2017存储行业分析

©非易失性记忆，2017.12.3

2017存储行业分析 2017已经接近尾声，存储行业毫无疑义成为了今年半导体行业的亮点，无论从营收还是利润都领先半导体行业的其它领域。造成今年这个局面的主要原因是整个行业在两至三年前

对今年DRAM需求增长的预期不足，导致DRAM颗粒的供给不足以满足强劲增长的DRAM需求，尤其是智能手机和云端服务器对DRAM需求的与日俱增，丝毫没有放缓的迹象。三星和海力士已经在过去的两个月相继扩容DRAM的产能，但是等到量产则是一年半以后，也就是说 早2019年上半年。业界明年DRAM产能增长预计为20%，后年2019的才能供给则可能会受中国的才能供给影响，特别是长江存储和合肥长鑫都计划2019年量产DRAM。

DRAM需求超过供给 大数据和人工智能应用推高了服务器对存储的需求，智能手机对存储的需求也是与日俱增，

客服端和服务器端对存储的需求增长超过了存储行业的供给，而且在可以预见的未来一年

这个供需缺口还将继续存在。在过去的一年，供需缺口不断推高了存储器的价格，大大提

升了供应商的收入和利润。三大内存厂商三星，海力士和美光受DRAM价格上涨影响，已经成为今年整个半导体行业增长的亮点。三星今年的销售收入甚至将超越英特尔成为行

业领头羊，海力士和美光则分别晋级两位超越高通和博通，紧随英特尔之后（图1）。 图1全球半导体厂商销售排行榜前十（除代工厂外）

半导体行业存储器件今年的销量已经突破了1000亿美金 （图2），带动整个半导体行业销售收入第一次到达4000亿美金，占比整个半导体行业销售产值的四分之一。半导体行业第一次达到2000亿美金是2000年，第一次达到3000亿美金是2010年。

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图2全球存储市场规模 2006-2019（2017-2019为预估）

DRAM价格走势强劲 如下图 3可以看到三大DRAM厂今年销售收入增长了近50%，过去几个季度产能固定而且产品供不应求, 销售收入的增加主要是因为内存价格的上升，过去一年内存供给端的价格上涨了近50%。 图3全球内存三大厂 2017前三季度内存销售收入

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2,000

4,000

6,000

8,000

10,000

Q1 Q2 Q3

2017年季度销售收入

（百万美元）

三大厂2017前三季度内存销售收入

Samsung SKHynix Micron

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DRAM厂商股价走势不输英伟达 三星七成的利润来自存储 , 包含DRAM和NAND，达$8.84B。海力士77%的收入来自DRAM，21%的收入来自NAND。DRAM主要由服务器和智能手机市场驱动，NAND主要由智能手机驱动。美光三分之二的收入来自DRAM, 另外近三分之一来自NAND。美光2017年化每股收益为4.96美金，市盈率不到10，2017年度营收为$5B。今年第三季度，三大厂的利润率均在50%以上。 咋们来看看三大厂今年的股价走势（图 4），三星上涨了超50%，海力士上涨近90%，美光则已翻倍。 图4三大内存厂 2017年股价走势。红黄线代表三星电子（005935，005930），绿色 000660 是海力士, 蓝色是美光

即使与2017处于人工智能风口浪尖的英伟达相比较（刚好翻倍），美光的涨幅也丝毫不输英伟达（图5）。 图5英伟达和内存厂商 2017股价走势比较。蓝紫色曲线为英伟达（NVDA），蓝色为美光(MU)，其它厂商作为参考。

再放眼看看台湾的DRAM小厂南亚（2408）和华邦（2344），华邦是一路领跑，收益一

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直在美光之上，而且远超同行兆易创新（图6）。 图6南亚（2408）和华邦（2344）的 2017股价走势

NAND闪存 三大厂都有非易失性存储产品线，NAND存储的价格走势，相比DRAM走势比较平稳。NAND的市场份额由六大厂控制，除了DRAM三大厂，还有东芝，西数，和英特尔（图7）。 图7NAND六大厂商市场份额明细

股价方面， 近半年，东芝（TYO：6502）卖了半导体部门后表现尚可，但是西部数据(WDC) 非常平稳，英特尔(INTC)表现也不错（图8）。

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图8NAND厂商 2017下半年股价走势

NOR闪存两岸占半壁江山 台湾和大陆基本占据了NOR的半壁江山，包括宏旺，华邦，兆易和晶豪（ESMT）四家。 美光(Micron)已经计划转让其NOR业务，赛普乐士（Cypress）也优化产品结构仅专注高端大容量（图9）。 图9NOR供应商市场份额（2016数据）

再来看看股价走势，NOR的两大厂Cypress (CY)和台湾宏旺（Macronix） (TPE：2337)，

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宏旺市盈率22.77，8/28的涨幅惊人，达到了不解的近10倍（图10）。 图10宏旺和 Cypress2017股价走势

NOR其实台湾的华邦（Winbond）比北京的兆易(GigaDevice)的市场份额大且市盈率更低，不失为更好的选择。

新的非易失性存储(NVM)科技 Micron在SC’17宣布了32GB NVDIMM-N，32GB是主流服务器DIMM容量，NVDIMM-N将大大提升内存数据库的性能（图11）。 图11NVDIMM-N 的两个应用场景：存储（黄色）和内存（绿色）

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Intel 在 11 月的 UBS 科技大会也宣布了 512GB Optane NVDIMM 将会在 2018 年下半年出货（图 12）, 单一服务器将会有达 6TB 的内存。512GB 的内存 DIMM 推出时售价

应该会在 3000 美金上下, 英特尔估计到 2021 年 3DXPoint 销售额会达到$8B，替代不到8%的存储市场。

图123DXPoint DIMM 将于 2018 下半年面世

其它值得关注的NVM 厂商有Evenspin (NASDAQ: MRAM)和Crossbar (ReRAM)，Crossbar近在中国市场比较活跃。

中国存储产能(BitCapacity)扩充的不确定性 武汉长江存储3D NAND和DRAM两面开工，2017年11月32层3D NAND试产成功，计划2019量产64层3D NAND， 随后2020量产 DRAM（18/20nm）, 长江以高启全为首的团队来自台湾华亚科（华亚科2016年底被美光收购）。 合肥长鑫计划2018试产 DRAM（19nm）, 2019量产DRAM，合肥长鑫技术上和兆易创新合作，运营上由前应用材料全球执行副总，前中芯国际总裁兼CEO王宁国领导，团队包含前华亚科高层刘大维，顾问团队包括尔必达前社长坂田幸雄及其兆基科技。 福建晋华内存缺少核心技术和人才, 依靠台湾联电的技术支持，在周期性的DRAM行业前途难料。 紫光国芯西安设计DRAM，前英飞凌团队，软肋是生产需要代工，对于当下产能不足的市场是个巨大的挑战。其目标是1x nm的内存，三星和海力士已经开始量产（

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图13）。 愿望是美好的，现实是骨感的，线程技术（nm）决定比特密度（bit density），比特密度影响存储的价格，而且，量产良率也有个提高的过程，刚刚投产良率高不了，线程和良率

决定了产品初期是难以具有市场竞争力的。 图13DRAM各大厂商线程技术路线图

股价方面，国内两大厂商紫光国芯 （002049）和兆易创新（603986），涨幅也均在近50%和80%以上(图14)。 图14紫光国芯和兆易创新 2017 股价走势

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存储行业的未来挑战

全球存储行业的主要挑战主要有以下几条：

1. 周期性供(supply)需不平衡

2. 制造技术(technology node)升级换代

3. 中国存储产能(bit capacity)扩充的不确定性

4. 新的非易失性存储(NVM)科技 其实，归纳为核心的一点就是，降低每比特的成本(cost per bit)从而提高利润。 • 名词解释 Bit capacity：等于number of wafers (fab capacity) 乘以 bit density (scaling tech nodes or 3D) Supply: slowdown in bit-capacity growth, bit density growth has slowed since 2008 due to increasing cost at shrinking geometries.