф. В.В. Скопенка, проінформували його про організацію Акаде-мії, і отримали дозвіл на проведення в Київському університеті Установ-чих Зборів, які відбулися в Головному (червоному) корпусі університету наприкінці 1992 року. Слід відзначити, що в цей час організовувалась і Пе-дагогічна академія, що незабаром отримала державний статус.
Головувати на Установчих Зборах було доручено мені, а з доповідь про створення Академії зробив Віталій Іларіонович. Збори пройшли до-сить урочисто, 50 професорів з різних регіонів України, що брали активну участь в створенні ініціативних груп, стали засновниками Академії, був за-тверджений статут, обрана Президія Академії. За моєю пропозицією, пре-зидентом Академії було обрано Віталія Іларіоновича, а на його пропози-цію віце-президентами було обрано мене (з правами 1-го віце-президента) і М.І. Дробнохода. Головним вченим секретарем був обраний М.Г. Кувшин-ський, на котрого було покладено великий об’єм практичної організацій-ної роботи, з якою він, безперечно, дуже успішно справлявся. Ці обран-ня були природними, оскільки саме ми були мозковим центром створен-ня Академії.
Після Зборів ми вчотирьох зайшли в Володимирський собор і постави-ли свічки за успіх нашої справи.
Створення Академії вищої школи знайшло позитивну реакцію серед громадськості України: про її створення інформувало телебачення і радіо України, писали газети. Статут Академії проголошував завданням Акаде-мії активне сприяння науковій діяльності в вищих навчальних закладах України та створення нової генерації вчених з високими моральними прин-ципами. Передбачалось широке впровадження демократичних принципів в організацію роботи Академії, зокрема можливість участі всіх професо-рів Вищої школи України в роботі Академії, регулярне переобрання Пре-зидії з обмеженням двома термінами тривалості участі в її складі, автоном-ність діяльності її регіональних відділень. Діяльність Академії знаходила підтримку широкого кола громадськості та національно-патріотичних по-літичних сил, що відігравали в той час значну роль в політичному житті України.
Підтримав діяльність Академії і Київський Університет імені Тараса Шевченка, що став колективним членом Академії, безкоштовно надав Пре-зидії Академії місце для її роботи, зал для проведення щорічних Загальних зборів, надавав іншу матеріальну підтримку.
Проте зразу ж виникли і проблеми, зокрема при офіційній реєстрації Академії в Міністерстві юстиції. Знайшлися сили, що наполягали на недо-цільності створення Академії наук вищої школи України, враховуючи іс-нування державної Академії наук України. Прийшлось докласти немало зусиль, щоб добитися офіційного визнання нашої Академії. Особлива за-слуга в цьому належить тодішньому Головному вченому секретарю Акаде-мії — М.Г. Кувшинському, що зумів при цьому розв’язати цілий ряд прак-тичних проблем. Я пам’ятаю, яке піднесення панувало на засіданні Пре-
– 103 –
зидії Академії в приміщенні Медичного музею, коли я вперше повідомив членів Президії про офіційну реєстрацію нашої Академії. Урочисто про-йшло і вручення нам в Міністерстві юстиції України свідоцтва про реє-страцію.
Успішна діяльність Академії продовжувалася протягом перших двох термінів роботи Президії, тобто до 1998 року, незважаючи на істотні зміни, що сталися за цей час в політичному і економічному житті України. Були введені нагороди Академії за особливі заслуги в розвитку наукової діяль-ності, створені нові фахові відділення. Академія значно розширилася, дали згоду бути членами Академії ряд визначних зарубіжних вчених, які приїз-дили за свій рахунок на щорічні Збори і виступали при врученні їм дипло-мів Академії.
І ось сьогодні — очевидна криза в роботі Академії, розкол, падіння ав-торитету Академії. В чому ж причини? Чи об’єктивні вони? Чи обумовлені лише амбіційністю окремих членів Академії?
На мою думку, існує ряд об’єктивних причини, які можна сформулюва-ти наступним чином:
Перша Президія не зуміла розв’язати проблему фінансування діяльнос-ті Академії, що в умовах ринкової система, що встановлювалася в цей час в Україні, заблокувало розв’язання цілого ряду проблем наукової діяльнос-ті в рамках Академії.
Надмірна політизація діяльності Президії відштовхнула багатьох ак-тивних людей від Академії, зокрема заявив про свою відставку Головний вчений секретар Академії М.Г. Кувшинський, що привело до появи цілої низки проблем в роботі Президії, і в цілому Академії. В результаті Ака-демія втратила підтримку з боку багатьох вчених в області природничих наук, які відігравали провідну роль в організації і роботі Академії.
На жаль, в Академії були порушені моральні норми її діяльності, що пе-редбачалося її першим Статутом. Думаю, що це особливо чітко проявилося ще при виборах 1998 року, коли у відповідності зі Статутом Академії біль-шість членів Президії, в тому числі Президент, провідні віце-президенти повинні були залишити Президію, бо закінчувався їх 2-й термін перебу-вання в Президії. На жаль, не була підтримана моя пропозиція про створен-ня статусу Почесних членів Президії, які б своїм авторитетом забезпечили нормальне функціонування нової Президії. В результаті, лише я заявив про неможливість переобрання на третій термін, тоді як більшість членів Пре-зидії пішла на переобрання, передбачивши відповідну зміну Статуту. По-дальші події показали, що порушення моральних принципів стало нормою діяльності Президії в багатьох аспектах.
Трагічною подією, що особливо вплинула на діяльність Академії, ста-ла раптова смерть Віталія Іларіоновича, який віддавав Академії багато сил, щоб підтримувати її діяльність. Його відсутність, разом з активністю ново-го Головного секретаря Академії, добре відомого багатьом людям по його попередній діяльності, привела до значної дискредитації Академії серед широкого кола громадськості. Смерть Віталія Іларіоновича зайвий раз під-
– 104 –
твердила відому істину про те, що кожна людина є унікальною і замінити її ніхто не може.
Не сприяла діяльності громадської Академії наук вищої школи Украї-ни зміна політичної ситуації в Україні, зокрема відновлення багатьох сто-рін минулого, в тому числі зростання ролі державних академій, що зуміли забезпечити суттєву матеріальну підтримку своїх членів. Значний негатив-ний вплив на діяльність Академії справила консолідація ректорів держав-них вищих навчальних закладів, що виробили спільну негативну позицію до роботи Академії.
Було багато причин особистого характеру, що неминуче для такої вели-кої справи, як організація і робота Академії.
Що ж робити зараз? Сподіваюсь, що в складі Академії є багато актив-них вчених — патріотів України, які готові відновити авторитет Академії заради дійсного реформування на демократичних засадах наукової діяль-ності в Україні. Потрібно обрати дійсно нову Президію, до якої залучити цих людей, здатних розв’язати сьогоднішні проблеми Академії. Без цього всі потуги на оновлення Академії будуть марними.
Думаю, що перш за все Академія повинна боротися за відновлення сво-го авторитету серед професорів вищої школи України, для чого потрібно виробити план практичних заходів для підтримки, в тому числі фінансо-вої, наукової діяльності членів Академії. Академія повинна зуміти стати дійсним реальним помічником і опорою сучасної наукової діяльності у ви-щій школі.
Треба розширити наукову базу Академії, перш за все за рахунок комер-ційних вищих навчальних закладів, які в свою чергу, я думаю, потребують різкого піднесення наукової роботи, без чого абсолютно неможлива підго-товка висококваліфікованих спеціалістів, здатних працювати на сучасному рівні з використанням міжнародного досвіду.
Треба цілеспрямовано залучати до Академії молодих докторів наук, за-безпечуючи їм перш за все широку рекламу їх наукової діяльності.
І головне: кожному члену Академії потрібно активно вести сучасну на-укову роботу, відмовившись від старих критеріїв — показників її ефектив-ності, і дійсно забезпечувати реальний пріоритет України у світі, як дер-жави з високим рівнем наукової діяльності, що є сьогодні однією з суттє-вих ознак розвитку держави. Саме це, а не різні організаційні профанації, може забезпечити високий авторитет Академії, а значить і її відродження.
Сподіваюсь, що Академія знайде в собі сили для відновлення її авто-ритету.
З повагою,Ю.І. Чутов,
Лютий 2004 року, Японія
– 105 –
РАЗ ДОБРОМ НАГРІТЕ СЕРЦЕ…: ЗАПІЗНІЛА ПОДЯКА
Р.П.Зорівчак, академік АН ВШ України
Довідавшись, що за ухвалою Президії АН ВШ України готують до дру-ку книжку, присвячену пам’яті визначного українського науковця-фізика, педагога і громадського діяча, засновника і першого президента АН вищої школи України Віталія Іларіоновича Стріхи, я наважуюсь подати до неї свій допис, але це — не просто спогади: це — передусім подяка. Запізні-ла подяка.
Щоб пояснити, наскільки багато в своєму житті я завдячую вельмиша-новному Віталію Іларіоновичу, звернусь до подій середини 70-х років. Час був тоді такий лихий в Україні: період посиленої русифікації. Проводилися заходи на різних рівнях, зокрема на рівні, дуже болючому для нації, — на рівні науки. У № 2 «Бюллетеня Высшей Аттестационной Комиссии при Со-вете Министров СССР» за 1976 р. було опубліковано схвалене Радою Міні-стрів СРСР 29 грудня 1975 р. «Положение о порядке присуждения ученых степеней и присвоения ученых званий» (подаю текст мовою оригіналу не тому, що не вірю в силу повноцінного перекладу — адже Валуєвське «не было, нет и быть не может» також передаємо мовою оригіналу). Здавало-ся б, у цьому документі немає нічого особливого, якби не пункт 83 розді-лу «О прохождении в ВАК СССР дел по присуждению ученых степеней»:
83. Защита диссертации при согласии членов совета и оппонентов мо-жет проводиться на родном языке соискателя. Все документы по при-суждению ученых степеней: диссертации, авторефераты, документы личного дела, стенограммы заседаний советов и т. п. представляются в ВАК СССР на русском языке.
Если основные положения диссертации опубликованы на других языках народов СССР или иностранных языках, к диссертации в виде приложений должны быть приобщены соответствующие переводы на русский язык, удостоверенные советом, в котором проводилась защита (Бюллетень Высшей Аттестационной Комиссии при Совете Министров СССР. 1976. — №. 2. — С. 17). Прошу звернути увагу: ідеться про переклад не лише тек-сту дисертації, а й публікацій дисертанта!
У статтях про лінгвоцид в Україні рідко зустрічаються згадки про ци-тований вище документ, а насправді руйнівна сила його була катастрофіч-ною, зокрема для наукового мовлення в сфері гуманітарних наук. Пишу-чи дисертацію рідною мовою, дисертанти намагалися всі цитати подати якнайточніше, перекладаючи їх часто з російської та інших мов, загалом, працювали над розвитком наукового мовлення, над удосконаленням термі-носистем.
Після цієї постанови все більше людей переходило на писання дисерта-цій російською мовою. Для мене особисто вибору не існувало. Я — укра-
– 106 –
їнський перекладознавець, отже, мій обов’язок — писати українською мо-вою, намагатися удосконалювати українське наукове мовлення. Коли опри-люднили Ваківський циркуляр, я вже завершила працю над кандидатською дисертацію, мій текст був тоді на обговоренні, отже, хоча текст для ВАК-у довелося перекладати, особливих проблем не було і захист відбувався на основі українського тексту.
А ось з подачею докторської дисертації виникли серйозні пробле-ми, коли в червні 1987 року я звернулася до голови Спеціалізованої ради Д 068.18.11 при Київському університеті проф. О. Є. Семенця із проханням прийняти мою докторську дисертацію «Лінгвостилістичні характеристи-ки художнього тексту і переклад (на матеріалі перекладів української про-зи англійською мовою)» на розгляд. Він категорично мені відмовив через мій україномовний текст. Я запевняла його, що вже завершую переклад тексту російською мовою, одначе в Київському Шевченковому універси-теті вважаю своїм обов’язком домогтися обговорення україномовного тек-сту. Хоча проф. О. Є Семенець до мене загалом добре ставився, хоча наші наукові контакти були давні, голова ради був непохитним. Щоб якось мене позбутися, він нарешті сказав, що можу звернутися зі своїм проханням до проректора з наукової роботи Київського університету проф. В. І. Стріхи, але додав, що в успіх моєї справи він аніскілечки не вірить. У спеку (а після-Чорнобильські спеки були зокрема важкі у Києві) з декількома при-мірниками дисертації та всіма документами пішла (чи, вірніше, поплела-ся) я до приймальної проректора, щоб лише довідатися, що він незабаром від’їжджає у відрядження, а тоді міг бути ще в своїй лабораторії — очевид-но, не для прийому відвідувачів.
В екстремальних ситуаціях з’являється якась дивна сміливість (делі-катно висловлюючись), і я наважилася з усім моїм багажем поїхати на край міста в лабораторію до так поважаного науковця попросити його вислуха-ти мене. В успіх я не вірила. Водночас, не задумувалася над тим, що навіть проректор, який належить до наукової еліти нації, перебуває під ідеологіч-ним тиском… На моє здивування, Віталій Іларіонович вийшов до мене че-рез декілька хвилин і, уважно вислухавши моє прохання, написав на моїй заяві незвичайне й сміливе (навіть для проректора) звернення до проф. О. Є Семенця з проханням прийняти на обговорення мою україномовну дисертацію. Зробив це так просто, по-людяному. Не знаю, чи мав час Віта-лій Іларіонович задуматися над тим, як багато Він допоміг мені. Мабуть, як Громадянин, як Науковець — не міг вчинити інакше, хоча як проректор — ризикував. Я із несподіванки не зуміла й подякувати йому.
Ставши згодом академіком АН ВШ України, я досить часто зустріча-ла Президента Академії. Подумки завжди дякувала Йому, але відклада-ла на інший час вислови цієї подяки, аж, на жаль, до фатального 8 люто-го 1999 р. То ж тепер висловлюю цю запізнілу подяку. Глибоку подяку.
Львів, 13 березня 2011 р.
– 107 –
ПАМ’ЯТІ АКАДЕМІКА В.І.СТРІХИ
Ф.О.Тишко, академік АН ВШ України
Доброму добра пам’ятьНомис
У пам’яті щоразу оживаютьОбличчя рідних, друзів і близьких, -Людей, що нині тихо спочивають,А ми не забуваємо про них.
Доробок їхній добрий і тривалий,І їхні справи надихають нас, -Вони уже тоді випереджалиСвій невблаганний швидкоплинний час.
Ми Вчителю говоримо сьогодніСлова подяки щирі і прості:«Спасибі Вам за справи благородні,І що були Ви в нашому житті».
– 108 –
З КНИГИ «ВІРШІ» (2001)
Н.М.Гула, член-кореспондент НАН України
та НАМН України* * *В.С.
Долина в горах. Дощик і туман.На урвищі ми понад руслом Лєни.Сюди нас привели прадавні гени.Бродяги ми. Останні з могікан.
Давно вже складено докладний план.І стоїмо ми на краю морени.Нам від напруги набрякають вени.Байкал — позаду. Спереду — капкан.
За день долали тільки кілометр.Було все мокре — чоботи і светр.Йшли місяць крізь пороги і каньйони.
Топили речі, харч і приймачі.Ніколи не збивались на плачі.Нас не лякали жодні перепони.
7.03.01
* * *В.С.
Останнє літо. Світязькі простори.Тепер це спогад, смуток і печаль.Походи в ліс, яскраві мухомориІ синя під високим небом даль.
Мале озерце поруч під лататтям,Де густо поросли всі береги.Із лісу тягне димом від багаття.Минулі дні — яскраві й дорогі.
Скінчилося, пройшло і відлетілоСухим листком. Хто знав, що буть біді.Під світлом місяця замерехтілаПоверхня озера — лелітки на воді.
30.10.00
– 109 –
Ганна Терентїївна Бурчик-Бузницька з дочкою
Наталкою (бабуся й мама Віталія Стріхи). 1925 рік
Віталій Стріха. 1930-ті рр.
Ганна Терентїївна Бурчик-Бузницька з дочкою Наталкою
(бабуся й мама Віталія Стріхи).
1925 рік
Віталій Стріха. 1930-ті рр.
– 110 –
На цій вулиці Дикій на Лук’янівці проминуло дитинство
Віталія Стріхи. Г.Т.Бурчик (ліворуч) з подругою-
вчителькою М.М.Голубничою, поч.1960-х рр.
З мамою Н.А.Бурчик (кінець 1950-х рр.)
На цій вулиці Дикій на Лук’янівці проминуло дитинство Віталія Стріхи. Г.Т.Бурчик (ліворуч)
з подругою-вчителькою М.М.Голубничою, поч.1960-х рр.
З мамою Н.А.Бурчик (кінець 1950-х рр.)
– 111 –
Віталій Стріха – першокурсник (1950 рік)
Віталій Стріха (перший ліворуч) – студент(початок 1950-х рр.)
– 112 –
Віталій Стріха – молодий науковець(кінець 1950-х рр.)
У відрядженні до Москви (початок 1960-х рр.)
– 113 –
Кафедра фізики напівпровідників (1956 р.)зліва направо сидять:
Н.Я.Карханіна, В.І.Ляшенко, В.Є.Лашкарьов, Ю.І.Карханін, Г.А.Холодар, Ю.І.Гриценко; стоять: І.Г.Самбур, Є.М.Березняковський, В.Житков,
В.Є.Кожевін, Г.П.Пека, Г.П.Зубрін, В.І.Стріха, Р.М.Бондаренко.
Завідувачі кафедри: акад. В.Є.Лашкарьов (1952-1957); проф. В.І.Ляшенко. (1957-1960);
проф. Ю.І.Карханін (1960-1975); проф. В.І.Стріха. (1975-1996)
– 114 –
В.І.Стріха в лабораторії (поч.1970-х рр.)
В.І.Стріха читає лекцію (початок 1970-х рр.)
В.І.Стріха в лабораторії (поч.1970-х рр.)
В.І.Стріха читає лекцію (початок 1970-х рр.)
В.І.Стріха в лабораторії (поч.1970-х рр.)
В.І.Стріха читає лекцію (початок 1970-х рр.)
– 115 –
Президент АН УРСР Б.Є.Патон вручає молодому докторові наук В.І.Стрісі Державну премію УРСР в галузі науки і техніки
за монографію “Електричні явища на поверхні напівпровідників” (1970)
Президент АН УРСР Б.Є.Патон вручає молодому докторові наук В.І.Стрісі Державну премію
УРСР в галузі науки і техніки за монографію “Електричні явища на поверхні напівпровідників” (1970)
– 116 –
В.Г.Литовченко, В.М.Добровольський, В.І.Стріха (1980-ті ).
В.І.Стріха з колегами, 1980-ті рр.
В.Г.Литовченко, В.М.Добровольський, В.І.Стріха (1980-ті ).
В.І.Стріха з колегами, 1980-ті рр.
В.Г.Литовченко, В.М.Добровольський, В.І.Стріха (1980-ті ).
В.І.Стріха з колегами, 1980-ті рр.
– 117 –
В.Г.Литовченко, В.М.Добровольський, В.І.Стріха (1980-ті ).
В.І.Стріха з колегами, 1980-ті рр.
В.Г.Литовченко, В.М.Добровольський, В.І.Стріха (1980-ті ).
В.І.Стріха з колегами, 1980-ті рр.
Учасники Всесоюзної конференції з напівпровідникових приладів з бар′єром Шотткі (Яремче, 1980 рік). В.І.Стріха стоїть посередині
Учасники Всесоюзної конференції з напівпровідникових приладів з бар′єром Шотткі (Яремче, 1980 рік). В.І.Стріха
стоїть посередині
Викладачі кафедри фізики напівпровідників (1979 рік): справа наліво, перший ряд: В.І.Стріха, Ю.І.Карханін, Г.П.Пека,
Н.Я.Карханіна, О.В.Третяк; другий ряд: Ю.С.Жаркіх, В.М.Добровольський, В.А.Бродовий, Ю.В.Воробьов., Г.А.Холодар; третій ряд: С.С.Кильчицька, Д.І.Шека.
Викладачі кафедри фізики напівпровідників (1979 рік): справа наліво, перший ряд: В.І.Стріха, Ю.І.Карханін, Г.П.Пека, Н.Я.Карханіна,
О.В.Третяк; другий ряд: Ю.С.Жаркіх, В.М.Добровольський, В.А.Бродовий, Ю.В.Воробьов., Г.А.Холодар; третій ряд: С.С.Кильчицька, Д.І.Шека.
– 118 –
Колектив кафедри фізики напівпровідників (1979 рік). Завідувач кафедри В.І.Стріха – посередині. На фотографії – більшість із
5 докторів та 28 кандидатів наук, яких підготував В.І.Стріха.
Колектив кафедри фізики напівпровідників (1979 рік). Завідувач кафедри В.І.Стріха – посередині. На фотографії – більшість із 5 докторів та 28 кандидатів наук, яких підготував
В.І.Стріха.
Брошура В.І.Стріхи “Сонячна енергетика і проблеми її розвитку”
(1983), у якій вперше комплексно обгрунтовано необхідність розвитку фотовольтаїки як
стратегічної перспективи виживання людства
Колектив кафедри фізики напівпровідників (1979 рік). Завідувач кафедри В.І.Стріха – посередині. На фотографії – більшість із 5 докторів та 28 кандидатів наук, яких підготував
В.І.Стріха.
Брошура В.І.Стріхи “Сонячна енергетика і проблеми її розвитку”
(1983), у якій вперше комплексно обгрунтовано необхідність розвитку фотовольтаїки як
стратегічної перспективи виживання людства
Брошура В.І.Стріхи “Сонячна енергетика і проблеми її розвитку” (1983), у якій вперше комплексно обгрунтовано необхідність розвитку фотовольтаїки як стратегічної перспективи виживання людства
– 119 –
В аудиторії (1990-ті)
В аудиторії (1990-ті)
Спецвипуск «Українського фізичного журналу», виданий до 90-річчя НАН України, де серед 35 видатних праць українських фізиків
вміщено статтю В.І.Стріхи “Випрямляючі властивості
контакту метал-напівпровідник”
Спецвипуск «Українського фізичного журналу», виданий до 90-річчя НАН України, де серед 35 видатних праць українських фізиків вміщено статтю В.І.Стріхи “Випрямляючі властивості контакту метал-напівпровідник”
– 120 –
В.І.Стріха (третій праворуч) – проректор Київського університету імені Тараса Шевченка (середина 1980-х рр.).
В.І.Стріха (третій праворуч) – проректор Київського університету імені Тараса Шевченка (середина 1980-х рр.).
Чернетка Звернення до викладачів та наукових співробітників ВНЗ України з приводу організації Академії наук вищої школи
України (1992 рік).
В.І.Стріха (третій праворуч) – проректор Київського університету імені Тараса Шевченка (середина 1980-х рр.).
Чернетка Звернення до викладачів та наукових співробітників ВНЗ України з приводу організації Академії наук вищої школи
України (1992 рік).
Чернетка Звернення до викладачів та наукових співробітників ВНЗ України з приводу організації Академії наук вищої школи України (1992 рік).
З дружиною Надією Гулою, кінець 1950-х рр.
З дружиною Надією Гулою, кінець 1950-х рр.
– 121 –
З дружиною Надією Гулою, кінець 1950-х рр.
З дружиною Надією Гулою, кінець 1950-х рр.
З дружиною Надією Гулою, кінець 1950-х рр.
З сином Максимом: початок 1960-х і травень 1980 р.
– 122 –
З дружиною і сином, кінець 1970-х рр.
З дружиною і сином, кінець 1970-х рр.
За кермом «Волги» ГАЗ-21, ЯЯ-28-54 (1970-ті рр.)) За кермом «Волги» ГАЗ-21, ЯЯ-28-54 (1970-ті рр.))
– 123 –
З дружиною і сином, кінець 1970-х рр.
За кермом «Волги» ГАЗ-21, ЯЯ-28-54 (1970-ті рр.))
Віталій Стріха – «Вождь туристського народу»
Сидять (зліва направо): Леонід Семикопний, Валерій Грінченко, Віктор Грінченко, Ярослав Сокіл, Олександр Гриценко. Стоять: Сергій Бабайкін, Віталій Стріха, Максим Стріха, Євгенія Сокіл,
Валентина Ушкалова, Микола Грінченко (озеро Кереть у Карелії на Полярному колі, 1988 рік).
Віталій Стріха – «Вождь туристського народу» Сидять (зліва направо): Леонід Семикопний, Валерій Грінченко, Віктор
Грінченко, Ярослав Сокіл, Олександр Гриценко. Стоять: Сергій Бабайкін, Віталій Стріха, Максим Стріха, Євгенія Сокіл, Валентина Ушкалова, Микола Грінченко (озеро Кереть у Карелії на Полярному колі, 1988 рік).
– 124 –
На туристському святі з дружиною Надією
На туристському святі з дружиною Надією
З дружиною біля святкового туристського столу
На туристському святі з дружиною Надією
З дружиною біля святкового туристського столу
З дружиною біля святкового туристського столу
– 125 –
Президент АН вищої школи України В.І.Стріха на зустрічі з прем’єр-міністром України Є.К.Марчуком (1995 рік).
Президент АН вищої школи України В.І.Стріха на зустрічі з прем’єр-міністром України Є.К.Марчуком (1995 рік).
У Франції (малий Версаль, 1998 рік)
Президент АН вищої школи України В.І.Стріха на зустрічі з прем’єр-міністром України Є.К.Марчуком (1995 рік).
У Франції (малий Версаль, 1998 рік) У Франції (малий Версаль, 1998 рік)
– 126 –
В.І.Стріха (на задньому плані) в поході по річці Псел, липень 1995 року. На лівій байдарці – син Максим, онука Ярослава, дружина Надія.
В поході по Десні (серпень 1996 року).
– 127 –
Рибалка – пристрасть В.І.Стріхи (1996 рік)
З онукою Ярославою (Десна, серпень 1996 року)
– 128 –
Віталій Іларіонович Стріха — фізик, мандрівник, мрійник (Полтавщина, 1995 рік)
Учасники IV Академічних читань пам’яті В.І.Стріхи (2007 р.)
АКАДЕМІЯ НАУК ВИЩОЇ ШКОЛИ УКРАЇНИСЕРІЯ «ВИЗНАЧНІ УЧЕНІ»
Віталій Іларіонович СТРІХА. 1931–1999
Упорядник та редактор М.В.СтріхаКомп’ютерна верстка О.А.МельниченкоКомп’ютерний набір М.В.Стріха
Підписано до друку 30.03.2011 р. Формат 60х84/16Папір офісний. Друк офсетний. Гарнітура Times New Roman
Умовн. друк. арк. 6,17Наклад 150 прим.
Видавництво «К.І.С.»04080 Київ–80, а/с 1, тел. (44) 462 52 69,
http//books.dovidka.com.uaСвідоцтво про внесення до Державного реєстру суб’єктів
видавничої справи ДК №677 від 19.11.2001 р.
![Крючков Віталій Олеговичlibrary.nuft.edu.ua/ebook/file/08.02.02kryuhkovО.pdf2002/02/08 · Крючков Віталій Олегович УДК [001.895+330.322]:656.2](https://img.pdfslide.tips/doc/110x75/5f6aa06e7433d91c7761b7a5/-pdf-20020208-.jpg)
