CIC

1

95 年度製程服務相關重大變革說明( 含製程資料控管説明 )

晶片實作組2006/02/16

CIC

2

內容更新

頁數 內容P23 凡已申請 95 年度製程資料且通過 TSMC 核可的申請者，

請於 3/17( 五 ) 前繳交“核可後管理”之相關表格。

CIC

3

內容大綱

• 95 年度製程異動• 95 年度“製程申請”說明• 製程資料控管說明會• “製程服務注意事項”• 各類晶片製作承辦窗口• Q&A

CIC

4

• UMC 0.18 UM 1P6M MMC/RFCMOS 1.8V/3.3V 製程將提供至 95 年上半年止，下半年起將停止製程資料申請、晶片製作相關服務。

• 95 年起，開始提供 TSMC 0.13 UM CMOS Mixed Signal MS General Purpose Standard Process FSG Cu 1P8M 1.2&3.3V 製程， ( 簡稱 T13L) 。

• 其餘各製程維持不變• 所有製程之晶片製作時程，以 CIC 公告之晶片製作時程

表 (95 年度 ) 為準。 95 上半年製程時程表已公布於 CIC網頁，請至 http://www2.cic.org.tw/~cis/chipapply/doc/time.pdf 下載

95 年度製程異動說明

CIC

5

T13L & T13RF 製程差異說明• CIC 所提供之 T13L 並非一般 Pure Logic ，而是指應用於 Mixed-Signal

的 Process 。• T13L 相容於一般 Pure Logic 製程，且金屬厚度完全相同，並且提供 MI

M 電容。• CIC 所提供之 T13L 的標準操作電壓為 1.2V/3.3V ， T13RF 則是 1.2V/2

.5V

• T13RF 的 Top Metal 厚度較 T13L 厚，因此兩者在 Design Rule 方面將有所差異。

• T13RF 建議用於不需 replace 之電路，且操作電壓 1.2V/2.5V 之 RF Circuit ， Analog Circuit ， Mixed-Signal ， Logic Circuit 。

• T13L 建議用於操作電壓 1.2V/3.3V 之 Analog Circuit ， Mixed-Signal， Logic Circuit 。

• 使用 CIC 提供的 0.13 um Cell-based Design Kit 完成的電路設計僅限申請 T13L 晶片下線。

CIC

6

T13L & T13RF 製程比較表

Metal 7~6

Metal 8~7

YESNOSupply Cell-Base Flow

MIM capacitor 位置

YesYesMIM capacitor

samesameMetal 6 厚度

thinthickMetal 7 厚度

thinthickMetal 8 厚度

1.2V/3.3V1.2V/2.5V操作電壓 (core/IO)

88Metal 層數

T13LT13RF

CIC

7

製程資料授權 / 控管方式

CIC

申請者( 學術界 - 老師 / 產研界)

授權

1. 被授權人員清冊2. 管理報表3. others

被授權人員

T18 T13L D35

CIC

8

• 所有製程資料一律線上申請• 製程資料維持一年一簽• 所有製程依安全性等級區分為 A 、 B 、 C 三類• (1) 申請人資格 (2) 申請所需相關文件 (3) 核可後管理 將依製程安全性等級區分

。• 所有製程申請者均需繳交

1. 『製程資料保密同意書』2. 『在職證明』聲明3. 『被授權人員清冊』或『無複製製程資料』聲明4. 『銷毀製程資料』聲明

• 所有申請人應於每年三月及十月自造『製程資料管理報表』提供 CIC 存查。否則停止其相關服務

• 無製程使用權者不能申請晶片製作 • 申請人有義務配合中心不定時派員至申請人存放製程資料處進行了解與關切使用

的情形及其管理• CIC 送 CI Letter ( 列有申請人姓名、服務單位及地址 ) 至 TSMC 核准，始能啟

動下載權限，所需時間約二週。固定於每月月初送上個月的申請名單。

95 年度製程資料申請說明

CIC

9

安全性等級 A B C

定義 製程資料不對外開放，以 Security Lab方式管制

製程資料對外開放，嚴格要求申請者對資安控管，並主動做相關查核。

製程資料對外開放，申請資料記錄備查，並於必要時進行相關查核。

製程分類 無 0.13um MM/RF CMOS

0.13um MM/LO CMOS

TSMC 0.18um 製程

0.35um MM CMOS

0.35um SiGe BiCMOS

UMC 0.18um 製程PHEMT

CMOS MEMS

申請人資格 暫不開放 1. 大專院校的教授 (含副教授及助理教授 ) 2. 教授參與國科會計畫或 SOC國家型計畫3. 教授曾使用 0.18um 製程產出相關成果 ( 僅 0.13um 製程 )

大專院校的老師 (講師以上 )

被授權人員 暫不開放 1. 人數最多 10 人，如超 10 人，需說明原因。 2. 使用 0.13um 製程資料，被授權人員需先參與”製程資料控管說明會”

暫無規範人數

95 年度製程安全性等級說明

CIC

10

安全性等級 B C

製程 ( 簡稱 ) T13L T13RF T18 U18 SiG35 D35 ( 含 MEMS35)

PHEMT

申請前準備

製程資料保密同意書 下載列印 範例說明 V V V V V V V

在職證明聲明 下載列印 範例說明 V V V V V V V

被授權人員清冊 ( 註一 )* 下載列印 範例說明 V V V 申請者留存備查

無複製製程資料聲明( 註一 )*

下載列印 範例說明 V V V V V V V

銷毀製程資料聲明 下載列印 範例說明 V V V V V V V

PDK 存放單 下載列印 範例說明 V V V

--TSMC 0.13 研究及管理計畫

下載列印 範例說明 V V --

參與製程資料控管說明會

( 註二 )** V V --

核可後管理

製程資料管理報表( 每年 3 、 10 月繳交 CIC)

下載 範例說明 V V V V V V V

PDK 存放單 下載 範例說明 V V V --

被授權人員清冊 下載 範例說明 如有異動時繳交 如有異動時，申請者需變更清冊，留存備查

95 年度製程資料申請相關文件 / 管理列表

註一：”被授權人員清冊”與”無複製製程資料聲明”請擇一繳交。如申請者如無授權製程資料給其他人員使用，僅需繳交”無複製製程資料聲明”。

註二：”製程資料控管說明會”定期舉辦，舉辦時間請注意 CIC 網頁公告，或與簡珮君小姐 03-5773693 ext.205 詢問。

CIC

11

務必勾選欲申請的製程，請依研究計畫內容所需使用之製程勾選

務必詳細說明使用 TSMC 0.13 製程執行研究計畫的必要性，說明越清楚，越可避免 TSMC 疑義。

TSMC 0.13 研究及管理計畫—注意項目

CIC

12

95 年度製程資料申請流程上網勾選欲申請製程，並下載相關文件( 隨時受理，每月 20 日前 CIC 整理該月申請案 )

依申請製程，備妥相關需繳交文件，送交 CIC( 最晚每月 20 日前需送達 CIC ，以 CIC 確實收件為準 )

CIC 審核( 每月 25 日前)

具資格之申請者

隔月 2 日送授權廠商審核 (CI-letter)

開啟製程資料下載權限

Yes

Yes

No

No

Yes

If need

要求申請者補件( 每月 30 日前補齊，否則排入下月申請 )

每月 30 日

CIC

13

95 年度製程資料申請流程

填寫 IP

CIC

14

95 年度製程資料申請流程 ( 續 )

製程申請所需之文件列表 ( 含範例 )

CIC

15

製程資料申請鎖定 IP

顯示 IP

CIC

16

IP 不一致無法下載技術文件 / 資料

製程資料申請鎖定 IP( 續 )

CIC

17

可重新更新 IP

製程資料申請鎖定 IP( 續 )

CIC

18

IP 一致才可下載技術文件 / 資料

製程資料申請鎖定 IP( 續 )

CIC

19

• 目的：1. 宣導製程資料保密觀念與相關權責。2. 說明 CIC 對各製程資料採取之控管措施。

• 舉辦時間 / 地點：1. 定期於每 T13 製程梯次之前瞻性截止日前 2 個月舉辦2. 確切舉辦時間地點將公告於 CIC 最新消息，並 mail 學術界老師 / 學生

• 注意事項：1. 各類製程之申請者 ( 含被授權人員 ) ，均需瞭解製程資料之保密 / 控管方式與相關權責。2. 製程資料保密之相關權責於”製程資料保密同意書”，”製程資料申請須知與說明”有明確說明。3. 欲使用 T13 製程 (T13RF, T13L) 資料之被授權人員需參與製程資料控管說明會，否則無法被授權，亦無法申請各類晶片製作 ( 下線申請 ) 。4. T13 製程之被授權人員，每年 (合約有效期內 ) 至少參與一次5. 說明會附簽到表，日後於網頁公告當日參與名單 (講義投影片亦可於網頁下載 ) 。

製程資料控管說明會

CIC

20

94 年製程資料控管說明會

日期 時間 地點 備註2005/10/28( 五 ) 10 ： 00-11 ： 00 [ 新竹 ]CIC 新竹辦公室 已舉辦2005/11/18( 五 ) 10 ： 00-11 ： 00 [台北 ]台灣大學電機館 ( 二

館 )已舉辦

2005/12/10(六 ) 10 ： 00-11 ： 00 [ 新竹 /台南 ]CIC 新竹辦公室CIC南區辦公室

已舉辦

2006/22/16(四 ) 10 ： 00-11 ： 00 [ 新竹 /台南 ]CIC 新竹辦公室CIC南區辦公室

CIC

21

• 製程資料定義： CIC 提供之各類製程相關之文件紙本及電子檔資料。

• 申請者應妥善保管製程資料，如有專用文件櫃、檔案夾、電腦配備等放置製程資料。

• 申請者負有監督其被授權人員使用製程資料之保密責任。並應自造「被授權人員清冊」提供 CIC 留存 / 備查。

• 申請者除提供被授權人員製程資料所需外，不得任何形式複製、散佈製程資料

• 被授權人員不得以任何形式複製、散佈製程資料，亦不得再授權任何人使用製程資料。

• 申請者 ( 含其被授權人員 ) 不得將相關資料私自提出申請專利權，著作權或其他智慧財產權之註冊登記，不得將相關資料使用於教學研究或製作雛型 IC 以外之任何其他用途。

製程資料控管說明

CIC

22

• 申請者應於每年三月及十月自造「製程資料管理報表」提供 CIC 存查。如拒絕繳送「製程資料管理報表」， CIC得立即停止提供該申請者 (含其被授權人員 ) 所有相關服務。

• 申請者 離開現職或計畫結束或有效期限終止 ( 擇一時間先到者 ) ，申請者與其被授權人員同時喪失製程資料使用權，並持續三年盡保密義務。

• CIC得不定時至申請者存放 CIC 授權製程資料處進行了解與關切使用的情形及其管理，申請者有義務配合 CIC 控管製程資料。

• 申請者 ( 含其被授權人員 ) 如違反申請者簽署之製程資料保密同意書內任一條款， CIC得立即停止申請者 ( 含其被授權人員 ) 使用製程及其相關服務，並函送申請者之服務單位依洩密罰則處理。

• 如因違反申請者簽署之製程資料保密同意書條款所發生爭議，申請者與CIC雙方將依製程資料保密同意書內規範，以台灣新竹地方法院為第一審管轄法院

製程資料控管說明

CIC

23

製程資料管理報表

表格及說明請見網址： http://www.cic.org.tw/cic_v13/fab_services/index.jsp?menu=document

註：申請人應於每年三月及十月自造「管理報表」提供中心存查。如申請人拒絕繳送「製程資料管理報表」，中心得立即停止其相關服務。

凡已申請 95 年度製程資料且通過 TSMC 核可的申請者，請於 3/17( 五 ) 前繳交“核可後管理”之相關表格。

CIC

24

• 95 年起，製程申請、各類製程之技術文件 / 資料下載將鎖定申請者 IP， IP 不一致無法下載相關資料。

• 僅限”產研界”、”學術界 - 老師”兩種身份類別，可點選”製程申請”與下載者各類製程之技術文件 / 資料。

• CIC 不接受申請者授權其他人員下載各類製程之技術文件 / 資料。

• CIC 對申請者下載各類製程之技術文件 / 資料均會記錄，並配合查核程式，控管是否有密集、異常下載情況。如有疑義將主動通知申請者。

• 申請者應於每年三月及十月自造「製程資料管理報表」提供 CIC 存查。 B 類製程需繳交C 類製程需自造留存備查 ( 無須繳交 )

• B 類製程於申請時，需附上 PDK 存放單，說明 PDK 將存放於何處。

製程資料控管注意事項

CIC

25

製程服務注意事項• 原”晶片製作申請注意事項”改為”製程服務注意事項”

• 製程服務注意事 包含”製程申請”、”晶片製作” ( 下線申請 )和其他相關注意事項。主要提供相關訊息供使用者參考。

• ”製程服務注意事項”投影片將於各製程每梯次 ( 前瞻性 ) 截止日前一週更新，並公告於 CIC 網頁最新消息、加入 E-news 並 mail 給學術界老師 / 學生，提供相關注意事項參考。

• ”製程服務注意事項”投影片可於下列網址下載http://www2.cic.org.tw/~kangchu/layout/note/note95_0109_handout.ppt

CIC

26

95 年製程服務聯絡窗口

• 儀器設備使用儀器設備使用申請或技術諮詢竹科：張恆茹小姐，分機， 192, Email: henzu@cic.org.tw, 南區辦公室：鄭順安先生，電話： 06-5053041*109 ， Email: sacheng@cic.org.tw

繳交測試報告傳送電子檔測試報告（Word 格式）至： testadm@cic.org.tw即可，無須再郵寄測試報告書面資料。竹科：張恆茹小姐（ 03)5773693-192 Testkey ：各製程負責人， 例如： UMC 0.18 負責人 陳益誠先生， TSMC 0.35 (2P4M) 使用Cell-Based Flow 負責人許志賢先生。 Testkey部分尚須繳交完整量測數據與元件等效模型。

• 製程申請業務承辦人：簡珮君小姐，分機 205, Email: frankie@cic.org.tw 郵寄「製程資料保密同意書」收件地址 / 收件小組：新竹市科學園區展業一路 26號 7F 晶片中心 / 晶片組製程申請收

• 晶片製作申請 業務 / 技術諮詢窗口，請見下頁表格 郵寄晶片製作申請資料：收件地址：新竹市科學園區展業一路 26號 7F ， 教育性 /測試元件 / 前瞻性→收件：學校晶片申請， 自費 ( 產研 / 學術 ) → 收件：自費晶片

CIC

27

晶片製作申請相關業務承辦人

製 程 名 稱 技術方面 申請方面

1. UMC 0.18 UM 1P6M MMC/RFCMOS 1.8V/3.3V

陳益誠先生，分機 201, Email:ycchen@cic.org.tw使用 Cell-Based Flow ：林俊賓先生，分機 163 ， Email:cplin@cic.org.tw

* 教育性 -測試元件 - 前瞻性：張惠禎小姐，分機 174,Email: jenny@cic.org.tw

* 產研界 / 學校自費：簡珮君小姐，分機 205,Email: frankie@cic.org.tw

2. TSMC 0.18 UM CMOS Mixed Signal RF General Purpose Standard Process FSG Al 1P6M 1.8&3.3V

簡廷旭先生，分機 202, Email:thchien@cic.org.tw使用 Cell-Based Flow ：王朝琴先生，分機 193 ， Email:saho@cic.org.tw

3. TSMC 0.35 UM Mixed-Signal 2P4M Polycide 3.3/5V

鄧宗維先生，分機 229, Email:twteng@cic.org.tw使用 Cell-Based Flow ：許志賢先生，分機 147 ， Email:chhsu@cic.org.tw使用 MEMS ：林幹恆先生，分機 239 ， Email:khlin@cic.org.tw

4. TSMC 0.35 UM BICMOS Mixed Signal SiGe General Purpose Standard Process USG Al 3P3M 3.3V

陳憲穀先生，分機191 ， Email:hkchen@cic.org.tw

* 測試元件 - 前瞻性：陳怡華小姐，分機 131, Email: eva@cic.org.tw* 產研界 / 學校自費：簡珮君小姐，分機 205, Email: frankie@cic.org.tw

5. TSMC 0.13 UM CMOS Mixed Signal MS General Purpose Standard Process FSG Cu 1P8M 1.2&3.3V

黃建棟先生，分機 190 ， Email:hcd@cic.org.tw

6. TSMC 0.13 UM CMOS Mixed Signal RF General Purpose Standard Process FSG Cu 1P8M 1.2&2.5V

張文旭先生，分機 176 ， Email:wenshu@cic.org.tw

7. WIN 0.15um PHEMT 黃建棟先生，分機 190 ， Email:hcd@cic.org.tw

郵寄晶片製作申請資料：收件地址：新竹市科學園區展業一路 26號 7F ，學校→收件人：簡珮君，產研界 / 學校自費→收件人：簡珮君

CIC

28

Q & A

CIC

29

參考文件• CIC 網頁

http://www.cic.org.tw/cic_v13/main.jsp

• 製程資料保密同意書 (95 年度 )

• 製程資料申請須知與說明 (95 年度 )

http://www2.cic.org.tw/~cis/fabapply/doc/Q3_CI01.pdf

• 晶片製作時程表 (95 年度 )

http://www2.cic.org.tw/~cis/chipapply/doc/time.pdf

• 製程服務注意事項 投影片http://www2.cic.org.tw/~kangchu/layout/note/note95_0109_handout.ppt