Click here to load reader
Upload
holden
View
317
Download
13
Embed Size (px)
DESCRIPTION
磁控溅射法在 Si 表面上生长的 ZnO 薄膜的阴极射线荧光. 许小亮 * 1) ,2) ,徐军 2) ,郭常新 2) ,施朝淑 2) 1) 中国科学技术大学实验教学中心,安徽 合肥 230026 2) 中国科学技术大学物理系,安徽 合肥 230026 * E-mail: [email protected]. 大学物理研究型实验网上教学资料. 目 录. 1 .引 言 : ZnO 薄膜的紫外激光 2. 硅衬底上 ZnO 薄膜的制备及其结构特性 薄膜的制备 光学跃迁:不同温度退火后的 ZnO 薄膜的阴极射线光谱 掠入射 X 射线衍射谱 - PowerPoint PPT Presentation
Citation preview
SiZnO*1) ,2)2)2)2)
1) 2300262) 230026*E-mail: [email protected]
1 : ZnO
2. ZnO ZnOX
3.
1. ZnOSiSiZnOZnO
ZnO ZnSe(1990),SiC(1992),GaN(1994),ZnO(1996)
12 3.37eV[1], 60 meV, ZnSe(22 meV), ZnS(40 meV)GaN (25 meV), ZnO 3
i ;iiiii (iv)
1. *Table 1. Characteristics of different substrate materials
SiSi
a = 5.43 (ZnO: a = 3.252)
SiZnO1.SiO2 ZnOXRDZnO0020.32.ZnO3.Zn 0020.2,
ZnO / Si1MBE MOCVD 2 3Sol-gel
ZnO
2. ZnO2.1.
Si100 Ar10nmZn ZnOAr50%+ O250%210-2Torr40015W1200nmZnO
2 . ZnO
Table 2. Annealing condition and variation of sample colour of ZnO films
2.2. ZnOCL ZnO--- 390nm . (XRD)
--- 505nm (-)
ZnOCL
:
: 380nm, ; 510nm, 600oC: 387nm, ; 515nm,800oC: 400nm,;520nm950oC: 390nm,;525nm
800oC:,(ZnO:EHP) 950oC:
:505nm525nm, .
AFM() :
(c)
Surface morphology of the ZnO films annealed at different temperature studied by AFM. (a) as-grown film, (b) 600oC, 1 hr annealing, (c) 800oC, 1 hr annealing and (d) 950oC, 1 hr annealing.
(a) --- 500nm (b) --- 500nm (c) ---- 1000nm (d) ---- 500nm
ZnO , Zn2SiO4
(4N)
CL
350400450500550600650Zn2SiO4ZnOWavelength (nm)
CLZn2Si04 CL525nmZnO4NCL380nm505nm
X(GXRD)
950o()()GXRD
1ZnOCL510nm380nm505nm510nm 2600(387nm) : 3.26eV, 380.4nmEHP3.1eV,400nm EHP515nm
3800: (400nmEHP) Zn2Si04525nm ZnO800(520nm)ZnO
4950: ZnO4#ZnO
(5) AFM : .
(6) X(GXRD)
800ZnO
ZnOZnOSi
Thank you !