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Introduccion a las Memorias
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Memorias
Objetivos
Definir las características básicas de las memorias.
Explicar como almacena una memoria los datos binarios.
Describir la operación de escritura.
Describir la operación de lectura
Describir la operación de direccionamiento
Explicar que son las memorias RAM y ROM.
Memoria
La memoria es la parte de un sistema que
almacena datos binarios en grandes
cantidades.
Las memorias semiconductoras están
formadas por matrices de elementos de
almacenamiento que pueden ser latches o
condensadores.
Unidades de datos
Normalmente las memorias almacenan datos
en unidades que tienen de uno a ocho bits.
Algunas unidades son:
Bit
Nibbles
Bytes
Palabras
Características
Cada elemento de almacenamiento en una memoria puede almacenar un 1 o un 0 y se denomina Celda.
La memorias están formadas por matrices de celdas.
1
2
3
4
5
6
7
8
1 2 3 4 5 6 7 8
Matriz 8x8
Celda
Celda
Matrices
1
2
3
4
5
6
7
8
1 2 3 4 5 6 7 8
Matriz 8x8
1
2
3
4
11
12
13
14
15
16
Matriz 16x4
1
2
3
4
59
60
61
62
63
64
Matriz 16x1
Dirección y capacidad La posición de una unidad de datos en una matriz de memoria se denomina dirección.
La capacidad de una memoria es el número total de unidades de datos que puede almacenar.
1
2
3
4
5
6
7
8
1 2 3 4 5 6 7 8
La dirección del bit resaltada en oscuro
corresponde a la fila 5, columna 4
1
2
5
4
3
6
7
8
La dirección del byte resaltada en oscuro
corresponde a la fila 3
Operaciones básicas
Puesto que una memoria almacena datos binarios,
los datos deben introducirse en la memoria y deben
recuperarse cuando se necesiten.
La operación de escritura coloca los datos en una
posición de memoria específica de la memoria.
La operación de lectura extrae los datos de una
dirección específica de la memoria.
Diagrama en bloques de una
memoria
Decodificador
de
direcciones
Matriz de
MemoriaBus de direcciones Bus de datos
Lectura Escritura
Operación de escritura
1 1 0 0 0 0 1 0
1 0 1 0 0 0 1 1
0 1 0 0 1 0 1 0
1 1 1 0 0 0 1 1
1 1 1 0 1 0 0 0
1 0 0 0 1 1 0 1
0 1 1 1 0 0 1 0
1 0 0 0 0 0 0 0
Matriz de memoria organizada en bytes
101
0
1
2
3
4
5
6
7
Registro de
direcciones
Bus de
direcciones
10001101
Registro de
datos
Escritura
Bus de datos
1 2
3
De
co
dific
ad
or
de
dire
ccio
ne
s
Operación de lectura
1 1 0 0 0 0 1 0
1 0 1 0 0 0 1 1
0 1 0 0 1 0 1 0
1 1 0 0 0 0 0 1
1 1 1 0 1 0 0 0
1 0 0 0 1 1 0 1
0 1 1 1 0 0 1 0
1 0 0 0 0 0 0 0
Matriz de memoria organizada en bytes
011
0
1
2
3
4
5
6
7
Registro de
direcciones
11000001
Registro de
datos
Lectura
Bus de datos
1
3
2
De
co
dific
ad
or
de
dire
ccio
ne
s
Clasificación
Las memorias pueden clasificarse
atendiendo a diversos parámetros:
Por el modo de acceso
Por el modo de almacenamiento
Por el tipo de soporte
Por su función o jerarquía
Clasificación
Por el modo de acceso :
Memorias de Acceso Aleatorio.
Memoria de acceso secuencial o serie.
Memoria asociativa.
Clasificación
Por el modo de almacenamiento:
Volátiles
No Volátiles
Clasificación
Por el tipo de soporte:
Semiconductoras
Magnéticas
De papel
Clasificación
Por su función o jerarquía:
Tampón o borrador (LIFO, FIFO)
Central o principal
De masas
Memorias RAM
DRAM
Dinámica
SRAM
Estática
RAM
Memorias SRAM
SRAM
síncrona
por ráfagas
SRAM
asíncrona
SRAM
Celdas de
almacenamiento
mediante flip-flop
Célula típica de SRAM
+VCC
Selección de bit
Datos Datos
Matriz típica de RAM
Buffers de entrada/salida de datos y control
Selección fila 0
Selección fila 1
Selección fila 2
Selección fila n
E/S datos
Bit 0E/S datos
Bit 1
E/S datos
Bit 2
E/S datos
Bit 3
Memorias DRAM
BEDO DRAM
EDO de ráfagas
Asíncrona
EDO DRAM
Salida de datos
extendida
Asíncrona
SDRAM
síncrona
FPM DRAM
Modo página
rápido
Asíncrona
DRAM
Celdas de
almacenamiento
mediante
condensador.
Debe refrescarse.
Célula típica de DRAM
Columna (línea de bit)
Fila
Escritura de un 1
Fila
Refresco
Columna
DOUT
R/W
DIN
Buffer de
entrada
Buffer de
salida/
amplificador
Líneas de bit
BAJO
ALTO
BAJO
ON
+1-
ALTOALTO
Escritura de un 0
Fila
Refresco
Columna
DOUT
R/W
DIN
Buffer de
entrada
Buffer de
salida/
amplificador
Líneas de bit
BAJO
ALTO
BAJO
ON
0
BAJOBAJO
Lectura de un 1
Fila
Refresco
Columna
DOUT
R/W
DIN
Buffer de
entrada
Buffer de
salida/
amplificador
Líneas de bit
BAJO
ALTO
ON
Refresco
Buffer
+1-
ALTO
ALTO
ALTO
Refresco de un 1 almacenado
Fila
Refresco
Columna
DOUT
R/W
DIN
Buffer de
entrada
Buffer de
salida/
amplificador
Líneas de bit
ALTO
ON
Refresco
Buffer
+1-
ALTO
ALTO
ALTO
ALTO
Memorias ROM
ROM
máscara
ROM
También son
memorias de
acceso aleatorio
ROM
programable
(PROM)
PROM
borrable
(EPROM)
EPROMmediante
ultravioleta
(UV
EPROM)
PROMborrable
electricamente
(EEPROM)
Almacenamiento magnético
Cinta
QIC
(Travan)
8 mm
DAT
DLT
Acceso serie
Disco ZIP
extraíble
Disquete
1,44 MBDisco Jazz
extraíble
Disco
Duro
Disco
magnético
Acceso aleatorio
Almacenamiento óptico
Discomagnético-
óptico
CD-ROM CD-R
CD-RW WORMDVD-
ROM
Expansión de memoria
4K
2 bits
12 K
8 bits
01
G3
G2
G1
G0
B0
B1
B2
B3
De
co
dific
ad
or
de
dire
ccio
ne
s
Co
dig
o b
ina
rio
ap
lica
do
a la
s
lín
ea
s d
e e
ntr
ad
as
de
dire
ccio
ne
s
Salidas Código
GRAY