ANKARA TOPLANTISI 18. YO ö UN MADDE F ø Z øöø · neler öğrendiğimizi ve bunların bakır-oksit tabanlı materyallerde gözlenen yüksek-sıcaklık süperiletkenliği için

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011

1

Orta Doğu Teknik ÜniversitesiKültür Kongre Merkezi – B Salonu

25 Kasım 2011

Danışma Kurulu

• Yalçın Elerman (Ankara Ü)

• Bekir S. Kandemir (Ankara Ü)

• Ceyhun Bulutay (Bilkent Ü)

• Oğuz Gülseren (Bilkent Ü)

• Süleyman Özçelik (Gazi Ü)

• Mehmet Çakmak (Gazi Ü)

• Tezer Fırat (Hacettepe Ü)

• Recai Ellialtıoğlu (Hacettepe Ü)

• Şinasi Ellialtıoğlu (ODTÜ)

• Mehmet Parlak (ODTÜ)

Düzenleme Kurulu

• Şinasi Ellialtıoğlu (ODTÜ)

• Mehmet Parlak (ODTÜ)

İletişimODTÜ Fizik Bölümü, Ankara 06800

Tel: 0312–210 3290 - 7646

Faks: 0312–210 5099

[email protected]

Ayrıntılı Bilgi içinhttp://www.physics.metu.edu.tr/ymf18

18. YOĞUN MADDE FĠZĠĞĠ

ANKARA TOPLANTISI


2


3

Önsöz

Bu yıl 18.incisi düzenlenen Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, 4 Çağrılı, 16 Sözlü, 113

Poster sunumu ve çok sayıda katılımcı ile gerçekleştirilmektedir. Öncelikle Ankara’daki

yoğun madde fizikçilerinin bilgi ve deneyim alışverişi amacıyla başlatılmış olan Ankara

Toplantıları zaman içinde Ankara dışındaki üniversitelerin de artan sayılarda katılımları

sayesinde ulusal bir kimlik kazanmıştır. Orta Doğu Teknik Üniversitesi’nde 3.üncü kez

düzenleniyor olan bu toplantıda meslektaşlarımızı ve öğrencilerimizi tekrar konuk edecek

olmak bizlere büyük mutluluk verecektir.

Düzenleme Kurulu olarak tüm katılımcılara, Danışma Kurulu üyelerine, toplantıya destek

veren kuruluşlara, ODTÜ Rektörlüğü’ne ve düzenlemede emeği geçen herkese teşekkür

eder toplantının başarılı ve yararlı olmasını dileriz.

Düzenleme Kurulu

Prof. Dr. Şinasi Ellialtıoğlu Prof. Dr. Mehmet Parlak


4


5

Program

08:30 – 08:55 Kayıt

08:55 – 09:00 Açılış: Şinasi Ellialtıoğlu (Orta Doğu Teknik Üniversitesi)

1. Oturum : Oturum BaĢkanı: Ceyhun Bulutay (Bilkent Üniversitesi)

09:00 – 09:30 Ç01 Nejat Bulut (Ġzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü)

“Yüksek-sıcaklık süperiletkenlerinde ve Hubbard modelinde d(x2–y

2) simetrili

süperiletkenlik”

09:30 – 09:45 S01 Afif Sıddıki (Ġstanbul Üniversitesi)

“Kuantum Hall tabanlı Aharonov–Bohm spektroskopisi: Kuram ve deney”

09:45 – 10:00 S02 Orhan Öztürk (Ġzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü)

“Plazma nitrürlenmiĢ 316L paslanmaz çeliği ve CoCrMo alaĢımı üzerinde

manyetik tabaka oluĢumu”

10:00 – 10:15 S03 Ercüment Yüzüak (Ankara Üniversitesi)

“Epitaksiyel Ni–Mn–Sn ultra ince filmlerin yapısal, elektriksel, ve manyetik

özelliklerinin incelenmesi”

10:15 – 10:30 S04 M. Burak Kaynar (Hacettepe Üniversitesi)

“Nanogözenekli TiO2 seramik su filtrelerinin hazırlanması”

10:30 – 11:00 Çay Arası (Posterler)

2. Oturum : Oturum BaĢkanı: Mehmet Çakmak (Gazi Üniversitesi)

11:00 – 11:30 Ç02 İsmet İ. Kaya (Sabancı Üniversitesi)

“Grafen: Karbon tülünün sihiri”

11:30 – 11:45 S05 Veysel Çelik (Balıkesir Üniversitesi)

“TiO2(110) yüzeyinde güneĢ pili uygulamaları için oluĢturulmuĢ kusur

durumlarının analizi”

11:45 – 12: 00 S06 Şevket Şimşek (Çukurova Üniversitesi)

“Oda sıcaklığında AgTaO3 kristalinin elektronik ve dinamik özelliklerinin

incelenmesi: Ab initio hesabı”

12:00 – 12:15 S07 Mustafa Kulakcı (Orta Doğu Teknik Üniversitesi)

“Nanotellerle kaplanmıĢ endüstriyel boyutlarda kristal silisyum güneĢ

gözeleri”

12:15 – 12: 30 S08 Mehmet Ağartıoğlu (Dokuz Eylül Üniversitesi)

“Dinamik metamanyetik durulmanın kritik ve üçlükritik noktalar yakınındaki

frekans bağlılığı”

12:30 – 14:00 Yemek Arası (Kafeterya)


6

3. Oturum : Oturum BaĢkanı: Tezer Fırat (Hacettepe Üniversitesi)

14:00 – 14:30 Ç03 Alpan Bek (Orta Doğu Teknik Üniversitesi)

“Yüksek çözünürlüklü mikroskopi ve spektroskopi yöntemlerinin biyolojik

örnek analizinde uygulamaları”

14:30 – 14:45 S09 Özgür Karlı (Sabancı Üniversitesi)

“Yüksek hassasiyetli, düĢük sıcaklık atomik kuvvet mikroskobu tasarımı”

14:45 – 15:00 S10 Musa Mutlu Can (Sabancı Üniversitesi)

“W safsızlığı içeren ZnO yapılarda polarize spin akıĢı”

15:00 – 15:15 S11 Hatice Taş (Selçuk Üniversitesi)

“Çok tabakalı küresel kuantum nokta yapı içerisindeki hidrojen tipi donor

safsızlığının elektronik özellikleri”

15:15 – 15:30 S12 Fulya Bağcı (Ankara Üniversitesi)

“Çizgi kusurlu fotonik kristal dalga kılavuzlarında saçıcıların konumlarının

değiĢtirilmesi ile yavaĢ ıĢık özelliklerinin iyileĢtirilmesi”

15:30 – 16:00 Çay Arası (Posterler)

4. Oturum : Oturum BaĢkanı: Bekir Sıtkı Kandemir (Ankara Üniversitesi)

16:00 – 16:30 Ç04 Bülent Aslan (Anadolu Üniversitesi)

“Kuantum nokta ve kuantum sınırlı safsızlık atomlarının terahertz

uygulamaları”

16:30 – 16:45 S13 Deniz Ekşi (Trakya Üniversitesi)

“Kuantum Hall rejiminde gerçek örnekler için interferometrelerin teorik

modellenmesi”

16:45 – 17:00 S14 Aysevil Salman (Akdeniz Üniversitesi)

“Kesirli Sayılı kenar durumlarındaki overshooting etkisinin analitik

modellenmesi”

17:00 – 17:15 S15 Aydın Bayraklı (Hacettepe Üniversitesi)

“AlInN/(GaN)/AlN/GaN hetero-eklem yapılarda magneto transport ölçümleri”

17:15 – 17:30 S16 Didem Ketenoğlu (Ankara Üniversitesi)

“Ġki boyutlu elektron gazında manyetodirenç hesabı”

17:30 – 17:45 Kapanış

17:45 – 19:00 Kokteyl (Posterler, Poster ödülleri)

19:00 – 23:00 Akşam Yemeği (Ġsteğe bağlı)


7

ÇAĞRILI

KONUġMALAR


8


9

Ç01

Yüksek-sıcaklık süperiletkenlerinde ve Hubbard modelinde

d(x2–y

2) simetrili süperiletkenlik

Nejat Bulut

İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Urla, 35430 İzmir

1987 yılındaki keĢiflerinden buyana yüksek-sıcaklık süperiletkenlerinin elektronik yapısını

inceleyen birçok deneysel çalıĢma yapılmıĢtır. Bu deneyler göstermiĢtir ki yüksek-sıcaklık

süperiletkenlerinde Cooper çiftlerinin dalgafonksiyonu d(x2–y

2) simetrisine sahiptir. Bu sonuç

ise yüksek-sıcaklık süperiletkenliğinin mekanizmasını anlamak için önemli ipuçları verir,

çünkü d(x2–y

2) simetrili süperiletkenliğe sebep olabilecek sadece birkaç çeĢit mikroskopik

mekanizma bulunmaktadır. Bunların arasında en olası olanı ise fermiyonlar arasında spin

dalgalanmalarının değiĢ–tokuĢundan kaynaklanır. Günümüzde yüksek-sıcaklık super-

iletkenliğini anlamak için gerekli olan en yalın mikroskopik modelin iki-boyutlu Hubbard

modeli olduğu varsayılmaktadır. Maalesef, bu modelin yakınlaĢtırma yapmaksızın tam

çözümüne ulaĢmak henüz mümkün değil. Fakat iki tane Hubbard zincirinin birleĢtirilmesiyle

oluĢan Hubbard merdiveni için sayısal yoğunluk-matrisi renormalizasyon grubu ve kuantum

Monte Carlo yöntemlerini kullanarak tam çözüme ulaĢmak mümkün. Uygun model

parametreleri seçildiği zaman Hubbard merdivenin de fermiyonlar arasında kuvvetli d(x2–y

2)

simetrili süperiletkenlik bağlantıları gözlenmiĢtir. Burada çok-tanecik fiziğinin sayısal

yöntemlerini kullanarak Hubbard merdivenindeki d(x2–y

2) simetrili süperiletkenlik hakkında

neler öğrendiğimizi ve bunların bakır-oksit tabanlı materyallerde gözlenen yüksek-sıcaklık

süperiletkenliği için ne anlama geldiğini konuĢacağım. Özellikle d(x2–y

2) simetrili

süperiletkenliğin gücünün nasıl belirlendiğini inceleyeceğiz. Göreceğimiz sayısal sonuçlar

d(x2–y

2) simetrili süperiletkenliğin oluĢumunda spin dalgalanmalarının önemini

vurgulamaktadır.


10

Ç02

Grafen: Karbon tülünün sihiri

İsmet İ. Kaya

Sabancı Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, İstanbul

Grafen üzerine yapılan bilimsel ve teknolojik araĢtırmalar son yıllarda hızla artmaktadır.

Temel ve uygulamalı yoğun madde fiziğinin gözbebeği haline gelen bu malzemeye bu denli

ilgi duyulmasının en önemli nedeni ise gelecekte önemli uygulama alanları bulabileceğine

dair yaygın bir kanaat oluĢmasıdır. Bu yılki Nobel ödülü de bu malzeme üzerinde elde

ettikleri ilginç deneysel sonuçlarla 2004 yılında grafen çığırını baĢlatan Geim ve Novoselov‟a

verilmiĢtir. Bu konuĢmamda grafenin sıradıĢı özellikleri ve bu özelliklerin ne tür potansiyel

uygulamalarda iĢe yarayabileceğinden bahsedeceğim. Grafenin uygulama alanı bulabilmesi

için ucuz, çok miktarda ve üstün nitelikli üretebileceği tekniklerin geliĢtirilmesi

gerekmektedir. Grafitten ayrıĢtırmayla, epitaksiyel olarak ve kimyasal buhar çöktürmesiyle

grafen üretim tekniklerindeki geliĢmeleri ve ve bu alanlarda yapmakta olduğumuz

araĢtırmaları özetleyeceğim. KonuĢmanın son kısmında grafende kuantum Hall etkisi,

uygulamaları ve bu etkinin yüksek akımlarda çökmesi konusunda aldığımız verileri

anlatacağım.


11

Ç03

Yüksek çözünürlüklü mikroskopi ve spektroskopi yöntemlerinin

biyolojik örnek analizinde uygulamaları

Alpan Bek

Orta Doğu Teknik Üniversitesi - Fizik Bölümü, 06800 Ankara

Son 15 – 20 yıldır bilimcilerin yüksek çözünürlüklü veri toplamadaki yeterlikleri teknik geliĢime

paralel olarak büyük ölçüde artıĢ göstermiĢtir. 20. yüzyılın sonlarında atom-altı konumsal ve

attosaniye zamansal çözünürlük hayatımıza girmiĢ bulunuyor. Fizikte ve kimyada olduğu gibi

günümüzde biyolojide de, belki daha fizik ve kimyadan da büyük ölçüde, önceleri mümkün olmayan

detayda gittikçe küçülen ölçütlerde veri toplama yeteneğinden faydalanılmaktadır.

Örneğin katlanmıĢ bir proteinin üstyapısından bu proteinin

fibril çökeltilerinin (ġekil 1) üstyapısına uzanan bilgi birikimi

bilimcilerin moleküler yapı düzeyinden baĢlayarak hücre

düzeyine kadar uzanan akıllı ilaç dağıtım tasarımları

yapmalarına yardım etmektedir [1].

Hücrelerin mikroskopik düzeyde moleküler ve fonksiyonel

haritalarının çıkarılması [2] artık günümüzde bilim kurgu

değil bir laboratuvar rutini haline gelmektedir (ġekil 2).

Şekil 1: Prion protein oligomer ve

fibrillerinin atomik kuvvet

mikroskopu görüntüleri

Bu konuĢmada biyolojik sistemlerin yüksek

çözünürlükte mikroskopik ve spektroskopik

görüntülenmelerinden birkaç örnek sunulacaktır

ve büyük hacimli deneylere yüksek çözünür-

lüklü, küçük hacimli verinin nasıl tamamlayıcı

destek oluĢturduğu gösterilecektir.

Şekil 2: Nöronların çeşitli bantlarda

mikroskopik kızılötesi emilim haritaları

Kaynakça

1. M. Polano, A. Bek, F. Benetti, M. Lazzarino, G. Legname, “Structural Insights Into Alternate Aggregated

Prion Protein Forms”, Journal of Molecular Biology 393, 1033–1042 (2009).

2. A. Didonna, L. Vaccari, A. Bek, G. Legname, "Infrared Microspectroscopy: a multiple-screening platform

for investigating single-cell biochemical perturbations upon prion infection", ACS Chemical Neuroscience,

2 (3), 160–174 (2011).


12

Ç04

Kuantum nokta ve kuantum sınırlı safsızlık atomlarının terahertz uygulamaları

Bülent Aslan

Anadolu Üniversitesi Fizik Bölümü, Yunusemre Kampüsü, 26470 Eskişehir

Terahertz (THz) frekans bölgesi, son yıllarda hızla artan sayıdaki çalıĢmalara rağmen

elektromanyetik tayfın en az geliĢmiĢ bölgesidir. Sahip olduğu büyük potansiyelin

kullanılabilmesi için, THz bölgede çalıĢan ıĢık kaynaklarına ve algılayıcılarına ihtiyaç vardır.

Bu amaç doğrultusunda yürütülen çalıĢmalarda, kuantum kuyu ve kuantum nokta yarıiletken

nano-yapılar önemli yer tutmaktadır. Bunun sebebi, temel olarak yarıiletken nano-yapıların

özelliklerinin, katman yapılarının, katkı türü ve miktarlarının farklı Ģekillerde tasarlanarak

istenilen bölge için ayarlanabilmesidir. Kuantum kuyu yapılarının büyütülmesindeki tecrübe

ve rahatlık, kuantum noktaların atom benzeri enerji seviyelerinin sağladığı avantajlarla

birleĢtirilebilir. Bu amaçla, kuantum kuyu içine katkılanmıĢ az miktardaki safsızlık

atomlarının bağlanma enerjileri THz uygulamalarda kullanılabilir. Kuantum kuyu içindeki bu

bağlanma enerjilerinin birkaç meV mertebesinden 80–90 meV mertebesine kadar

değiĢtirilebilmesiyle dipol izinli (1s – 2p) geçiĢlerini aktif mekanizma olarak kullanan aygıtlar

üretilebilir.

Bu konuĢma, THz üretimi–algılaması için kuantum nokta içeren yeni yapılara ve benzeri

yaklaĢımlara odaklanacaktır. EĢik akım yoğunluğunun düĢük olması, yüksek sıcaklıkta

çalıĢabilirliği, yüksek diferansiyel kazanç mekanizması ve dalgaboyu ayarlanabilirliği gibi

potansiyel avantajlarının olması, kuantum nokta yapıları THz bölge uygulamalarında

kullanılmak üzere umut veren bir aday yapmaktadır. GaAs içinde kendiliğinden oluĢan InAs

kuantum nokta yapılar üzerinden tınlaĢım tünelleme olayının gözlenmesi, kuantum

noktayapıların THz uygulamalarda kullanılmasının ilk adımı olarak tartıĢılacaktır. InAs/GaAs

kuantum noktaların enerji seviyelerin, büyütme sonrası gerçekleĢtirilen ısıl iĢlem sonucunda

ayarlanabileceği bir dedektör yapısında gösterilmiĢtir.

Benzer Ģekilde, çift engelli bir kuantum kuyu tınlaĢım tünelleme diyot yapısı, THz

bölgedeıĢıma yapan yayıcılar için ön aĢama olarak sunulacaktır. Bu yapıda, safsızlık atomları

üzerinden tünelleme akımının gözlenmesi sonraki aĢamalar için kritik önem

taĢımaktadır.Verici destekli tünelleme iĢleminde, dıĢarıdan uygulanan voltajın etkisiyle

kuantum kuyu içindeki 2p-benzeri verici seviyesine geçen elektronlar, 1s-benzeri taban

durumuna geçiĢ yaparak foton yayarlar. THz bölgedeki fotonların algılanması çalıĢmalarında

ise (1s→ 2p) geçiĢlerini kullanan yanal taĢıyıcı iletimine dayalı çoklu kuantum kuyu yapılar

kullanılır. Son olarak, verici katkı atomlarıyla katkılanmıĢ GaAs/AlGaAs kuantum kuyuların

THz bölgedeki lineer olmayan (nonlinear) optik özelliklerinin incelendiği hesaplamalar

tartıĢılacaktır. Yapılan hesaplamalar, kuyu geniĢliği ve/veya Al konsantrasyonu arttıkça lineer

olmayan optik alınganlığın azaldığını göstermektedir. Benzer Ģekilde, kuyu içindeki katkı

merkezinin pozisyonu kuyu kenarlarına kaydırıldıkça lineer olmayan optik alınganlık

azalmaktadır. Ek olarak, büyütme doğrultusunda uygulanan manyetik alanın 2p±

enerjilerindeki çakıĢıklılığı kaldırdığı ve böylece büyük ve ayarlanabilir lineer olmayan değer

katsayısı (nonlinear figure of merit) elde edilebileceği gösterilmiĢtir.


13

SÖZLÜ

SUNUMLAR


14


15

S01

Kuantum Hall tabanlı Aharonov–Bohm spektroskopisi: Kuram ve deney

A. Sıddıki

İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Vezneciler, 34134 İstanbul

Aharonov–Bohm spektroskopisi sanki-parçacıkların kuantum istatiksel özelliklerinin

tamsayılı ve kesirli kuantize Hall rejimlerinde incelenmesinde önemli bir araçtır. Konuyla

ilgili araĢtırmalar özellikle Abelyen olmayan (non-Abelian) durumların topolojik

kuantumbilgi iĢlenmesine yol açacağı öngörüsü üzerinde yoğunlaĢmaktadır.Ancak,

etkileĢimlerin bu kuantum durumlarını kuantize Hall Ģartları altında nasıl etkilediği hal-i

hazırda araĢtırılmaktadır. Bu konuĢmada faz bağımlı manyeto-transport deneyleri ile birlikte

elektron–elektron etkileĢimlerini de hesaba katan öz-uyumlu çözüm yöntemleri kısaca

anlatılacaktır. Odak nokta, doğrusal olmayan fakat eĢ evreli (coherent) olan kenar durum

taĢınımı olacaktır. Bu rejim mevcut araĢtırma etkinliklerinin epeyce ötesindedir. Deneyler,

GaAs heteroyapıda oluĢturulan iki boyutlu elektron gölcüğünde (noktasında) tanımlı

Aharonov–Bohm interferometrelerinde gerçekleĢtirilmektedir. Bu aygıt aynı zamanda

kuantum anahtarı olarak da kullanılabilecektir. Kuantum Hall kenar durumları faz eĢ evresini

(phase coherent) korumaktadır ve interferometrenin kolları olarak düĢünülmektedir. Elektron

gölcüğünün geometrisi ve kenar durumların doğası yüzey kapılarına uygulanan gerilim ile

kontrol edilebilmektedir. Bu alan etkili teknik, tuzaklama potansiyelinin dikliğini kontrol

etmemize olanak sağlamakta ve bu sayede her bir interferometre kolununa simetrik olarak

tanımlanmasına imkan vermektedir. Bu deneyleri yapmak için, yüksek manyetik alanlar (B >

5 Tesla) ve düĢük sıcaklıklar (T < 1.4 K) gerekmektedir. Süperiletken magnet (B ~ 20 Tesla)

ve soğutucu sistem (T ~ 10 mK), Ġstanbul Üniversitesi Fizik bölümünde birkaç ay içerisinde

hizmete girecektir ve bu konuĢmada ilgililerin dikkatine sunulacaktır.


16

S02

Plazma nitrürlenmiĢ 316L paslanmaz çeliği ve CoCrMo alaĢımı üzerinde

manyetik tabaka oluĢumu

O. Öztürk1, S. Okur

1, J. P. Riviere

2, M. O. Liedke

3

1Department of Physics, Izmir Institute of Technology, Urla 35430, Izmir, Turkey

2Institute PPRIME UPR3346 CNRS, ENSMA, Universite de Poitiers, Chasseneuil-

Futuroscope Cedex, France 3Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum, Dresden-

Rossendorf, P.O. Box 510119, D-01314 Dresden, Germany

Östenit paslanmaz çelik (304, 310, 316) ve CoCrMo alaĢım yüzeylerine 400 ºC alttaĢ sıcaklık

civarında çeĢitli iyon ıĢınımı metodlarıyla azotun girmesi sonucunda, bu alaĢım yüzeylerinde

yüksek azot içeren yarıkararlı bir faz, γN, oluĢmaktadır. γN fazı, katı solusyon fazı veya

geniĢletilmiĢ östenit fazı olarakta bilinmektedir. Bu fazı içeren tabakaların ortak özellikleri

yüksek sertliğe ve aĢınma dayanımına ve iyileĢtirilmiĢ korozyon dayanımına sahip

olmalarıdır. Bu fazın az bilinen diğer bir özelliği ise magnetic yapısı ile ilgilidir. Azot

miktarına ve kafes geniĢlemesine bağlı olarak, bu faz hem ferromanyatik hem de

paramanyatik özelliklere sahiptir (östenit paslanmaz çelik ve CoCrMo alaĢım alttaĢ

malzemeleri fcc kristal yapıda olup, oda sıcaklığında paramanyetik özelliktedir). Bu sunumun

amacı bir FeCrNi alaĢımı olan 316L paslanmaz çeliğinde ve CoCrMo alaĢımında oluĢan

geniĢletilmiĢ östenit fazının manyetik özelliklerini incelemek olacaktır. Bu fazın her iki

alaĢımda oluĢumu, 400 ºC alttaĢ sıcaklığı civarında ve gaz karıĢımı 60% N2 – 40% H2 olan

düĢük-basınç RF plazma nitrürleme metoduyla gerçekleĢtirilmiĢtir. γN fazını içeren

tabakaların manyetik karakteri, yüzey-duyarlı bir teknik olan manyeto-optik Kerr etkisi

(MOKE) cihazı ve bir taramalı uç mikroskobunun manyetik kuvvet modunda (MFM)

kullanılmasıyla analiz edildi. Bu analizler sonucu gözlemlenen Ģerit Ģeklindeki domain

yapıları ve histeri eğrileri, bu geniĢletilmiĢ fazların, γN-(Fe,Cr,Ni) ve γN-(Co,Cr,Mo),

ferromanyetik doğaya sahip olduklarının güçlü birer kanıtı olarak gösterilebilir. Burada

gözlemlenen ferromagnetic yapı ana olarak büyük kafes geniĢlemelerine (~10%) ve yüksek

azot miktarlarına (~30 at.%) bağlanabilir. Azot atomları paslanmaz çelik ve CoCrMo

alaĢımlarında fcc örgüsünde octahedral boĢluklara girerek, bu malzemelerin kafeslerinin

geniĢlemesine neden olmakta ve bu da fcc örgüsünde Co–Co (veya Fe–Fe) mesafelerini

artırmakta ve bu değiĢim manyetik etkileĢimleri güçlü bir Ģekilde etkilemektedir. Östenit

paslanmaz çelik ve CoCrMo alaĢımlarında oluĢan bu geniĢletilmiĢ fazların, γN-(Fe,Cr,Ni) and

γN-(Co,Cr,Mo) ferromanyetik özellikleri, fcc kristal yapılarına sahip demir/demir nitrür (fcc γ-

Fe/fccFe4N) ve kobolt/kobolt nitrür (fcc γ-Co/fccCo4N) yapılarının, manyetik özelliklerinin

hacme bağlı olmasıyla iliĢiklendirilmektedir.


17

S03

Epitaksiyel Ni–Mn–Sn ultra ince filmlerin yapısal, elektriksel, ve manyetik

özelliklerinin incelenmesi

E. Yüzüak1, I. Dinçer

1, Y. Elerman

1, A. Auge

2, M. Meinert

2, ve A. Hütten

2

1 Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fak., Fizik Müh. Beşevler, 06100 Ankara

2 Bielefeld Üniversitesi, Thin Films and Physics of Nanostructures, Fizik Bölümü,

Bielefeld, Almanya

Heusler alaĢımları, çok zengin yapısal, elektriksel ve manyetik davranıĢlar göstermektedirler. Bu

özelliklerinde en önemlisi, bu tip alaĢımlar yarı-metalik davranıĢ göstermeleridir. Özelikle günümüzün

ileri teknoloji ürünü olan spin elektroniği (spintronik) uygulamaları açısından ideal malzemeler

olmaktadırlar ve son zamanlarda birçok bilim adamı tarafından incelenilmektedirler. Spin elektroniği,

Spintronik, manyetizma ve elektroniğin en yeni ve hızlı bir Ģekilde geliĢen dalıdır [1]. Spintronik,

özellikle katıhal fiziği ile ilgili çalıĢan bilim adamları için yeni bir araĢtırma sahası olup, birçok

disiplinden ilgi çeken bir çalıĢma alanıdır. ġu anda kullanılan elektronik cihazlar, elektronun yükünün

serbestlik derecesine göre çalıĢmakta ve elektronun spinin serbestlik derecesini yok saymaktadır.

Spintronik ise elektronun spininide elektronik cihazlara eklemektedir. Böylece, elektronun spininin

serbestlik derecesinin geleneksel elektronik cihazlara eklenmesi, bu cihazların veri iĢleme hızını

artmasına, elektriksel güç kullanımını azaltmasına ve sürekli bellek kullanabilmesine olanak

sağlayacaktır [2].

Ni50Mn35Sn15 Heusler alaĢımının yapısal faz geçiĢinin ferromanyetik bölgede olması ve manyetik

alana bağlı olarak çok büyük zor (strain) gösterdiği için bu alaĢımların ince filmleri üretilmiĢtir [3]. Bu

kapsamda, Ni (99.998), Mn (99.99), Sn (99.9999) saf elementlerden yapılmıĢ hedefler kullanılarak

0.60.6 cm2 büyüklüğünde MgO(100) tek kristal alt taĢ üzerine Ni50Mn35Sn15 alaĢımlarının ince

filmleri, manyetik alanda sıçratma sistemi kullanılarak elde edilmiĢtir. Manyetik alanda sıçratma

sisteminin temel basıncı, 210–9

mbar ve sıçratma iĢlemi azot gaz basıncı ise, 210–3

mbar‟dır. Elde

edilen manyetik ince filmlerin yapısal, kalınlık ve kompozisyon karakterizasyonu, XRD, XRR ve XRF

teknikleriyle gerçekleĢtirildi. Elde edilen manyetik ince filmlerin elektriksel özellikleri, Bielefeld

Üniversitesindeki ev yapımı direnç ölçüm sisteminde incelendi. Ġnce filmlerin manyetik özellikleri,

manyetik alan altında ısıtma (FH) ve manyetik alan altında soğutma (FC) kiplerinde, 10–330 K

sıcaklık aralığında, 150 Oe‟lık manyetik alan altında SQUID ile belirlendi [3].

Ölçümler sonucunda, manyetik alanda sıçratma sistemiyle 10 nm, 20 nm, 35 nm, 50 nm ve 100 nm

kalınlığında, Ni51.6Mn34.9Sn13.5 kompozisyonunda ultra ince filmler MgO (100) tek kristal alttaĢ üzerine

epitaksiyel üretilmiĢtir. Oda sıcaklığı yakınlarında yapılan XRD ölçümleri ile 10 nm ve 20 nm

kalınlığındaki ince filmlerin daha yüksek oranda Austenit (L21) fazda olduğu bulunurken, 35 nm, 50

nm ve 100 nm kalınlığındaki ince filmlerin daha yüksek oranda Martensitik (7O) fazda olduğu

bulunmuĢtur. Manyetik ve elektriksel ölçümler sonucunda, manyetik ince filmlerin kalınlığı artıkça,

yapısal faz geçiĢini düĢük sıcaklıktan yüksek sıcaklığa doğru değiĢtiği gözlemlenmiĢtir. Ayrıca 10 ve

20 nm kalınlığında üretilen ince filmlerde dünyada ilk defa yapısal faz geçiĢi ve buna bağlı olarak ta

Ģekil hafıza etkisi gözlemlenmiĢtir [3].

Teşekkür: Bu çalıĢma, Tübitak (Proje Numarası: 109T582) tarafından desteklenmektedir.

Referanslar: [1] I. Zutic et al., Rev. Mod. Phys. 76, 323(2004).

[2] B. Balke et al., Phys. Rev. B 74, 104405 (2006).

[3] A.Auge et al.,Phys. Rev. Lett.‟egönderildi.


18

S04

Nanogözenekli TiO2 seramik su filtrelerinin hazırlanması

M. Burak Kaynar1, İsmat Shah

2, Şadan Özcan

1, Tezer Fırat

1

1SNTG Lab. Fizik Mühendisliği Bölümü Hacettepe Üniversitesi Beytepe Ankara, Türkiye

2Materials Science and Engineering University of Delaware Newark, DE

Bu çalıĢmada kendi kendini temizleyebilen ve bakteri boyutuna kadar organik ve inorganik

kontaminantların sudan filtrelenmesinde kullanılacak ucuz ve güvenli filtreler hazırlanması

amaçlanmıĢtır. Amaç doğrultusunda 50 nm ortalama gözenek büyüklüğüne sahip TiO2 su

filtreleri ticari TiO2 nanoparcacıklar (Degussa TiO2 P25) ve polyvinylpyrrolidone (PVP 10)

kullanılarak yakma–sinterleme yöntemiyle çözücü kullanmaksızın hazırlandı. Hazırlanan

filtrelerin yapısal analizi x-ıĢını toz difraksiyonu (XRD) ve taramalı elektron mikroskopu

(TEM) kullanılarak yapıldı. Filtrelerin %79 rutil %21 anataz fazından oluĢtuğu ve ortalama

gözenek büyüklüğünün 50 nm olduğu belirlendi. Filtreler su-demiroksit nanoparcacık (30 nm)

karıĢımı kullanılarak testedildi. Hazırlanan 50 nm ortalama gözenek büyüklüklü filtrelerin 30

nm ortalama tanecik büyüklüğüne sahip nanoparçacıları dahi %90 filtrelediği x-ıĢını

fotoelektron spektroskopisi kullanılarak belirlendi.


19

S05

TiO2(110) yüzeyinde güneĢ pili uygulamaları için oluĢturulmuĢ kusur

durumlarının analizi

V. Çelik1, H. Ünal

1, E. Mete

1, ve Ş. Ellialtıoğlu

2

1Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi, 10145 Balıkesir

2Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06800 Ankara

GüneĢ enerjisinin doğrudan kullanımı, elektron–deĢik çifti üretmek için soğurulan fotonların

kullanıldığı fotovoltaikler ve boya duygunlaĢtırıcılı güneĢ hücreleri (DSSC) sayesinde

mümkün olmaktadır. Kristal yüzey ve nanotüp, nanotel gibi formlarıyla titanyum dioksit

(TiO2), DSSC uygulamalarında kullanılmak üzere tercih edilen yarıiletkendir. Saf TiO2‟in

soğurma frekansı (rutile fazı için ~414 nm ve anataz fazı için ~387 nm) güneĢ tayfının

morötesi bölgesindedir. ÇeĢitli katyonik veya anyonik safsızlıklarla TiO2‟nin elektronik band

aralığı değiĢtirlebilmekte ve fotokatalitik aktivitesi güçlendirilebilmektedir. Yüzey

safsızlıklarının incelenmesinde platin kümeleri önemli bir prototiptir. Ptn (n=1–4) kümelerinin

adsorpsiyon profilleri ve elektronik yapıları sistematik olarak stokiyometrik, indirgenmiĢ ve

rekonstruktif rutil (110) yüzeylerinde, Hubbard U tipi mahallinde (on-site) Coulomb

etkileĢimi ile düzeltilmiĢ hibrid yoğunluk fonksiyoneli kuramı (DFT) çerçevesinde hesaplandı

[Phys. Rev. B 82, 205113 (2010)]. Özellikle indirgenmiĢ yüzeylerde standart DFT, Ti 3d

elektronlarına ait kuvvetli korelasyon enerjisinin yerel yoğunluk yaklaĢımdan (LDA) dolayı

olması gerekenden küçük tahmin etmektedir. Deneyler, bu gibi, stokiyometrik olmayan rutil

(110) yüzeylerine ait iletim bandının ~0.9 eV altında yer alan kusur durumlarının varlığını

ortaya koymaktadır. Bu kusur durumlarının, Ti 3d elektronları arasına ampirik olarak eklenen

Hubbard U tipi mahallinde (on-site) Coulomb itmesiyle deneysel gözlemlerle paralel biçimde

türetilebileceği gösterildi. Platin kümeleri için rekonstruktif yüzey çalıĢmasında deneysel ve

teorik olarak en çok kabul gören Onishi ve Iwasawa [Surf. Sci. Lett. 313, 783 (1994)] modeli

kullanıldı. Son zamanlarda deneysel olarak desteklenen Park [Phys. Rev. B 75, 245415

(2007)] modeli termodinamik stabilite bakımından Onishi modeliyle, DFT+U çerçevesinde

karĢılaĢtırıldı [Phys. Rev. B 84, 115407 (2011)]. Onishi–Iwasawa modelinin yüzey enerjisinin

daha düĢük olduğu gösterildi. Standart DFT rekonstrüktif yüzeydeki oksijen eksikliğinden

kaynaklanan fazla yükün oksijen boĢluğu etrafında toplandığını öngörmektedir. Oysa

deneysel sonuçlar bu fazla yükün yüzey altı Ti katyonu etrafında yoğunlaĢtığını rapor etmekte

ve bu veri, DFT+U hesaplarımızla örtüĢmektedir.

Teşekkür: Bu çalıĢma TÜBĠTAK tarafindan desteklenmektedir (110T394).


20

S06

Oda sıcaklığında AgTaO3 kristalinin elektronik ve dinamik özelliklerinin

incelenmesi: Ab initio hesabı

Şevket Şimşek ve Süleyman Çabuk

Çukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330 Balcalı-ADANA

Ferroelektrik kristallerin önemli bir sınıfı ABO3 genel formunda olan perovskitlerdir. AgTaO3

kristali perovskite kristal yapısına sahip olup, oda sıcaklıklığında rombohedral fazdadır.

Sıcaklığın azalmasıyla, yapıdaki simetri bozularak sırasıyla,

KübikTetragonalMonokliniklRombohedra KKK

777692663

faz geçiĢlerine uğrar. AgTaO3, perovskite bileĢikler içinde en az araĢtırılan malzemedir. Bu

çalıĢmadaki amaç, yerel yoğunluk yaklaĢımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyon teorisi (DFT)

ve ab-initio pseudo-potansiyel yöntemini kullanarak rombohedral fazdaki AgTaO3 kristalinin

elektronik ve dinamik özelliklerinin araĢtırılmasıdır. Ġlk önce, AgTaO3 kristalinin Brillouin

bölgesindeki yüksek simetri yönlerindeki band yapısı incelendi. Rombohedral fazdaki

AgTaO3 kristalinin dolaylı band aralığına sahip olduğu görüldü ve X– simetri noktasındaki

değeri 1.949 eV olarak hesaplandı. Fermi seviyesi yakınlarında valans band spektrumunu

daha iyi anlayabilmek için AgTaO3 kristalinin toplam ve parçalı durum yoğunluğu (DOS)

hesaplandı. Ayrıca rombohedral fazdaki AgTaO3 kristalinin elastik sabitleri, Born efektif

yükleri ve optik dielektrik sabiti hesaplandı.


21

S07

Nanotellerle kaplanmıĢ endüstriyel boyutlarda kristal silisyum güneĢ gözeleri

M. Kulakci1, 2

, F. Es1, B. Ozdemir

1, 3, H. E. Unalan

1,3, ve R. Turan

1,2

1Güneş Enerjisi Araştırma ve Uygulama Merkezi (GÜNAM), Orta Doğu Teknik Üniversitesi,

06800 Ankara 2Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi , 06800 Ankara

3Metalurji ve Malzeme Mühendisliği, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06800 Ankara

Son yıllarda opto-elektronik ve elektronik yeni nesil aygıt uygulamaları için, yarıiletken

nanotel araĢtırmaları oldukça ilgi çekmektedir. Günümüz elektronik ve fotovoltaik

endüstrisinin temel malzemesi olmasından dolayı silisyum nanoteller diğer yarıiletken

nanotellere gore ayrı bir ilgi alanına sahiptir. Silisyum nanoteller ya kristal silisyum tabanlı

güneĢ gözeleri için verimli ıĢık tuzaklayan yüzey kaplaması olarak aktif ve pasif olarak, ya da

diğer organic ve inorganic yarı iletken malzemelerle heteroeklem yapısında aktif malzeme

olarak kullanılabilmektedir. Nanotel tabanlı radyal ya da aksiyal yapıda p–n eklemlerinin

güneĢ gözesi olarak kullanılabileceği yakın zamanlarda öne sürülmüĢtür. Silisyum

nanotellerin güvenilir ve verimli olarak fotovoltaik uygulamalarda kullanılabilmesi için

geometrisi ve katkılanabilirliğinin tekrarlanabilmesi büyük önem arzetmektedir. Ayrıca

endüstriyel boyutta uygulamalar için, nanotel üretiminin büyük ölçekli alanlarda

yapılabilmesi çok önemlidir. Böyle bir uygulama endüstride var olan üretim hatlarına

uygunluk gerektirmesi yanında, nanotellerin üretimi için gerekecek ekstra maliyet, nanotelin

sağlayacağı verimlilik artıĢıyla fazlasıyla karĢılanabilmelidir. Üretildiği taban yongayla aynı

fiziksel özelliklere sahip olmasından dolayı elektrotsuz kazıma yöntemi, diğer silisyum

nanotel üretim yöntemlerine gore çok büyük avantajlar içermektedir. Bu yöntemle üretilen

nanotel kaplanmıĢ yüzey alanı sadece elde var olan alttaĢ alnıyla limitlidir.

Bu çalıĢmada, elektrotsuz kazıma yöntemiyle endüstriyel çoklu- ve tek-kristal silisyum

yongalar (15.615.6 cm2) üzerinde, GÜNAM labaratuvarında silisyum nanoteller üretilmiĢtir.

Oda sıcaklığında farklı uzunlukta nanotellerle kaplanmıĢ silisyum yongalardan büyük ölçekli,

endüstriyel üretim hattında güneĢ gözeleri üretilmiĢ ve test edilmiĢtir. Üretilen güneĢ gözeleri,

Ģu anda bilindiği kadarıyla nanotel tabanlı olan dünyada üretilen en büyük güneĢ gözeleridir.

Reflektivite ölçümleri göstermiĢtir ki nanoteller oldukça verimli bir Ģekilde anti-reflektif

yüzeyler oluĢturmaktadır. Bu ıĢık hapsetme kabiliyetlerinin nanotel uzunluğuna bağlılığı

gösterilmiĢtir ve de endüstriyel uygulamalar için iyi bir anti-reflektör olabileceği anlaĢılmıĢtır.

Henüz optimizasyonu yapılmamasına rağmen, nanotel kaplı güneĢ gözelerinin, belirli nanotel

uzunluklarında standart endüstriyel gözelerle hemen hemen aynı verimliliğe sahip olduğu

gözlenmiĢtir. Standart ve nanotelli gözeler standart gözelere uygun Ģekilde yapıldığı için,

üretim parametrelerinin bazıları nanotelli gözeler aleyhine olduğu gözlenmiĢtir. Bu sorunların

giderilmesinden sonar, nanotelle kaplı gözelerden daha yüksek verim alınabileceği

görülmüĢtür.


22

S08

Dinamik metamanyetik durulmanın kritik ve üçlükritik noktalar yakınındaki

frekans bağlılığı

Gül Gülpınar, Mehmet Ağartıoğlu, Yenal Karaaslan, ve Erol Vatansever

Fizik Bölümü, Dokuz Eylül Üniversitesi, 35180 İzmir

Yüksek alan ve düĢük sıcaklık değerleri için birinci dereceden, düĢük alan ve yüksek sıcaklık

değerleri için ise ikinci dereceden geçiĢler sergileyen spin-½ metamanyetik Ising modeli üçlü

kritik nokta ile karakterize bir faz diyagramına sahiptir. Bu çalıĢmada spin-½ Ising

metamıknatısına ait karmaĢık veya dinamik alınganlıklar ( ve

lineer yanıt kuramı kullanılarak elde edilmiĢtir.

Anti-ferromanyetik fazda sekmeli alınganlık, frekansın logaritması cinsinden sunulduğunda

dispersiyon katsayısı iki ardıĢıl plato bölgesine sahipken absorbsiyon katsayısı iki maksimum

sergilemektedir. Paramanyetik fazda ise dispersiyon katsayısı tek bir plato ile karakterizedir.

Benzer Ģekilde düzensiz fazda sistemdeki ısıl kaybı ifade eden absorbsiyon katsayısı tek bir

minimuma sahiptir. Bu durum Cole–Cole eğrilerindeki düzenli fazdaki iki yarı çemberin ve

paramanyetik fazdaki tek yarı çemberin varlığı ile uyum içindedir.

Teşekkür: Bu çalıĢma TBAG 109T721 numaralı Proje bünyesinde Türkiye Bilimsel ve Teknolojik AraĢtırma

Kurumu (TÜBĠTAK) tarafından desteklenmiĢtir.


23

S09

Yüksek hassasiyetli, düĢük sıcaklık atomik kuvvet mikroskobu tasarımı

Özgür Karcı1,2

, Münir Dede1, ve Ahmet Oral

3

1NanoManyetik Bilimsel Cihazlar Ltd., Hacettepe Teknokent, 3.ArGe, 31, Beytepe, Ankara

2Hacettepe Üniversitesi, Nanoteknoloji ve Nanotıp Bölümü, Beytepe, 06800 Ankara

3Sabancı Üniversitesi, Doğa Bilimleri ve Mühendislik Fak., Orhanlı - Tuzla, 34956 İstanbul

Fiber interferometrik ölçüm sistemleri, düĢük sıcaklık atomik kuvvet mikroskop (DS-AKM)

sistemlerinde, kuvvet algılayıcısı olarak kullanılan yayların sapmalarını ölçmede yaygın

olarak kullanılır. Tipik bir Michelson interferometresi Ģeklinde çalıĢan bu ölçüm sistemlerinde

elde edilen ölçüm hassasiyeti ~100fm/√Hz mertebesindedir. Bir interferometre ölçüm sistemi,

ucu elmas bir kesiciyle düzlenmiĢ bir fiber ve fibere dik olacak Ģekilde hizalanmıĢ bir yaydan

oluĢur. 1320 nm dalga boyundaki bir lazer demeti, 22 %50‟lik bir fiber çiftleyiciye gelerek

burada ikiye ayrılır: birinci kısım fiber kablo aracılığıyla taĢınarak, ucu düzlenmiĢ fibere

gelerek %2–3‟lük kismi buradan geri yansır. Kalan kısım dıĢarıya yayılarak, yaya çarpar ve

yansıyarak geri döner ve fiber kabloya girerek ilerler. Bu iki demet, fiber kablo içerisinde

ilerleyerek bir phodedektöre ulaĢır ve burada bir giriĢim deseni oluĢturarak bir akım oluĢturur.

Bu akım, i =io[1–Vcos(4πd/λ)] Ģeklinde ifade edilir. Denklemdeki V parametresi „görünürlük‟,

d ise fiber ile yay arasındaki mesafeyi ifade etmektedir. Bu iki parametre, bir fiber

interferometrenin hassasiyetini belirleyen iki ana unsurdur.

Bu çalıĢmada, DS-AKM‟de kuvvet etkileĢimlerinden doğan yay sapmalarını ölçmek için

Michelson türü bir interferometre geliĢtirdik. RF modülasyonu uyguladığımız laser demeti

DS-AKM sisteminde ~25 fm/√Hz mertebesinde bir hassasiyet elde ettik. Bu hassasiyet

mertebesinde elde ettiğimiz Manyetik Kuvvet Mikroskobu (MKM) görüntülerinde, 10 nm

mertebesinde bir çözünürlük elde ettik. Örnek olarak yüksek yoğunluklu bilgisayar hard

disklerini kullandık. Elde ettiğimiz MKM çözünürlüğünü artırmak için, DS-AKM‟nin

hassasiyetini artırmak ve gürültü seviyesini düĢürmek gerekmektedir. Bu amaçla iki önemli

eylem önerisini ortaya koyduk: (1) düzlenmiĢ fiberin %2–3 seviyesinde olan yansımasını

artırmak, (2) fiber ile yay arasındaki mesafeyi azaltmak. Bu amaçla, düzlenmiĢ fiberi

dielektrik malzemelerle çok katmanlı bir Ģekilde kaplayarak yansımayı ~%50 seviyesine

çıkardık. Fiber ile yay arasındaki mesafeyi azaltmak için, tarayıcı piezo tüpü kullancak

Ģekilde bir kaydırak mekanizması geliĢtirdik. Bu Ģekilde fiber, z-doğrultusunda yaya göre ileri

ve geri yönde hareket kabiliyeti kazandı. Mevcut tasarımdaki 30–40 µm olan yay–fiber

mesafesi bu mekanizma ile ayarlanabilir hale getirildi ve mesafe ~2–3 µm‟a düĢürüldü.

Çok katmanlı dielektrik kaplama fiber–yay arasında, çoklu yansımalar oluĢmasını sağlayarak

bir Fabry–Perot interferometresi olarak çalıĢmaya baĢladı. Bu Ģekilde yaptığımız gürültü

ölçümlerinde oda sıcaklığında ~8 fm/√Hz mertebesinde hassasiyet ölçmüĢ bulunmaktayız.

Shot noise adını verdiğimiz gürültü tabanımız ise ~2 fm/√Hz olarak hesaplandı. Yeni sistem

ile devam eden çalıĢmalarımızda, hassasiyeti daha da artırmayı ve 5–6 nm seviyesinde MKM

çözünürlüğü elde etmeyi amaçlamaktayız.


24

S10

W safsızllığı içeren ZnO yapılarda polarize spin akıĢı

Musa Mutlu Can1,2*

ve Tezer Fırat1

1Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, 06800 Ankara

2 Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi, Tuzla, 34956 İstanbul

Yarı iletken örgü içindeki kusurlar, teknolojik uygulamalardaki faklılıkların oluĢumuna neden

olmaktadır [1]. Yarı iletken örgü içerisinde kontrollü kusur oluĢumunu sağlayarak; elektriksel,

optik ve hatta manyetik davranıĢı kontrol etmek mümkündür [2]. Yapılan çalıĢmalarda geniĢ

band aralığına sahip oksit yarı iletkenlerin sahip olduğu noktasal örgü kusurlar nedeni ile

magnetik davranıĢların meydana geldiğini göstermektedir [3,4]. Günümüzde ise manyetik

olmayan f veya d enerji seviyesine sahip elementlerin de yarı iletken örgüye safsızlık olarak

yerleĢimlerinin, magnetik davranıĢa neden olacağı belirlenmiĢtir. Yapılan çalıĢmada, polarize

spin akıĢı ve ferromagnetik davranıĢı belirlemeye en uygun yarıiletken örneklerden biri olan

W katkılı ZnO yarıiletkenler incelendi. Ġnce film üretimi, rf-magnetron kopartma sisteminde

yapıldı. Ġnce film üretiminde, %1 ile %2 arasında değiĢen W safsızlığı sahip ev yapımı ZnO

hedefler kullanıldı. ÇalıĢmada, ZnO yapıdaki W safsızlığının miktarı belirlenerek; bu

safsızlıklar nedeni ile oluĢan magnetik ve elektriksel değiĢimler irdelendi. W safsızlıklarının

yanı sıra örgü kusurlarının etkilerini belirlemek üzere de büyütme sonrası farklı ısıl iĢlemler

uygulanan ince filmler de büyütüldü. Büyütülen ince filmlerin yapısal analizleri, x-ıĢını toz

kırınım metresi (XRD), enerji dağıtıcı x-ıĢını spektrometresi (EDS) ve x-ıĢını foto elektron

spektrometresi (XPS) ile yapıldı. Yapısal analizler , , , , Oi ve OZn gibi örgü

kusurlarının yanı sıra; W atomlarının da W+6

, W+5

ve W+4

iyonları halinde örgüye dâhil

olduğu anlaĢıldı. Büyütülen filmlerde magnetik oluĢum magneto elektriksel ölçümler ile

anlaĢıldı. Yapılan boyuna elektriksel ölçümlerde, örgü kusurlarına bağlı 50 K ve altındaki

sıcaklıklarda, negatif magneto direnç (NMD) ve pozitif magneto direnç (PMD) değiĢimlerinin

her ikisinin de etkileri görüldü. Sıcaklık 5 K değerinde ulaĢtığında ise büyütme sonrası ısıl

iĢlemlere bağlı olarak %28.8 ile %12.7 değerine kadar çıkan PMD değiĢimi belirlendi.

Hesaplamalar PMD değiĢimlerinin örgüdeki polarize spin akıĢı ile iliĢkili olduğunu gösterdi.

Polarize spin akıĢının belirlendiği bir diğer analiz ise “enine Hall” ölçümleri ile bulundu.

noktasal kusurlarının baskın olduğu örneklerde normal olmayan Hall etkilerinin oluĢtuğu

anlaĢıldı.

Referanslar:

[1] A. Janotti and C. G.V. De Walle, Phys. Rev. B 76, 165202 (2002).

[2] Q.Wang, Q. Sun, G. Chen, Y. Kawazoe, and P. Jena,Phys. Rev. B 77, 205411 (2008).

[3] N. H. Hong, J. Sakai, N. Poirot, and V. Brize, Phys. Rev. B 73, 132404 (2006).

[4] K. R. Kittilstved, W. K. Liu, and D. R. Gamelin, Nature Mater. 5, 291 (2006).

[5] B. Ali, L. R. Shah, C. Ni, J. Q. Xiao, and S. I. Shah, J. Phys.: Condens. Mater. 21, 125504 (2009).

[6] H. Pan, J. B. Yi, L. Shen, R. Q. Wu, J. H. Yang, J. Y. Lin, Y. P. Feng, J. Ding, L. H. Van, and J. H. Yin,

Phys. Rev. Lett. 99, 12701 (2007).

[7] Q. Xu, H. Schmidt, S. Zhou, K. Potzger, M. Helm, H. Hochmuth, M. Lorenz, A. Setzer, P. Esquinazi, C.

Meinecke, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 92, 082508 (2008).


25

S11

Çok tabakalı küresel kuantum nokta yapı içerisindeki hidrojen tipi donor

safsızlığının elektronik özellikleri

Hatice Taş ve Mehmet Şahin*

Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Selçuk Üniversitesi, Konya, Türkiye

Bu çalıĢmada, çekirdek/kabuk/kuyu/kabuk biçimli çok tabakalı bir küresel kuantum

noktasının, yüksüz bir donor safsızlığının varlığında ve yokluğunda, enerji özdeğerleri,

dalga fonksiyonları, elektron olasılık dağılımları ve bağlanma enerjileri gibi elektronik

özellikleri detaylı bir Ģekilde araĢtırılmıĢtır. Göz önüne alınan yapıda, taban (1S) ve

uyarılmıĢ (1P) durumlarına ait enerji özdeğerleri ve bu enerjilere karĢılık gelen dalga

fonksiyonları, safsızlık yok iken (Z=0) ve safsızlık var iken (Z=1) hesaplanmıĢ ve

karĢılaĢtırılmıĢtır. Enerji özdeğerleri ve dalga fonksiyonlarını belirlemek için Schrödinger

denklemi, etkin kütle yaklaĢımı altında ve sonlu sınırlandırma potansiyelinde, shooting

metodu ile tamamen sayısal olarak çözülmüĢtür. Yüksüz donor safsızlığının elektronik

özellikler üzerindeki etkisi, farklı çekirdek yarıçapları, kabuk kalınlıkları ve kuyu

geniĢlikleri için sabit potansiyel altında çalıĢılmıĢtır. Sonuçlar, tabaka kalınlıklarının

fonksiyonu olarak incelenmiĢ ve meydana gelen durumlar ayrıntılı olarak yorumlanmıĢtır.


26

S12

Çizgi kusurlu fotonik kristal dalga kılavuzlarında saçıcıların konumlarının

değiĢtirilmesi ile yavaĢ ıĢık özelliklerinin iyileĢtirilmesi

Fulya Bağcı ve Barış Akaoğlu

Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100 Ankara

YavaĢ ıĢık optik gecikme hatları, optiksel ara bellekler, tamamen optik sinyal iĢleme ve çok hassas

çalıĢan algılayıcılar gibi alanlarda uygulama bulmaktadır [1,2]. Fotonik kristal dalga kılavuzları

(PCW) oda sıcaklığında çalıĢabilmeleri, çip üzerine entegre edilebilmeleri, geniĢ ve ayarlanabilir band

aralıkları ile bu alanda tercih edilen yapılardır [3,4]. Fakat PCW'ların da yavaĢ ıĢık rejiminde görülen

yüksek dereceden dağınım etkileri sinyalde bozulmaya neden olmaktadır [5]. Ayrıca geleneksel

PCW'larında kayıp oranının yüksek olması bu tip yapıların tasarımlarında yavaĢ ıĢık uygulamaları için

bazı değiĢikliklerin yapılmasını gerektirmektedir.

Halka Ģeklinde saçıcılar algılayıcı uygulamalarında yüksek duyarlılık sağlamaktadır [6]. Saçıcının

konumunu değiĢtirmek daha fazla kontrol imkanı verdiğinden teknolojik olarak tercih edilmektedir

[7]. Bu çalıĢmada, silika alttaĢ üzerinde kusuru çevreleyen ilk sırada halka Ģeklinde saçıcılara sahip

silikon üçgen örgülü fotonik kristal dalga kılavuzları kullanılmıĢtır. Kusur etrafındaki ilk ve ikinci sıra

saçıcılarının konumları dikey doğrultuda aĢağı veya yukarı yönde değiĢtirilerek dalga kılavuzunun

yavaĢ ıĢık performansı grup indisi, band geniĢliği ve grup hız dağınımı açısından incelenmiĢtir.

Hesaplamalarda düzlem dalga açılımı yöntemini uygulayan “MIT Photonic-Bands” (MPB) paketi

kullanılmıĢtır [8]. Üç boyutlu hesaplamalar etkin indis yöntemi ile iki boyuta indirgenerek yapılmıĢtır.

Ġlk sıra saçıcıların konumunda değiĢme s1 ve ikinci sıra saçıcıların konumunda değiĢme ise s2 ile

gösterilecek olursa,s2'nin artıĢı ile grup indisindeki değiĢimin s1=0 için en fazla olduğu bulunmuĢtur.

s1 negatif yönde arttıkça (çizgi kusurundan uzaklaĢtıkça) s2'nin artıĢı ile grup indisindeki artıĢ oranı

azalmaktadır. Grup indisi–frekans eğrileri baĢlangıçta basamak biçiminde iken s2'nin artması ile grup

indisi değeri artmakta, band aralığı azalmakta ve eğri U-biçimine dönüĢmektedir. Ayrıca s2'nin çizgi

kusuruna doğru kayma oranının artırılması bandın band aralığı kılavuzlu kısmını hava bandına doğru

yaklaĢtırdığından yavaĢ ıĢık rejiminin görüldüğü bölge maviye kaymaktadır. Örgü sabiti(a) cinsinden

ilk sıra saçıcılar çizgi kusuruna 0.02a, ikinci sıra saçıcılar ise 0.08a kadar yaklaĢtırıldığında ıĢığın hızı

0.005c'ye kadar düĢürülebilmektedir. YavaĢ ıĢığın gözlendiği bölgeye karĢılık gelen grup hız dağınımı

değerleri de oldukça düĢük (GVD<1 ps·nm–1

·mm–1

) bulunmuĢtur. Ayrıca pozitif ve negatif GVD

değerlerinin gözlenmesinden dolayı çalıĢılan yapı dağınım telafisi uygulamalarında da kullanılabilir.

Bu sonuçlar tasarlanan yapının optik gecikme hatları ve dağınımı telafi edici aygıtlar için elveriĢli

olduğunu göstermektedir.

Referanslar:

[1] Lene Vestergaard Hau, S. E. Harris, Zachary Dutton, and Cyrus H. Behroozi, Nature 397, 594 (1999).

[2] Y. A. Vlasov, M. O'Boyle, H. F. Hamann, and S. J. McNab, Nature 438, 65 (2005).

[3] T. F. Krauss, J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 2666 (2007).

[4] T. Baba, Nat. Photon. 2, 465 (2008).

[5] R. J. P. Engelen, Y. Sugimoto, Y. Watanabe, J. P. Korterik, N. Ikeda, N. F. van Hulst, K. Asakawa, and L.

Kuipers, Opt. Express 14, 658 (2006).

[6] A. Saynatjoki, M. Mulot, K. Vynck, D. Cassagne, J. Ahopelto, and H. Lipsanen, Photon. Nanostruct.:

Fundam. Appl. 6, 42 (2008).

[7] J. Li, T. P. White, L. O‟Faolain, A. Gomez-Iglesias, and T. F. Krauss, Opt Express 16, 6227 (2008).

[8] S. G. Johnson and J. D. Joannopoulos, Optics Express 8, 173 (2001).


27

S13

Kuantum hall rejiminde gerçek örnekler için interferometrelerin teorik

modellenmesi

D. Ekşi

(1), Ö. Kılıçoğlu

(1), ve A. Sıddıki

(2,3)

1Trakya Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Edirne 22030,

2İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, İstanbul 34134

3Physics Department, Harvard University, Cambridge, 02138 MA, USA

DüĢük boyutlu yarı iletken tabanlı parçacık interferometreleri düĢük sıcaklık ve yüksek

manyetik alanlarda kuantum taĢınım özellikleri göstermektedir. Ġki boyutlu elektron sistemi

(2BES) üzerinde metalik kapılar veya kimyasal kesme yöntemleri ile tanımlanan bu

interferometrelerin en yaygın araĢtırılanları Mach–Zehnder (MZ), Fabry–Perot (FP) ve

Aharanov–Bohm (AB) interferometreleridir. Yapılan deneylerde örneğin faz farkının yoldan

bağımsızlığı [1] gibi olguların açıklanabilmesi için malzemenin geometrik özellikleri ve

parçacıklar arası etkileĢmelerin de hesaba katılması gerekmektedir. Bundan dolayı deneysel

parametreleri kullanarak kuantum Hall rejimi altında bu interferometreleri modelledik.

Hesaplamalarda sıfır sıcaklık ve sıfır manyetik alan değerlerinde üç boyutlu yapı için Poisson

denklemini çözdük ve potansiyel profilini elde ettik. Dik bir manyetik alan varlığında elektron

elektron etkileĢmelerini de hesaba katarak, Thomas Fermi yaklaĢıklığı yöntemini kullanılarak

elektron yoğunluğunun uzaysal dağılımını belirledik. 2BES‟e dik uygulanan manyetik alan

yük taĢınım durumlarını kuantize eder ve elektron dağılımında iki farklı rejim olmasına neden

olur (sıkıĢtırılabilir bölgeler (SB) metal gibi davranır ve sıkıĢtırılamaz Ģeritler (Sġ) yalıtkan

gibi davranır). Manyetik alanın büyüklüğüne göre Sġ‟lerin kalınlıkları artmakta ya da

azalmaktadır. FP tipi interferometre için yapılan deneysel çalıĢmada [2] gözlenen iletkenlik

osilasyonları bahsedilen aygıtın boyutlarına bağlı olduğu gösterilmiĢtir. DıĢ bir manyetik

alanın fonksiyonu olarak side gate (SG) durumu ile tanımlanan (A>5 µm2) alandaki giriĢimler

AB periyodikliği gösterir. Bu durumda Sġ‟lerin çevrelediği kapalı alan içindeki manyetik akı

sayısı manyetik alan ile lineer artar. Buna karĢılık, küçük örnekler (A < 3 µm2) Coulomb

dominated (CD) rejim olarak adlandırılan karĢıt bir davranıĢ gösterir. Akı sayısı manyetik

alanı ile azalır. Fakat örnek üzerine yerleĢtirilen top gate (TG) ile AB periyodikliği durumuna

dönmesine neden olur. Manyetik alanın etkisiyle oluĢan iki SB arasındaki Sġ bölgesinde hem

kuantum etkilerden hem de geometrik yapıdan meydana gelen iki sığa oluĢmaktadır. Bu iki

sığayı toplayarak toplam sığayı hesapladık. Elde ettiğimiz toplam sığa, Halperin ve ekibi

tarafından önerilen CD rejiminin fiziksel sistemlerde geçerli olamayacağını göstermiĢtir. Bu

önemli bulgu, iki boyutlu elektron gazında ölçülen fazın tamamen kuantum mekaniksel

geometrik bir faz olduğunu kanıtlamaktadır. Sığa etkilerinden arındırılmıĢ Aharonov–Bohm

fazı kuantum anahtarları yolu ile kuantum bilgisayarlarının yapım yolunu epeyce

kolaylaĢtırmıĢ bulunmaktadır.

Referanslar:

[1] I. Neder, M. Heiblum, Y. Levinson, D. Mahalu, and V. Umansky, Phys. Rev. Lett. 96, 1016804

(2006).

[2] Y. Zhang, D. T. McClure, E. M. Levenson-Falk, C. M. Marcus, L. N. Pfeiffer, and K. W. West,

Phys. Rev. B 79, 241304 (2009).


28

S14

Kesirli sayılı kenar durumlarındaki overshooting etkisinin analitik modellenmesi

A. Salman1, A. I. Mese

2, M. B. Yücel

1, and A. Sıddıki

3, 4

1Akdeniz Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Antalya, Türkiye 2Trakya Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Edirne, Türkiye

3İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 34134 Vezneciler-İstanbul, Türkiye

4Harvard Üniversitesi, Fizik Bölümü, Cambridge 02138 MA, USA

Bu çalıĢmada, yüksek mobiliteli iki boyutlu elektron sistemlerinde (2BES) ve kesirli kuantize

Hall rejiminde gözlemlenen kenar durumlarının Hall direnci üzerindeki etkileri araĢtırılmıĢtır.

Akım taĢıyan kanalların etkin geniĢliklerini hesaplamak için 2BES'nin perdeleme özellikleri,

sisteme dik olarak uygulanan güçlü manyetik alanın etkisi ile birleĢtirilmiĢtir. Kesirli sayılı

kenar durumlarının ortaya çıkmasında çok parçacık etkileĢmeleri önemli rol oynamaktadır.

Çok parçacık etkileri hesaplarımıza kompozit fermiyon yaklaĢımı ile katılmıĢtır. ÇalıĢmada

kesirli sayılı durumlar için de geçerli olduğu belirtilen Chklovskii vd. [1]‟ nin kendinden

tutarlı olmayan elektrostatik yaklaĢımı, yoğunluk dağılımlarında düzeltmeler yapılarak ve

dalga fonksiyonlarının sonlu geniĢlikleri de ele alınarak kullanılmıĢtır. Üst kapılar ile

tanımlanmıĢ dar (L < 10 μm) bir Hall çubuğu geometrisi ile yaptığımız bu çalıĢmada Hall

direncinde anormal davranıĢlar gözlenmiĢtir. / ile / ve / ile /

kesirli sayılı doldurma faktörlerine karĢı gelen sıkıĢtırılamaz Ģeritlerin belli manyetik alan

değerlerinde bir arada bulundukları ve Hall direncinde overshoot etkisi yarattıkları

gözlemlenmiĢtir. SıkıĢtırılamaz Ģeritlerin bir arada bulunması durumunun, kenar profilinin

konuma bağlı değiĢim hızı ile iliĢkili olduğu ve çok hızlı değiĢimin olduğu durumlarda

sıkıĢtırılamaz Ģeritlerin bir arada oluĢmadığı tespit edilmiĢtir. Bu durum tam sayılı Hall

etkisindeki ile benzerdir. Böyle bir durumda, tam sayılı kuantum Hall olayındaki overshoot

etkisinde olduğu gibi, toplam enine direnç birbiri üzerine binen Ģeritlerin geniĢliklerine bağlı

olarak artmaktadır.

Referans:

[1] D. B. Chklovskii, B. I. Shklovskii, and L. I. Glazman, Phys. Rev. B 46, 4026 (1992).


29

S15

AlInN/(GaN)/AlN/GaN hetero-eklem yapılarda magneto transport ölçümler

Aydın Bayraklı

Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe, 06800 Ankara

MOCVD tekniği ile büyütülmüĢ GaN tabanlı bazı heteroeklem yapılar (baĢlıkta verilen); 1.9 –

300 K sıcaklık aralığında Hall ölçümleri, van der Pauw ölçümleri ve SdH ölçümleri ile

incelenmiĢ ve örneklerin, hacimsel taĢıyıcı yoğunluğu, 2-boyutlu taĢıyıcı yoğunluğu, transport

mobilitesi ve 2-boyutlu elektronların kuantum mobilitesi elde edilmiĢtir. Örneklerin tabaka

yapısının sonuçlara etkisi araĢtırılmıĢtır.


30

S16

Ġki boyutlu elektron gazında manyetodirenç hesabı

Didem Ketenoğlu

Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beşevler, 06100 Ankara

Hacim içindeki rastgele potansiyel (RP) saçılmalarına ek olarak düzlemine dik rastgele

manyetik alan (RMF) etkisi altındaki iki boyutlu elektron gazı (2DEG) için özdirenç hesabı

yapılmıĢtır. Elektron dağılım fonksiyonunun düzeltme kısmı olan ( , )g r ‟nin sağladığı

doğrusallaĢtırılmıĢ Boltzmann taĢınım denklemi (BTE) Green fonksiyonu yöntemi ile

çözülmüĢtür. Özdirenç değiĢiminin rastgele potansiyelin etkisi azaldıkça saf rastgele manyetik

alan etkisi altındaki duruma indirgendiği ve sonuçların beklentilere uyduğu görülmüĢtür.


31

POSTERLER


32


33

P01

Döndürerek kaplama yöntemi ile bakır oksit filmlerinin elde edilmesi ve optik,

yapısal özelliklerinin belirlenmesi

Y. Demirci1*

, A. Ş. Aybek2, M. Peker

3, M. Kul

2, T. Ünaldı

3, E. Turan

2, ve M. Zor

2

1Fen Bilimleri Enstitüsü, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir

2 Fen Fakültesi, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir

3Fen-Edebiyat Fakültesi, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, 26480 Eskişehir

CuO filmi döndürerek kaplama yöntemiyle mikroskop cam tabanlar üzerinde oda sıcaklığında

üretilmiĢtir. Elde edilen filmler 600oC sıcaklıkta hava ortamında tavlanmıĢtır. Filmlerin

kalınlıkları elipsometri ölçümleri yardımıyla 0,65 μm olarak belirlenmiĢtir. X-ıĢınları kırınım

desenlerinden filmlerin rastgele yönelimlere sahip polikristal tenorite yapıda olduğu

saptanmıĢtır. Numunenin tane boyutları yaklaĢık 42 nm olarak hesaplanmıĢtır. Taramalı

elektron mikroskobu yardımıyla filmlerin yüzey görüntüleri incelenmiĢtir. Optik absorpsiyon

ölçümlerinden CuO filmlerinin direkt bant aralığına sahip olduğu ve yasak enerji aralığı

değeri 1,67 eV olarak belirlenmiĢtir. 190–3300 nm dalgaboyu aralığında incelenen saydamlık

spektrumlarından filmlerin görünür bölgede opak ve kızılötesi bölgede daha saydam özellik

gösterdiği belirlenmiĢtir.


34

P02

Ferromanyetik FeAs tabanlı süperiletkenlerin özelliklerinin

Ginzburg–Landau teorisi kapsamında analizi

Iman Askerzade (Askerbeyli)

Ankara Üniversitesi, BilgisayarMühendisliği Bölümü, Beşevler, 06100 Ankara

Ferromanyetik FeAstabanlı süperiletkenlerin keĢfi son üç yılda manyetik süperiletkenler

yönündeki araĢtırmalara önemli bir ivme kazandırmıĢtır. Yüksek sıcaklıklı kuprat tabanlı

(CuO) süperiletkenlere benzer olarak, Fe tabanlı yeni süperletkenler de katmanlı yapıya

sahiptirler. Fe tabanlı superiletkenlerde Fe katlarındakı elektronlar Cooper çiftleri

oluĢturmaktadırlar. Oksijenli (O) katmanlar ise katkılama (doping) yapılarken stekiometrik

yapılardan farklılık hesabına serbest yük taĢıyıcıları oluĢturmaktadırlar. CuO tabanlı

süperiletkenlerin tek-bantlı olduğu katı hal fiziği camiası tarafından genel kabul görmektedir.

Son yıllar yoğun olarak yapılan araĢtırmalar sonucu olarak, Fe tabanlı süperiletkenlerin çok-

bantlı olduğu anlaĢılmaktadır

ġimdiki anda Fe tabanlı süperiletkenlerin araĢtırılmasındaki en önemli problem yük

taĢıyıcılarının çiftlenme mekanizmasının aydınlığa kavuĢturulmasıdır. Ġzotopik kayma etkisi

araĢtırılarken16

O izotopunun 18

O la deyiĢtirilmesinin 56

Fe-nın 58

Fe-le deyiĢdilmesindeki

etkiden daha küçük olması ortaya çıkmıĢtır. Bu ise Fe katmanlarının süperiletkenliğin

oluĢturulmasında önemli rol oynadığını ortaya koymuĢtur.Izotop etki faktorü

4.0ln

ln

Md

Td c olarak hesaplanmıĢtır ki, bu da standart Bardeen–Cooper–Schrieffer

(BCS) teorisindeki değere (0.5) yakındır. Bu sonuç klasik electron–fonon mekanizmasını

desteklese de, burada araĢtırılacak çok problemler bulunmaktadır. Bu problemler

antiferromanyetik düzlenme ile süperiletken düzlenme parametresinin etkileĢiminden, nadir

toprak elementlerinin spin düzlenmesinden ve kritik sıcaklık civarında spin

dalgalanmalarından kaynaklanmaktadır. Fe tabanlı yeni süperiletkenlerde Cooper çiftlenmesi

mekanizması probleminin hala da açık olarak kalmaktadır ve çeĢitli teorik yaklaĢımlar

önerilmektedir.

Bilindiği gibi, süperiletkenliğin Ginzburg–Landau makroskobik modeli mikroskobik

teorilerden farklı olarak kritik sıcaklık civarında bütün süperiletkenlere uygulanabilmektedir

ve hala da güçlü bir araĢtırma yöntemi olarak kullanılmaktadır. GenelleĢtirilmiĢ Ginzburg–

Landau teorisi kapsamında elde edilen ifadeler 111 sınıfından olan LiFeAs bileĢiği için üst

kritik manyetik alan ve onun anisotropi parametresinin hesaplanması için kullanılmıĢtır. 122

sınıfından olan Ba(K)Fe2As2 bileĢiği için üst kritik manyetik alanın anizotropi parametresi de

LiFeAs‟a benzer davranıĢ sergilemektedir. 1111 sınıfından olan SmFeOAs ve PrFeAsO1–y

türlü bileĢiklerde ise anizotopi parametresi sıcaklık azaldıkça artmaktadır, yani durum daha

çok magnezyum dibörürü hatırlatmaktadır. Bu da SmFeOAs ve PrFeAsO1–y bileĢiklerinin

Fermi yüzeyinin MgB2‟ye benzer olması ile izah edile bilir.

Teşekkür:AraĢtırma TUBĠTAK 110T748 Nolu proje ile desteklenmektedir.


35

P03

Lazer atmalı depolama ile oluĢturulan NbNx ince filmlerinde sıcaklık etkisi

H. Farha1, A. O. Er

2, Y. Ufuktepe

3, and H. E. Elsayed-Ali

1

1Electrical and Computer Engineering, Old Dominion University, Norfolk VA 23529

2Department of Physics, Old Dominion University, Norfolk VA 23529

3Department of Physics, Cukurova University, Adana Turkey

Oda sıcaklığı ile 950 oC arasındaki değiĢik depolama alt taban sıcaklıklarında, reaktif lazer

atmalı depolama yöntemi (PLD) ile niyobyum nitrat (NbNx) ince film tabakaları Nb alt tabanı

üzerinde oluĢturuldu. Filmlerin kristal yapısı ve yüzey özellikleri x-ıĢınları kırınımı, taramalı

elektron mikroskobu ve atomik kuvvet mikroskobu ile belirlendi. Sıcaklığın NbNx filmlerin

yüzey özellikleri, kristal yapıları ve fazı üzerinde çok etkili bir parametre olduğu gözlendi.

450 oC de zayıf bir kristalleĢme gözlenirken, sıcaklığın artmasına bağlı olarak 650 ile 850

oC

bölgesinde filmler kübik ve altıgen yapıda karıĢık fazda izlendi. Bundan sonra uygulanan

daha yüksek sıcaklıkta ise tek faz olan altıgen yapı baskın olmaktadır. Yüzey pürüzlülüğü

sıcaklığa bağlı olarak artmaktadır.


36

P04

Güçlü antiferromanyetik etkileĢme içeren metamanyetik Ising modelinin

dinamik alınganlıklarının frekansla değiĢimleri

Gül Gülpınar, Yenal Karaaslan, ve Mehmet Ağartıoğlu

Fizik Bölümü, Dokuz Eylül Üniversitesi, 35180 İzmir

Metamanyetik Ising modeli iki farklı etkileĢimi bünyesinde barındırır ve bu etkileĢmelerin

oranına bağlı olarak farklı faz diyagramı topolojileri sergiler. Bu çalıĢmada r = Jf /Jaf < 0.6

için kritik son nokta ve ikili kritik nokta içeren bir faz diyagramının varlığı halinde dinamik

sekmeli (staggered) ve toplam alınganlıkların çoklu kritik noktalar yakınındaki frekans

karakteristikleri iki farklı Ģekilde incelenmiĢtir. Bu amaçla ilk olarak toplam ve sekmeli

dispersiyon ve absorbsiyon katsayılarının frekansla değiĢimleri logaritmik ölçekte

incelenmiĢtir. Daha sonra dinamik alınganlıkların gerçel ve sanal kısımlarını içeren Argand

diyagramları sunulmuĢtur. Elde edilen sonuçların literatürdeki deneysel ve kuramsal

çalıĢmalarla uyumu tartıĢılmıĢtır.

Teşekkür: Bu çalıĢma TBAG 109T721 Numaralı Proje bünyesinde TÜBĠTAK tarafından desteklenmiĢtir.


37

P05

Bor-karbür tipi B12NXN, X=Be, Mg kristallerinin yapısal, elektronik ve

mekanik özelliklerinin ilk-prensiplerle incelenmesi

Sezgin Aydın ve Mehmet Şimşek

Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Bor-karbür tipi B12NXN, X=Be, Mg kristallerinin yapısal, elektronik ve mekanik özellikleri

ilk-prensipler yoğunluk fonksiyoneli teorisi kullanılarak incelendi. Kohesif enerji ve elastik

sabitler yardımıyla, B12NXN, X=Be, Mg kristallerinin enerjitik ve mekanik olarak kararlı

oldukları tespit edildi. Hesaplanan band yapılarından ve kısmi durum yoğunluğu eğrilerinden

her iki bileĢiğin yarıiletken karakter sergilediği görüldü. Mulliken popülasyon analizi

yardımıyla yapısal birimlerin (B12 ikosahedron ve lineer zincir NXN) bağlanması

aydınlatılarak, bileĢiklerin mikro-sertlikleri hesaplandı. Sonuçlar literatür ile karĢılaĢtırıldı.


38

P06

NiPd magnetik nanoparçacıklarının sentezi ve magnetik özellikleri

Senem Çitoğlu1, Özer Çelik

1, Telem Şimşek

2, Şadan Özcan

2, Tezer Fırat

2

1

Nanoteknoloji ve Nanotıp Anabilim Dalı, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, Ankara 2Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, Ankara

Günümüzde kanser tedavisi için cerrahi müdahale, kemoterapi veya radyoterapi yöntemleri

kullanılmaktadır. Bu uygulamaların en büyük dezavantajı, kanserli dokunun yanında sağlıklı

dokuya da aynı ölçüde zarar vermesidir. Bu nedenle özellikle son yıllarda daha etkin ve yerel

tedavi yöntemleri üzerinde durulmaktadır. Bunlar arasında en umut verici olanı magnetik

nanoakıĢkan hipertermi yöntemidir.

Bu çalıĢmada, magnetik nanoakıĢkan hipertermi yönteminde kullanılmak üzere çeĢitli

kimyasal kompozisyonlarda NiPd magnetik nanoparçacıklar sentezlenmiĢtir. Sentez, diğer

yöntemlere göre boyut kontrolü, parçacık boyut dağılımı ve kalitesi daha baĢarılı olan yüksek

sıcaklık ısıl-ayrıĢtırma metodu ile gerçekleĢtirilmiĢtir. Sentezlenen parçacıkların karakterizas-

yonu XRD, TEM, VSM ve SEM-EDS teknikleri kullanılarak yapılmıĢtır. Elde edilen XRD

kırınım desenlerinden, yapı analizleri gerçekleĢtirilmiĢ ve ortalama parçacık boyutları

belirlenmiĢtir. TEM ölçümleri ile sentezlenen nanoparçacıkların boyutlarının daha ayrıntılı

tayini ve Ģekil analizleri gerçekleĢtirilmiĢtir. Kimyasal kompozisyonun belirlenmesi için ise

SEM-EDS kullanılmıĢtır. Ayrıca VSM tekniği ile parçacıkların magnetik karekterizasyonları

yapılmıĢtır.


39

P07

LiNH2/MgH2 sisteminin hidritlenme reaksiyonlarının termodinamik

özelliklerinin incelenmesi

Serkan Akansel1, Maximilian Fichtner

2, Şadan Özcan

1 , ve Tezer Fırat

1

1SNTG Laboratuarı, Fizik mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara,

Türkiye 2 Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Karlsruhe, Germany

Günümüzde alternatif bir enerji kaynağı olarak düĢünülen hidrojenin, katılarda depolanması

hidrit yapılar olarak da bilinir. Katı fazda hidrojen depolama sistemlerinin yüksek kapasite,

oda koĢullarına yakın koĢullarda hızlı Ģekilde hidrojen soğurma ve salma, tekrarlanabilirlik

gibi bazı özelliklere sahip olması gerekmektedir. Amerika Enerji Bakanlığının verilerine göre

2015 yılında bu sistemlerin kütlece kapasitesinin %5.5, maksimum çalıĢma sıcaklığının 60oC

olması ve 1500 çevrim boyunca aynı performansla kendilerini tekrarlayabilmesi hedeflen-

mektedir. Bu hedeflere diğer sistemlere göre daha yakın olan LiNH2/MgH2 karıĢımı üzerinde

çalıĢmalar yoğun Ģekilde devam etmektedir.

Yapılan çalıĢmada LiNH2/MgH2 karıĢımının termodinamik özellikleri termogravimetrik

analiz (TGA) ve diferansiyel taramalı kalorimetre (DSC) yöntemleriyle incelendi.

Termodinamik ölçümler öncesinde, karıĢıma CaH2 ve Ca(BH4)2 malzemeleri katalizör olarak

eklendi ve bu bileĢiklerle birlikte karıĢım mekanik öğütme yöntemiyle öğütüldü. Katalizör

kullanılmadan hazırlanan karıĢımda, hidrojen salma reaksiyonu 187oC de gerçekleĢirken,

katalizör olarak Ca(BH4)2 kullanılan karıĢımda aynı reaksiyonun 15oC daha düĢük sıcaklıkta

172oC de gerçekleĢtiği gözlemlendi. Ayrıca çalıĢma kapsamında Fourrier dönüĢüm kızıl ötesi

(FTIR) tekniği ile karıĢımın yapısal analizi yapılarak farklı öğütme parametrelerinin karıĢımın

yapısı üzerindeki etkileri incelendive LiNH2/MgH2 karıĢımının LiH/Mg(NH2) karıĢımına

dönüĢtüğü gözlendi.


40

P08

Kimyasal püskürtme ve daldırmalı kaplama tekniği ile üretilen

katmanlı ZnO ince filmlerin optik özellikleri

Ebru Güngör ve Tayyar Güngör

Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15100 Burdur

Fotovoltaik türdeki çalıĢmalarda yoğun Ģekilde tartıĢılan Zn-tabanlı saydam oksit yapılar,

çeĢitli türde alttaĢlar üzerine farklı yöntemler kullanılarak biriktirilebilmektedir. Bu çalıĢmada

ZnO saydam oksit ince filmler, farklı iki yöntemle hazırlanmıĢ ve optik özellikleri

karĢılaĢtırmalı olarak tartıĢılmıĢtır. Her iki yöntem için çinko asetat dihidrat

(Zn(CH3COO)2·2H2O) (%99.9, Merck) tuzu, methanol ve kristalleĢmeyi engelleyecek uygun

kimyasallar ile aynı molaritede hazırlanarak, mikroskop cam üzerine, tek ve çok katmanlı

biçimde Kimyasal Püskürtme (KP) ve Daldırmalı Kaplama tekniği (DK, Dip Coating)

kullanılarak biriktirilmiĢtir. KP teknikle, cam alttaĢ üzerine tek katmanlı olarak biriktirilen

örnekler ilk grubu oluĢturmaktadır. Ġkinci grup; DK teknikle cam alttaĢın her iki yüzünde bir

ve daha fazla katmanlı biçimde biriktirilen filmlerdir. Son grup örnekler için, bir yüzüne KP

teknikle ZnO film kaplanan cam alttaĢın aynı yüzüne, DK teknikle birden fazla katmanlı

olacak biçimde ZnO film kaplaması yapılmıĢtır. DK teknikle hazırlanan örneklerin tümü,

belirli bir ısıl iĢleme maruz bırakılmıĢtır. Farklı yöntemlerle hazırlanmıĢ olan filmlerin optik

sabitleri, 300–900 nm dalgaboyu aralığında elde edilen optik geçirgenlik spektrumların nokta

tabanlı kısıtlamasız minimizasyon algoritmalarının değerlendirilmesi ile belirlenmiĢtir.


41

P09

Tip-II kuantum nokta nanokristal yapıdaki ekzitonların optik özellikleri

F. Koç

1,*, A. Aktürk

1, M. Şahin

1, ve A. Erdinç

2

1Selçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 42075 Konya, Türkiye

2Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 Kayseri, Türkiye

Bu çalıĢmamızda, tip-II bir kuantum nokta (çekirdek–kabuk) nanokristal yapıdaki ekziton ve

ikili ekzitonların optik özellikleri incelendi. Bunun için etkin kütle yaklaĢımı kullanıldı.

Öncelikle, Poisson–Schrödinger denklemi öz-uyumlu bir Ģekilde çözülerek yapının elektronik

özellikleri belirlendi. Ġkili ekzitonlarda kuantum çok parçacık etkileri, yerel yoğunluk

yaklaĢımı altında ele alındı. Bulunan dalga fonksiyonları ve enerji değerleri kullanılarak

ekzitonların örtüĢme integralleri, osilatör Ģiddetleri, yaĢam süreleri, soğurma katsayıları

hesaplandı. Sonuç olarak tip-II kuantum nokta çekirdek–kabuk nanokristal yapılarda optik

özelliklerin çekirdek çapı ve kabuk kalınlığına sıkı bir Ģekilde bağlı oldukları gözlendi.

References:

[1] Klaus D.Sattler, Handbook of Nanophysics, “Nanoparticles and Quantum Dots” (2011).

[2] Takuma Tsuchiya, Physica E 7, 470 (2000).

[3] M. Sahin, S. Nizamoglu, A. E. Kavruk, and H. V. Demir, J. Appl. Phys. 106, 043704 (2009).

[4] M. Califano, A. Franceschetti, and A. Zunger, Phys. Rev. B 75, 115401 (2007).

[5] B. Aln, J. Bosch, D. Granados, J. Martnez-Pastor, J. M. Garca, and L. Gonzlez, Phys. Rev. B 75, 045319

(2007).

[6] J. Shumway, A. Franceschetti, and Alex Zunger, Phys. Rev. B 63, 155316 (2001).

[7] S. Adachi, Properties of Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors (Wiley, 2005).

[8] J. M. Thijssen, Computational Physics (Cambridge University Press, 1999).

[9] J. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).


42

P10

ABO3 sistemlerinde simetrik spin hamiltoniyenleri

Hasan Şevki Mert ve Gülistan Mert

Fizik Bölümü, Selçuk Üniversitesi, Konya

ABO3 sistemlerinde Pbnm uzay grubunda kristalleĢen manyetik bileĢiklerin spin dönüĢüm

özelliklerinden hareketle uzay grubu altında değiĢmez (invaryant) kalan ikinci mertebeden

spin hamiltoniyenleri indirgenemez temsillerin taban vektörleri cinsinden türetilmiĢtir. Bunun

için Bertaut‟un geliĢtirdiği makroskobik metot kullanılmıĢtır [1,2].

Referanslar:

[1] E. F. Bertaut, Comptes Rendus de l`Académie des Sciences 252, 76 (1961).

[2] E. F. Bertaut, J. Phys. Chem. Solids 21, 256 (1961).


43

P11

Bükümlü femtotellerle yoğun madde tasarımı: Bükücü tanımı

T. Şengör

Yıldız Teknik Üniversitesi, Elektrik-Elektronik Fakültesi, Elektronik ve Haberleşme

Mühendisliği Bölümü, Davutpaşa Yerleşkesi, Esenler, 34220 İstanbul

Bu makalede, tümleĢik elektronik sistemlerde kapasitif elemanların gerçeklenmesinde

karĢılaĢılan güçlüklerin üstesinden gelmeye elveriĢli yoğun madde yapılarının tasarımı

üzerinde çalıĢılarak uygun bir yapay eleman oluĢturulmuĢtur. Yapay elemanın oluĢumu,

büküm noktaları civarındaki ve süreksizliklere sahip elektromagnetik olayların karakte-

ristiklerinden yararlanılarak tasarlanmıĢtır. Büküm noktalarının varlığından kaynaklanan

problemler, bükümlü koordinat sistemleri kullanılmak suretiyle aĢılmıĢtır. Bu türden

süreksizliklerin en basit formu, biri içbükey diğeri dıĢbükey iki yarım çember halindeki ince

telin, nanotelin ve/veya femtotelin bir ve yalnız birer ucundan birleĢtirilmeleri yoluyla

gerçeklenebilir. Bahsedilen bu formdaki yapılar bükücü (inflector) olarak tanımlanmıĢtır.

Genel halde bükücü, en az bir bükülme noktasına sahip ve zamanla değiĢen bir potansiyel

dağılımı taĢıyan bir ince (ideal olarak kalınlıksız) ve kısa bir çizgi (yol, yörünge, path) olarak

tanımlanmıĢtır. Bükücü devre ve/veya sistem elemanının gösterdiği potansiyel değiĢimleri

bükümlü tel üzerindeki uzamsal koordinatlara bağlıdır. Dalga ve Schrödinger denklemlerinin

bükümlü dairesel silindirik koordinatlar sisteminde çözümü geniĢletilmiĢ ayırma yöntemi ile

verilmiĢtir [1]–[8]. Bazı faydalı yoğun madde yapılarının geliĢtirilmesi üzerinde çalıĢılmıĢtır.

Referanslar: [1] Leo C. Kempel, John L. Volakis, Thomas B. A. Senior, S. Stanley Locus, and Kenneth M. Mitzner,

“Scattering by S-Shaped Surfaces,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation, AP-41, 701–708 (1993).

[2] Prabhakar H. Pathak and Ming C. Liang, “On a Uniform Asymptotic Solution Valid Across Smooth Caustics

of Rays Reflected by Smoothly Indented Boundaries,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation,AP-38,

1192–1203 (1990).

[3] Hiroyoshi Ikuno and Leopold B. Felsen, “Complex Ray Interpretation of Reflection from Concave-Convex

Surfaces,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation,AP-36, 1260–1271 (1988).

[4] Hiroyoshi Ikuno and Leopold B. Felsen, “Complex Rays in Transient Scattering from Smooth Targets with

Inflection Points,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation, AP-36, 1272–1280 (1988).

[5] Taner ġengör, “Contribution of Inflection Points to Field,” Electronics Lett.AP-34, 1571–1573 (1988).

[6] Taner ġengör, Static field near inflection points” Helsinki Univ. Tech. Electromagnetics Lab. Rept. 350, Jan

2001.

[7] Taner ġengör, “Contribution of Inflection Points to waves,” Electronics Lett.AP-35, 1593-1594 (1999).

[8] Taner ġengör, Static field near inflection points, Helsinki Univ. Tech. Electromagnetics Lab. Rept. 351, Jan

2001.


44

P12

Kuantum kuyu lazerlerin çift farklı yapılar kullanılarak incelenmesi

Sinan Yaşar1, İsmail Bilican

2, Bünyamin Şahin

2, Sedat Ağan

2, ve İhsan Uluer

2

1Mustafa Kemal Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Hatay 2Kırıkkale Üniversitesi, Fen- Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Kırıkkale

Bu çalıĢmada, günümüzde nano teknolojik uygulamalarda bir çok araĢtırmacının dikkatlerini

üzerine çeken kuantum kuyu lazerlerin simülasyon yoluyla üretimi ve analizi yapılmıĢtır. Bu

açıdan mevcut çalıĢmalar takip edilmiĢ 5 ayrı farklı yapılı kuantum kuyu malzemesinin çeĢitli

kompozisyon ve konfigürasyonlarda dizaynı ile 25 farklı yapı ayrı ayrı incelenmiĢtir. Lazer

yapılar simülasyonda dizayn edilirken Fabry–Parot ve Fabry–Parot Ridge tipi lazer yapı

olarak iki farklı konfigürasyonda ele alınmıĢtır. Her yapının bölge bölge (aktif bölge, kuantum

kuyu bölge, bariyer ve hapis bçlgeleri gibi) Bant–Enerji grafikleri ve değerleri, kırılma indisli

profili ve değerleri, katkı oranları (n tipi ve p tipi bölgeler için) profili ve değerleri

üretilmiĢtir. Ayrı ayrı her yapıda kullanılan malzeme kompozisyonları tasarlanmıĢ ve iĢleme

konulmuĢtur. Ġstenilen sıcaklık değerleri ve taĢıyıcı yoğunlukları ayarlamarak malzeme

kazançları hesaplanmıĢtır. Pik–kazanç grafikleri ve verileri çıkarılmıĢtır. Kendiliğinden ıĢıma

grafik ve değerleri üretilmiĢtir. Elde edilen tüm bu spnuçlar literatürle karĢılĢatırılmıĢ ve

uyum içerisinde olduğu görülmüĢtür.


45

P13

Role of annealing time and temperature on structural and superconducting

properties of (Bi,Pb)-2223 thin films produced by sputtering

G. Yildirim*, A. Varilci, M. Akdogan, S. Bal, G. Ozdemir, C. Terzioglu, M. Dogruer**,

and E. Yucel

*Abant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280

**Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034

This study reports the effect of annealing time (15 m, 1.5 h, and 3 h) and temperature (850,

860, and 870 °C) on the structural and superconducting properties of thin films by means of

scanning electron microscopy (SEM), X-ray analysis (XRD), electron dispersive X-ray

(EDX), resistivity and transport critical current density (Jc) measurements. Zero resistivity

transition temperatures (Tc) of the films produced are estimated from the dc resistivity

measurements. In addition, the phase and lattice parameters are determined from XRD

patterns when the microstructure, surface morphology and element composition analyses of

the samples are investigated by SEM and EDX measurements, respectively. The results

indicate that Tc values of the films obtained are observed to be in a range of 23–102 K. The Tc

of the film annealed at 870 °C for 3 h is found to be the smallest (23 K) while the film

annealed at 860 °C for 3 h is noted to obtain the maximum Tc value (102 K). On the other

hand, the maximum (minimum) Jc is found to be about 2068 A/cm2 (20 A/cm

2) for the film

annealed at 860 °C for 3 h (870 for 3 h). Moreover, according to the refinement of cell

parameters done by considering the structural modulation, the greatest Bi-2223 phase fraction

is noticed to belong to the film annealed at 860 °C for 3 h. Furthermore, SEM measurements

show that the best surface morphology, largest grain size and grain connectivity are observed

for that film. Based on these results, Tc and Jc values of the samples studied are found to

depend strongly on the microstructure. As for EDX results, the elements used for the

preparation of samples are observed to distribute homogeneously. The aim of this study is not

only to investigate the changes of structural and superconducting properties of the films

produced in the varied time and temperature but also to determine the best ambient for the

film fabrication and show the feasibility of obtaining Bi-2223 film with tailored structure.


46

P14

Effect of MgB2 addition on the structural and superconducting properties of

(Bi,Pb)-2223 superconducting ceramics

M. Dogruer, G.Yildirim, Y. Zalaoglu*, G. Ozdemir, S. Bal, E. Yucel**, A. Varilci,

and C. Terzioglu

Abant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280

*Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034

** Osmaniye Korkut Ata University, Department of Physics Osmaniye-Turkey 80000

This study deals with the effect of MgB2 addition on structural and superconducting

properties of Bi1.8Pb0.4Sr2(MgB2)xCa2.2Cu3.0Oy ceramics with x = 0, 0.03, 0.05, 0.1, 0.3, 0.5,

and 1 by means of X-ray analysis (XRD), scanning electron microscopy (SEM), electron

dispersive X-ray (EDX) and resistivity measurement. Zero resistivity transition temperature

(Tc) of the samples produced via the Standard solid-state reaction method is estimated from

the dc resistivity measurements. Moreover, the phase fraction and lattice parameters are

determined from XRD measurements when the microstructure, surface morphology and

element composition analyses of the samples are investigated by SEM and EDX

measurements, respectively. It is found that Tc values increase from 109 K to 114 K.

According to the refinement of cell parameters done by considering the structural modulation,

the MgB2 addition is confirmed by both an increase of the lattice parameter c and a decrease

of the lattice parameter a of the samples in comparison with that of the pure sample. SEM

measurements show that not only do the surface morphology and grain connectivity degrade

but the grain sizes of the samples decrease with the increase of the MgB2 addition, as well.


47

P15

Investigation of some physical and magnetic properties of Mn doped BI-2223

Superconducting ceramics

S. Bal, G. Yildirim, Y. Zalaoglu*, M. Dogruer, M. Gulen, C. Terzioglu, A. Varilci,

and E. Yucel**

Abant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280

*Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034

** Osmaniye Korkut Ata University, Department of Physics, Osmaniye-Turkey 80000

In this study, the structural and superconducting properties of Mn added Bi-2223

superconductors are investigated by X-ray diffraction analysis (XRD), scanning electron

microscopy (SEM), electron dispersive X-ray (EDX), resistivity, and transport critical current

density (Jc) measurements. Based on the resistivity measurements, Tc values are obtained to

decrease from 109 K to 85 K; likewise, Jc values are observed to reduce from 3200 A/cm2 to

125 A/cm2 with the increase in the Mn addition. Moreover, resistivity measurements are

carried out under varied applied magnetic fields of 0.0, 0.3, 0.7, 1.0, 2.0, 4.0, and 7 T. It is

obtained that the Tc decreases with increasing the strength of the applied magnetic field. The

phase and lattice parameters are also determined from XRD measurements. It is observed that

the Mn addition is confirmed by both an increase of the lattice parameter a and a decrease of

the cell parameter c of the samples in comparison with that of the pure sample (Mn0). As for

SEM images, the grain sizes of the samples studied in this work are found to decrease with

the increase of the Mn doping. Furthermore, the surface morphology and grain connectivity

are suppressed. The EDX results gives that not only the elements in the samples distribute

homogeneously but also the Mn atoms enter into the crystal structure by replacing Sr and Cu

atoms.


48

P16

LaAg ve LaZn bileĢiklerinin ab initio yöntemle yapısal, elektronik, ve fonon

özellikleri

N. Arıkan1 ve M. Çivi

2

1İlköğretim bölümü, Ahi Evran Üniversitesi, 40100 Kırşehir

2Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

CsCl (B2) yapıdaki LaAg ve LaZn bileĢiklerinin, yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) ve

genelleĢtirilmiĢ eğim yaklaĢımı (GGA) kullanılarak, yapısal, elektronik, ve fonon özellikleri

hesaplandı. Hesaplanan örgü sabitleri, bulk modülleri ve bulk modüllerinin basınca göre

birinci türevleri literatürdeki deneysel ve teorik sonuçlarla karĢılaĢtırıldı. Elektronik bant

yapıları, toplam ve kısmi durum yoğunlukları temel simetri yönleri boyunca çizildi ve her iki

bileĢiğin de metalik karakter gösterdiği bulundu. Fonon dispersiyon eğrileri ve durum

yoğunlukları, yoğunluk fonksiyonel perturbasyon teorisi kullanılarak hesaplandı. Brillioin

bölge merkezindeki optik frekansları LaAg için 93.429 cm–1

ve LaZn için 111.064 cm–1

olarak bulundu.


49

P17

Karbonmonoksit molekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunması ve elektronik yük

yoğunluğu durumu

Meryem Evecen1 ve Mehmet Çakmak

2

1Fizik Bölümü, Fen Edebiyat Fakültesi, Amasya Üniversitesi, Amasya

2Fizik Bölümü, Fen Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, 06500, Ankara

Karbon monoksit (CO) molekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunması yoğunluk fonksiyoneli

teorisi (DFT) kullanılarak incelenmiĢtir. Tutunma iĢlemi için yüzey üzerinde yüksek simetrili

tutunma noktaları kullanılmıĢ ve tutunma mekanizması tartıĢılmıĢtır. CO molekülünün yüzey

üzerindeki Ni atomuna tutunması, en düĢük enerjili model olarak bulunmuĢtur. Bu sonuç

literatürdeki teorik ve deneysel çalıĢmalarla uyumludur [1,2]. Biz bu model için CO

molekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunmasının elektronik yük yoğunluğu durumunu

inceledik. Hem CO 5σ bağı hem de CO 2π* antibağından gelen katkılarla Ni–C bağının

oluĢtuğu görülmüĢtür. Ayrıca NEB (Nudged Elastic Band) algoritması kullanılarak reaksiyon

yolu incelenmiĢtir. Son olarak, CO/NiAl(110) ile hidroksil (OH)/NiAl(110) tutunmalarında

kimyasal bağın özellikleri karĢılaĢtırılmıĢtır.

Referanslar:

[1] C. H. Patterson and T. M. Buck, “The binding site of CO on NiAl(110) determined by low energy ion

scattering”, Surf. Sci., 218, 431–451 (1989).

[2] M. E. Grillo, G. R. Castro, and G. Doyen, “Theory of carbon monoxide adsorption on NiAl(110)”, J. Chem.

Phys. 97, 7786–7797 (1992).


50

P18

Nikel nanoparçacıkları eklenmesinin polimer tabanlı kimyasal soğurucular

üzerine etkisi

Elerman Y.1, Bilenko D. I.

2, Kardash М. M.

3, Dinçer I.

1,Tozkoparan O.

1, Yıldırım O.

1,

Terin D. V.2,3

, Galushka V. V.2, Tyurin I. A.

3, Ainetdinov D. V.

3

1Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06100, Tandoğan, Ankara, Türkiye,

2Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya

3 Saratov Devlet Üniversitesi, EngelsTeknoloji Enstitüsü, Engels, Rusya

Günümüzde özellikle temiz su kaynaklarının azalmasıyla, temiz su elde etme çalıĢmalarının ve su

artımının önemi artmıĢtır. Artan bu önem doğrultusunda, çalıĢmamızda yüksek verimli, poliakrilonitril

(PAN) fiber -«POLYCON K» [1] tabanlı kimyasal soğurucular elde etmeye çalıĢılmıĢtır. Bu

çalıĢmada -«POLYCON K» tabanlı soğuruculara nikel nanoparçacıkları yerleĢtirerek daha verimli

soğurucular üretilmiĢtir.

a b c Şekil.1 Ġçerdikleri Nanoparçacık oranına göre fiber tabanlı kimyasal soğurucuların TEMgörüntüleri

«POLYCON K»: PAN (a), PAN + 1.5% Ni (b), PAN + 5% Ni (c)

Nikel nanoparçacıkları Plazma Ark BuharlaĢtırma Tekniği ile üretilmiĢ ve nanoparçacıklar fiber

yapıya yerleĢtirilmeden önce yapısal ve manyetik özellikleri incelenmiĢtir. Nano-parçacıkların yapısal

özellikleri Geçirimli Elektron Mikroskobu (TEM), Taramalı Elektron Mikrokobu (SEM) ve Atomik

Kuvvet Mikroskobu (AKM) görüntülemeleriyle bulunmuĢtur. Nanoparçacıkların manyetik

özelliklerini bulmak amacıyla TitreĢimli Örnek Manye-tometresinde manyetik alana bağlı ve sıcaklığa

bağlı mıknatıslanma ölçümleri alınmıĢtır. Nanoparçacıkların manyetik bölme yapısı ve manyetik alana

bağlı özellikleri Manyetik Kuvvet Mikroskobu görüntülemelerinden bulunmuĢtur. Fiber yapıya

nanoparçacıkların eklenmesi, fiberlerin yapısal ve yüzey özelliklerinde değiĢikliklere sebep

olmaktadır. Fibere Nikel nanoparçacıkların yerleĢtirilmesi yüzeydeki boĢluklu yapıların yoğunlunu

arttırmıĢ ve daha düzenli bir yapıya getirmiĢtir. Nikel nanoparçacıkların yapıya girmesi, fiberin

yapısın-daki kıvrımları yok etmiĢ ve yüzeyde küresel yapılar oluĢmasına neden olmuĢtur (ġekil.1).

Yapısına nikel nanoparçacıklar yerleĢtirilmiĢ fiberlerin elektirksel özellikleri incelenmiĢ ve kompleks

dielektrik geçirgenliği bulunmuĢtur. Fiberlerin soğurucu özeliklerini bulmak ve nikel nanoparçacık-

ların bu özelliklere etkisini tanımlamak amacıyla su arıtımı testleri yapılmıĢ ve yapısında nikel nano-

parçacıkları bulunan fiber tabanlı kimyasal soğurucuların %45 daha fazla petrokimyasal soğurdukları

saptanmıĢtır.

Referans:

M. Kardash, Cation-exchange chemisorption fibrous materials «Polycon» based on oxidized PAN fiber,

M. Kardash, I. Tyurin, and Y. Volfkovich, Conf. Proc. Ion transport in organic and inorganic membranes,

Krasnodar, Russia, 6–11 June 2011, pp. 77–78.

Teşekkür: Bu çalıĢma RFBR (10-08-91219-CT-a, 10-08-0074-a, Rusya), ve TÜBĠTAK (209T054) numaralı

projeler çerçevesinde desteklenmektedir.


51

P19

Polimer tabanlı kimyasal soğuruculara demir nanoparçacıkları yerleĢtirilmesinin

soğurucu özelliklere etkisi

Elerman Y.1, Bilenko D. I.

2, Kardash М. M.

3, Dinçer I.

1,Tozkoparan O.

1, Yıldırım O.

1,

Terin D. V.2,3

, Galushka V. V.2, Tyurin I. A.

3, Ainetdinov D. V.

3

1Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06100, Tandoğan, Ankara, Türkiye,

2Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya

3 Saratov Devlet Üniversitesi, EngelsTeknoloji Enstitüsü, Engels, Rusya

ÇalıĢmamızda, yüksek performanslı, fenol, formaldehit, sülfürik asit, poliakrilonitril (PAN) fiber-«POLYCON

K» [1] tabanlı katyon değiĢimli kimyasal soğurucuların üretilmesi amaçlanmıĢtır. Biz bu çalıĢmada PAN fiber

tabanlı «POLYCON K» soğuruculara demir nanoparçacıkları yerleĢtirerek yapısal ve elektriksel özelliklerindeki

değiĢimleri inceledik [2–4].

a b c Şekil.1 «POLYCON K»: PAN (a), PAN + 1.5% Fe (b), PAN + 5% Fe (c) yapılarının SEM görüntüleri.

Demir nanoparçacıkları fiber yapıya yerleĢtirilmeden önce yapısal ve manyetik özellikleri incelenmiĢtir. Yapısal

özellikleri ve Ģekillerini bulmak amacıyla Geçirimli Elektron Mikroskobu (TEM), Taramalı Elektron

Mikroskobu (SEM) ve Atomik Kuvvet Mikroskobu görüntülemeleri yapılmıĢtır. Yapılan görüntülemelerden

parçacıkların ortalama büyüklükleri ve Ģekilleri tespit edilmiĢtir. Demir nanoparçacıklarının manyetik özellikleri

TitreĢimli Örnek Manyetometresi (VSM) ve Manyetik Kuvvet Mikroskobu (MKM) ile incelenmiĢtir. VSM ile

manyetik alana ve sıcaklığa bağlı manyetik özellikleri ve MKM ölçümlerinden nanoparçacıkların manyetik

bölme yapıları bulunmuĢtur. Önceki çalıĢmalarda belirtildiği üzere monomer-izomerizasyon yapılarına yabancı

bir faz ekleyerek bu yapının geçiĢ tepkimesinin kinetiğinde ve ısıl özelliklerinde değiĢiklikler oluĢturula-

bilmektedir. Nanoparçacıkların yapıya yerleĢtirilmesiyle geçiĢ tepkimesindeki ısıl etkinin arttığı ve ısıl pikin

daha düĢük sıcaklıklara kaydığı gözlenmiĢtir. Nanoparçacıkların fiber yapıya yerleĢtirilmesiyle, yapının temel

özelliklerinde değiĢiklikler olmuĢtur, fiber yapının yüzeyi, oluĢan boĢluklu yapılar açısından daha yoğun ve

homojen hale gelmiĢtir. Yapıdaki demir nanoparçacığı oranı artıkça fiberin kıvrımlı karakteri yok olmuĢ ve bazı

küresel yapılar oluĢmaya baĢlamıĢtır (ġekil.1). Elektriksel özellikleri ve kompleks dielektrik geçirgenliği bulmak

amacıyla frekansa bağlı sığa ölçümleri yapılmıĢ ve dielektrik kayıpları bulunmuĢtur. Elde edilen kimyasal

soğurucuların teknolojiye yönelik uygulamalarını belirlemek amacıyla su artımı yapılmıĢ ve demir

nanoparçacıklarının bulunduğu soğurucular %25 oranında daha fazla petrokimyasal soğurmuĢtur. Kaynaklar:

[1] M. Kardash Cation-exchange chemisorption fibrous materials «Polycon» based on oxidized PAN fiber, Kardash M.,

Tyurin I., Volfkovich Y., Conf. Proc. Ion transport in organic and inorganic membranes, Krasnodar, Russia, 6–11 June 2011,

pp. 77–78.

[2] D.I. Bilenko, „Investigation of nanodisperse Fe and Ni properties‟, Bilenko D. I., Galushka V. V., Dobren'kii E. A., Terin

D. V., Elerman Y., Conf. Proc. APED-2010, Saratov, Russia, 22–23 September 2010, pp.149–150.

[3] Y. Elerman, Magnetic nanoparticles and measurement techniques in nanotechnology, Proc. III Inter. Workshop,

“Nanoparticles, nanostructured coatings, and microcontainers: nanotechnology, properties, applications”, Antalya, Turkey,

5–9 May 2011, Saratov, 2011, pp.11–12.

[4] O. Tozkoparan Magnetic characterization of Fe nanoparticles, Proc. III Inter. Workshop «Nanoparticles, nanostructured

coatings and microcontainers: nanotechnology, properties, applications» Antalya, Turkey, 5–9 May 2011, pp.33–37.

Teşekkür: Bu çalıĢma RFBR (10-08-91219-CT-a, 10-08-0074-a, Rusya), ve TÜBĠTAK (209T054) numaralı projeler

çerçevesinde desteklenmektedir.


52

P20

LBL ince filmlerde katman sayısının ve yapısının

manyetik özellikler üzerine etkisi

Onur Tozkoparan1, Oğuz Yıldırım

1 , İlker Dinçer

1, Yalçin Elerman

1*, Sergey V.

German2, Alexey V. Markin

2, Gennady B. Khomutov

3,4, Dmitry A. Gorin

2,

ve Sergey B. Wenig2

1 Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06100, Tandoğan, Ankara, Türkiye,

2Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya, 3M. V. Lomonosov Moskova Devlet Üniversitesi, Fizik Bölümü, 119992 Moskova, Rusya,

4Nanoteknoloji ve Mikroelektronik Enstitüsü (RAS), 119992, Moskova, Rusya

Layer by layer (LBL) tekniği, zıt yüklü polimerleri, ince film yüzeyine biriktirmek için çok sık

kullanılan bir yöntemdir. LBL yöntemi diğer ince film üretim tekniklerine göre daha ucuz ve daha

kolay uygulanabilir olmasının yanı sıra yüksek kalitede ince filmler elde edilebilmesiyle günümüzde

önemli bir yere sahiptir. Ayrıca LBL yöntemi ile manyetik nanoparçacıklar da ince film üzerine

baĢarılı bir Ģekilde biriktirilebilmektedir [1]. LBL tekniği ile manyetik nanoparçacık içeriğine sahip

katmanları, zıt yüklü polielektrolit katmanlarının arasına belirli bir düzende yerleĢtirerek, farklı

manyetik özelliklere sahip ince filmler elde edilebilmektedir. LBL yöntemi kalınlığı 1µm nin altında

çok katmanlı polielektrolit ince filmler üretmeye olanak sağlamaktadır [1]. Bu özelliklerinden dolayı

LBL yöntemi, spin kaplama ve Langmuir–Blodgett gibi ince film üretim yöntemlerine daha avantajlı

bir yöntemdir. Günümüzde LBL yöntemi ile üretilmiĢ ince filmlerin yapısal ve optik özellikleri birçok

çalıĢmaya konu olmuĢtur, fakat manyetik özelliklerinin araĢtırılması ve geliĢtirilmesi üzerine yeteri

kadar çalıĢma yapılmamıĢtır. Bu çalıĢmada, değiĢik yapıdaki katmanların ve katman sayısının

manyetik özelliklere etkisini incelenmiĢtir. Ġnce filmler farklı düzenlerde polielektrolit ve manyetik

nanoparçacık katmanlarından oluĢmuĢ ve LBL tekniği ile üretilmiĢtir. Manyetik nanoparçacık olarak

Magnetit (Fe3O4) nanoparçacıkları kullanılmıĢtır. Örneklerin yapısal özellikleri Atomik Kuvvet

Mikroskobu (AKM), Raman Spektroskopisi, Dynamic Light Scattering ve Geçirimli Elektron

Mikroskobu ile incelenmiĢtir. Ġnce filmlerin manyetik özellikleri ise TitreĢimli Örnek Manyetometresi

ve Manyetik Kuvvet Mikroskobu (MKM) ile incelenmiĢtir. Örnekler PEI/(Fe3O4/PAH)6; (II)

PEI/(Fe3O4/PAH)11; (III) PEI/(Fe3O4/PAH)16 Ģeklinde hazırlanmıĢtır. Yapılan AKM ölçümlerinde

(ġekil 1), örneklerin yüzey pürüzlülükleri sırasıyla 5,62 nm, 6,29 nm, 5,93 nm olarak bulunmuĢtur.

MKM ölçümlerinden örneklerin manyetik bölme yapısı ve manyetik alana bağlı kuvvet gradyentleri

bulunmuĢtur. Farklı sıcaklıklarda yapılan mıknatıslanma ölçümlerinden doyum mıknatıslanmaları ve

bunlara bağlı olarak manyetik geçirgenlikleri bulunmuĢtur.

ġekil 1. Atomik kuvvet Mikroskobu

görüntüleri (a-c), Manyetik kuvvet

Mikroskobu görüntüleri (b-d)

Kaynak:

[1] O. Tozkoparan, Oğuz Yıldırım ,Ġlker Dinçer, Yalçin Elerman, Sergey V.German, Alexey V. Markin,

Gennady B. Khomutov, Dmitry A. Gorin, Sergey B. Wenig, J. Mag. Mag. Mat., gönderildi.

Teşekkür: Bu çalıĢma, TÜBĠTAK tarafından, 209T054 no‟lu proje çerçevesinde desteklenmektedir.


53

P21

CuO ince filmlerin özellikllerinde çözelti molaritesinin etkisi

Şeyda Horzum Şahin*, Tülay Serin ve Necmi Serin

Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara

Bu çalıĢmada, CuO ince filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinde çözelti

molaritesinin etkisi incelenmiĢtir. CuO filmler cam alttabaka üzerinde sol–gel dip coating

yöntemiyle oluĢturulmuĢtur. Molaritesi 0.06‟dan 0.28 molara değiĢen Bakır (II) asetat,

baĢlangıç çözeltisi olarak kullanılmıĢtır. X-ray kırınım (XRD) deseni sonuçları tercihli

yönelimin molariteye bağlı olarak değiĢtiğini göstermiĢtir. Ayrıca XRD sonuçları artan

molarite ile filmlerin kristalliğinin arttığını göstermiĢtir. Filmlerin geçirgenliği UV–vis

spektrumu ile belirlenmiĢ ve bu sonuçlardan filmlerin soğurum katsayısı hesaplanarak enerji

band aralığı değerleri hesaplanmıĢtır. Bu sonuçlar filmlerin band aralığının artan molarite ile

azaldığını göstermiĢtir. Filmlerin yüzey morfolojisi Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ile

incelenmiĢtir. AFM görüntüleri molarite artınca grainlerin büyüdüğünü göstermiĢtir. Filmlerin

iletkenliği 130–370 K aralığında ölçülmüĢtür. Ġletkenlik sonuçları aracılığıyla filmlerin

aktivasyon enerjisi, Debye uzunluğu, yüzey tuzak yoğunluğu ve fermi düzeyindeki durum

yoğunluğu farklı molariteler için hesaplanmıĢtır. Buna göre, XRD, AFM, UV, ve iletkenlik

ölçüm sonuçları grain boyutu, band aralığı ve iletkenlik değerlerinin artan molariteye göre

değiĢtiği göstermiĢtir. Çözelti molaritesine bağlı olarak CuO ince filmlerin farklı elektriksel

ve optiksel özellikleri optoelektronik ince film cihazları, ince film nem ve gaz sensörleri, ince

film güneĢ pilleri, vb. için uygulamarda yararlı olabilir.


54

P22

TbMg bileĢiğinin yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özelliklerinin

ilk ilkeler yöntemi kullanılarak incelenmesi

Yeşim Moğulkoç1, Yasemin Öztekin Çiftci

2, Mehmet Kabak

1, Kemal Çolakoğlu

2

1Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara


TbMg bileĢiği x-ıĢınının çok kutuplu saçılımı tekniğinde test numunesi olarak kullanılan en

uygun sistemler olarak gösterilebilir. Bu bileĢiğe ait birçok manyetik özellikler farklı

manyetik yapılarda incelenmiĢtir. Bu çalıĢmada TbMg bileĢiğine ait temel fiziksel özelliklere

ait hesaplar, ilk-ilke (ab-initio) kuantum mekanik simülasyonu hesaplamalarında düzlem

dalga baz setleri üzerinde pseudo potansiyel ve PAW metodu kullanan kompleks bir yazılım

olan VASP (Vienna Ab Initio Simulation Package) paket programı kullanılarak yapılmıĢtır.

BileĢik için CsCl kristal yapısı kullanılarak örgü sabiti hesaplanarak, diğer deneysel ve teorik

çalıĢmalar ile karĢılaĢtırılmıĢtır. Bulk modülü ve bulk modülünün türevi hesaplanmıĢ-

tır.Young modülü, Shear modülü, Zener anizotropi faktörü ve Poisson oranı hesaplanmıĢtır.

Ayrıca elastik sabitleri bulunduktan sonra kullanılarak aynı zamanda Debye sıcaklıkları,

erime sıcaklıkları ve ses hızları hesaplanmıĢtır. Termodinamik özellikleri olarak; yarı harmo-

nik Debye modeli kullanılarak hacmin basınçla değiĢimi incelenmiĢtir ve bazı termodinamik

özelliklerin basınçla ve sıcaklıkla değiĢimi incelenmiĢtir. Elektronik özellikleri olarak; bant

yapıları hesaplanmıĢtır ve bant ile uyumlu durum yoğunluğu eğrileri çizdirlmiĢtir.


55

P23

Farklı örgü ve spin değerlerine sahip çekirdek–kabuk nanoparçağın

büyüklüğe bağlı incelemesi

Rıza Erdem1, Zafer Demir

2, ve Orhan Yalçın

3

1Fizik Bölümü, Akdeniz Üniversitesi, 07058, Antalya

2Fen Bilimleri Enstitüsü, Niğde Üniversitesi, 51240 Niğde

3Fizik Bölümü, Niğde Üniversitesi, 51240, Niğde

Farklı örgü ve farklı spin değerlerine sahip atomlardan oluĢan homojen ve kompozit

yapılardaki çekirdek–kabuk nanoparçacıkların manyetik özellikleri büyüklüğe bağlı olarak,

denge istatistik mekaniğin bağ yaklaĢım yöntemi (Kikuchi versiyonu) kullanılarak detaylıca

incelendi. Bu amaçla farklı örgü yapıları için parçacığın yarıçap değerine (R) göre çekirdek,

kabuk ve ara yüzey (çekirdek–kabuk) bölgelerinin içerdiği spin sayıları ve spinler arası bağ

sayıları belirlendi. Spinler arası dipol–dipol (J) etkileĢmeli S=1/2 ve S=1 Ising model

Hamiltonyenleri vasıtasıyla farklı spin değerlerine karĢılık gelen bağ enerjileri elde edildi.

Büyüklüğe bağlı olarak manyetik özelliklerinin incelendiği nanoparçacıkların bağ

değiĢkenleri, nanoparçacığı oluĢturan spin sayılarını ve bağ enerjilerini kapsayacak Ģekilde

düzenlendi. Bağ değiĢkenleri kullanılarak, her bir parçacığın sıcaklıkla değiĢen mıknatıslanma

(manyetizasyon) davranıĢı hesaplandı. Ayrıca, bu bağ değiĢkenleri her bir sistemin histerezis

eğrilerinin elde edilmesinde de kullanıldı. Manyetizasyon ve histerisiz eğrileri, her bir

parçacığın manyetik özelliklerinin büyüklüğe bağlı olarak detaylıca araĢtırılmasında faydalı

olmaktadır. Homojen ve çekirdek–yüzey yapısındaki kompozit nanoparçacıkların tam ve

yarım spinler esas alınarak incelenmesinden elde edilen sonuçlar karĢılaĢtırmalı olarak analiz

edildi.


56

P24

NdCo3 bileĢiğinin elektronik band yapısı: Ab initio incelemesi

H. Özışık1, K. Çolakoğlu

2, Y. Ö. Çiftci

2, E. Deligöz

1, E. Ateşer1 ve İ. Öner

2

1Aksaray Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Aksaray

2Gazi Üniversitesi, Fen Fakiltesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara

NdCo3 bileĢiğinin rhombohedral yapıda, yapısal ve lektronik özellikleri ab initio yöntemler

kullanılarak incelendi. Hesaplamalar genelleĢtirilmiĢ gradyant yaklaĢımı (GGA-PBE)

kullanılarak yapıldı. Spin polarize elektronik band yapısı ilk Brillouin bölgesinde yüksek

simetri noktaları boyunce çizdirildi. Ayrıca toplam yük yoğunluğu ve orbital yük yoğunlukları

incelenerek yorumlandı.


57

P25

KatkılanmamıĢ Ga3InSe4 tek kristallerinde ısıluyarılmıĢ akım ölçümleri

M. Işık 1 ve N. Hasanli

2

1Atılım Üniversitesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü

2Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü

KatkılanmamıĢ Ga3InSe4 kristallerinde 10–300 K sıcaklık aralığında tuzak seviyeleri

ısıluyarılmıĢ akım ölçümleri tekniği kullanılarak incelendi. Tuzak seviyeleri çalıĢmasında

ölçümler, akımın kristalin c-ekseni doğrultusunda akması sağlanarak gerçekleĢtirildi. Deney

süresince 0.8 K/s sabit ısıtma hızı kullanıldı. Deneysel veriler aktivasyon enerjisi 62 meV olan

bir deĢik merkezinin bulunduğunu gösterdi. Elde edilen akım–sıcaklık eğrisinin analizi, yavaĢ

geri tuzaklanmaya dayalı teorik modele uyumluluk gösterdi. ÇalıĢılan kristallere büyütme

süresince herhangi bir katkılanma uygulanmadığından dolayı, gözlemlenen bu tuzak

merkezinin büyütme sırasında ortaya çıkan kusurlardan veya kasıtlı olarak eklenmeyen

safsızlıklardan kaynaklandığı düĢünülmektedir. Tuzak merkezinin yakalama kesit alanı 1.0

10–25

cm2 ve yoğunluğu ise 1.4 10

17 cm

–3 olarak hesaplandı.


58

P26

AgSc bileĢiğinin yapısal, elastik, termodinamik ve fonon özellikleri: Bir ilk

prensipler çalıĢması

C. Çobana, Y. Ö. Çiftçi

b, Y. Moğulkoç

c, ve K. Çolakoğlu

b

aBalıkesir Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Çağış Kampüsü, 10145,

Balikesir bGazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, Ankara

cAnkara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği, Tandoğan Kampüsü, 06100,

Ankara

Bu çalıĢmada, kristal yapısı CsCl (B2) olan AgSc bileĢiğinin yapısal, elastik, termodinamik ve

fonon özellikleri teorik olarak incelendi. Hesaplamalar, VASP programı kullanılarak,

Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi (DFT) ve genelleĢtirilmiĢ gradyent yaklaĢımı (GGA) temel

alınarak yapıldı. Optimize örgü sabiti, bulk modülü ve onun basınca göre birinci türevi

hesaplanarak sunuldu. Bunun yanında, ikinci dereceden elastik sabitler ve bunlara bağlı

nicelikler (Zener anizotropi faktörü, Young modülü, Poisson oranı, makaslama modülü)

hesaplandı. Elastik sabitlerin hesaplanmasında “zor–zorlama” yöntemi kullanıldı. Elastik

sabitler ve bunlara bağlı nicelikler ile basınç iliĢkisi incelendi. Son olarak, termodinamik

özellikler, fonon dağılım eğrileri ve fonon DOS elde edilerek sunuldu. Sonuçlar, literatürde

yer alan mevcut sonuçlar ile karĢılaĢtırıldı.


59

P27

Metal nanoparçacıklar yardımıyla güneĢ pillerinde plazmonik iyileĢtirmeler

M. Can Günendi, Gürsoy B. Akgüç, Oğuz Gülseren

Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bilkent 06800 Ankara

Günümüzde enerji kaynaklarının geliĢtirilmesi çok temel bir gereksinimdir. Fosil yakıtlara

kıyasla güneĢ enerjisi güvenli ve aynı zamanda en temiz (yeĢil) ve ucuz enerji kaynaklarından

birisidir. Bu bağlamda, güneĢ enerjisinin verimli bir Ģekilde kullanımı son derece önemlidir.

Silisyum tabanlı güneĢ pillerindeki en büyük problemlerden birisı silisyum malzemesinin

dolaylı yasak enerji aralıklı bant yapısında olmasından ötürü düĢük enerji çevirme oranları ve

kırmızı ve kızılötesi ıĢığı çok az soğurmasıdır. Silisyumun yasak enerji aralığı özelliğinden

dolayı soğurulamayan kırmızı ıĢık güneĢ ıĢığının önemli bir kısmını oluĢturmaktadır.

Çözüm olarak uygulanabilecek güncel yöntemlerden bazıları güneĢ pili yarıiletken malzemesi

içine yerleĢtirilmiĢ metal nanoparçacıkların (MNP) gelen ıĢığı ıĢığın dalga boyundan daha

küçük bir mesafede yoğunlaĢtırıp kullanan antenler gibi iĢlev görmesi ve böylece MNP'leri

gelen ıĢığı güneĢ pili içerisine saçıcı yapılar olarak kullanıp kırmızı ıĢığın güneĢ pili

içerisindeki efektif yolunu uzatmak ve soğurulmasını sağlamaktır.

Soğurulma ve saçılma en çok plazmon rezonansları olduğu takdirde ortaya çıkmaktadır.

Plazmon rezonans bölgelerini sistemdeki çeĢitli değiĢkenleri, örneğin MNP boyutları,

kullanarak istenilen değerlere taĢımak mümkün olmaktadır. Bu çalıĢmada, sistem analizleri

için Finite-Difference Time-Domain (FDTD) metodu kullanıldı. FDTD; elektromanyetik

alanların, parçalara ayrılmıĢ uzayda, sınırlı büyüklükteki zaman aralıklarında, Maxwell

denklemlerini sağlayacak Ģekilde ilerletilmesi, etkileĢtirilmesi olarak özetlenebilecek bir

yöntemdir. ÇalıĢmadaki simülasyonlar için çoğunluklu olarak MIT'de geliĢtirilen MEEP

programı, kodu kullanıldı. Bunun yanında sonuçları karĢılaĢtırmak, tutarlılığından emin

olmak için, çeĢitli diğer yöntemler de kullanıldı; örneğin Discrete Dipole Approximation

(DDA). ZnO malzeme içerisine yerleĢtirilmiĢ çeĢitli büyüklüklerdeki gümüĢ MNP‟ların

plazmon rezonans değerlerinin analizleri yapıldı ve kırmızı ıĢığın soğurulmasını sağlayacak

yeni sistem geometrileri, MNP dağılımları incelendi.


60

P28

ITO ince filmlerinin üretilmesi ve optik özellikleri üzerine ısıl tavlamanın etkisi

Emrah Sarıca, Vildan Bilgin, ve Barbaros Demirselçuk

Fizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17020, Çanakkale

Saydam iletken oksitler, sahip oldukları üstün fiziksel özellikler sebebiyle oldukça yaygın

çalıĢma alanına sahip materyallerdir. Saydam iletken oksit grubunun bir üyesi olan, direkt

bant geçiĢli bir yarıiletken malzeme olan ITO (indiyum kalay oksit), düĢük elektriksel

özdirenç (<10–4

Ω·cm), yüksek optiksel geçirgenlik (~85–90%) ve geniĢ bant aralığı (3.6–4

eV arasında değiĢen) gibi özelliklerinden dolayı geniĢ bir endüstriyel uygulama alanına

sahiptir. Bu çalıĢmada; ITO filmler, %5 ve %7 Sn katkı oranlarında Ultrasonik Kimyasal

Püskürtme Tekniği kullanılarak cam tabanlar üzerine çöktürülmüĢtür. Filmlerin üretilmesinde

indiyum klorür [InCl3; 0.01 M] ve kalay klorür [SnCl2·2H2O; 0.01 M] tuzlarının sulu

çözeltilerinin belirli oranlarda karıĢımından elde edilen toplamda 200 ml‟lik çözelti

kullanılmıĢtır. Çöktürme sonrasında, filmler 500°C sıcaklıkta 1 saat süresince ısıl tavlama

iĢlemine maruz bırakılmıĢtır. Filmlerin optik ölçümlerinden faydalanılarak, geçirgenlik,

soğurma katsayısı, kırılma indisi ve yasak enerji aralığı gibi bazı optik parametreler

belirlenmiĢtir. Filmlerin geçirgenliklerinin Sn katkısıyla çok fazla değiĢmediği gözlenirken,

sıcaklıkta tavlamanın %5 Sn katkılı filmlerin geçirgenliklerini biraz arttırdığı gözlenmiĢtir.

Filmlerin yasak enerji aralıklarında ise katkılama ve ısıl tavlama süreçleri sonucunda önemli

bir değiĢim gözlenmemiĢ olup ve tüm filmler için ~4 eV olarak hesaplanmıĢtır.


61

P28

Katkısız ve V katkılı ZnO ince filmlerinin manyetik karakterizasyonu

Emrah Sarıca, Vildan Bilgin, ve Barbaros Demirselçuk

Fizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17020, Çanakkale

Günümüz teknolojisinde önemli bir yere sahip olan manyetik malzemeler üzerine yapılan

çalıĢmalar büyük ilgi çekmektedir.Bu çalıĢmada da ZnO ince filmlerinin, geçiĢ

elementlerinden olan ve manyetik özellik sergileyen vanadyum elementi ile katkılanmasının,

filmlerin manyetik özellikleri üzerine etkisi incelenmektedir. Katkısız ve farklı oranlarda

vanadyum katkılı ZnO ince filmleri, ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak

çözelti akıĢ hızı 5ml/dk olacak Ģekilde, 400C taban sıcaklığında 30 dk süresince cam tabanlar

üzerine püskürtülerek çöktürülmüĢtür. Çinko kaynağı olarak 0.1 MZn(CH3COO)2·2H2O ve

vanadyum kaynağı olarak ise 0.1 M VCl3 sulu çözeltileri kullanılmıĢtır.

Üretilen tüm filmlerin manyetik özelliklerini incelemek amacıyla titreĢimli örnek

magnetometresi (VSM) kullanılarak, malzemeler üzerine uygulanan dıĢ manyetik alan etkisi

altında malzemelerin mıknatıslanması incelenmiĢtir. Elde edilen histerisis eğrilerinden

faydalanılarak filmlerin, doyum manyetizasyonu, kalıcı manyetizasyon ve zorlayıcı kuvvet

gibi manyetik özellikleri tespit edilmiĢtir. ZnO:V filmlerinin doyum ve kalıcı manyetizasyon

değerlerinin sırasıyla 3.40×10–31.34×10

–2 emu/gr ve 1.82×10

–48×10

–4 emu/gr aralığında

değiĢtiği belirlenmiĢtir.

Teşekkür: Bu çalıĢma Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri Komisyonu tarafından

desteklenmiĢtir. (Proje No: 2011/011)


62

P30

298–1400 K sıcaklık aralığında CdTe‟in ısı kapasitesi

D. Sarıateş1, H. Koç

2 ve E. Eser

3

1Yüksekokul, Teknik Programlar Bölümü, Alparslan Üniversitesi, Muş

2Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Tokat

3 Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Çukurova Üniversitesi, Adana

Bu çalıĢmada, binomal katsayılar kullanılarak n-boyutlu Debye fonksiyonu hesaplanmıĢ ve

termodinamik özellikler için basit ve güvenilir analitik ifadeler elde edilmiĢtir. Bulunan

analitik ifade kullanılarak 298–1400 K sıcaklık aralığında CdTe‟in ısı kapasitesi incelenmiĢtir.

Ġncelemeler sonunda elde edilen sonuçlar deneysel ve teorik çalıĢmalarla karĢılaĢtırılmıĢ ve

sonuçların uyum içinde olduğu görülmüĢtür.


63

P31

Püskürtme yöntemi ile hazırlanan ZnO ince filmlerin yapısal ve optiksel

özellikleri

Ö. Filazia, G. Altındemir

b, C. Habiboğlu

b, F. Yavuz

c, F. Kırmızıgül

b, C. Ulutaş

b,

E. Günerid , F. Göde

c, ve C. Gümüş

b

aAdıyaman Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 02040 Adıyaman

bÇukurova Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 01330 Adana

cMehmet Akif Ersoy Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 15030 Burdur

dErciyes Üniversitesi Eğitim Fakültesi İlköğretim Bölümü, 38039 Kayseri

Bu çalıĢmada, püskürtme yöntemi kullanılarak 380oC de cam alttabanlar üzerine hayli

geçirgen ve polikristal olan ZnO ince filmleri elde edildi. X-ıĢınları kırınım (XRD) analizi

sonucundafilmlerin hekzagonal fazda büyüdükleri görüldü ve örgü parametreleri hesaplandı.

Filmlerin yüzey morfolojisi için taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanıldı. Oda

sıcaklığındaki optik ölçümlerden enerji bant aralıkları 3.27–3.32 eV olarak bulundu. Ġnce

filmlerin kırılma indisi (n) ve sönüm katsayısı (k) değerleri zarf yöntemi kullanılarak 400–

1100 nm arasında hesaplandı.


64

P32

Ġlk ilke yöntemiyle NaTaO3 kristalinin elektronik ve dinamik özelliklerinin

incelenmesi: Yoğunluk fonksiyoneli teorisinin uygulaması

Şevket Şimşek ve Süleyman Çabuk

Çukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330 Balcalı-Adana

Yerel yoğunluk yaklaĢımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT) ve ab-initio

pseudo potansiyel yöntem kullanılarak ortorombik yapıda NaTaO3 kristalinin dinamik

özellikleri (elastik sabitlerini, Born efektif yükünü ve optik dielektrik sabiti) ve elektronik

özellikleri incelendi. Brillouin bölgesindeki yüksek simetri yönlerindeki band yapısı bulundu.

Ortorombik fazda NaTaO3 kristalinin doğrudan band aralığına sahip bir kristal olduğu görüldü

ve yasak enerji aralığı simetri noktalarında 2.861 eV olarak bulundu. Parçalı ve toplam

durum yoğunluğu hesaplandı. Elde edilen sonuçlar teorik ve deneysel sonuçlarla

karĢılaĢtırıldı.


65

P33

Tamsayılı kuantize Hall etkilinde yerel elektrik alan etkisi

Sinem Erden Gulebaglan1, Ismail Sokmen

1, Afif Siddiki

2, ve R. R. Gerhardts

3

1Dokuz EylülUniversitesi, Fen Fakültesi,Fizik Bölümü, Tinaztepe Kampüsü, 35100 Izmir,

Türkiye 2

Istanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi,Fizik Bölümü, Beyazit Kampüsü, Istanbul, Türkiye 3Max-Planck-Institut für Festkörperforschung,Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart,

Almanya

Kuvvetli manyetik ve elektirik alan altındaki iki boyutlu electron gazında yerel durum

yoğunlukları hesaplanmıĢtır. Ġlk olarak elektrik alan ve çarpıĢma etkileri yok olduğu durumda

Landau quantizasyonu ele alınmıĢtır. Tek bir yönde düzlemde elektrik alan delta fonksiyonu

Ģeklindeki Landau durum yoğunluğunda geniĢlemeye yok açmaktadır. Buradan konuma bağlı

olarak enerji özfonksiyonları elde edilebilir. Yerel durum yoğunluğunun elektrik alanının

Ģiddetine bağlılığı ifade edilmiĢtir.


66

P34

Ga katkılı ve katkısız CdO bileĢiğinin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi

Gökhan Çabuk1, Senem Aydoğu

1, M. Burak Çoban

1,2, Aziz Uluışık

1

1Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampüs, Kütahya

2Fizik Bölümü, Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Merkez Kampüs, Kocaeli

Katkısız ve Ga katkılı CdO ince filmleri kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak üretilmiĢtir.

75 mlt‟lik CdO çözeltisi 275oC taban sıcaklığına %0, %0.2, %0.4, %0.6, %0.8 oranlarında Ga

katkılarak elde edilen katkılı ve katkısısız CdO ince filmin yapısal özellikler x-ıĢını kırınımı

(XRD) ve optik özellileri ise optik absorbsiyon (UV spektometre) metodu ile analiz edilmiĢtir.

Böylece, Ga katkısının CdO ince filminin yapısında ve optik özelliklerindeki değiĢim

incelenmiĢtir.


67

P35

Al-Pb-Zn üçlü alaĢımının termo-elektriksel özellikleri

Mehmet Özdemir1, Fatma Meydaneri

2, Buket Saatçi

3

1Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Kimya Bölümü, 38039 Talas Kayseri

2Karabük Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü,

78050, Karabük 3Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 Talas Kayseri

Al-Pb-Zn alaĢımlarının ısı iletkenlik katsayıları radyal ısı akıĢ metodu ile sıcaklığa ve

bileĢime bağlı olarak ölçüldü. Isı iletkenlik katsayıları ve Lorentz değerlerinden yararlanarak

Wiedemann–Franz kanunu ve Smith–Palmer eĢitliğinden elektriksel iletkenlik değerleri

hesaplandı. Smith–Palmer eĢitliğine göre belirlenen elektriksel iletkenlik değerlerinin literatür

ile oldukça uyumlu olduğu belirlendi.

Teşekkür: Bu çalıĢmaErciyes Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri tarafından desteklenmiĢtir. Ayrıca

çalıĢmaların yürütüldüğü Fizik II Lab. sorumlusu Prof. Dr. Mehmet Gündüz‟e teĢekkür ederiz.


68

P36

SnO2 ince filmlerinin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin

film kalınlığına bağlı incelenmesi

M. Ali Yıldırım, Yunus Akaltun*, Aytunç Ateş

**, ve S. T. Yıldırım

***

Fizik Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan

*Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan

**Malzeme Mühendisliği Bölümü, Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, 06030, Ankara ***

Kimya Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan

SnO2 ince filmleri, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) metodu

kullanılarak oda sıcaklığında cam taban malzemeleri üzerine büyütüldü. SnO2 ince filmleri

için, ([Sn(NH3)4]4+

) kalay-amonyak kompleksi SnCl4 (% 99) ve NH3 (% 25–28)kullanılarak

hazırlandı ve baĢlangıç katyonik çözeltisi olarak kullanıldı. SnO2 ince filmleri 60, 80, 100, ve

120 SILAR döngüsü sonunda elde edildi ve film kalınlıkları sırasıyla 215, 300, 380, ve 490

nm olarak hesaplandı. X-ıĢını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), optik

soğurma ölçümleri ve sıcaklığa bağlı elektriksel ölçümler yardımıyla film kalınlığının

filmlerin yapısal, optik ve elektriksel karakteristikleri üzerine etkisi incelendi. Bu ölçümler

yardımıyla, filmlerin polikristal yapıda olduğu, filmlerin kristalliğinin ve yüzey özelliklerinin

film kalınlığının artması ile iyileĢtiği belirlendi. SnO2 ince filmlerin yasak enerji aralığı film

kalınlığı ile 3,90 eV‟tan 3,54 eV‟a azaldığı ve soğurma kenarının dikleĢtiği gözlendi.

Filmlerin yasak enerji aralığı değerleri kullanılarak filmlerin kırılma indisi (n) ve dielektrik

sabiti (εo, ε∞) değerleri hesaplandı. 300–500 K sıcaklık aralığında filmlerin özdirenç değerleri

belirlendi.


69

P37

Cd1-xZnxSe ince filmlerinin yapısal ve optik özellikleri üzerine çinko

konsantrasyonunun etkisi

Yunus Akaltun, M. Ali Yıldırım*, Aytunç Ateş

**, ve Recep Polat

***

Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan *Fizik Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan

** Malzeme Mühendisliği Bölümü, Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, 06030, Ankara ***

Fizik Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan

Cd1–-xZnxSe ince filmleri Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) metodu

kullanılarak oda sıcaklığında cam taban malzemeleri üzerine büyütüldü.X-ıĢını kırınımı

(XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve optik soğurma ölçümleri yardımıyla çinko

(Zn) konsantrasyonunun filmlerin yapısal ve optik karakteristikleri üzerine etkisi

incelendi.XRD ve SEM ölçümleri yardımıyla filmlerin polikristal yapıda olduğu, çinko

konsantrasyonunun azalması ile film kristalliğinin ve yüzey özelliklerinin iyileĢtiği gözlendi.

Ayrıca, çinko konsantrasyonunun artması ile kristal yapının hekzagonal yapıdan kübik yapıya

değiĢtiği belirlendi. Cd1–xZnxSe ince filmlerin yasak enerji aralığı çinko konsantrasyonunun

artması ile 1.99 eV‟ tan 2.82 eV‟a arttığı gözlendi. Filmlerin yasak enerji aralığı değerleri

kullanılarak filmlerin kırılma indisi (n), etkin kütle (me*/mo) ve dielektrik sabiti (εo, ε∞)

değerleri hesaplandı.

Teşekkür:

Bu çalıĢma, Erzincan Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri tarafından desteklenmektedir (ProjeNo:10.01.07).


70

P38

Kobalt oksit filmlerinin fiziksel özellikleri

Banu Erdoğan, İdris Akyüz, ve Ferhunde Atay

Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü

Son yıllarda, kobalt oksit ince filmleri teknolojik uygulamalarda yaygın kullanım potansiyeli

ile dikkat çekmektedir. Bu çalıĢmada, kobalt oksit ince filmlerini üretmek için uygulanması

kolay ve ekonomik bir teknik olan ve geniĢ yüzeylere çöktürme imkânı sağlayan ultrasonik

kimyasal püskürtme tekniği kullanılmıĢtır. Filmler mikroskop cam tabanlar üzerine 40 dakika

süre ile 300 ± 5° C taban sıcaklığında çöktürülmüĢtür ve deney sonrası filmler 3 saat süre ile

hava ortamında 450 °C‟de ısıl iĢleme tabi tutulmuĢtur. Filmlerin soğurma ve yansıma

spektrumları UV–VIS Spektrofotometre cihazı kullanılarak alınmıĢtır. Kalınlıkları ve optik

sabitleri (kırılma indisi ve sönüm katsayısı) Spektroskopik Elipsometre cihazı ve yüzey

topografileri ile pürüzlülük değerleri ise Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ile

incelenmiĢtir. Filmlerin özdirençlerini belirlemek için dört uç tekniği kullanılmıĢtır.


71

P39

Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen CdO:F ince filmlerinin

fiziksel özellikleri

Elif Ketenci, Ferhunde Atay ve İdris Akyüz

Eskişehir Osmangazi Üniversitesi

Bu çalıĢmada CdO:F yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği (UKP) ile 300

±5°C taban sıcaklığında üretilmiĢ ve üretim sonrası tüm filmler 450 °C sıcaklıkta ısıl iĢleme

tabi tutulmuĢtur. Üretilen filmlerin optiksel, elektriksel ve yüzey özellikleri incelenerek F

katkı elementinin etkisi araĢtırılmıĢtır. CdO:F filmlerinin spektroskopik elipsometre cihazı

kullanılarak kalınlıkları belirlenmiĢ ve bazı optik parametreleri (sönüm katsayısı ve kırılma

indisi) saptanmıĢtır. Filmlerin yasak enerji aralıkları optik metot ile hesaplanmıĢ ve direkt

bant aralıklı malzemeler oldukları görülmüĢtür. Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ile üç

boyutlu yüzey topografileri ve faz görüntüleri alınmıĢ ve taneli yapılanmanın varlığı dikkati

çekmiĢtir. Filmlerin elektriksel iletkenlik ve özdirenç değerlerini belirlemek amacıyla dört uç

tekniği kullanılmıĢtır. Tüm sonuçlar opto-elektronik endüstrisi ve fotovoltaik güneĢ pili

uygulamaları açısından değerlendirilmiĢ ve üretim sonrası ısıl iĢlemin her bir fiziksel özellik

üzerinde önemli bir etki yarattığı sonucuna varılmıĢtır.


72

P40

Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen In katkılı CdS filmlerinin

elektriksel, yapısal ve morfolojik özellikleri

Gülşah Gürbüz, Meryem Polat, Salih Köse, ve Elif Ceylan

Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Eskişehir, Türkiye

Bu çalıĢmada CdS ve Cd1–xInxS (x = 0.1, 0.3, 0.5) filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme

tekniği ile 275±5 oC de ısıtılmıĢ cam tabanlar üzerine çöktürülmüĢtür. Filmlerin optik

özelliklerinden absorbsiyon, geçirgenlik ve yansıma spektrumları farklı ortam sıcaklıklarında

UV–VIS Spektrofotometre cihazı ile alınmıĢtır. Optik metot kullanılarak yasak enerji

aralıkları belirlenmiĢtir. Filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri (kırılma indisi ve sönüm

katsayısı) spektroskopik ellipsometri tekniği ile belirlenmiĢtir. Yüzey özellikleri atomik

kuvvet mikroskobu ve taramalı elektron mikroskobu, elemental analizleri ise enerji dağılımlı

X-ıĢınları (EDS) spektroskopisi ile incelenmiĢtir. Filmlerin kristal yapıları x-ıĢını kırınım

desenleri kullanılarak incelenmiĢ ve özdirenç değerleri dört-uç metodu ile belirlenmiĢtir.

Teşekkür: Bu çalıĢma EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi (BAP Proje No: 201019011) tarafından

desteklenmiĢtir.


73

P41

AlxIn1-xSb yarıiletken bileĢiğinde elektron dinamiğinin

Monte Carlo yöntemiyle incelenmesi

Mustafa Akarsu1, Senem Aydoğu

2, ve Ömer Özbaş

1

1Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Meşelik, Eskişehir 2Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampus, Kütahya

AlxIn1–xSb yarıiletken bileĢiğinde elektron dinamiği Monte Carlo yöntemiyle x = 0.2 ve x =0.3

değerleri için elektrik alanın fonksiyonu olarak 77 K ve 300 K örgü sıcaklıkları için incelendi.

Akustik fonon, polar optik fonon, iyonize safsızlık ve dislokasyon saçılmaları hesaplamalara

dahil edildi. Sürüklenme hızı ve sürüklenme mobilitesi farklı dislokasyon yoğunlukları için

elektrik alanın fonksiyonu olarak belirlendi. DüĢük elektrik alan mobilitesi dislokasyon

yoğunluğunun bir fonksiyonu olarak hesaplandı. Dislokasyon yoğunluğunun 1×107 cm

–2

değerinden daha düĢük değerlerinde mobilitenin etkilenmediği görüldü. Dislokasyon ve

iyonize safsızlıkların elektron sürüklenme hızı üzerinde düĢük elektrik alan değerlerinde etkili

oldukları görüldü.


74

P42

Ir katkılı ZnO filmlerinin üretilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

Müge Söyleyici, Ferhunde Atay, ve İdris Akyüz

Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü

Optoelektronik aygıtlarda ve güneĢ pillerinde kullanılan saydam iletken oksit malzemelerin

optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri aygıt performansını önemli derecede

etkilemektedir. Bu çalıĢmada, % 10 Ir katkılı ZnO filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme

tekniği ile 300±5 C taban sıcaklığında üretilmiĢ ve fotovoltaik güneĢ pillerinde kullanım

potansiyelini iyileĢtirmek için 450 C‟ de 3 saat tavlama iĢlemi yapılmıĢtır. Üretilen filmlerin,

optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri incelenmiĢ ve tavlama iĢleminin fiziksel özellikler

üzerinde önemli bir etki yarattığı sonucuna varılmıĢtır.


75

P43

ZnO filmlerinin üretimi ve karakterizasyonu

Olcay Gençyilmaz a,b

, Ferhunde Atay a, ve İdris Akyüz

a

aEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Eskişehir, Türkiye

b Çankırı Karatekin Üniversitesi, Fizik Bölümü, Çankırı, Türkiye

II–VI yarıiletken bileĢiklerinden olan ZnO filmleri düĢük özdirenç ve yüksek geçirgenlikleri

gibi uygun özelliklerinden dolayı pek çok teknolojik uygulamada tercih edilmektedir. Bu

çalıĢmada ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak 300±5 °C‟de cam tabanlar

üzerine ZnO filmleri çöktürülmüĢtür. Üretilen filmlerin özelliklerini iyileĢtirmek için 450,

500, ve 550 °C sıcaklıklarında tavlama iĢlemi yapılmıĢ ve filmlerin elektrik, optik ve yüzey

özellikleri üzerine tavlama sıcaklığının etkisi araĢtırılmıĢtır. Üretilen filmlerin geçirgenlik ve

soğurma spektrumları UV spektrofotometre cihazı, kalınlık değerleri ve optik sabitleri (n ve k)

ise spektroskopik elipsometre cihazı kullanılarak belirlenmiĢtir. Tüm filmlerin üç boyutta

yüzey görüntülerini incelemek ve yüzey pürüzlülüklerini belirlemek amacı ile atomik kuvvet

mikroskobu (AFM) görüntüleri alınmıĢtır. Belirtilen analizler değerlendirilerek, ZnO

filmlerinin fotovoltaik ve diğer uygulamalarda kullanılabilirlikleri araĢtırılmıĢtır.


76

P44

ZnO filmlerinin bazı fiziksel özellikleri üzerine Co kaynağının etkisi

Olcay Gençyılmaz a,b

, Ferhunde Atay a, ve İdris Akyüz

a

aEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Eskişehir, Türkiye

b Çankırı Karatekin Üniversitesi, Fizik Bölümü, Çankırı, Türkiye

Son yıllarda ZnO filmlerine geçiĢ elementleri katkılanarak yapılan çalıĢmalarda, bu filmlerin

yeni uygulama alanlarında kullanımı ortaya çıkmıĢtır. Bu çalıĢmada katkısız ve farklı iki Co

kaynağı kullanılarak katkılanmıĢ ZnO:Co (%12) filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme

tekniği ile elde edilmiĢtir. Üretilen filmlerin yapısal, optiksel ve yüzeysel özellikleri

incelenerek Co kaynağının etkisi araĢtırılmıĢtır. ZnO filmlerinin yapısal ve yüzey

özelliklerinin Co kaynağına bağlı olarak belirgin bir değiĢim gösterdiği belirlenmiĢtir. Ayrıca

filmlerin geçirgenlik spektrumlarında Co elementine ait karakteristik sarkmalar görülmüĢtür.

Sonuç olarak Co kaynağının ZnO filmlerinin yapısal, optiksel ve yüzeysel özelliklerinde

önemli derecede etkiler yarattığı saptanmıĢtır.


77

P45

Borat ve mikroskop cam tabanlar üzerine üretilen CdO filmlerin ısıl iĢlem

sonucu sergilediği yüzeysel, elektriksel, ve optik özellikler

Sadiye Çetinkaya Çolak, Banu Erdoğan, İdris Akyüz, ve Ferhunde Atay

Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü

Bu çalıĢmada, ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile CdO filmlerinin üretimi için

geleneksel mikroskop camı yerine farklı bir taban cam kullanılarak, filmin fiziksel özellikleri

üzerine etkisi araĢtırılmıĢtır. Alternatif cam olarak alümina-borat cam seçilmiĢ ve bu çalıĢma

kapsamında melt-quenching tekniği ile üretilmiĢtir. Her iki taban üzerine üretilen filmler 450

°C‟de 3 saat süre ile hava ortamında ısıl iĢleme tabi tutulmuĢtur. Isıl tavlama iĢleminin her iki

numunenin yüzeysel, elektriksel ve optik özellikleri üzerine etkisi araĢtırılmıĢtır. Yüzeysel

özelliklerinin incelenmesi için Atomik Kuvvet Mikroskobu kullanılarak yüzey görüntüleri ve

pürüzlülük değerleri elde edilmiĢtir. Dört uç tekniği ile elektriksel özdirenç değerleri borat ve

mikroskop cam taban kullanılan numuneler için sırası ile 2.26×10–3

ve 1.24×10–3

·cm olarak

belirlenmiĢtir. Numunelerin kalınlık, kırılma indisi ve sönüm katsayısı değerlerini belirlemek

için Spektroskopik Elipsometri Tekniği kullanılmıĢtır. Ayrıca numunelerin geçirgenlik

spektrumları UV–VIS Spektrofotometre kullanılarak alınmıĢ ve optik metot yardımıyla bant

aralığı değerleri belirlenmiĢtir.


78

P46

Farklı sıcaklıklarda tavlanan In katkılı CdS filmlerinin fiziksel özelliklerinin

incelenmesi

S. Karakaya ve Ö. Özbaş

Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Eskişehir

CdS ince filmleri sahip oldukları optik ve elektrik özellikleri nedeniyle fotovoltaik güneĢ

pilleri ve optoelektronik gibi alanlarda yaygın olarak kullanılan II–VI grubu yarıiletken

malzemelerdir. Heteroeklem güneĢ pillerinde pencere materyali olarak kullanılacak CdS

filmlerinin düĢük özdirence sahip olması istenir. Bu çalıĢmada, %8 In katkılı CdS filmleri

300±5 ◦C taban sıcaklığında ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak üretilmiĢtir.

Elde edilen filmler, 2 saat süre ile 300 ◦C, 400

◦C, ve 500

◦C‟de ısıl tavlama iĢlemine tabi

tutulmuĢtur. Filmlerin optik, elektrik ve yüzey özellikleri üzerine farklı tavlama

sıcaklıklarının etkisi araĢtırılmıĢtır. Filmlerin geçirgenlik ve soğurma spektrumları UV

spektrofotometre ile alınmıĢtır. Filmlerin optik geçirgenlikleri tavlama sıcaklığının artmasıyla

birlikte artıĢ göstermiĢtir. Spektroskopik elipsometri tekniği ve Cauchy–Urbach modeli

kullanılarak filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri belirlenmiĢtir. Üretilen filmlerin üç boyutta

yüzey görüntülerini incelemek ve yüzey pürüzlülüklerini belirlemek amacıyla atomik kuvvet

mikroskobu kullanılmıĢtır. Oda sıcaklığında yapılan elektriksel ölçümlerden özdirenç

değerlerinin 101 – 10

4 Ω·cm aralığında değiĢtiği görülmüĢtür.


79

P47

CdO filmlerinin optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri

Zeycan Atiş, İdris Akyüz, ve Ferhunde Atay

Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü

Yüksek elektriksel iletkenliğe sahip olan malzemelerden biri olan CdO filmleri günümüzde

düz ekranlar, güneĢ pilleri, organik LED ve diğer opto-elektronik teknolojilerde önemli yer

tutmaktadır. Bu çalıĢmada CdO yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği

kullanılarak 2255 ˚C taban sıcaklığında ısıtılmıĢ cam tabanlar üzerine çöktürülmüĢtür. Daha

sonra 450 ˚C de 3 saat tavlanan filmlerin tavlamadan önce ve sonraki fiziksel özelliklerindeki

değiĢim incelenmiĢtir. 350–800 nm dalgaboyu aralığında geçirgenlik ve absorbans

spektrumları UV–Visible Spektrofotometre cihazı ile alınmıĢtır. Tüm filmlerin kalınlık,

kırılma indisi ve sönüm katsayısı gibi optik özellikleri Spektroskopik Elipsometri tekniği ile

belirlenmiĢtir. Yüzey morfolojileri ve pürüzlülük değerleri atomik kuvvet mikroskobu

kullanılarak incelenmiĢtir. Ayrıca özdirenç değerlerini belirlemek için dört-uç tekniği

kullanılmıĢtır.


80

P48

Tam-Heusler Co2TiSn ve yarı-Heusler CoTiSn alaĢımlarının manyetik,

elektronik, elastik ve fonon özelliklerinin incelenmesi

A. Candan1, A. İyigör

1, G. Uğur

1, Ş. Uğur

1 ve R. Ellialtıoğlu

2


2Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, Ankara

Ferromanyetik Co2TiSn ve CoTiSn Heusler alaĢımlarının manyetik, elektronik, elastik ve

fonon özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi ve yerel yoğunluk yaklaĢımı kullanılarak

araĢtırıldı. Elde edilen manyetik moment değerleri diğer teorik çalıĢmalarla karĢılaĢtırılarak

oldukça uyumlu olduğu gözlendi. Yarı-Heusler CoTiSn alaĢımının tam-Heusler Co2TiSn

alaĢımına göre daha zayıf ferromanyetik özellikte olduğu bulundu. Spin durumları göz önüne

alınarak hesaplanan elektronik bant yapısı sonuçları literatürdeki diğer çalıĢmalarla

karĢılaĢtırıldı. Yoğunluk fonksiyoneli pertürbasyon teorisi üzerine kurulu lineer-tepki

yaklaĢımında ele alınan alaĢımların fonon yapıları incelendi.

Teşekkür: Bu çalıĢma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel AraĢtırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi ile

desteklenmiĢtir.


81

P49

L21 yapıdaki Fe2CrAl ve C1b yapıdaki FeCrAl alaĢımlarının yapısal, elektronik,

elastik ve fonon özelliklerinin incelenmesi

A. Candan1, A. İyigör

1, G. Uğur

1, Ş. Uğur


2



Bu çalıĢmada, Fe2CrAl (L21) ve FeCrAl (C1b) Heusler alaĢımlarının yapısal, elektronik,

elastik ve titreĢim özelliklerinin belirlenmesinde teorik yöntem olan yoğunluk fonksiyonel

teorisi kullanıldı. Bu teori içindeki değiĢ–tokuĢ korelasyonu fonksiyoneli olarak

genelleĢtirilmiĢ gradiyent yaklaĢımı seçildi. Elde edilen örgü parametreleri kullanılarak her iki

alaĢım için yukarı-spin ve aĢağı-spin durumlardaki elektronik bant yapısı ve durum yoğunluğu

grafikleri çizildi. Ġkinci dereceden elastik sabitleri hesaplanarak daha önceki çalıĢmalarla

kıyaslandı. TitreĢim özelliklerini incelemek için yoğunluk fonksiyoneli perturbasyon teorisi

kullanıldı.


desteklenmiĢtir.


82

P50

Fe2ScAl ve Co2ScAl Heusler alaĢımlarının kübik L21 yapıdaki elastik ve fonon

özelliklerinin teorik olarak incelenmesi

A. İyigör1, A. Candan

1, Ş. Uğur

1, G. Uğur


2



L21 yapısındaki Fe2ScAl ve Co2ScAl Heusler alaĢımlarının elastik ve fonon özellikleri ab-

initio hesaplamalar yardımı ile incelendi. Hesaplamalarda genelleĢtirilmiĢ gradiyent yaklaĢımı

yöntemine göre oluĢturulan değiĢ-tokuĢ korelasyon fonksiyoneli kullanıldı. Hesaplanan

toplam enerji-hacim eğrileri Murnaghan hal denklemine uydurularak alaĢımların örgü sabitleri

ve yığın modülleri hesaplandı. Elastik sabitleri örgüye hacim korunumlu küçük gerilmeler

uygulanarak hesaplandı. Fonon frekansları ve fonon durum yoğunlukları (toplam ve kısmi)

yoğunluk fonksiyoneli pertürbasyon teorisi kullanılarak elde edildi ve yorumlandı.


desteklenmiĢtir.


83

P51

C15b yapıdaki YMgNi4 ve LaMgNi4 üçlü bileĢiklerinin yapısal, elastik ve

elektronik özellikleri

A. İyigör1, A. Candan

1, Ş. Uğur

1, G. Uğur


2



Bu çalıĢmada, yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayalı genelleĢtirilmiĢ gradiyent yaklaĢımı

kullanılarak C15b yapıdaki YMgNi4 ve LaMgNi4 bileĢiklerinin yapısal, elastik, ve elektronik

özellikleri incelendi. BileĢiklerin örgü sabitleri ve yığın modülleri ve ikinci dereceden elastik

sabitleri hesaplandı ve daha önceki çalıĢmalarla karĢılaĢtırıldı. Temel simetri yönleri boyunca

çizdirilen elektronik band yapı grafikleri literatürde yer alan diğer teorik çalıĢmalarla oldukça

uyumlu bulundu.


desteklenmiĢtir.


84

P52

Yarı-metalik Co2CrAl Heusler alaĢımının yapısal, manyetik, elastik, elektronik

ve fonon özelliklerinin incelenmesi

G. Uğur1, A. Candan

1, A. İyigör

1, Ş. Uğur


2



Bu çalıĢmada, kübik yapıda bulunan Co2CrAl Heusler alaĢımı üzerine yoğunluk fonksiyonel

teorisi ve genelleĢtirilmiĢ gradiyent yaklaĢımı kullanılarak manyetik, elastik, elektronik ve

fonon özellikleri için hesaplamalar yapıldı. Yapısal, manyetik ve elastik özellikleri için elde

edilen değerler, daha önceki çalıĢmalarla oldukça uyumlu bulundu. AĢağı ve yukarı spin

durumlar için elde edilen elektronik bant yapısı grafiklerinden bu alaĢımın yarı-metalik

davranıĢ gösterdiği sonucuna varıldı. Lineer-tepki yöntemi kullanılarak temel simetri yönleri

boyunca fonon dağılım eğrileri çizildi. Ayrıca hesaplanan fononlar için toplam ve kısmi

durum yoğunluğu eğrileri elde edilerek yorumlandı.


desteklenmiĢtir.


85

P53

L21 yapıdaki Pd2XAl (X=Co, Fe, Ni, Ti, Cu) Heusler alaĢımlarının yapısal,

elektronik ve elastik özelliklerinin hesaplanması

A. Ekiz1

, Ş. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu

2



Bu çalıĢmada Pd2XAl (X = Co, Fe, Ni, Ti, Cu) Heusler alaĢımlarının yapısal, elastik, ve

elektronik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi ile beraber sanki potansiyel ve

genelleĢtirilmiĢ gradiyent yaklaĢımı kullanılarak araĢtırıldı. Yapısal özellikler içerisinde örgü

sabitleri, yığın modülleri ve yığın modüllerinin basınca göre birinci türevleri hesaplandı ve

literatürde bulunan diğer sonuçlarla karĢılaĢtırıldı. Elastik sabitleri küçük zorlanmalarla elde

edilen enerji değerlerinden bulundu. Elektronik bant yapısı, ile kısmi ve toplam durum

yoğunluğu eğrileri spin-aĢağı ve spin-yukarı durumlar için çizildi. Toplam manyetik moment

Pd2CoAl alaĢımı için 1.82 µB ve Pd2FeAl alaĢımı için 3.20 µB olarak hesaplandı. Diğer

alaĢımların net bir manyetizasyona sahip olmadığı görüldü.

Teşekkür:

Bu çalıĢma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel AraĢtırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiĢtir.


86

P54

ZrO2 bileĢiğinin LDA+U ve GGA+U metoduna bağlı olarak

ilk ilkeler yöntemiyle incelenmesi

A. H. Ergün, Y. Ö. Çiftçi, K. Çolakoğlu, ve E. Deligöz

Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, 06500 Ankara, Türkiye

Bu çalıĢmada, ilk ilkeler yöntemiyle ZrO2 bileĢiğinin yapısal, elektronik, mekanik, ve

titreĢimsel özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisinin Yerel Yoğunluk YaklaĢımı (LDA) ve

GenelleĢtirilmiĢ Yoğunluk YaklaĢımı (GGA) altında incelendi. Ayrıca, yoğunluk fonksiyoneli

teorisinin etkin U parametresine dayanan LDA+U ve GGA+U yaklaĢımları ZrO2 bileĢiğine

uygulandı. Toplam enerji hesabı için “Vienna Ab-initio Simulation Package” (VASP) paket

programının düzlem dalga (PAW) metodu kullanıldı. Malzemenin seçili özelliklerinin etkin U

parametresine bağımlılığı detaylıca çalıĢıldı. Yapı parametreleri Fluorite (C1) yapıda

incelendi. Malzemenin denge geometrik yapısı, toplam ve kısmi durum yoğunlukları, elastik

sabitleri ve fonon dispersiyon eğrileri önceki çalıĢmalar ve deneysel verilerle karĢılaĢtırılarak

incelendi ve analiz edildi.


87

P55

CaF2-tipi PaN2 kristalinin yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özellikleri

A. Tatar1,*

, Y. Çiftçi1, ve S. Aydın

1

1Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Yoğunluk fonksiyoneli çerçevesinde, CaF2-tipi PaN2 kristalinin yapısal, elastik, elektronik ve

termodinamik özellikleri sistematik bir Ģekilde incelendi. Ġlk-prensip hesaplamalarından elde

edilen enerji-hacim veri seti quasi-harmonik Debye modeli içinde iĢlenerek, hacim, bulk

modülü, ısı kapasitesi, termal genleĢme katsayısı, Debye sıcaklığı ve Grüneisen

parametresinin, geniĢ basınç ve sıcaklık aralıklarında, basıncın ve sıcaklığın fonksiyonu

olarak nasıl değiĢtikleri araĢtırıldı. Hesaplanan band yapısı ve durum yoğunluğu eğrilerinden

PaN2‟nin W–L ve W–K aralıklarında Fermi enerjisini kesen bir band‟dan dolayı metalik

karakterde olduğu, ve Fermi seviyesinin hemen üstünde geniĢ bir enerji aralığının meydana

geldiği görüldü.


88

P56

Ab-initio yöntem ile NbIrSn bileĢiğinin elektronik, elastik ve optik özelliklerinin

incelenmesi

B. Koçak, Y. Ö. Çiftçi, ve K. Çolakoğlu

Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Bu çalıĢmada MgAgAs (C1b) kristal yapıdaki yarı iletken NbIrSn bileĢiğinin yapısal,

elektronik, elastik ve optiksel özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab-initio

metot kullanılarak hesaplandı. Yapılan tüm hesaplarda VASP (Vienna Ab-initio Simülasyon

Paketi) paket programı kullanıldı. Foton enerjisine bağlı lineer dielektrik fonksiyonları ile

soğurma katsayısı, kırılma indisi, enerji-kayıp fonksiyonu ve yansıtıcılık gibi önemli optiksel

sabitler hesaplanarak, basınçla değiĢimi incelendi. Elde edilen sonuçların deneysel ve teorik

çalıĢmalarla uyumlu olduğu tespit edildi.


89

P57

PrZn için ilk ilkeler teoriksel çalıĢması

B. S. Lişesivdin, Y. Ö. Çiftçi, ve K. Çolakoğlu

Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye

B2 yapılı PrZn bileĢiğinin yapısal, elastik ve elektronik özellikleri düzlem dalga

pseudopotansiyel metod kullanılarak ilk ilkeler hesaplamalarıyla incelendi. Hesaplanan örgü

sabiti ve bulk modülü diğer deneysel ve teorik çalıĢmalarla uyum içerisinde bulunmuĢtur.

PrZn bileĢiğinin elektronik yapısı ve DOS grafikleri bu bileĢiğin metalik doğasını

doğrulamaktadır. Elastik sabitleri, bulk modülü, shear modülü, yound modülü, poison oranı

gibi elastik özellikler bu bileĢik için incelendi ve Born kararlılık kriterlerini sağladığı görüldü.

Elektron durum yoğunluğu, elektron yük yoğunluğu ve Mulliker populasyon analizi PrZn2 nin

elektronik ve bağlanma davranıĢını tartıĢmak için hesaplandı. Elde edilen sonuçlar deneysel

data ve daha önceki teorik hesaplamalarla kıyaslandı.


90

P58

RuN bileĢiğinin temel fiziksel özeliklerinin ilk ilkeler yöntemiyle incelenmesi

C. Bülbül, Y. Ö. Çiftçi, ve K. Çolakoğlu

Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, Ankara

Bu çalıĢmada yoğunluk fonksiyoneli teorisi içinde genelleĢtirilmiĢ gradyent yaklaĢımı (GGA)

kullanarak RuN bileĢiğinin NaCI(B1), CsCI (B2), Zinc-blende (B3), NiAs(B81), PbO(B10)

and Wc (Bh) kristal yapıları için ilk ilkeler yöntemiyle yapısal, elastik, elektronik ve

termodinamik özellikleri incelendi. Optimize edilmiĢ yapısal parametreler (örgü sabiti, bulk

modülü ve bulk modülünün türevi) teorik çalıĢmalarla uyum içinde bulundu. Ayrıca hacim,

bulk modülü, ısıl genleĢme katsayısı ve ısı kapasitesinin sıcaklık ve basınçla değiĢimi quasi

harmonik debye modeli kullanılarak geniĢ bir aralıkta hesaplandı.


91

P59

CoFe alaĢımının temel fiziksel özelliklerinin teorik çalıĢması

G. Yeniçeri, Y. O. Çiftçi1, K. Çolakoğlu

1, ve E. Deligöz

2

1 Gazi Üniversitesi Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara

2 Aksaray Üniversitesi Fizik Bölümü 68100 Aksaray

Bu çalıĢmada, B2 yapılı CoFe alaĢımının yapısal, elektronik, elastik, termodinamik ve

titreĢimsel özellikleri VASP paket programı kullanılarak teorik olarak incelendi.

Hesaplamalar, yoğunluk fonksiyonel teorisi (YFT) ve genelleĢtirilmiĢ gradyent yaklaĢımı

temel alınarak yapıldı. Özellikle, örgü sabiti, bulk modülü, bulk modülünün birinci türevi,

elastik sabitleri, kesme modülü, Young modülü ve Poisson oranı hesaplandı ve diğer teorik

deneysel sonuçlarla kıyaslandı. Termodinamik özellikler için yarı harmonik debye modeli

kullanıldı.


92

P60

K3As7 bileĢiğinin yapısal ve elastik özellikleri

H.B. Özışık, K. Çolakoğlu, Y. Ö. Çiftçi, E. Deligöz*, G. Sürücü, ve İ. Öner

Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara, Türkiye,

* Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, Aksaray, Türkiye

Ortorombik yapıdaki K3As7 bileĢiğinin yapısal ve elastik özellikleri ab initio yöntemleri

kullanılarak incelendi. Hesaplamalar GGA-PBE yaklaĢımı kullanılarak yapıldı. Örgü sabitleri

hesaplandı ve literatür ile uyum içinde olduğu görüldü. Stres–strain yöntemi kullanılarak

elastik sabitleri hesaplandı ve mekanik olarak kararlı olduğu görüldü. Ayrıca, elastik

özelliklerle ilgili nicelikler (Young modülü, Bulk modülü, Shear modülü, Poisson oranı, ses

hızları, Debye Sıcaklığı, elastik anizotropi ve lineer sıkıĢabilirlik değerleri) hesaplanarak

yorumlandı.


93

P61

Ab-initio yöntemlerle InS bileĢiğinin incelenmesi

İ. Öner1, K. Çolakoğlu

1, H. Özışık

2, ve H. B. Özışık

2

1Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi Teknikokullar, 06500, Ankara

2 Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, Aksaray, Türkiye

Periyodik cetvelin III–VI grubundan InS bileĢiğinin NaCl (B1) ve CsCl (B2) fazlarındaki

yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özellikleri sunulmuĢtur. Tüm hesaplamalarda

Vienna Ab-initio Simülasyon Paketi (VASP) / PAW Metodu / katılar için yeniden

düzenlenmiĢ GenelleĢtirilmiĢ Gradyan YaklaĢımı (PBE_sol) kullanılmıĢtır. Örgü

parametreleri GenelleĢtirilmiĢ Gradyan YaklaĢımı (GGA) ve PBE_sol metotları ile

hesaplanarak deneysel çalıĢmalarla karĢılaĢtırılmıĢtır. Stres–strain yöntemiyle elastik sabitleri

incelendiğinde B1 fazının enerjitik ve mekanik olarak kararlı olduğu ve basınç altında B2

fazına geçiĢ yaptığı gözlenmiĢtir. Elektronik hesaplamalar, B1 fazının bant yapısının metalik

karakter sergilediğini göstermiĢtir. Debye sıcaklığı, enine ve boyuna ses hızları, Young

modülü, Shear modülü, anizotropi sabiti bu çalıĢmada sunulan diğer parametrelerdir. Elde

edilen sonuçların diğer teorik ve deneysel çalıĢmalarla uyum içinde olduğu görülmüĢtür.


94

P62

The ınvestigations of structural, elastic, electronic and thermodynamic

properties in CeTl compound by first-principles

M. Yılmaza , Y. Ö. Çiftçi

a , K. Çolakoğlu

a , ve E. Deligöz

b

aGazi University, Department of Physics, Teknikokullar, 06500, Ankara

bAksaray University, Department of Physics, 68100,Aksaray

Structural, elastic, elektronic and thermodynamic properties of the CeTl were investigated by

means of first–principles plane-wave pseudopotential method within Generalized Gradient

Approximation (GGA). The thermodynamic properties of the considered metalic compound

are obtained through the quasi-harmonic Debye model. In order to gain furter information, the

pressure and temperature-dependent behavior of the volume, bulk modulus, thermal

expansion coefficient, heat capacity, enthalpy, Debye temperature and Grüneisen parameter

are also evaluated wide pressure and temperature range. The results on the basic physical

parameters, such as the lattice constant, bulk modulus, pressure derivative of bulk modulus,

Zener anisotropy factor, Poisson‟s ratio, Young‟s modulus and isotropĢc shear modulus are

presented. The obtained results are in agreement with the available experimental and other

theoretical values.


95

P63

Spin-3/2 Ising modelin çoklu kritik faz diyagramları

G. Sezgin ve N. Seferoğlu

Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, İleri Teknolojiler Anabilim Dalı, 06500 Ankara

Ferromagnetik bilineer etkileĢmeli spin-3/2 Blume-Emery-Griffiths (BEG) modelin manyetik

alan varlığında ve yokluğunda kritik davranıĢları incelendi. Modelin simülasyonu bir cellular

automatonda gerçekleĢtirildi. Hesaplamalar, Creutz algoritmasından elde edilen soğutma

algoritması kullanılarak basit kübik örgüler üzerinde yapıldı. ÇalıĢmada, modelin iki yeni faz

diyagramı oluĢturularak manyetik alan etkisi incelendi. Bununla birlikte, sonlu-örgü

ölçekleme teorisi kullanılarak ikinci derece faz geçiĢleri için statik kritik üsler (, , ) ve alan

kritik üssü () elde edilerek modelin seçilen parametre değerlerinde sahip olduğu evrensellik

sınıfı belirlendi. ÇalıĢmada belirlenen parametre aralığında, çoklu kritik nokta civarında

evrensel Ising model kritik üslerinden farklı üs değerleri tespit edildi.


96

P64

Tek kanal ve çift kanal InGaN/InN çokluyapıların kıyaslanması

G. Atmaca, K. Elibol, G. Karakoç, C. Güneş ve S. B. Lişesivdin

Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500 Ankara

Son yıllarda III-nitrür yarıiletkenlerdeki son geliĢmelerin paralelinde yüksek performanslı

nitrür tabanlı yüksek elektron hareketlilikli transistörler (HEMT) araĢtırmaların odağı haline

gelmiĢtir. Ġndiyum Nitrür tabanlı yarıiletken malzemeler, optik ve mikrodalga uygulamaları

için oldukça ilgi çekici ve gelecek vaad edici bir malzeme sistemleridir. InN tabanlı

HEMT'lerdeki yüksek kritik elektrik alandan dolayı yüksek doyum hızının olması bu tür

malzemelerin çalıĢılmasının ana nedenlerinden biridir. InN ve InGaN arasındaki örgü

uyumsuzluğu nedeniyle yüksek piezoelektrik alanlar ile elde edilen yüksek taĢıyıcı yoğunluğu

aygıt performansını geliĢtirici yönde etkilemektedir. n-tipi InGaN bariyerindeki verici

yoğunluğu iletkenlik bandı süreksizliğinin kontrolünde rol almaktadır. Bu çalıĢmada tek kanal

n-InGaN/InN ve çift kanal n-InGaN/InN/InGaN modülasyon katkılı alan etkili transistörlerin

InGaN bariyerindeki In oranının, bariyer kalınlığının ve InN tabaka kalınlığının değiĢiminin

taĢıyıcı yoğunluğu üzerindeki etkilerini 1 boyutlu kendini eĢleyebilen doğrusal olmayan

Schrödinger–Poisson denklemlerini çözerek modelledik. Ayrıca, tek kanal ve çift kanal InN

tabanlı bu HEMT yapıları için saçılma analizlerine göre kıyaslandı.


97

P65

Voltaja bağlı iyonizasyon hücresinde sistem karakteristiklerinin incelenmesi

H. Yücel Kurt ve A. Yurtseven


Bu çalıĢmada uygulanan voltajın sistem karakteristiklerine etkisi araĢtırılmıĢ ve uygulanan

voltajın etkisi yarıiletken detektördeki iç homojensizlikleri gösteren hem profil hem de

sistemden yayınlanan ıĢık emisyonunu kullanarak analiz edilmiĢtir.


98

P66

Tek ve çift tabakalı grafen alan etkili transistörlerin (GFET)

akım–gerilim (I/V) performansı

K. Elibol1, G. Atmaca

1, E. Özbay

2,3 ve S. B. Lişesivdin

1


2Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi-NANOTAM, Bilkent, 06800, Ankara

3Fizik ve Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü, Bilkent Üniversitesi, Bilkent, 06800, Ankara

Karbon atomlarının düzlemsel tek katmanından oluĢan grafenin üstün elektronik ve mekanik

özellikleri, grafen çalıĢmalarını oldukça artırmıĢtır [1]. Son zamanlarda çift tabakalı grafenin

de aygıtlarda üstün performans sergilediği gösterilmiĢtir. Ġki tabaka olması nedeniyle az da

olsa bir band aralığına sahip olduğu için çift katmanlı grafen kullanılarak üretilen aygıtlar tek

katman grafene göre daha iyi kontrol edilebilir. Bu çalıĢmada, Adam ve arkadaĢlarının [2]

geliĢtirdiği kendini eĢleyebilen (self-consistent) iletim modeli kullanılarak elde edilen

iletkenlikten yararlanarak ve tek ve çift tabakalı grafen alan etkili transistörler için kendini

eĢleyebilen akım gerilim hesaplamaları yapılmıĢtır. Kanal uzunluğu, kanal geniĢliği ve ikinci

katmanın aygıt performansına etkisi incelenmiĢtir. Ayrıca, minimum iletim düzlüklerinin

geniĢliğinin iletime etkisi araĢtırılmıĢtır. Yüksek safsızlık yoğunluklarında tek ve çift tabakalı

grafende minimum iletim düzlüklerinin geniĢliğinin arttığı ve iletimin azaldığı gözlenmiĢtir.

Farklı safsızlık yoğunluklarında akım gerilim transfer karakteristikleri hesaplanmıĢtır.

Referanslar

[1] Frank Schwierz, Graphene transistors, Nature Nanotechnology 5, 487 (2010).

[2] S. Adam et. al., A self-consistent theory for graphene transport, PNAS, 104, 18392 (2007).


99

P67

Epitaksiyel grafende Hall ve zayıf antilokalizasyon ölçümleri

K. Elibol1, G. Atmaca

1, S. Bütün

2,3, S. B. Lişesivdin

1 ve E. Özbay

2,3


2Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi-NANOTAM, Bilkent, 06800, Ankara

3Fizik ve Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü, Bilkent Üniversitesi, Bilkent, 06800, Ankara

Karbon atomlarının iki boyutlu bir hegzagonal örgü dizilimden oluĢan grafen, yüksek taĢıyıcı

devingenliği ve kararlı yapısıyla elektronik aygıtlar için avantajlar sunar. Epitaksiyel grafen

büyütme, geniĢ alanlar üzerine aygıt üretmek için kolaylık sağlar. Bu çalıĢmada, SiC üzerine

epitaksiyel büyütülen grafen numuneleri için Hall ölçümleri Van der Pauw yöntemi ile

yapılmıĢtır. Epitaksiyel grafen numuneleri için öncelikle karanlık ve aydınlık Hall ölçümleri

yapıldı. Aydınlık Hall ölçümlerinde, 450 nm ile 485 nm arasında dalga boyuna sahip bir mavi

LED kullanılmıĢtır. Bu ölçümde, 300 K‟den 30 K‟e inildikten sonra 30 dakika boyunca ıĢık

verildi. Daha sonra ıĢık kapatılarak 30 K‟den 300 K‟e çıkarken ölçümler yapılmıĢtır. Aydınlık

ölçümlerde, düĢük sıcaklıklarda devingenlik ve taĢıyıcı yoğunluğunda önemli bir azalma

olmuĢtur. Sıcaklık 200 K civarına geldiğinde ise devingenlik ve taĢıyıcı yoğunluğu karanlık

ölçüm değerlerine ulaĢmıĢtır. Epitaksiyel grafen numuneleri için elde edilen taĢıyıcı

yoğunluğu, devingenlik ve iletkenlik sonuçları, benzer karakteristiğin gözlenip

gözlenmediğini görmek amacıyla GaN tabanlı bir HEMT yapısı ile son derece iyi yönelmiĢ

pirolitik grafitin (HOPG) karanlık ve aydınlık Hall ölçümleri ile karĢılaĢtırılmıĢtır. Zayıf

antilokalizasyon ölçümleri düĢük sıcaklıklarda -0.05 T ile 0.05 T arasında 0.001 T adımlarla

değiĢen magnetik alanlarda yapılmıĢtır. Elde edilen taĢıyıcı yoğunluğu, devingenlik ve

magnetoiletkenlik sonuçları incelenmiĢtir.


100

P68

Au/TiO2/nSi/Au yapıların parametrelerinin incelenmesi

M. Sel ve M. Özer

Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, Ankara

Metal–yarıiletken (MS) kontakların son yıllarda elektronik ve optoelektronik sanayinde

oldukça fazla miktarda kullanılır hale gelmesi araĢtırıcıları bu yapıları farklı yarıiletkenler ve

materyallerle oluĢturulmaya ve parametreleri kararlı, tekrarlanabilir, performansı daha iyi

yapılar olması yönünde araĢtırmalar yapmaya yöneltmiĢtir. MS yapıları hazırlama yöntemleri

ve Ģartları genellikle arayüzey durumlarının oluĢmasına sebep olmakta bunlar da elektronik

özellikleri ve parametreleri önemli ölçüde etkilemektdir. Burada sunulan çalıĢmada, nSi

yarıiletkenin mat yüzeyinde Au ile omik kontak ve parlak yüzeyi üzerinde ise önce püskürtme

metodu ile TiO2 ince film ve onun üzerinde ise vakumda metal buharlaĢtırma metoduyla Au

kullanılarak Schottky engeli oluĢturuldu. Akım–gerilim (I–V) ve sığa–gerilim (C–V)

ölçümlerinden elde edilen verilerle yapılan hesaplardan yapının parametreleri belirlendi.

Teşekkür: Bu çalıĢmayı destekleyen Gazi Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri (BAP 05/2011-39) ve

numuneleri hazırlayan Gazi Üniversitesi Yarıiletken Teknolojileri Ġleri AraĢtırma Labratuvarı Grubuna teĢekkür

ederiz.


101

P69

GaAs1-xNx epitaksiyel tabakaların büyütülmesi ve karakterizasyonu

N. Musayeva1, R. Jabbarov

1, S. Abdullayeva

1, S. Ş. Çetin

2,

S. Özçelik2, T. Memmedli

2, G. Attolini

3, M. Bosi

3 ve B. Clerjaud

4

1Fizik Enstitüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü, Azerbaycan


3IMEM, CNR, Parma, İtalya

4Nanobilim Enstitüsü, Pierre et Marie Curie Üniversitesi, Paris, Fransa

GaAs ve Ge alttaĢlar üzerine metal organik buhar faz büyütme (MOVPE) tekniği ile

büyütülen GaAs1-xNx (x~%1.0-2.1) üçlü alaĢımlarının Raman saçılması ve fotolüminesans

(PL) özellikleri incelendi. Yatay reaktörde kaynak olarak Trimetilgalyum (TMGa), AsH3 ve

Dimetilhidrazin (DMHy) kullanıldı. Numuneler DMHy ve diğer kaynaklar arasındaki molar

oran değiĢtirilerek atmosferik basınçta ve 500 C sıcaklıkta büyütüldü. Büyütülen seyreltik

GaAsN yapısında azotun varlığı, Raman saçılması spektrumunda yaklaĢık 470 cm–1

de azot

titreĢim modunun gözlenmesi ile tespit edildi. 500 cm–1

ve 600 cm–1

arasında TO ve LO

benzeri ikinci dereceden zayıf Raman pikleri gözlendi. Büyütülen numunelerin PL özellikleri

incelendi. GaAs1-xNx yapısının 77 K‟de PL pik enerjisi 1.15 eV gözlenirken, yüksek

çözünürlüklü X-ıĢını kırınımı (HRXRD) tekniği ile analizi sonucu N içeriği (x) % 2.1

bulundu. Ge üzerine büyütülen numunelerin PL spektrumu GaAs alttaĢ üzerine büyütülen

numunelerden ölçüm sıcaklığı artıkça çok daha fazla geniĢlediği gözlendi. Ayrıca

numunelerin bazı optik parametreleri spektroskopik elipsometre ölçümleri ile belirlendi.

Teşekkür: Bu çalıĢma CBP.EAP.CLG 983724 nolu, “Diluted Nitrides for Tandem Solar cells” isimli proje ile

NATO tarafından desteklenmiĢtir.


102

P70

Si üzerine MOVPE tekniği ile büyütülen GaInPN alaĢımlarının yapısal ve optik

karakterizasyonu

N. Musayeva1, G. Attolini

2, M. Bosi

2, B. Clerjaud

3, R. Jabbarov

1, S. Ş. Çetin

4, S. Özçelik

4

ve T. Memmedli4

1Fizik Enstitüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü, Azerbaycan

2IMEM, CNR, Parma, İtalya

3 Nanobilim Enstitüsü, Pierre et Marie Curie Üniversitesi, Paris, Fransa


InGaPN epitaksiyel tabakalarının Si alttaĢlar üzerine büyütülmesi; dimetilhidrazin,

trimetilgalyum, trimetilindiyum ve fosfin kaynakları ile metal organik buhar faz büyütme

(MOVPE) tekniği kullanılarak yapıldı. Silisyum yüzey üzerine, çoklu-bağlanma ve anti faz

oluĢumları kaynaklı arayüzey problemlerini azaltmak amacıyla çok ince bir GaP tampon

tabaka büyütüldü. Tabakalar 46 Torr basınçta ve 630 C alttaĢ sıcaklığında hazırlandı. X-ıĢını

kırınımı deneyleri, tabakaların örgü sabitlerini ve alttaĢ ile örgü uyumsuzluklarını

değerlendirmek için kullanıldı. Taramalı elektron mikroskobu (TEM), tabakaların yapısal

özelliklerini değerlendirmek ve kusurların varlığını değerlendirmek için kullanıldı.

Numuneler fotolüminesans ve Raman saçılması ile karakterize edildi. Ortalama yüzey

pürüzlülüğü, atomik kuvvet mikroskopu ile 20-30 nm olarak bulundu.

Teşekkür: Bu çalıĢma CBP.EAP.CLG 983724 nolu, “Diluted Nitrides for Tandem Solar cells” isimli proje ile

NATO tarafından desteklenmiĢtir.


103

P71

çinko oksit yapılarının optik ve yapısal özelliklerine film kalınlığının etkisinin

incelenmesi

S. Ş. Çetin, T. Asar, Y. Özen, G. Kurtuluş, T. Memmedli ve S. Özçelik


RF magnetron püskürtme tekniği kullanılarak, farklı kalınlıklara sahip üç tane ZnO yapısının

cam alttaĢ üzerine 200 C sıcaklıkta kaplandı. Numunelerin kristalografik yapısı X-ıĢını

kırınımı (XRD) tekniği ile incelendi. Soğurma katsayısı ve film kalınlıkları UV–Vis

spektrometresi ile elde edilen geçirgenlik spektrumu kullanılarak hesaplandı. Kırılma indisi

(n) ve sönüm katsayısı (k) gibi optik sabitler geçirgenlik spektrumundan belirlendi. Ayrıca

ZnO yapılarının oda sıcaklığı fotolüminesans (PL) ve UV–Vis ölçümleri sonucu emisyon pik

enerji pozisyonları karĢılaĢtırmalı olarak incelendi. Film kalınlığının optik ve yapısal

özellikler üzerine etkisi tartıĢıldı.

Teşekkür: Bu çalıĢma 2011K120290 nolu proje ile DPT tarafından desteklenmiĢtir.


104

P72

MBE tekniği ile büyütülen GaxIn1-xP/GaAs alaĢımlarının kritik nokta

enerjilerinin spektroskopik elipsometre ile incelenmesi

S. Ş. Çetin1, B. Kınacı

1, E. Pişkin

1, H. İ. Efkere

2, T. Memmedli

1 ve S. Özçelik

1


2Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Kayseri

Katı kaynaklı moleküler demet büyütme (MBE) tekniği kullanılarak, farklı kompozisyonlara

sahip GaInP yarıiletken alaĢımları GaAs alttaĢ üzerine büyütüldü. Yüksek çözünürlüklü X-

ıĢını kırınım desenlerine LEPTOS yazılımı kullanılarak simülasyon yapılması ile numunelerin

alaĢım oranı (x) belirlendi. Ayrıca, oda sıcaklığı fotolüminesans (PL) ölçümleri sonucu elde

edilen emisyon pik enerji pozisyonları alaĢım oranına bağlı olarak incelendi. GaInP

yapılarının bantlararası-geçiĢ kenarlarının kritik nokta enerjileri (0E ,

0 0E , 1E ve

1 1E ),

0.7–4.7 eV aralığında spektroskopik elipsometre (SE) ölçümleri ile belirlendi. Bu amaçla

dielektrik fonksiyonunun reel kısmının ikinci türev spektrumları “standart kritik nokta çizgi-

Ģekli” eĢitliklerine en küçük kareler yöntemi ile fit edilerek, galyum kompozisyonuna göre

kritik nokta enerji değerlerinin değiĢimi incelendi.

Teşekkür: Bu çalıĢma 2011K120290 nolu proje ile DPT ve 05/2010-34 nolu proje ile BAP tarafından

desteklenmiĢtir.


105

P73

Üçlü ZnSnAs2 yarıiletken bileĢiğinin elektronik, termodinamik ve optik

özelliklerinin ab inito metot ile hesaplanması

S. Şahin1, Y. Ö. Çiftci

1*, K. Çolakoğlu

1, S. Aydın

1, E. Deligöz

2

1Gazi Üniversitesi, Fizik bölümü, Teknikokullar,06500, Ankara, Türkiye

2Aksaray Üniversite,

68100, Aksaray, Türkiye

Üçlü ZnSnAs2 kalkopirit yarıiletken bileĢiğin elektronik, termodinamik ve optik özellikleri

düzlem-dalga psödo potansiyeli metodu yerel yoğunluk fonksiyonu yaklaĢımı kapsamında ilk

prensip (ab inito) hesaplamaları yapılarak incelendi. Bu hesaplardan elde edilen bilgilerle

bileĢiğin örgü sabitleri, sertliği, bulk modülü, bulk modülünün basınca göre birinci dereceden

türevi, Zener anizotropi faktörü, Poisson oranı, Young modülü ve izotropik shear(kayma)

modülü gibi fiziksel parametreleri hesaplandı. Yarıiletkenlerin termodinamik özelliklerinin

bulunmasında kullanılan yarı-harmonik Debye modeli termodinamik özelliklerinin

hesaplanmasında kullanıldı. Hacmin sıcaklığa ve basınca bağlı davranıĢı, lineer genleĢme

katsayısı, ısı kapasitesi, oluĢum enerjisi, Debye sıcaklığı ve Grüneisen parametresi 0–80 GPa

basıncında ve 0–1000 K sıcaklık aralığında hesaplandı. ZnSnAs2„nın optik özellikleri

dielektrik fonksiyonunu kırılma indisi, sönüm katsayısı, soğrulma katsayısı, optik yansıma ve

elektron enerjisi kayıp spektrumu 0–25 eV enerji aralığında nasıl değiĢtiği incelendi. Elde

edilen sonuçlar mevcut deneysel ve teorik sonuçlarla karĢılaĢtırıldı.


106

P74

Bazı nadir toprak elementi hexaboritlerin (REB6, RE=La ve Pr) bağlanma ve

sertlik karakteristiklerinin ilk-prensipler yoluyla incelenmesi

S. Aydın1,*

, Y. Çiftçi1, A. Tatar

1


(REB6, RE=La ve Pr) nadir toprak elementi hexaboritlerinin yapısal, elektronik ve elastik

özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisi kapsamında, değiĢ-tokuĢ korelasyon fonksiyoneli

için genelleĢtirilmiĢ gradyent yaklaĢımı (GGA) seçilerek, ultrasoft pseudopotansiyeller

kullanılarak incelendi. Polikristal yaklaĢımı altında, hesaplanan elastik sabitler yardımıyla,

Bulk modülü, Young modülü ve makaslama modülü gibi mekanik özellikler belirlendi.

Kristallerin bağlanma karakteristikleri incelenerek, mikrosertliklerinin doğası araĢtırıldı.


107

P75

Pt2CoAl ve Pt2FeAl Heusler alaĢımlarının yapısal, manyetik, elektronik ve

elastik özellikleri

Ş. Uğur1, A. Ekiz


2



Kübik L21 yapıdaki Pt2CoAl ve Pt2FeAl Heusler alaĢımlarının yapısal, manyetik, elektronik

ve elastik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında genelleĢtirilmiĢ gradiyent

yaklaĢımı kullanılarak incelendi. AlaĢımların örgü sabitleri, ikinci dereceden elastik sabitleri

ve toplam manyetik momentleri hesaplanarak diğer çalıĢmalarla karĢılaĢtırıldı. Temel simetri

yönleri boyunca elektronik bant yapısı, ile kısmi ve toplam durum yoğunluğu eğrileri aĢağı-

spin ve yukarı-spin durumlar için çizildi.


desteklenmiĢtir.


108

P76

CaCd bileĢiğinin yapısal, elektronik, elastik ve termodinamik özelliklerinin

ab-initio yöntemi ile incelenmesi

T. Öztürk1, Y. Çiftci

1, K. Çolakoğlu

1, ve E. Deligöz

2

1Gazi Üniversitesi, Ankara ,Türkiye,

2AksarayÜniversitesi,Ankara, Türkiye,

CaCd bileĢiğinin yapısal, elektronik, elastik ve termodinamik özellikleri genelleĢtirilmiĢ

gradyent yaklaĢımı (GGA) ve yerel yoğunluk yaklaĢımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyonel

teorisi ve düzlem dalga pseudo-potansiyeli teorisine dayanan ab initio metodla incelendi. Yapı

parametresini incelemek için CsCl (B2) ve NaTl (B32) gibi iki farklı yapı kullanıldı. CaCd‟un

termodinamik özelliklerini incelenmek için quasi-harmonik debye modeli uygulandı. CaCd

bileĢiğinin her iki fazı içinde örgü parametreleri, bant yapıları ve durum yoğunluğu eğrileri,

elastik sabitleri, Debye sıcaklıkları, erime sıcaklıkları, ses hızları, Zener anizotropi faktörü,

Young ve izotropik Shear modülleri, Poisson oranları hesaplandı. Ayrıca, termodinamik

özelliklerin basınçla ve sıcaklıkla değiĢimi incelendi. Elde edilen sonuçlar mevcut deneysel ve

teorik sonuçlarla karĢılaĢtırıldı. Kullandığımız metodun bileĢiklerin özelliklerini oldukça

doğru bir Ģekilde tahmin ettiği görüldü.


109

P77

ZnO/p-Si GüneĢ Hücrelerinin Fabrikasyonu

T. Asar, B. Kınacı, K. Kızılkaya, Y. Özen, T. Memmedli ve S. Özçelik


Bu çalıĢma kapsamında; fotovoltaik özelliklerini değerlendirmek amacıyla dört adet ZnO ince

film RF magnetron püskürtme yöntemi ile p-tipi Si (100) tek-kristali üzerine kaplandı. Bütün

ZnO ince filmler 200 oC‟de, 1000 Å kalınlığında kaplanmıĢtır. Numunelerden biri sadece ZnO

hedefi kullanılarak oluĢturuldu; diğer üç numune farklı O2/Ar oranlarındaki (10/90, 20/80,

30/70) oksijen varlığında reaktif yöntemle elde edildi. Numunelerin yüzey morfolojisi atomik

kuvvet mikroskopu (AFM) ile incelendi. 1×1 cm2 boyutlarındaki örnekler kullanılarak güneĢ

hücresi fabrikasyonu yapıldı. Hücrelerin oda sıcaklığında, karanlık ve ıĢık altındaki akım -

gerilim (I–V) ölçümleri alındı. I–V verileri kullanılarak, kısa devre akımı (Isc), açık devre

gerilimi (Voc), dolum faktörü (FF), enerji dönüĢüm verimi () gibi güneĢ hücresi çıktı

parametreleri hesaplandı. Doğal n-tipi özelliğe sahip ZnO filmlerinin p-Si üzerine

büyütülmesi ile fotovoltaik etki oluĢtuğu belirlendi.

Teşekkür : Bu çalıĢma 2011K120290 nolu proje ile DPT tarafından desteklenmiĢtir.


110

P78

GaAs güneĢ hücrelerin farklı fabrikasyonlarının hücre verimine etkisi

T. Asar1, S. Ş. Çetin

1, G. Kurtuluş

1, E. Pişkin

1, H. İ. Efkere

2,

T. Memmedli1 ve S. Özçelik

1

1Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara, Türkiye

2Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Kayseri, Türkiye

Bu çalıĢmada; fabrikasyon adımlarındaki değiĢimin, GaAs güneĢ hücresinin elektriksel

parametrelerine (kısa devre akımı (Isc), açık devre gerilimi (Voc), dolum faktörü (FF), enerji

dönüĢüm verimi ()) etkileri incelendi. GaAs güneĢ hücre yapısı, katı kaynaklı moleküler

demet büyütme (SSMBE) tekniği kullanılarak, n-tip, (100) yönelimli, 625 µm kalınlıklı, 3”

GaAs alttaĢ üzerine, sırasıyla, 1m n-tip GaAs tampon ve 2,5 m p-tip GaAs tabaka olarak

büyütülmüĢtür. 1×1 cm2 boyutlarındaki örneklere GüneĢ hücresi fabrikasyonu yapıldı. Ġki

farklı metalizasyon yöntemi kullanılarak, güneĢ hücresinin çıktı parametrelerindeki

değiĢiklikler incelendi. Ön dairesel nokta kontaklar her iki hücre için aynı yöntemle

gerçekleĢtirildi. Numunelerin arka kontak metalizasyon iĢlemlerinden biri, ön yüzeyin belli

bir kısmının 4 m aĢındırılmasının ardından, aĢındırılan kısma; diğeri ise numunenin arka

yüzeyinin tamamına yapıldı. Fabrikasyonları tamamlanan numunelerin oda sıcaklığında,

karanlık ve ıĢık altındaki akım – gerilim (I–V) ölçümleri alındı. Ölçümler sonucunda elde

edilen verilere ait I–V grafikleri çizilerek, güneĢ hücresi çıktı parametreleri hesaplandı. Elde

edilen verilere bakıldığında, ön taraftan yapılan arka kontak metalizasyon iĢlemli hücrede

enerji dönüĢüm veriminin () daha yüksek olduğu görüldü.

Teşekkür : Bu çalıĢma 110T333 nolu proje ile TÜBĠTAK tarafından desteklenmiĢtir.


111

P79

Yüksek basınç altında UC2 kristalinin yapısal, elektronik ve elastik özelliklerinin

yoğunluk fonksiyoneli teorisi ile incelenmesi

Y. Ö. Çiftçi, A. Tatar, ve S. Aydın


CaC2-tipi UC2 kristalinin 0–17 GPa basınç aralığında yapısal, elektronik ve mekanik

özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisini temel alan ilk-prensip hesaplamaları yapılarak

araĢtırıldı. Öncelikle 0 GPa‟daki yapının elektronik özellikleri, bağlanma karakteristikleri,

elastik özellikleri ve bunlara bağlı olarak bulk modülü, makaslama modülü gibi mekanik

özellikleri incelendi, sertliği hesaplandı. Yapı üzerine 0–17 GPa aralığında hidrostatik basınç

uygulanarak, incelenen bu özelliklerin basınçla nasıl değiĢtikleri araĢtırıldı.


112

P80

% 0.2 Bor katkılı ZnO ince filmlerin elektriksel ve optik özelliklerinin

incelenmesi

G. Babür1, G. Çankaya

2 , U. Kölemen

1

1Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 60240 Tokat, TÜRKİYE

2Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi

Malzeme Mühendisliği 06030 Ankara, TÜRKİYE

Çinko oksit (ZnO) yasak band aralığı yaklaĢık 3.3 eV olan ve elektromanyetik spektrumun

geniĢ bir aralığında yüksek geçirgenliğe sahip bir malzemedir. Uygun katkı malzemeleri

kullanarak optik, yapısal ve elektriksel özelliklerini iyileĢtirmek mümkündür. Çinko oksit

ucuzluğu, sağlığa zararlı olmaması ve diğer Ģeffaf iletken malzemelere alternatif olma

özelliklerinden dolayı son yıllarda yaygın olarak çalıĢılmaktadır. Katkılı ve katkısız ZnO

filmler farklı metotlarla hazırlanmaktadır. Bunların arasında sol–jel metodu geniĢ yüzeylere

ucuz bir maliyetle kolay uygulanabilirliği ve film kompozisyonunun kontrolünün kolaylığı

sebebiyle tercih edilmektedir. Bu çalıĢmada, ince film üretim tekniklerinden biri olan sol–gel

spin coating tekniği kullanılarak % 0.2 Bor (B) katkılı ZnO ince filmi elde edilmiĢ olup,

filmin optik ve elektriksel özellikleri incelenmiĢtir. Bunun yanında, B konsantrasyonu ve

tavlama sıcaklığı için taĢıyıcıdan gelen B difüzyonunun etkisi de analiz edilmiĢtir.

Teşekkür: Bu çalıĢma, GaziosmanpaĢa Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri BaĢkanlığı tarafından (Proje

No: 2011/37) desteklenmiĢtir.


113

P81

Farklı Se–Te katkı oranlarının (x=0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0,8, 1.0) CuIn0.7Ga0.3Se2–xTex

ince filmlerinin morfolojik ve optik özellikleri üzerine etkisi

S. Fiat1, P. Koralli

2 , İ. Polat

3 , E. Bacaksız

3, G. Çankaya

4 ve M. Kompitsas

5

1Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 60240 Tokat, Türkiye

2School of Mechanical Engineering, National Technical University of Athens, Iroon

Polytechniou 9 Zografu, 15780 Atina, Greece 3Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 61080 Trabzon,

Türkiye 4Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Malzeme

Mühendisliği, 06030 Ankara 5National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical Chemistry

Institute, 11635 Atina, Greece

Son zamanlarda ince filmler bilim ve teknolojinin geliĢiminde çok önemli roller

oynamaktadırlar. Ġnce filmler farklı birçok malzeme üzerine nano veya mikro boyutlarda

kaplanarak, malzemelerin optik, mekanik ve elektriksel özeliklerini arttırabilmektedirler.

Özellikle kalkopirit yapılı ve I–III–VI2 yarıiletken ince filmler baĢta fotovoltaik uygulamalar

olmak üzere birçok alanda yaygın bir Ģekilde kullanılmaktadır. Periyodik tablonun I., III. ve

VI. Grup elementlerin üçünün ya da daha fazlasının bir araya gelmesi ile oluĢan bu bileĢik

yarıiletkenlerinin soğurum katsayıları (α = 104 – 10

5 cm

–1) yüksek olup; bakır, indiyum ve

selenyumdan yapılan üçlü bileĢik yarı-iletkenle baĢlayan bu grup CIS güneĢ pilleri olarak

isimlendirilir. Bu tür yapılarda ilk üretilen güneĢ pillerindeki soğurucu tabaka CuInSe2 yapısı

olmuĢtur. Daha sonra farklı elementler katkılanarak verim artırma çalıĢmaları yapılmıĢtır ve

Ģuanda en çok ilgi gören yapılar Ga katkılı Cu(InGa)Se2 (CIGS) dörtlü yapılar olmuĢtur.

Bizim çalıĢmamız ise bu yapıya Te katkılayarak (x = 0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0,8, 1.0); Se ve Te

oranlarını değiĢtirmek suretiyle optik ve yüzey özelliklerini iyileĢtirmektir. Buna istinaden

farklı oranlarda katkıladığımız Se ve Te miktarlarının filmlerin kalınlık, kırılma indisi, sönüm

katsayısı, ve band aralığı üzerine etkisi incelenmiĢ olup, AFM ile nano boyutta yüzey haritası

görüntülenmiĢtir.

http://tr.wikipedia.org/wiki/Nanometre


114

P82

Kuantum noktalarda ‟ de spin droplet oluĢumu

H. Atcı 1,2,3

, E. Räsänen 2, U. Erkarslan

1, ve A. Sıddıki

3,4

1

Muğla Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 48170-Kötekli-Muğla, Türkiye 2Jyväskylä Üniversitesi, Nano Bilim Merkezi, Fizik Bölümü, FI-40014-Jyväskylä, Finlandiya

3 İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 34134-Vezneciler-İstanbul, Türkiye

4 Harvard Üniversitesi, Fizik Bölümü, MA-02138-Cambridge, ABD

Kuantum noktalarda doldurma faktörü 5/2 durumu, doldurma faktörü 2 olan spinlerin

çiftlenmiĢ olduğu tam dolu en düĢük Landau seviyesi (0LL) ve spin droplet yardımıyla

açıklanan doldurma faktörü 1/2 spin-polarize yarım dolu bir sonraki Landau seviyesinin

(1LL) karıĢımını içerir. Spin droplet oluĢumu, kollektif etkileĢen elektronlar olgusudur ve

kuantum noktalarda toplam elektron sayısı yeterince fazla olduğunda meydana gelmektedir.

Bu çalıĢmada, iki boyutlu yarı iletken kuantum noktalar doldurma faktörü 2/52 v

aralığında nümerik çok elektron metotları kullanılarak spin droplet oluĢumu incelenmiĢtir.


115

P83

c-Si/a-Si:H heteroeklemlerinin üretilmesi ve optoelektronik özelliklerinin

incelenmesi

G. Başer ve A. Bacıoğlu

Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe, 06800, Ankara.

PECVD sisteminde, silan (SiH4) gazının RF plazması kullanılarak, hidrojenlendirilmiĢ amorf silisyum

(a-Si:H) ve silan-azot karıĢımının plazması kullanarak hidrojenlendirilmiĢ amorf silisyum-azot alaĢımı

(a-SiNx:H) ince filmler Corning 7059 alttaĢlar üzerine büyütülerek, optik ve elektriksel

karakterizasyonları yapılmıĢtır. Daha sonra, a-Si:H ve a-SiNx:H tek katman örneklerin p tipi kristal

silisyum alttaĢ üzerine büyütülmesiyle c-Si/a-Si:H heteroeklemleri üretilmiĢtir. a-Si:H ince filmler,

PECVD sisteminde, vakum odası basıncı 200 mTorr, SiH4 gaz akıĢ hızı 10 sccm ve alttaĢ sıcaklığı 300

°C değerlerinde sabit tutularak, RF güç yoğunluğu 16±3 mW/cm2 ile 31±3 mW/cm

2 arasında

değiĢtirilerek üretilmiĢtir. Elektriksel ve optik özellikleri, sıcaklığa bağlı karanlık iletkenlik, optik

geçirgenlik ve sabit fotoakım yöntemi (CPM) deneyleri ile incelenen bu örneklerin en düĢük kopuk

bağ yoğunluğuna sahip hazırlama koĢulları hidrojenlendirilmiĢ amorf silisyum-azot (a-SiNx:H) ince

filmlerin üretiminde temel alınmıĢtır. Aynı hazırlama koĢulları kullanılan a-SiNx:H ince filmlerde,

reaktöre giren gaz akıĢ oranı r (=FN2/( FN2+ FSiH4)), 0,09 ile 0,50 arasında ayarlanarak değiĢtirilmiĢtir.

Tüm a-SiNx:H filmlerin karakterizasyonunda da optik geçirgenlik, sıcaklığa bağlı karanlık iletkenlik

ve sabit fotoakım yöntemi (CPM) ölçüleri kullanılmıĢtır. DüĢük kopuk bağ kusur yoğunluğuna ve

yüksek iletkenliğe sahip a-SiNx:H örneğin hazırlama koĢulları c-Si/a-SiNx:H ve c-Si/a-Si:H/a-SiNx:H

yapıdaki heteroeklemlerin üretiminde kullanılmıĢtır.

Heteroeklem üretiminde kullanılacak katmanların karakterizasyonundan sonra, temizliği ve alt kontağı

atılan p tipi kristal silisyum alttaĢ üzerine ~10 nm kalınlığında a-SiNx:H tek-katman, RF plazma

biriktirme sisteminde büyütülmüĢtür. Ġnce film üretildikten sonra ısıl buharlaĢtırma sisteminde üst

kontaklar atılmıĢtır. Karanlık ve aydınlatma altında J–V ölçümleri yapılmıĢtır. Karanlık J–V

eğrisinden p tipi kristal silisyum üzerine büyütülen a-SiNx:H katmanın n tipi gibi davranıĢ sergilediği,

üretilen aygıtın bir p–n eklem gibi karanlık J–V eğrisi verdiği gözlenmiĢtir. Karanlık J–V

ölçümlerinden, seri direnç RS = 650 Ω ve paralel direnç RP = 46 kΩ olarak hesaplanmıĢtır. ġiddeti 80

mW/cm2 olan kuartz halojen lamba aydınlatması altında alınan J–V verisinden ise açık devre gerilim

(Vad), kısa devre akım yoğunluğu (Jkd),doluluk oranı (FF) ve verim, sırasıyla, 0,40 V, 0,50 mA/cm2,

%7,1, ve %0,1 olarak hesaplanmıĢtır. DıĢ toplama verimliliği (external collection efficiency-ECE) ve

tayfsal duyarlılık (spectral response-SR) ölçümleri yapılmıĢtır. 600 nm–700 nm dalgaboyu aralığında

kuantum verimliliğinin en büyük değer olan 0,002 ve SR ise 750 nm civarında en büyük değeri olan

1,2 mA/W‟a ulaĢmıĢtır. c-Si/a-SiNx:H heteroeklemlerine, farklı kalınlıklarda a-Si:H katman eklenerek

c-Si/a-Si:H/a-SiNx:H heteroeklemler üretilmiĢtir. 200 nm, 300 nm ve 500 nm a-Si:H katman

kalınlığına sahip bu heteroeklemlerin karakterizasyonu için J–V eğrileri, ECE, SR eğrilerinden

yararlanılmıĢtır. En büyük Vad ve Jkd değerleri, 500 nm i-tabaka kalınlığına sahip örnekte, 0,42 V ve

0,34 mA/cm2 olarak ölçülmüĢtür. En büyük verim ise yine aynı örnekte %0,04 olarak hesaplanmıĢtır.


116

P84

Görünür bölge dielektrik aynalar

G. Gündoğdu ve Ö. D. Coşkun

Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara, Türkiye

Bu çalıĢmada yüksek indisli malzeme olarak TiO2, düĢük indisli malzeme olarak da SiO2 ince

filmler kullanılarak elektromagnetik spektrumun görünür bölgesi ve yakın IR bölgesi için

dielektrik aynalar tasarlanmıĢ, tasarlanmıĢ olan dielektrik aynalardan bir kaçı Hacettepe

Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ġnce Film Hazırlama ve Karakterizasyon

Laboratuvarı‟nda bulunan RF magnetron kopartma sistemi kullanılarak hazırlanmıĢtır.

Öncelikle bireysel film malzemeleri hazırlanarak optik karakterizasyonları yapılmıĢtır. Her iki

malzeme içinde uygun çalıĢma koĢulları belirlenmiĢtir. HazırlanmıĢ olan filmlerin 350-1100

nm dalga boyu aralığında s ve p polarizasyon optik geçirgenlik ve optik yansıtma ölçümleri

laboratuvarımızda buluna nkd-8000e Aquila spektrofotometre kullanılarak alınmıĢtır.

HazırlanmıĢ olan filmlerin enerji band aralıkları hesaplanmıĢtır. Matlab ve TFC optik tasarım

programı kullanılarak, görünür bölge için λ/4 kalınlıklı katmanlardan oluĢan optik kaplamalar

tasarlanmıĢtır. ġekil 1 ve ġekil 2‟de sırası ile görünür bölge için tasarlanmıĢ 7 katlı ve 11 katlı

optik kaplamanın dalga boyuna bağlı optik yansıtma grafikleri görülmektedir. ġekil 3‟de ise

yakın IR bölgesi için tasarlanmıĢ 7 katlı optik kaplamanın dalga boyuna bağlı optik yansıtma

grafikleri görülmektedir. YapılmıĢ olan tasarımlar ile deneysel çalıĢma sonuçları çok iyi bir

Ģekilde uyuĢmaktadır.

Şekil 1. TasarlanmıĢ olan 7 katlı dielektrik aynanın S/(HL)^3 H/A

dalga boyuna bağlı olarak yansıtma değiĢimi. S:AlttaĢ-Mikroskop

camı, H:TiO2 , L: SiO2, A:Hava.

Şekil 2. TasarlanmıĢ olan 11 katlı dielektrik aynanın S/(HL)^5 H/A dalga boyuna bağlı olarak yansıtma

değiĢimi. S:AlttaĢ-Mikroskop camı, H:TiO2 , L: SiO2, A:Hava.

ġekil 3. TasarlanmıĢ olan 7 katlı dielektrik Yakın kızılaltı bölgesi için aynanın S/(HL)^3 H/A dalga boyuna bağlı

olarak yansıtma değiĢimi. S:AlttaĢ-Mikroskop camı, H:TiO2 , L: SiO2, A:Hava.


117

P85

Tavlamanın Nb2O5 ince filmlerin optik ve yapısal özellikleri üzerindeki etkisi

M. Yeşiltepea,b

, Ö. D. Coşkunb

aHacettepe Üniversitesi, Nanoteknoloji ve Nanotıp, Ankara, Türkiye

bHacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara, Türkiye

Nb2O5 ince filmler yüksek kırılma indisleri, üstün kimyasal kararlılığı ve korozyon direnci

gibi özelliklerinin sonucu olarak pek çok modern teknoloji uygulamalarına sahiptir ve yaygın

olarak optik giriĢim filtreleri, elektrokromik filmler ve gaz sensör malzemeleri gibi

uygulamalarda kullanılırlar. Ġnce filmlerin büyütme koĢullarına bağlı olarak, farklı optik ve

yapısal özellikler kazanmaları sağlanabilir. Aynı Ģekilde, büyütme iĢleminden sonra

uygulanan ısısal tavlama iĢlemi ile filmin kristal yapısının değiĢmesine bağlı olarak optik

geçirgenlik, yansıtma, enerji bant aralığı, soğurma ve saçılma gibi özelliklerinde de

değiĢimler meydana gelmektedir. Oda sıcaklığında büyütülen amorf Nb2O5 ince filmler sahip

oldukları yüksek optik geçirgenlikleri ile pek çok optik filtrelerde kullanılabilmektedirler;

ancak elektrokromik uygulamaları için iyonların kristal yapıyla etkileĢmeleri daha kolay

olduğundan bu tip uygulamalar için kristal yapı daha avantajlıdır.

Bu çalıĢmada Nb2O5 ince filmler, Hacettepe Üniversitesi Fizik mühendisliği bölümü Ġnce

Film Ölçüm ve Karakterizasyon laboratuarında bulunan, RF magnetron kopartma tekniği

kullanılarak, oda sıcaklığında hazırlanmıĢtır. s ve p polarizasyon optik geçirgenlik ve

yansıtma ölçümleri, nkd-8000e Aquila spektrofotometre kullanılarak 350–1100 nm dalga

boyu aralığında alınmıĢtır. HazırlanmıĢ olan filmlerin dalga boyuna bağlı olarak kırma indisi

ve soğurma sabiti değiĢimleri, optik ölçümlerinin Code V optik karakterizasyon programı

kullanılarak, Kim osilatör modeli [1] ile uyuĢumu iĢlemi sonucunda elde edilmiĢtir. Filmlerin

kristal yapı analizleri, yüzey pürüzlülükleri ve elementel analizleri de sırası ile, Rigaku D-max

B yatay difraktometre, Nano Magnetics Instruments AFM ve XPS kullanılarak yapılmıĢtır.

Daha sonra, aynı film 24 saat süresince 700 C' de tavlanmıĢ, aynı ölçümler tekrarlanarak oda

sıcaklığında hazırlanan film ile tavlanmıĢ olan filmin yapısal ve optik özellikleri

karĢılaĢtırılmıĢtır.

Referans:

[1] C. C. Kim, J. W. Garland, H. Abad, and P. M. Raccah, Phys. Rev. B 45 (20) 1992, 11749–11767.


118

P86

GS17CrMo5-5 çeliğinin mekanik özellikleri

E. Öztuyak1, Ö. Aykut

2, C. Değirmenci

2, ve F. Meydaneri

1

1Karabük Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü,

78050, Karabük, 2Kardökmak A.Ş., 78050, Karabük,

Termik santrallerde oldukça fazla kullanılan C:0.165, Mn:0.58, Si:0.32. P:0.017, S:0.022,

Cr:1.00, Ni:0.22, Mo:0.55 bileĢimine sahip GS17CrMo5-5 ferritik çeliğinin döküm sıcaklığı

1580 0C‟dir. Bu çalıĢmada, numunelerden birincisi 950

0C‟de 1 saat tavlanmıĢ olup, bu

sıcaklıktan su verilmiĢtir. Tekrar 680 0C‟de 1 saat tavlanarak, fırında soğumaya bırakılmıĢtır.

Ġkinci numune ise 950 0C‟de 1 saat tavlanmıĢ ve havada soğutulmuĢ, sonra tekrar 680

0C‟de 1

saat temperlenerek, havada soğumaya bırakılmıĢtır. Bu ısıl iĢlemler sonucunda birinci

numune için çentik darbe değeri 43.5, 39.2, 30.2 joule‟dür. Ġkinci numunede ise çentik darbe

değeri 19.9, 27, 16.4 jouledir. Birinci numune için akma dayanımı 482 N/mm2, çekme

dayanımı 624 N/mm2, % uzama 20 ve % kesit daralması 46 iken, ikinci numune için akma

dayanımı 352 N/mm2, çekme dayanımı 558 N/mm

2, %uzama 22 ve % kesit daralması 46

olarak bulunmuĢtur. Buna göre fırında soğumaya bırakılan birinci numunenin tokluğunun

havada soğumaya bırakılan ikinci numuneye göre daha iyi olduğu ve standartlara uygun

olduğu sonucuna varmaktayız.

Teşekkür: Bu çalıĢma Kardökmak A. ġ. tarafından desteklenmiĢ olup, ġirket Müdürü ve dökümhane

çalıĢanlarına teĢekkür ederiz.


119

P87

Orta-kızıl ötesi bölgede (8–12 μm) çalıĢan GaAs/AlGaAs kuantum kuyu

foto-algılayıcılarında karanlık akım modellemeleri ve deneyleri

Y. Kıtay1, H. Kuru

2, B. Arpapay

2, H. Yıldırım

1, U. Serincan

2, ve B. Aslan

2

1Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Karabük Üniversitesi, Karabük 78050

2Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Anadolu Üniversitesi Yunus Emre Kampüsü, Eskişehir 26470

GaAs/AlGaAs tabanlı, 8–12 μm atmosfer penceresinde çalıĢan çok katmanlı kuantum kuyu

kızılötesi foto-algılayıcıları için, üç boyutlu taĢıyıcı sürüklenme modeli ve yayılma-tutma

modeli olmak üzere iki farklı karanlık akım modellemesi yapıldı. Kullanılan modellerde

karanlık akım kaynağı olarak, alt ve üst kontak bölgeler arasına uygulanan potansiyel farkın

etkisiyle bariyerler üzerinden akan elektronlar ve kuyularda yakalanan ve dıĢarıya verilen

elektronlar düĢünüldü. Modellemeler sonrasında elde edilen sonuçlar, aynı yapı içinde farklı

kuantum kuyu geniĢliklerine sahip yapılarda sıcaklığa bağlı olarak yapılan akım-voltaj ölçüm

sonuçlarıyla karĢılaĢtırıldı. Yapılan hesapların, ölçümlerle iyi bir Ģekilde uyuĢtuğu gözlendi.


120

P88

Bi-2212 süperiletkenlerinin mekanik özellikleri üzerine Lu (Lutesyum)

katkısının etkisi

E. Asıkuzun1, O. Yıldız

1, M. Coskunyürek

1, S. Kaya

1, S. P. Altıntaş

2 ve O. Öztürk

1

1Fizik Bölümü, Kastamonu Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, 37200, Kastamonu

2Fizik Bölümü, Abant İzzet Baysal Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, 14280, Bolu

Bu çalıĢmada, 840oC‟ de 50 saat süreyle tavlanmıĢ Bi-2212 süperiletkenlerinin mekaniksel ve

süperiletkenlik özellikleri üzerine Lu (Lutesyum) katkısının etkisi incelendi. Numuneler,

yüksek sıcaklık süperiletkenlerini hazırlamada en yaygın yöntem olarak kullanılan katıhal

tepkime yöntemi ile hazırlandı. Hazırlanan numunelerin süperiletkenlik özelliklerini

belirlemek için dc elektriksel özdirenç ölçümleri, mekanik özelliklerini belirlemek için ise

Vickers mikrosertlik ölçümleri yapıldı. Yüksek sıcaklık süperiletkenlerinin mekanik

özelliklerinin karakterize edilmesi, bu malzemelerin mühendislik ve teknolojik

uygulamalarında kullanımı açısından oldukça önem taĢımaktadır. Zira bu malzemeler

çoğunlukla seramik oldukları için özellikle kablo yapımında kırılganlıklarının tespit edilmesi

kullanılabilirliği açısından oldukça önemlidir. Bu nedenle çalıĢmamızda Lu katkılı Bi-2212

süperiletkenlerinin mekaniksel özellikleri üzerinde daha fazla durulmuĢtur. Katkılı ve katkısız

numunelerin yüke bağlı ve yükten bağımsız olarak Vickers mikrosertlik, elastik modülü,

gerilme ve kırılma dayanımı değerleri ayrı ayrı hesaplandı. Sonuç olarak, sertlik ölçümlerinin

deneysel sonuçları Meyer kanunu, PSR modeli, modifiye edilmiĢ PSR modeli (MPSR),

elastik/plastik deformasyon modeli (EPD) ve Hays–Kendall yaklaĢımı kullanılarak analiz

edildi ve numuneler üzerindeki çentik boyutu etkisini (ÇBE) açıklamada Hays–Kendall

yaklaĢımı en baĢarılı model olarak belirlendi.


121

P89

Farklı koĢullarda SiO2 yapı içerisinde elde edilen yarıiletken

nanokristallerin yapısal ve spektroskopik karakterizasyonun incelenmesi

B. Şahin ve S. Ağan

Kırıkkale Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,

ÇalıĢmamızda SiOx içerisinde Si, Ge ve SiGe yapılı ince filmlerin elde edilmesi için Plazma

ile GüçlendirilmiĢ Kimyasal BuharlaĢtırma Tekniği (PECVD) tekniği kullanılmıĢtır. Film

büyütme iĢleminde kullanılan GeH4, SiH4 ve N2O gazlarının farklı akıĢ oranlarında farklı

özeliklerde ince filmler hazırlanmıĢtır. Büyütülen bu filmler daha sonra nanokristallerin

oluĢabilmesi için farklı sürelerde ısıl tavlanma iĢlemine tabi tutulmuĢtur. Farklı gaz akıĢ

parametresi ve farklı ısıl tavlama iĢlemlerinde elde edilen numulerin içerisinde oluĢan nano

yapıların boyut ve boyut dağılımına iliĢkin yapısal özellikleri HRTEM ve Raman

spektroskopi teknikleri yardımıyla araĢtırılmıĢtır. Film büyütme koĢulları ve farklı ısıl

tavlamanın yarıiletken nanokristallerin özelliklerine olan etkileri belirlenmiĢtir. Spektroskopik

analizler yardımı ile farklı gaz akıĢ oranlarında büyütülmüĢ filmlerde ve farklı sürelerdeki

tavlamalarda Ge nanokristallerin oluĢturulabileceği görülmüĢtür.


122

P90

Çok katlı Ge,SiGe nanokristal oluĢumu ve nanokristalli metal oksit yarıiletken

kapasitör uygulaması

E. C. Kayıkcı, B. Akyazı, N. M. Gümüş, E. Yaşar, S. Ağan ve A. Aydınlı*

Kırıkkale Üniversitesi, Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye, *Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bilkent, Ankara

SiGeO içeren bir yapı yüksek sıcaklıkta tavlandığında Ge atomları bu yapıdan ayrılırlar ve

sistemde bir yandan oluĢmaya devam eden SiO2 içerisinde bir araya gelerek kristal yapıyı

oluĢtururlar. Bu tez de bu fikirden yararlanılarak nanokristal oluĢturulmuĢtur. Farklı gaz akıĢ

miktarları, tavlama sıcaklıkları ve süreleri kullanılarak Ge naokristal oluĢumundaki değiĢimler

gözlemlenmiĢtir. Amorf ince filmler Plazma ile ZenginleĢtirilmiĢ Kimyasal Buhar Depolama

(PECVD) tekniği ile büyütülmüĢtür. Ardından yüksek sıcaklık fırınında tavlanarak

nanokristaller elde edilmiĢtir. Kristallenme özellikleri Raman Spektroskopisi kullanılarak

kontrol edilmiĢtir. Nanokristal boyutları Geçirmeli Eletron Mikroskupu (TEM) ile

gözlemlenmiĢtir. Malzeme kompozisyonu ise Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) üzerinde

bulunan X ıĢını Dağılımı Spektoroskopisi (EDAX) dedektörü ile ortaya konulmuĢtur.

Metal Oksit Yarıiletken Kapasitör‟ ün oksit tabakasına gömülmüĢ nanokristallerin üretilme

amacı; Ge kuantum noktalarının Ģarj tutma özellikleri incelemektir. Nanokrsitallerin Ģarj

oldukları akım-voltaj (I–V) eğrilerindeki ani artıĢlarla gözlemlenmiĢtir. Ayrıca Ģarj

kapasiteleri de kapasitans-voltaj eğrilerindeki histerisislerde gözlemlenmiĢtir. Histerislerdeki

en fazla kayma V olarak bulunmuĢtur. Omik kontak direnci ise Geçirmeli Çizgi Methodu

(TLM) ile ölçülmüĢtür.


123

P91

Çift farklı yapılı {InxGa1-xNyAs1-y } kuantum yarıiletkende kuantum kuyu

lazerlerin incelenmesi

İ. Bilican, S. Yaşar*, B. Şahin, S. Ağan ve İ. Uluer

Kırıkkale Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , Kırıkkale

*Mustafa Kemal Üniversitesi,Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Hatay

Bu çalıĢmada, günümüzde nano teknolojik uygulamalarda bir çok araĢtırmacının dikkatlerini

üzerine çeken kuantum kuyu lazerlerin simülasyon yoluyla üretimi ve analizi yapılmıĢtır.

Lazer yapılar simülasyonda dizayn edilirken Fabry – Parot ve Fabry – Parot Ridge tipi lazer

yapı olarak iki farklı konfigürasyonda ele alınmıĢtır. Bu lazer yapılar {QWL / Bariyer(SCH)

/Kaplama} genel formuyla dizayn edilmiĢtir. Burada Kuyu malzemesi (QWL) olarak InGaAs

kuyular kullanılmıĢtır. Bariyer veya hapis sınırlama bölgesi (SCH :Seperate Confinement

Heterostructure) malzemesi olarak AlGaAs, GaAs, AsPGa, AlGaAs, GaAsP malzemeleri

kullanılmıĢtır. Kaplama (Cladding) malzemesi olarak da AlGaAs, GaAs, AlGaAs malzemeler

kullanılmıĢtır. Böylece InxGa1–xNyAs1–y lazerlerinin kuantum kuyu malzemesi, bariyer (SCH)

ve kaplama malzemelerinin çeĢitli kompozisyon ve konfigürasyonlarda dizaynı ile

incelenmesi ve simülasyonu planlanmıĢtır. Özellikle QWL bölgesi kalınlıkları ve malzeme

karıĢım oranları (x=01 ve y=01 aralığında) değiĢtirilerek kuyu malzemesinin lazer çıkıĢı

ve kazancına etkilerine bakılmıĢtır. Her yapının bölge bölge (kuantum kuyu bölge, bariyer ve

hapis bölgeleri gibi) Bant - Enerji grafikleri ve değerleri, katkı oranları (n tipi ve p tipi

bölgeler için) profili ve değerleri üretilmiĢtir. Tasarlanan lazer yapıların {L–I–V} (Güç–

Akım–Voltaj) grafiği ve verileri üretilmiĢtir. Elde edilen tüm bu sonuçlar literatürle

karĢılaĢtırılmıĢtır.


124

P92

GüneĢ hücrelerinde yararlanılabilecek Si3N4 matrisli ince filmlerin içerisinde

silikon nanokristallerin elde edilmesi

R. Karatepe , S. Ağan, N. A. P. Mogaddam* ve R. Turan*

Kırıkkale Üniversitesi, Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,

*Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, ODTÜ, Ankara

Bu çalıĢmada, güneĢ hücrelerinde yararlanılabilecek yapılar, silikon alttaĢ ve kuartz üzerine

plazma ile zenginleĢtirilmiĢ kimyasal buhar depolama tekniği (PECVD) ile farklı gaz akıĢ

oranlarında silan ve amonyak gazları gönderilerek ince film amorf silikon nitrat yapılar

büyütüldü. Amonyak gazının silan gazına oranı değiĢtirilerek sitokometrik yapı ve zengin-

silikon (rich-silikon) yapılar oluĢturuldu. Böylece farklı gaz akıĢ oranlarının nanokristal

oluĢumuna etkisi incelendi. PECVD ile üretilen ince filmlerde hemen nanokristal oluĢması

beklenmez çünkü yapı içerisinde bulunan silikon atomların kinetik enerjileri zayıf olduğundan

düzenli yapı oluĢturmak için enerjiye ihtiyaç duyarlar. Bu yüzden kristal yapı oluĢturmak için

yüksek sıcaklık fırınında, sabit azot gazı altında fırınlanmıĢ ve farklı sıcaklıkların Si

nanokristalleri üzerine olan etkileri incelenmiĢtir. Silikon nitrat yapı içerisinde oluĢturulan

silikon nanokristallerin yapısal ve optik özellikleri; Raman, Fotolüminesans ve FTIR

spektroskopisi teknikleri kullanılarak analiz edilmiĢtir.


125

P93

ZnO ince filmlerin optik özelliklerinde yaĢlanma etkisi

E. Güngör ve T. Güngör

Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi,15100 Burdur

Ġnce filmlerin optik sabitlerinin belirlenmesinde, elipsometrik ve mekanik yöntemlerin

yanında kullanım kolaylığı açısından optik geçirgenlik spektrumlarının çok sık kullanıldığı

bilinmektedir. Bu çalıĢmada ZnO filmler, çinko-asetat tuzu (Zn(CH3COO)2.2H2O), methanol

ve kristalleĢmeyi engelleyecek uygun kimyasallar ile elde edilen çözeltilerinin kullanıldığı

ultrasonik kimyasal püskürtme (UKP) ve daldırmalı kaplama (DK) teknikleri ile

hazırlanmıĢtır. Biriktirme iĢleminden sonra, belirli süre ve sıcaklıklarda ısıl iĢleme maruz

bırakılan filmlerin, biriktirme iĢlemini takip eden farklı zaman aralıklarında, 300–900 nm

dalgaboyu aralığında UV–Vis spektrofotometre ile elde edilen optik geçirgenlik spektrumları

değerlendirilmiĢtir. Her iki teknikle elde edilen filmlerde, film eldesi için kullanılan çözeltinin

ve ısıl iĢlemin herhangi bir yaĢlanma (aging) etkisi yaratıp yaratmadığı incelenmiĢtir.


126

P94

Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile hazırlanmıĢ ZnO:Co ince filmlerin

optik özellikleri

E. Güngör1, T. Güngör

1, E. Tıraş

2

1Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi,15100 Burdur

2Fizik Bölümü, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir,

Spintronik aygıt teknolojisindeki son geliĢmeler, seyreltik manyetik yarıiletken (SMY)

malzemelerle ilgili araĢtırmaların çok önemli sonuçlarını içermektedir. Özellikle bu alanda

ZnO-tabanlı malzemelerin, oda sıcaklığı ya da yüksek Curie sıcaklıklarında çalıĢan malzeme

grubunda değerlendirilebilecek iyi bir alternatif olduğu düĢünülmektedir. Bu çalıĢmada Co-

katkılı ZnO ince filmler, Ultrasonik Kimyasal Püskürtme tekniği kullanılarak uygun

biriktirme koĢullarında hazırlanmıĢ ve öncelikle optik özellikler çerçevesinde

değerlendirilmiĢtir. Biriktirme tekniği için uygun sol–gel; çinko asetat dihidrat

(Zn(CH3COO)2.2H2O) ve cobalt asetat tetrahidrat (Co(CH3COO)2.4H2O) (%99.9, Merck)

tuzları methanol içinde çözülerek hazırlanmıĢtır. Biriktirme iĢleminden sonra, belirli süre ve

sıcaklıklarda ısıl iĢleme maruz bırakılan ZnO:Co filmlerin optik geçirgenlik spektrumları,

300-900 nm dalgaboyu aralığında UV-Vis spektrofotometre ile elde edilmiĢtir. Filmlerin

yüzey morfolojileri AFM görüntüleri ile incelenerek yüzey pürüzlülüğü belirlenmiĢtir.

ZnO:Co ince filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri (kırma indisi, sönüm katsayısı), nokta

tabanlı kısıtlamasız minimizasyon algoritması (PUMA) ile analiz edilmiĢtir.


127

P95

Bilgisayar kontrollü daldırmalı kaplama sistemi tasarımı

T. Güngör ve E. Güngör

Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi,15100 Burdur

Bu çalıĢmada Daldırmalı Kaplama (DK, dip coating) sistemi; düĢey doğrultuda hareket

edecek olan mekanik birimin, bilgisayar kontrollü adım motoruyla kullanılması temelinde

tasarlanmıĢtır. DüĢey doğrultuda yataklanmıĢ olan sonsuz vida diĢli mekanik birim, L297

dekoder entegresi ve BD135 güç transistörlerinden oluĢan adım motor sürücü birimle

hareketlendirilmektedir. Bu sistemde adım motorun dönüĢü (saat ibreleri veya saat ibrelerinin

tersi yönde), bilgisayarın yazıcı portundan sağlanan D0–D3 bitlerini giriĢ olarak kabul eden

dekoder entegresi ile kontrol edilmektedir. AlttaĢın çözelti içine daldırılma hızı, çözelti içinde

bekleme süresi, geri çekme hızı ve kurutma için gereken bekleme süreleri uygun bilgisayar

yazılımları (QBASIC ve/veya Labview) ile ayarlanabilmektedir. Bu sistem kullanılarak alttaĢ

yüzeyinde film kaplama profilini kontrol etmek mümkündür. Sonuç olarak laboratuarda

üretilen bu sistemle, uygun sol-gel kullanılarak alttaĢ yüzeyine 1 cm/dak daldırma–çekme

hızında metal oksit ince film biriktirilebilmiĢtir. ZnO film biriktirme iĢlemi için elde edilen

film kalınlığı daldırma-çekme sayısına bağlı olarak ortalama 10 nm arasında değiĢmektedir.


128

P96

3-(2-(4-izopropilpiperazin-1-il)-2-okzoetil)-6-(4 metoksibenzoil)

benzo[d]tiyazol-2(3H)-on molekülünün optik soğurma spektrumu üzerine

çözücü etkisi

E. Güngör1, T. Güngör

1 ve E. Taşal

2

1Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15100 Burdur,

2Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, 26480 Eskişehir,

Ġlaç sektöründe güçlü ağrı kesici ve iltihap önleyici özelliklere sahip olmaları nedeni ile 2-

benzotiyazolinon türevleri üzerinde araĢtırmalar devam etmektedir. Bu çalıĢmada *3-(2-(4-

izopropilpiperazin-1-il)-2-okzoetil)-6-(4metoksibenzoil)benzo[d]tiyazol-2(3H)-on

molekülünün farklı çözücüler ile elde edilen çözeltilerinin optik soğurma spektrumları

değerlendirilmiĢtir. Çözelti formundaki örneklerin optik soğurma spektrumları, oda

sıcaklığında 200–900 nm dalgaboyu aralığında UV–Vis spektrofotometre ile elde edilmiĢtir.

Çözücü içindeki molekülün optik soğurma spektrumunda gözlenen maksimumun konumu

(dalgaboyu veya frekans değeri), çözücünün dielektrik sabiti (), kırma indisi (n), Kamlet–

Taft parametreleri olarak bilinen α ve parametrelerine doğrusal olarak bağlıdır. Bunun için

çözücülerin dielektrik sabitleri, kırılma indisleri ve solvatokromik parametreleri (α ve )

referanslardan alınarak soğurma spektrumları üzerine çözücü ve substituent etkileri

tartıĢılmıĢtır.

Teşekkür: Bu çalıĢma, 108T192 numaralı TBAG projesi olarak, TÜBĠTAK tarafından desteklenmiĢtir.


129

P97

Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen PbS yarıiletken ince filmin optik

özellikleri

F. Yavuz1, F. Göde

1, E. Güneri

2, F. Kırmızıgül

3, C. Habiboğlu

3, Ö. Filazi

4 ve C. Gümüş

3

1Fizik Bölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15030, Burdur.

2İlköğretim Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Talas, 38039, Kayseri. 3Fizik Bölümü, Çukurova Üniversitesi, Yüreğir, 01330, Adana.

4Fizik Bölümü, Adıyaman Üniversitesi, 02040 Adıyaman

Bu çalıĢmada; PbS yarıiletken ince filmi kurĢun asetat [(PbCH3COOH).2H2O], sodium

hidroksit (NaOH, pH = 12.63), tiyoüre (NH2CSNH2), trietanolamin [(HOCH2CH2)3N], tri-

sodyum sitrat (C6H5Na3O7) sulu çözeltileri kullanılarak Kimyasal Depolama Yöntemi ile oda

sıcaklığında 2 saat bekletilerek elde edilmiĢtir. Elde edilen filmin yapısal özelliği x-ıĢını

kırınımı (XRD) ile incelenmiĢ ve filmin kübik yapıda, (111) düzlemi yönünde yöneldiği

görülmüĢtür. Kübik yapıya ait örgü parametresi a = 6.00 Å olarak bulunmuĢtur. Tane boyutu

ise (111) düzlemi kullanılarak 172 nm hesaplanmıĢtır. UV/VIS spektrometreden alınan

geçirgenlik (T), absorpsiyon (A) ve yansıma (R) ölçümleri kullanılarak elde edilen filme ait

yasak enerji aralığı (2.84 eV), kırılma indisi (n = 2.54, λ = 550 nm ), sönüm katsayısı (k) ve

dielektrik sabitleri [reel (ε1) ve komplex (ε2)] hesaplanmıĢtır.

Teşekkür: Bu çalıĢma, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri tarafından 0119-YL-10

nolu proje ile desteklenmiĢtir.


130

P98

Rh metalinin moleküler dinamik simülasyonu: Mekanik ve termoelastik

özellikler

Ü. Bayhan1, G. Aydın

2, ve M. Çivi

2

1FizikBölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15030, Burdur


Bu çalıĢmada, fcc yapıdaki Rh metali moleküler dinamik simülasyon yöntemi (MD) ile

incelendi. Sutton–Chen (SC) çokcisim potansiyeli kullanılarak 0 K–2000 K arasında yapısal

ve termodinamik özellikler araĢtırıldı. Rh tek metalinin mekanik özellikleri oluĢturulan MD

simülasyonları (NPH, NPT, NVE) uygulandı. MD Simülasyonu periyodik sınır Ģartlarını

sağlayan kübik bir hücrede 500 atom içeren sistemle gerçekleĢtirildi. Sistemin elastik sabitleri

ve Bulk Modülünün sıcaklıkla değiĢimi incelendi.


131

P99

Cu-zengini CAIS ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin

incelenmesi

H. H. Güllü, İ. Candan, M. Parlak, ve Ç. Erçelebi

Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi , 06531, Ankara

Güneş Araştırmaları ve Uygulamaları Merkezi, (GÜNAM), ODTÜ, Ankara

Bu çalıĢmada, CuInSe2 ve AgInSe2 üçlü yapılarının dört elementli bileĢiği olarak

Cu1–xAgxInSe2 (CAIS) üzerinde yoğunlaĢılmıĢtır. CAIS ince filmleri elektron demeti

buharlaĢtırma tekniği ile büyütülmüĢ ve bu üretimler için kristal tozu kaynağı Bridgman

kristal büyütme yöntemiyle üretilen CAIS kristalinden elde edilmiĢtir. Ġstenen stokiyometrik

oranın elde edilmesi için Cu ve Se ek kaynakları da ince film üretimi sırasında kullanılmıĢ, ve

sonuçta CAIS ince filmleri katmanlı yapı olarak büyütülmüĢtür. ÇalıĢmada temel olarak

yapıda Cu oranı Ag oranına göre fazla olan CAIS ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik

özellikleri analiz edilmiĢtir.


132

P100

CIGS yarıiletken ince filmlerinde bakır oranının yapı, elektrik,

ve optik özelliklere etkisi

İ. Candan, H. H. Güllü, M. Parlak, ve Ç. Erçelebi

Ortadoğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06531, Ankara


Saçtırma (sputtering) yöntemi ile farklı bakır oranları kullanılarak üretilen CIGS ince filmler,

bileĢenlerinin oranına göre farklı elektriksel ve optik özellikler göstermektedir. Bu çalıĢmada

güneĢ pilinde emilim katmanı olarak kullanılan CIGS ince filmlerin yapısını oluĢturan

bileĢenlerinden bakır (Cu) elementinin oran değiĢiminin yapıya etkisi incelendi. Yarıiletken

ince filmler bakır miktarının yapıdaki oran degiĢimine göre olması gereken ve bakır zengini

filmler olarak üretildi. Üretilen bütün filmlerin yapısal özelliklerini incelemek için X-ıĢını

Kırınımı (XRD) ve Enerji Dağılımlı X-ıĢını Analizi (EDXA) yöntemleri kullanıldı. Ġnce

filmlerin kalınlıkları elipsometri ve kalınlık profilometresi kullanılarak analiz edildi.

Elektriksel özelliklerin tespit edilmesi için farklı bakır oranlarına sahip CIGS ince filmler,

100–400 K sıcaklık aralığında, sıcaklık bağımlı iletkenlik ölçümü, fotoiletkenlik ölçümleri

yapıldı. Ayrıca optik özellikleri, oda sıcaklığında 325–900 nm aralığında geçirgenlik

ölçümleri, foto-tepki (photoresponse) yöntemleri kullanılarak incelendi.


133

P101

Kuartzın alfa–beta geçiĢi için hacim verisinden hesaplanan raman frekansı

M. C. Lider ve H. Yurtseven

Ortadoğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06531, Ankara

Bu çalıĢmada, kuartzın alfa–beta geçiĢinde 207 cm–1

Raman mod frekansının hesabı, farklı

sıcaklıklarda nötron kırınımı yöntemiyle elde edilen hacim değerleri ile ortalama yapının

birim hücre hacim değerleri kullanılarak yapılmıĢtır. Bu örgü modunun Grüneisen parametresi

elde edilerek Raman frekansları hesaplanmıĢtır.

Kuartzın alfa fazından beta fazına geçerken sıcaklığın faz geçiĢ sıcaklığına doğru artıĢıyla

nötron kırınımı yöntemiyle elde edilen hacim değerlerinden hesaplanan Raman frekanslarının

azaldığı deneysel olarak gözlendiği gibi görülmüĢtür. Bu durum, quartzın α–β geçiĢi için

hacim değerlerinden Raman frekanslarının hesaplanmasının olanaklı olduğunu göstermiĢtir.


134

P102

Elektron demeti tekniğiyle büyütülen AgGaxIn(1–x)Te2 ince filmlerin yapısal,

optik ve elektriksel karakterizasyonu

Ö. Bayraklı, M. Demirtaş, H. H. Güllü, İ. Candan, ve M. Parlak

Fizik Bölümü, Ortadoğu Teknik Üniversitesi, 06531, Ankara


I–III–VI2 kalkopirit yarı iletken bileĢikleri güneĢ hücresi, optelektronik ve lineer olmayan

aygıt uygulamalarında dikkate değer bir önem kazanmıĢtır. AgGaxIn(1–x)Te2 (AGIT) ince

filmler cam alttaĢlar üzerine elektron demeti (e-beam) methoduyla oda sıcaklığında

üretilmiĢtir. Kaynak büyütme malzemesi olarak Bridgman Kristal Büyütme yöntemiyle elde

edilen AGIT kristali kullanılmıĢtır. ÜretilmiĢ olan filmlerin oda sıcaklığında ve farklı

sıcaklıklarda ısıl iĢleme tabi tutularak, yapı ve içerik özellikleri X-ıĢını Kırınımı (XRD) ve

Enerji Dağılımlı X-ıĢını Analizi (EDXA) yöntemleri kullanılarak incelendi. Filmlerin optik

özelikleri 325–900 nm aralığında geçirgenlik ölçümleri ve foto-tepki (photoresponse)

yöntemleri kullanılarak yapıldı. Ayrıca filmlerin elektriksel özellikleri 200–400 K sıcaklıkları

arasında sıcaklık bağımlı iletkenlik ve Hall etkisi ölçümleriyle incelendi.


135

P103

2-(2,5-diflorobenzil)izoindolin-1,3-dione molekülünün yapısal karakterizasyonu

ve kuramsal analiz çalıĢması

E. Temel1, S. Gümüş

2, E. Ağar

2 ve O. Büyükgüngör

1

1Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139-Samsun.

2Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Kimya Bölümü, 55139-Samsun

Sentezi yapılan ve X-ıĢını tek kristal kırınımı tekniği kullanılarak üç boyutlu yapısı

aydınlatılan bileĢik izoindolin türevidir. BileĢik, monoclinic, P21/c uzay grubunda kristalize

olmuĢtur. X-ıĢını kırınımı deneyinden elde edilen moleküler geometriye ilave olarak,

kuramsal yöntemle optimize moleküler geometri, titreĢim frekansları ve HOMO–LUMO

orbital enerjileri hesaplanmıĢtır. Hesaplamalarda Yoğunluk Fonksiyoneli Kuramı (B3LYP),

6-311G(d,p) baz setiyle kullanılmıĢtır. Ayrıca, deneysel olarak yapı aydınlatıldığında,

moleküller arası C-H…O tipi hidrojen bağlarının kristal paketlenmeyi sağladığı görülmüĢtür.


136

P104

Piridin-2-6-dikarboksilik asit türevi La(III) ve Ce(III) bileĢiklerinin yapı analizi

O. Şahin1, S. Sharif

2, I. U. Khan

2, S. Ahmad

3, ve O. Büyükgüngör

1

1Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi Samsun, 55139, Türkiye

2Kimya Bölümü, GC Üniversitesi Lahore, 54000,Pakistan

3Kimya Bölümü, ET Üniversitesi Lahore, 54890,Pakistan

Bu çalıĢmada piridin-2-6-dikarboksilik asit (Pydc) türevi La(III) ve Ce(III) bileĢiklerine ait

yapısal özellikler incelenmiĢtir. X-ıĢınları sonuçlarına göre La(III) [La(Pydc)2(H2O)2].4H2O

bileĢiği bir boyutlu polimer oluĢturmaktadır. Moleküller arası O-H···O hidrojen bağları üç

boyutta R11(6), R4

4(16) ve R4

4(20) halkaları oluĢturmaktadır. Ce(III),

{[Ce(Pydc)3][Ce(Pydc)(HO-CH2CH2-OH)(H2O)3].6H2O)}, bileĢiğinde bir Ce(III) atomu üç

adet Pydc molekülü ile koordinasyon oluĢtururken diğer Ce(III) atomu iki Pydc molekülü, bir

glikol molekülü ve üç adet su molekülü ile koordinasyon oluĢturmaktadır. Moleküller arası O-

H···O ve C-H···O hidrojen bağları üç boyutta R22(8), R2

2(16) ve R2

2(20) halkaları

oluĢturmaktadır.


137

P105

Deneysel ve kuramsal yöntemler ile 1-(naftalin-2-yl)-2-(1H-payrazol-1-yl)

ethanoneO-bütiloksim bileĢiğinin kristal yapısının incelenmesi

Z. S. Şahin1, Z. Özdemir

2, A. Karakurt

2 ve Ş. Işık

1

1Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, 55139, Samsun

2Farmasötik Kimya Anabilim Dalı, Eczacılık Fakültesi, İnönü Üniversitesi, 44280, Malatya

Bu çalıĢmada; 1-(naftalin-2-yl)-2-(1H-payrazol-1-yl)ethanoneO-bütiloksim, [C19H21N3O],

bileĢiği sentezlendi, kristal ve moleküler yapısı IR, 1H-NMR, kütle spektrumu, elementel

analiz ve X-ıĢınları kırınımı yöntemleri kullanılarak belirlendi. Moleküle ait kuramsal

hesaplamalarda, molekülün gaz fazındaki kararlı yapısı, enerjisi ve moleküler özellikleri

belirlendi. Elde edilen sonuçlar X-ıĢını kırınımı sonuçları ile karĢılaĢtırıldı. Hesaplamalarda,

Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi (DFT) kullanılarak B3LYP-6311G(d,p) baz seti seçildi.

Hesaplama sonuçlarının deneysel sonuçlar ile uyum içerisinde olduğu görülmüĢtür. Ayrıca

moleküle ait moleküler elektrostatik potansiyel haritası (MEP) ve HOMO–LUMO enerjileri

hesaplatıldı.


138

P106

Katkısız ve katkılı CdSe ince filmlerinin optik ve elektrik özelliklerinin

araĢtırılması

D. Takanoğlu ve O. Karabulut

Pamukkale Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü DENİZLİ

Bu çalıĢmada II–VI yarıiletken grubuna ait katkısız ve katkılı CdSe ince filmlerinin, yapısal,

elektriksel ve optik özellikleri XRD, sıcaklık bağımlı elektriksel iletkenlik, Hall etkisi,

manyetik direnç ve soğurma ölçümleri ile belirlenmiĢtir. Ġnce filmler temizlenmiĢ uygun cam

alttaĢlar üzerine termal buharlaĢtırma yöntemi ile büyütülmüĢlerdir. Büyütme esnasında

sistemin vakumu 10–5

torr civarında tutulmuĢtur. Büyütülen filmler 673 K sıcaklığında 30

dakika tavlanmıĢtır. CdSe ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özellikleri üzerindeki

tavlama ve katkılamanın etkisi araĢtırılmıĢtır. X ıĢını kırınımlarından, kristalin yapısı ve

sitokiyometrisi belirlenmiĢtir. Filmlerin sitokiyometrik ve hegzagonal olduğu gözlenmiĢtir.

Ġletim mekanizmaları, tuzak seviyeleri, iletkenlik tipi, taĢıyıcı konsantrasyonları ve

mobilitelerini belirlemek için, 10–400 K sıcaklık aralığında sıcaklığa bağlı elektriksel

iletkenlik ve Hall ölçümleri yapılmıĢtır. Tavlamaya ve In katkısına bağlı olarak saf CdSe ince

filmlerinin özdirençlerinde düĢüĢ gözlenmiĢtir. Katkılı ve katkısız örneklerin iletkenliklerinin

sıcaklık ile birlikte değiĢimi iki farklı aktivasyon enerjisini ortaya koymaktadır. Katkısız ve

katkılı ince filmlerin özdirençlerindeki değiĢim 3,44×102 Ω·cm ile 5,15×10

1 Ω·cm

aralığındadır. Örneklerin aktivasyon enerjileri düĢük sıcaklık bölgesinde 4–10 meV, yüksek

sıcaklık bölgesinde ise 23–58 meV aralığında bulunmuĢtur. Ayrıca filmlerin aktivasyon

enerjisi ile özdirencinin tavlamaya bağlı olarak azaldığı gözlenmiĢtir. Hall ölçümlerinden,

katkısız ve In katkılı CdSe ince filmlerinin n tipi iletkenliğe sahip olduğu bulunmuĢtur.

Manyeto direnç ölçümlerinde 10 K‟nin altında negatif manyeto direnç, 15 K‟nin üzerinde

pozitif manyeto direnç gözlenmiĢtir.

Filmlerin yasak enerji aralıkları UV–VIS–IR spektroskopisinde 190–1100 nm dalga boyları

arasında incelenmiĢtir. Tavlamaya bağlı olarak saf CdSe filmlerinin yasak enerji aralıklarının

2,25 eV‟dan 1,75 eV değerine düĢtüğü gözlenmiĢtir. Benzer düĢüĢ In katkılı CdSe filmi için

2,18 eV‟dan 1,65 eV Ģeklinde gerçekleĢmiĢtir.


139

P107

Taramalı Hall aygıtı mikroskobu için bizmut ve grafen nano-Hall algılayıcı

üretimi

S. Sonuşen1, M. Dede

2, H. Çetin

3, ve A. Oral

1

1Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi,Tuzla, 34956, İstanbul

2Nanomanyetik Bilimsel Cihazlar Ltd. Şti, 06800, Ankara

3Fizik Bölümü, Bozok Üniversitesi, 66200, Yozgat

Taramalı uç mikroskobu (TUM) çeĢitlerinden biri olan taramalı hall aygıtı mikroskobu (THAM)

yüzeyin manyetik alan haritasını ve topolojik bilgisini aynı anda veren, nitel ve tahribatsız bir

manyetik görüntüleme tekniğidir. THAM‟ın en önemli bileĢeni; manyetik ve süper iletken

malzemelerin yüzeyinde ki, dik manyetik alana duyarlı Hall algılayıcısıdır. Hall algılayıcısının

yapıldığı malzemenin yüksek elektron akıĢkanlığına ve düĢük taĢıyıcı yoğunluğu sahip olması yüksek

çözünürlükte manyetik ve uzaysal görüntülemeye olanak verir. Son yıllarda, üstün elektronik

özelliklerinden dolayı yarı iletken dünyasında önemli hale gelen grafenin, oda sıcaklığında dahi çok

yüksek elektron akıĢkanlığına sahip olması (15,000–40,000 cm2V

–1s

–1) THAM uygulamaları açısından

da ümit vaat etmektedir. Bu çalıĢmada litografi yöntemleri kullanılarak, THAM uygulamalarında

kullanılmak üzere grafen nano-hall aygıtı üretimi gerçekleĢtirilmiĢtir. Buna ek olarak, düĢük taĢıyıcı

yoğunluğuna sahip olan Bizmut ince film kullanılarak 50 nm ve daha düĢük boyutlarda aktif fiziksel

alana sahip Hall algılayıcıların üretimi tamamlanmıĢtır.

(a) (b)

(c) (d)

ġekil 1. (a) THAM‟ın Ģematik gösterimi. (b) Bizmut Hall aygıtının 100 KX büyütmede SEM görüntüsü. (c)

Mekanik soyma yöntemi ile üretilmiĢ grafenin 100X büyütmede optik mikroskop görüntüsü (d) Gafen nano-hall

aygıtının X50 büyütmede optik mikroskop görüntüsü.


140

P108

Çok tabakalı CdSe/ZnS kuantum nokta içerisinde bulunan ikili ekzitonların

optik özellikleri

A. Aktürk1, F. Koç

1, A. Erdinç

2, M. Şahin

1

1Fizik Bölümü, Selçuk Üniversitesi, 42075 Konya, Türkiye

2Fizik Bölümü , Erciyes Üniversitesi , 38039 Kayseri, Türkiye

Bu çalıĢmada, CdSe/ZnS/CdSe kuantum nokta-kuantum kuyu nanokristal yapı içerisindeki

ikili ekzitonların, elektronik ve optik özellikleri incelenmiĢtir. Bunun için öncelikle, göz

önüne alınan kuantum nokta yapının elektronik özellikleri, etkin kütle yaklaĢımında, Poisson-

Schrödinger denklemlerinin öz-uyumlu bir Ģekilde çözülmesiyle belirlendi. Ayrıca, yapılan

hesaplamalarda kuantum mekaniksel çok parçacık etkileri, yerel yoğunluk yaklaĢımı (Local

Density Approximation) altında göz önüne alındı. Bu çalıĢmada ikili ekziton yapısındaki

elektron ve deĢiklerin S seviyesinde (temel seviye) olduğu durum ile bir ekzitonun S

seviyesinde, diğer ekzitonun ise P seviyesinde olduğu durum incelenmiĢtir. Bu iki sistemdeki

elektron ve deĢiklerin tabaka kalınlıklarına göre olasılık yoğunluklarının dağılımı, bağlanma

enerjileri, hayat süreleri ve soğurma pikleri incelenmiĢtir. Sonuç olarak, ikili ekzitonların

elektronik ve optik özelliklerinin tabaka kalınlıklarına ve bulundukları seviyelere güçlü bir

Ģekilde bağlı olduğu görülmüĢtür.


141

P109

Simetrik çift kuantum kuyusunun optiksel özellikleri

M. S. Çakıcı ve İ. Karabulut

Selçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Konya 42075, Türkiye

Bu çalıĢmada, simetrik çift kuantum kuyusunda altbandlararası optiksel süreçler teorik olarak

incelendi. Gözönüne alınan yapının elektronik seviyeleri matris köĢegenleĢtirme tekniği

kullanılarak nümerik olarak elde edildi. Ġlk iki seviye arasındaki geçiĢlere dayalı lineer,

üçüncü ve beĢinci mertebe alınganlıklar yoğunluk matris formalizmi kullanılarak elde edildi.

Bu alınganlıklara bariyer geniĢliğinin etkisi detaylı olarak çalıĢıldı.


142

P110

Richardson grafiğinde Schottky engel homojensizlikleri

M. Gülnahar

Erzincan Üniversitesi Meslek Yüksekokulu, Elektrik ve Enerji Bölümü, 24200, Erzincan

Schottky eklemler katıhal elektroniğinde araĢtırma yapılan ana çalıĢma alanlarından birisini

oluĢturmakta ve bu yapılarda arayüzeyin yapısından kaynaklanan anormallikleri yorumlamak

için çok çeĢitli yaklaĢım ve metotlar önerilmiĢtir. Ancak arayüzeyin yapısından dolayı

arayüzey homojensizliklerin yapısı hala iyi anlaĢılamamaktadır. Schottky bariyerde

anormallikler standart sapmayla karakterize edilmektedirler. Deneysel çalıĢmalarda her bir

engel dağılım bölgesi için bir ortalama değer olarak hesaplanılır. Bu çalıĢmada yapılan teorik

analizler sonucunda (T) ifadesi yeniden düzenlendi. Birden fazla dağılım bölgelerine sahip

olabilen bir Schottky yapıda modifiye edilmiĢ olan Richardson grafiği deneysel çalıĢmalar

için çözülmemiĢ bir problemdir. Bu halde Richardson grafiği her bir dağılım bölgesi için bir

linearizasyona ve A* Richardson sabitine sahiptir. Ancak bizim elde ettiğimiz yeni model

sayesinde elde edilen deneysel (T) değerlerinin modifiye edilmiĢ Richardson grafiğinde

kullanımıyla tüm dağılım bölgeleri için tek bir lineearizasyon sağlanmıĢ olmakta ve A*

Richardson sabiti hesaplanabilmektedir.


143

P111

Kolesterik sıvı kristallerde seçici ıĢık yansıması

R. Karapınar

Yüzüncü Yıl Üniversitesi,Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 65080 Van

Kolesterik sıvı kristal (KSK) bir fazda, optikçe aktif davranıĢ gösteren kiral moleküller ortam

içinde helisel bir düzenlenme sergiler. Ortamda helis ekseni boyunca periyodik bir yapı söz

konusudur. Bir tam helis dönüĢü KSK fazın helis adımı olarak adlandırılır. Helis adımı

görünür ıĢığın dalga boyu ile aynı mertebede olduğunda, ilginç optik özellikler ortaya çıkar.

Eğer KSK bir maddeye, helis adımı uzunluğuna eĢit dalga boyundaki bir ıĢık gönderilirse,

helisle aynı dönme yönüne sahip olan dairesel polarize bileĢen tümüyle yansımaya uğrar.

KSK bir ortamdaki seçici yansıma özelliği, belirli Ģartlar altında ilginç renklerin gözlenmesine

yol açar. KSK maddelerin helis adımı sıcaklığın bir fonksiyonu olduğundan, KSK bir filmin

ıĢık yansıtma olayı sıcaklık değiĢimlerini belirlemede kullanılabilir. Bu özelliğinden dolayı bu

tür filmler herhangi bir yüzey üzerine kaplanarak yüzey sıcaklığını ölçmek amacıyla

kullanılır. Yüzey sıcaklığı ölçümünde kullanılan en yaygın kolesterik maddeler, kolesterol

türevlerinden meydana gelir. Bu çalıĢmada yapımı gerçekleĢtirilen KSK ince filmlerdeki

seçici ıĢık yansıması ve renk değiĢimi olayları deneysel olarak incelenmiĢtir.


144

P112

Küresel kuantum noktalarının optiksel özellikleri

Hasan Cihat İslamoğlu1 , İbrahim Karabulut

1, ve Haluk Şafak

1

1 Selçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Konya 42075, Türkiye

Bu çalıĢmada, küresel bir kuantum noktasının bandiçi lineer ve lineer olmayan optiksel

özellikleri teorik olarak incelendi. Kuantum noktasındaki elektronik seviyeler matris

köĢegenleĢtirme tekniği kullanılarak nümerik olarak elde edildi. Safsızlığın olduğu ve

olmadığı durumlar için optiksel süreçler detaylıca incelendi.


145

P113

Hızlı katılaĢtırılmıĢ Ģekil hafızalı CuAlBe alaĢımlarının mekanik özelliklerinin

incelenmesi

O. Uzun, S. Ergen, F. Yılmaz, N. Başman, ve U. Kölemen

Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, 60240, Tokat

ġekil hafızalı alaĢımların (ġHA) teknolojik önemleri sahip oldukları Ģekil hafıza etkisi ve

süper-elastik yeteneklerinden ileri gelmektedir. ġHA‟ların sıcaklık veya zor etkisiyle faz

değiĢimine uğramaları ve buna bağlı olarak Ģekil değiĢtirmeleri, bu alaĢımlara çok farklı

avantajlar kazandırmaktadır. ġHA‟lar, makine-teçhizat ve yapı malzemeleri, medikal aygıtlar

ve araçlar gibi endüstriyel ve tıbbi uygulamaların yanı sıra; elektronik aygıtlar, uzay araçları

gibi ileri düzey uygulamalarda ve süperelastik gözlük çerçeveleri, telefon antenleri gibi

günlük hayatı kolaylaĢtıran birçok üründe kullanılmaktadır. Son yıllarda robotik alanda

yapılan uygulamalarda da ġHA‟ların kullanımı yaygınlaĢmaktadır. Bununla birlikte savunma

sanayinin birçok kolunda ġHA‟ların kullanımı diğer sistemlere tercih edilir hale gelmiĢtir. Bu

çalıĢmada biz Ģekil hafızalı Cu-12Al-XBe (X: 0.4; 0.5 ve 0.6) alaĢımlarının Ģekil hafıza etkisi

ve mekanik özellikleri üzerine Be miktarının ve hızlı katılaĢtırmanın etkisini araĢtırdık. Bu

amaçla Ģekil hafızalı Cu-12Al-XBe (X: 0.4; 0.5 ve 0.6) alaĢımları hızlı katılaĢtırma

yöntemlerinden biri olan eriyik eğirme tekniği ile Ģerit formunda üretildi. Elde edilen

Ģeritlerin faz dönüĢümleri, mikroyapıları ve martensit ve ostenit dönüĢüm sıcaklıkları X-ıĢını

kırınım cihazı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve diferansiyel taramalı

kalorimetre (DSC) kullanılarak karakterize edildi. Hem XRD hem de SEM analizlerinden

Ģeritlerin oda sıcaklığında tümüyle martensit yapıda oldukları belirlendi. Üç farklı oranda

üretilen CuAlBe Ģeritlerin DSC analizleri sonucu, Be miktarındaki artıĢın martensit ve ostenit

dönüĢüm sıcaklıklarında azalmaya neden olduğu tespit edildi. ġekil hafızalı alaĢımlarda,

onlara diğer alaĢımlara kıyasla büyük avantajlar sağlayan mekanik özelliklerinin incelenmesi

oldukça önemli olduğundan çalıĢmamızda söz konusu alaĢımların bazı mekanik özellikleri

(sertlik ve elastik modülleri gibi) nanoçentme cihazı ile incelendi. ġerit formunda üretilen

CuAlBe alaĢımlarında, Be miktarındaki artıĢın sertlik değerlerinde de artıĢa sebebiyet verdiği

belirlendi.

Teşekkür: Bu çalıĢma, GaziosmanpaĢa Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri Birimince (Proje No: 2009/54)

desteklenmiĢtir.


146


147

SOYADI AD ÜNİVERSİTE SAYFA

Abdullayeva S. Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi P69

Ağan S. Kırıkkale Üniversitesi P12, P89, P90, P91, P92

Ağar E. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P103

Ağartıoğlu M. Dokuz Eylül Üniversitesi S08, P4

Ahmad S. ET Üniversitesi, Pakistan P104

Ainetdinov D. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19

Akaltun Y. Erzincan Üniversitesi P36, P37

Akansel S. Hacettepe Üniversitesi P7

Akaoğlu B. Ankara Üniversitesi S12

Akarsu M. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P41

Akgüç G. B. Bilkent Üniversitesi P27

Aktürk A. Selçuk Üniversitesi P9, P108

Akyazı B. Kırıkkale Üniversitesi P90

Akyüz Ġ. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P38, P39, P42, P43, P44, P45, P47

Altındemir G. Çukurova Üniversitesi P31

AltıntaĢ S. P. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P88

Arıkan N. Ahi Evran Üniversitesi P16

Arpapay B. Anadolu Üniversitesi P87

Asar T. Gazi Üniversitesi P71, P77, P78

Askerzade I. Ankara Üniversitesi P2

Aslan B. Anadolu Üniversitesi Ç4, P87

AĢıkuzun E. Kastamonu Üniversitesi P88

Atay F. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P38, P39, P42, P43, P44, P45, P47

Atcı H. Ġstanbul Üniversitesi P82

AteĢ A. Yıldırım Beyazıt Üniversitesi P36, P37

AteĢer E. Aksaray Üniversitesi P24

AtıĢ Z. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P47

Atmaca G. Gazi Üniversitesi P64, P66, P67

Attolini G. IMEM, CNR, Parma, Ġtalya P69, P70

Auge A. Bielefeld Üniversitesi S03

Aybek A. ġ. Anadolu Üniversitesi P1

Aydın S. Gazi Üniversitesi P5, P55, P73, P74, P79

Aydın G. Gazi Üniversitesi P98

Aydınlı A. Bilkent Üniversitesi P90

Aydoğu S. Dumlupınar Üniversitesi P34, P41

Aykut Ö. Kardökmak A.ġ. P86

Babür G. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P80

Bacıoğlu A. Hacettepe Üniversitesi P83

Bağcı F. Ankara Üniversitesi S12

Bal S. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P13, P14, P15

BaĢer G. Hacettepe Üniversitesi P83

BaĢman N. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P113

Bayhan Ü. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P98

Bayraklı Ö. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P102

Bayraklı A. Hacettepe Üniversitesi S15


148

Bek A. Orta Doğu Teknik Üniversitesi Ç3

Bilenko D. I. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19

Bilgin V. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi P28, P29

Bilican Ġ. Kırıkkale Üniversitesi P12, P91

Bosi M. IMEM, CNR, Parma, Ġtalya P69, P70

Bulut N. Ġzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü Ç1

Bülbül C. Gazi Üniversitesi P58

Bütün S. Bilkent Üniversitesi P67

Büyükgüngör O. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P103, P104

Can M. M. Sabancı Üniversitesi S10

Candan Ġ. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100, P102

Candan A. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52

Ceylan E. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P40

Clerjaud B. Pierre et Marie Curie Üni., Paris, Fransa P69, P70

CoĢkun Ö. D. Hacettepe Üniversitesi P84, P85

CoĢkunyürek M. Kastamonu Üniversitesi P88

Çabuk S. Çukurova Üniversitesi S06, P32

Çabuk G. Dumlupınar Üniversitesi P34

Çakıcı M. S. Selçuk Üniversitesi P109

Çakmak M. Gazi Üniversitesi P17

Çankaya G. Yıldırım Beyazıt Üniversitesi P80, P81

Çelik Ö. Hacettepe Üniversitesi P6

Çelik V. Balıkesir Üniversitesi S05

Çetin S. ġ. Gazi Üniversitesi P69, P70, P71, P72, P78

Çetin H. Bozok Üniversitesi P107

Çetinkaya S. Ç. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P45

Çitioğlu S. Hacettepe Üniversitesi P6

Çivi M. Gazi Üniversitesi P16, P98

Çoban C. Balıkesir Üniversitesi P26

Çoban M. B. Dumlupınar Üniversitesi P34

Çolakoğlu K. Gazi Üniversitesi P22, P24, P26, P54, P56, P57, P58,

P59, P60, P61, P62, P73, P76

Dede M. Nanomanyetik Bilimsel Cihazlar Ltd. ġti. S09, P107

Değirmenci C. Kardökmak A.ġ. P86

Deligöz E. Aksaray Üniversitesi P24, P54, P59, P60, P62, P73, P76

Demir Z. Niğde Üniversitesi P23

Demirci Y. Anadolu Üniversitesi P1

Demirselçuk B. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi P28, P29

DemirtaĢ M. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P102

Dinçer Ġ. Ankara Üniversitesi S03, P18, P19, P20

Doğruer M. Mustafa Kemal Üniversitesi P13, P14, P15

Efkere H. Ġ. Erciyes Üniversitesi P72, P78

Ekiz A. Gazi Üniversitesi P53, P75

EkĢi D. Trakya Üniversitesi S13

Elerman Y. Ankara Üniversitesi S03, P18, P19, P20

Elibol K. Gazi Üniversitesi P64, P66, P67


149

Ellialtıoğlu R. Hacettepe Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52, P53, P75

Ellialtıoğlu ġ. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S05

Erçelebi Ç. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100

Erdem R. Akdeniz Üniversitesi P23

Erden S. G. Dokuz Eylül Üniversitesi P33

Erdinç A. Erciyes Üniversitesi P9, P108

Erdoğan B. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P38, P45

Ergen S. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P113

Ergün A. H. Gazi Üniversitesi P54

Erkarslan U. Muğla Üniversitesi P82

Es F. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07

Eser E. Çukurova Üniversitesi P30

Evecen M. Amasya Üniversitesi P17

Fırat T. Hacettepe Üniversitesi S04, S10, P6, P7

Fiat S. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P81

Fichtner M. Karlsruhe Institute of Technology , Almanya P7

Filazi Ö. Adıyaman Üniversitesi P31, P97

Galushka V. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19

Gençyılmaz O. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P43, P44

Gerhardts R. R. Max-Planck, Festkörperforschung, Almanya P33

German S. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P20

Gorin D. A. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P20

Göde F. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P31, P97

Gülen M. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P15

Güllü H. H. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100, P102

Gülnahar M. Erzincan Üniversitesi P110

Gülpınar G. Dokuz Eylül Üniversitesi S08, P4

Gülseren O. Bilkent Üniversitesi P27

GümüĢ N. M. Kırıkkale Üniversitesi P90

GümüĢ C. Çukurova Üniversitesi P31, P97

GümüĢ S. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P103

Gündoğdu G. Hacettepe Üniversitesi P84

Günendi M. C. Bilkent Üniversitesi P27

Güneri E. Erciyes Üniversitesi P31, P97

GüneĢ C. Gazi Üniversitesi P64

Güngör E. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P8, P93, P94, P95, P96

Güngör T. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P8, P93, P94, P95, P96

Gürbüz G. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P40

Habiboğlu C. Çukurova Üniversitesi P31, P97

Hasanli N. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P25

Hütten A. Bielefeld Üniversitesi S03

IĢık ġ. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P105

IĢık M. Atılım Üniversitesi P25

Ġyigör A. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52

Jabbarov R. Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi P69, P70

Kabak M. Ankara Üniversitesi P22


150

Karaaslan Y. Dokuz Eylül Üniversitesi S08, P4

Karabulut O. Pamukkale Üniversitesi P106

Karabulut Ġ. Selçuk Üniversitesi P109

Karakaya S. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P46

Karakoç G. Gazi Üniversitesi P64

Karakurt A. Ġnönü Üniversitesi P105

Karapınar R. Yüzüncü Yıl Üniversitesi P111

Karatepe R. Kırıkkale Üniversitesi P92

Karcı Ö. Hacettepe Üniversitesi S09

Kardash M. M. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19

Kaya S. Kastamonu Üniversitesi P88

Kaya Ġ. Ġ. Sabancı Üniversitesi Ç2

Kayıkçı E. C. Kırıkkale Üniversitesi P90

Kaynar M. B. Hacettepe Üniversitesi S04

Ketenci E. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P39

Ketenoğlu D. Ankara Üniversitesi S16

Khan I. U. GC Üniversitesi, Pakistan P104

Khomutov G. B. M. V. Lomonosov Moskova Devlet Üni. P20

Kılıçoğlu Ö. Trakya Üniversitesi S13

Kınacı B. Gazi Üniversitesi P72, P77

Kırmızıgül F. Çukurova Üniversitesi P31, P97

Kıtay Y. Karabük Üniversitesi P87

Kızılkaya K. Gazi Üniversitesi P77

Koç F. Selçuk Üniversitesi P9, P108

Koç H. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P30

Koçak B. Gazi Üniversitesi P56

Kompitsas M. Theor. and Phys. Chem.Institute, Yunanistan P81

Koralli P. National Tech. Uni. of Athens, Yunanistan P81

Kölemen U. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P80, P113

Köse S. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P40

Kul M. Anadolu Üniversitesi P1

Kulakçı M. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07

KurtuluĢ G. Gazi Üniversitesi P71, P78

Kuru H. Anadolu Üniversitesi P87

Lider M. C. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P101

Liedke M. O. Institute of Ion Beam Phys. and Mater. Res. S02

LiĢesivdin S. B. Gazi Üniversitesi P57, P64, P66, P67

Markin A. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P20

Meinert M. Bielefeld Üniversitesi S03

Memmedli T. Gazi Üniversitesi P69, P70, P71, P72, P77, P78

Mert H. ġ. Selçuk Üniversitesi P10

Mert G. Selçuk Üniversitesi P10

Mese A. I. Trakya Üniversitesi S14

Mete E. Balıkesir Üniversitesi S05

Meydaneri F. Karabük Üniversitesi P35, P86

Mogaddan N. A. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P92


151

P.

Moğulkoç Y. Ankara Üniversitesi P22, P26

Musayeva N. Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi P69, P70

Okur S. Ġzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü S02

Oral A. Sabancı Üniversitesi S09, P107

Öner Ġ. Gazi Üniversitesi P24, P60, P61

ÖzbaĢ Ö. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P41, P46

Özbay E. Bilkent Üniversitesi P66, P67

Özcan ġ. Hacettepe Üniversitesi S04, P6, P7

Özçelik S. Gazi Üniversitesi P69, P70, P71, P72, P77, P78

Özdemir Z. Ġnönü Üniversitesi P105

Özdemir G. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P13, P14

Özdemir M. Erciyes Üniversitesi P35

Özdemir B. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07

Özen Y. Gazi Üniversitesi P71, P77

Özer M. Gazi Üniversitesi P68

ÖzıĢık H. B. Aksaray Üniversitesi P60, P61

ÖzıĢık H. Aksaray Üniversitesi P24, P61

Öztekin Y. Ç. Gazi Üniversitesi P22, P24, P26, P54, P55, P56, P57,

P58, P59, P60, P62, P73, P74, P76, P79

Öztuyak E. Karabük Üniversitesi P86

Öztürk T. Gazi Üniversitesi P76

Öztürk O. Kastamonu Üniversitesi P88

Öztürk O. Ġzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü S02

Parlak M. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100, P102

Peker M. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P1

PiĢkin E. Gazi Üniversitesi P72, P78

Polat Ġ. Karadeniz Teknik Üniversitesi P81

Polat R. Erzincan Üniversitesi P37

Polat M. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P40

Räsänen E. Jyväskylä Üniversitesi, Finlandiya P82

Riviere J. P. Universite de Poitiers S02

Saatçi B. Erciyes Üniversitesi P35

Salman A. Akdeniz Üniversitesi S14

SarıateĢ D. Alparslan Üniversitesi P30

Sarıca E. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi P28, P29

Seferoğlu N. Gazi Üniversitesi P63

Sel M. Gazi Üniversitesi P68

Serin T. Ankara Üniversitesi P21

Serin N. Ankara Üniversitesi P21

Serincan U. Anadolu Üniversitesi P87

Sezgin G. Gazi Üniversitesi P63

Shah Ġ. University of Delaware S04

Sharif S. GC Üniversitesi, Pakistan P104

Sıddıki A. Ġstanbul Üniversitesi S01, S13, S14, P33, P82

SonuĢen S. Sabancı Üniversitesi P107


152

Sökmen Ġ. Dokuz Eylül Üniversitesi P33

Söyleyici M. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P42

Sürücü G. Gazi Üniversitesi P60

ġahin S. Gazi Üniversitesi P73

ġahin B. Kırıkkale Üniversitesi P12, P89, P91

ġahin O. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P104

ġahin Z. S. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P105

ġahin M. Selçuk Üniversitesi S11, P9, P108

ġahin ġ. H. Ankara Üniversitesi P21

ġengör T. Yıldız Teknik Üniversitesi P11

ġimĢek M. Gazi Üniversitesi P5

ġimĢek T. Hacettepe Üniversitesi P6

ġimĢek ġ. Çukurova Üniversitesi S06, P32

Takanoğlu D. Pamukkale Üniversitesi P106

TaĢ H. Selçuk Üniversitesi S11

TaĢal E. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P96

Tatar A. Gazi Üniversitesi P55, P74, P79

Temel E. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P103

Terin D. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19

Terzioğlu C. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P13, P14, P15

TıraĢ E. Anadolu Üniversitesi P94

Tozkoparan O. Ankara Üniversitesi P18, P19, P20

Turan R. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07, P92

Turan E. Anadolu Üniversitesi P1

Tyurin I. A. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19

Ufuktepe Y. Çukurova Üniversitesi P3

Uğur ġ. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52, P53, P75

Uğur G. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52

Uluer Ġ. Kırıkkale Üniversitesi P12, P91

UluıĢık A. Dumlupınar Üniversitesi P34

UlutaĢ C. Çukurova Üniversitesi P31

Uzun O. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P113

Ünal H. Balıkesir Üniversitesi S05

Ünalan H. E. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07

Ünaldı T. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P1

Varilci A. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P13, P14, P15

Vatansever E. Dokuz Eylül Üniversitesi S08

Wenig S. B. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P20

Yalçın O. Niğde Üniversitesi P23

YaĢar E. Kırıkkale Üniversitesi P90

YaĢar S. Mustafa Kemal Üniversitesi P12, P91

Yavuz F. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P31, P97

Yeniçeri G. Gazi Üniversitesi P59

YeĢiltepe M. Hacettepe Üniversitesi P85

Yıldırım H. Karabük Üniversitesi P87

Yıldırım G. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P13, P14, P15


153

Yıldırım O. Ankara Üniversitesi P18, P19, P20

Yıldırım M. A. Erzincan Üniversitesi P36, P37

Yıldırım S. T. Erzincan Üniversitesi P36

Yıldız O. Kastamonu Üniversitesi P88

Yılmaz M. Gazi Üniversitesi P62

Yılmaz F. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P113

Yurtseven A. Gazi Üniversitesi P65

Yurtseven H. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P101

Yücel E. Osmaniye Korkut Ata Üniversitesi P13, P14, P15

Yücel M. B. Akdeniz Üniversitesi S14

Yücel Kurt H. Gazi Üniversitesi P65

Yüzüak E. Ankara Üniversitesi S03

Zalaoğlu Y. Mustafa Kemal Üniversitesi P14, P15

Zor M. Anadolu Üniversitesi P1


154

Documents

ANKARA TOPLANTISI 18. YO ö UN MADDE F ø Z øöø · neler öğrendiğimizi ve bunların bakır-oksit tabanlı materyallerde gözlenen yüksek-sıcaklık süperiletkenliği için