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Applied Electric Circuit. REPORT #4 2012103843 원지혜. Ex)1.4. =3mA = = =3.3mA = =0.5mA = + =3.8mA P=[15-(-15)]*0.5mA+[-6-(-15)]*3.3mA = 43.7mW. ※ 작을 수록 저전력 OP AMP. 가변전원의 제작. 참 고 ). (1-t)R. tR. 부하효과 없애기 위해 버퍼 연결. 0. < 가변전원 (variable voltage source)>. 예 ). 의 범위 구하기 - PowerPoint PPT Presentation
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1 원지혜
Dept. of Biomed. Eng. BME303:Applied Electronic Circuit Kyung Hee Univ.
Applied Electric Circuit
REPORT #42012103843
원지혜
2 원지혜
Dept. of Biomed. Eng. BME303:Applied Electronic Circuit Kyung Hee Univ.
Ex)1.4
=3mA===3.3mA==0.5mA=+=3.8mAP=[15-(-15)]*0.5mA+[-6-(-15)]*3.3mA = 43.7mW
※ 작을 수록 저전력 OP AMP
-
+
U 2 A
3
21
84
R 1
1 0 k
R 2
2 0 kV 13 V
0
R 31 k
0
0
+1 5 V
-1 5 V
3 원지혜
Dept. of Biomed. Eng. BME303:Applied Electronic Circuit Kyung Hee Univ.
가변전원의 제작
V 2+1 5 V
V 3+1 5 V
0 U 1+
3
-2
V +7
V -4
O U T6
O S 11
O S 25
-1 5 V
1 5 V
V o
부하효과 없애기 위해 버퍼 연결
< 가변전원 (variable voltage source)>
참고 )
≡(1-t)R
tR
0
4 원지혜
Dept. of Biomed. Eng. BME303:Applied Electronic Circuit Kyung Hee Univ.
예 )
1 0 k
1 0 k
1 0 k
+1 5 V
-1 5 V
의 범위 구하기
중첩의 원리를 이용하면 ,(10+(t*10)/30)*15 + (10+(1-t)*10)/30*(-15)=5(1+t)-5(1+1-t)=5+5t-10+5t=10t-5[V]
-55
𝑉 𝑂
참고 )
왼쪽 저항 값을 조정함으로써 의 범위를 바꿀 수 있다 .
이 때 , 과부하 여부를 알기 위해 버퍼 OP AMP 의 데이터 시트를 확인하여야 함
5 원지혜
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Output Saturation
OP AMP 의 출력전압은
U 1
+3
-2
V+
7
V -4
O U T6
O S 11
O S 25
-1 2 V
1 2 V
R 3
9 k
R 41 k
0
V 1
F R E Q = 1 0 0 0V A M P L = 1 . 2V O F F = 0
0V 2
1 2 VV 3
-1 2 V
1 2 V -1 2 V
0 0
V
예 ) Saturation 되는 경우
경우 1) π1000t[V]
π1000t[V] 이므로 위와 같이 satura-tion 일어남(UA741 의 =11.6V, =-11.6V)
6 원지혜
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Output Saturation
경우 2) π1000t + 2[V] 경우 3) π1000t - 4[V]
UA741 의 =11.6V, =-11.6V 이므로 각각 saturation 일어남
7 원지혜
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단전원 OP AMP𝑖1 𝑖2
===+=0-2.5= - = - + 2.5
U 1+
3
-2
V+
7V
-4
O U T6
O S 11
O S 25
+5 V
U 2+
3
-2
V+
7V
-4
O U T6
O S 11
O S 25
1 0 k
1 0 k
+5 V
0
0
+5 V
0
V 1+5 V
+5 V
0
R 1
1 k
R 2
5 k
V 2
2.5V
< 입력 , 출력 파형 >
2.5V 만큼 Offset 전압이 출력됨ADC 범위 만족
8 원지혜
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I-V Converter
U 1+
3
-2
V +7
V -4
O U T6
O S 11
O S 25
+1 5 V
R
-1 5 V0
R sI s
V o
=
= -R
※ Trans-resistence OP AMP ※ High-sensitivity I-V Converter
U 1+
3
-2
V +7
V -4
O U T6
O S 11
O S 25
+1 5 V
R
-1 5 V0
R sI s
V o
R 1
R 20
𝑉 1
+ + =0= -R= - (1 + + )* R = -KRKR=100MΩ 이라고 가정 , R=1MΩ 이면 +=99 <- 왼쪽 식을 만족하는 R1, R2 를 고르면 됨
보다 큰 GAIN 을 만들고 싶다면
9 원지혜
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OP AMP 의 선택-FET(Field effect transister) 입력 op amp-low input bias current 를 가지는 것을 선택
예 ) Si Photodiode
U 1+
3
-2
V +7
V -4
O U T6
O S 11
O S 25
R
0
V o
D 1
0V-1.5V
①②
① V = 0V ② V = -1.5V
U 1+
3
-2
V +7
V -4
O U T6
O S 11
O S 25
R
0
V o
D 1𝑖𝑖 𝑖𝑖
- Low noise- Measurement
- High speed- Detection
빛 증가Reverse satura-tionCurrent 가 커짐
참고 ) 복사기 빛 감지
V 3
0 V d c
D 2R 1
U 2+
-
O U T
R 2
D 3
V o
-1 . 5 V
빛
10 원지혜
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V-I Converter- Trans-conductance Amplifier- =A
R LR o
0
< 출력 단의 등가회로 >
𝑖𝑜
=A - ->( 부하효과 없애려면 ) (대부분의 전류는 로 가야 한다 .)
R LR o
0
I 2
참고 )
를 매우 크게 해야 으로 전류가 거의 흐르지 않음
11 원지혜
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Floating Load V-I Converter
R
U 3+
-
O U T
0
I N O U T
V o
V i
i==
=+
- -(voltage compliance 잘 확인 )
예 )
-10V=1V, R=1KΩ, =1mA
-11V=9V=9kΩ
만약 =20kΩ 이면=0.45mA ( 과부하 )
load
최대 걸릴 수 있는 전압이9V 이므로