Automatikai építőelemek 5

Automatikai építőelemek 5.Hőmérsékletfüggő ellenállásokHőmérsékletfüggő ellenállások

Félvezető ellenállás hőmérők

Félvezető ellenállás karakterisztikája

T

b

eaR

ahol: „a” - anyagállandó, „b” - energiaállandó és „T” = abszolút hőmérséklet.

A „b” értéke a következő módon számítható:

2

1

12

21 lnR

R

TT

TTb

Ellenállás függése a hőmérséklettől:

2T

bRÉ



Félvezető ellenállás-hőmérő anyagai: - nehézfémek ötvözetei, oxidjai - Si és Ge tiszta, vagy szennyezett formájában

3.46. ábra. Termisztorok kialakítása

3.47. ábra. Termisztorok kialakítása3.48. ábra. Termisztorok kialakítása

Termisztorok

A gyakorlati kialakításukra mutatnak példát az ábrák

Automatikai építőelemek 5.

Hőmérsékletfüggő ellenállásokHőmérsékletfüggő ellenállások Félvezető ellenállás hőmérők

Látható hogy a termisztort az átfolyó áram fűti, így ez a típus felhasználható olyan folyamatok vizsgálatára, ahol hőcsere zajlik (pl. áramlásmérésnél), amely folyamatot termoanemometriának nevezzük.

Termisztorok kialakítása

Fő problémája, hogy csak nagy szórással készíthetők ezért cseréjük során ismételt hitelesítést kell végrehajtani.A mérési tartománya -200…200 °C között lehetséges. A termisztorok előnyei: - a viszonylag nagy érzékenység, - kis időállandó - jó mechanikai tulajdonságok. Hátrányai: - a nemlineáris karakterisztika - nagy gyártási szórás - magas hőmérsékleten nem használható.

A termisztorok jellemző adatai:- ellenállása 25 °C–on néhány száz ohm-tól néhány kohmig terjed,- az ellenállása 80 °C-on a 20 °C-on mért érték 5/8-ad része,


Hőmérsékletfüggő ellenállásokHőmérsékletfüggő ellenállások

Félvezetős ellenállás hőmérőkA félvezetős hőmérsékletérzékelő ellenállások három fajtája terjedt el:- negatív karakterisztikájú (NTK)- pozitív karakterisztikájú (PTK) - terjedési ellenállás alapú szilícium hőmérsékletérzékelők

Az NTK (negatív hőmérsékleti együtthatójú) termisztorok fémoxidok keverékéből szintereléssel készülnek. Ez a technológia lehetővé teszi a kiviteli formák sokféleségét, az olcsó, nagy tömegű gyártást. Többféle kivitelben készülnek: gyöngytermisztorok, tárcsatermisztorok, rúdtermisztorok, morzsatermisztorok stb. Az egyes termisztorfajták között, de a fajtákon belül is jelentős méreteltérések vannak. A gyöngytermisztorban például gombostűfejnyi nagyságú termisztor massza van, többnyire védő üvegcsőbe forrasztva. A tárcsatermisztorok különböző átmérőjű és vastagságú oxidpasztillák, amelyek kivezetéssel, védőlakk burkolattal vagy fémszerelvénnyel kiegészítve készülnek. A rúdtermisztorok hossza és átmérője is tág határok között változhat. A morzsatermisztorok ónozott kontaktusfelületű, apró hasáb alakú alkatrészek, amelyeket főleg hibrid integrált, és felületen szerelt (SMD) áramkörök használnak fel.




. Különböző típusú hőmérők jelleggörbéi

A termisztorok viselkedését jelleggörbéik ismertetésével lehet követni. A legfontosabb az ellenállás-hőmérséklet jelleggörbe, amely a különböző hőmérsékleteken mért terheletlen ellenállások összefüggése. Az NTK termisztorok ellenállását hőmérsékleti hatással kétféle módon lehet befolyásolni:- a környezeti hőmérséklet változtatásával- termisztorba betáplált teljesítmény (az átfolyó áram) növelésével.

a jelű: platina ellenállás hőmérő b jelű: NTK termisztor c jelű: PTK termisztor d jelű: terjedésiellenállás alapú szilícium érzékelő




A termisztorok fontos paramétere még a termikus időállandó. A termisztor saját, és szerelvényeinek tömege, hőszigetelő tulajdonságai miatt csak késéssel reagál a hőmérsékletét megváltoztató hatásokra. A termikus hőtehetetlenségét a termikus időállandó jellemzi: (t th). Az időállandó azt az időt jelenti, amely szükséges ahhoz, hogy a termisztor és a környezete közötti hőmérsékletkülönbség a 63,2%-ot elérje. Az időállandó nagyságát a termisztor hőtehetetlenségén kívül a környezeti hatások is befolyásolják. Emiatt nem szükségképpen azonos a lehűlési és a felmelegedési időállandó értéke. A katalógusokban megadott érték nyugvó levegőben mért lehűlési idő, amely néhány másodperctől száz másodpercig terjedhet. Szabályozástechnikai célokra használt NTK termisztoroknál az áramkör működése szempontjából az a döntő, hogy mennyi idő alatt ér el a kikapcsolt termisztor ellenállása egy olyan értéket, amelynél a folyamatot újra lehet indítani. Ebben az esetben hasznos tájékoztatást ad az úgynevezett feléledési idő. A feléledési idő az az időtartam, amennyi idő ahhoz szükséges, hogy a megengedett maximális terheléssel üzemelő, a környezetével termikus egyensúlyban lévő NTK termisztor kikapcsolása után arra a hőmérsékletre hűljön le, amelyen ellenállásának értéke eléri a szobahőmérsékleten mért ellenállása értékének felét.


Félvezető ellenállás hőmérőkA pozitív hőmérsékleti tényezőjű (PTK) termisztorok

A pozitív hőmérsékleti tényezőjű (PTK) termisztorok alapanyaga polikristályos báriumtitanát, amelyet kis mennyiségű fémdioxid adalékok (stroncium és titánoxidok) tesznek félvezetővé.

Működési elve szerint a ferromágneses anyag Curie-pontja közelében elveszíti mágneses tulajdonságát és paramágnesessé alakul, ez egy bizonyos hőmérséklet tartományban következik be. 30 °C – 50 °C a felső határ az alsó pedig változó. Nevét Pierre Curie Nobel-díjas francia fizikusról kapta.A PTK termisztorok ellenállása frekvenciafüggő, az impedanciája csökken a frekvencia növekedésével.


Félvezető ellenállás hőmérőkA terjedési ellenállás elvén alapuló eszközök

Terjedési ellenállás felépítése

Működésének alapja, hogy a szilíciumkristály egy bizonyos hőmérséklettartományban a hőmérséklet növekedésével növeli a töltéshordozók megkötöttségét, ami az ellenállás növekedését okozza. Ezt az ellenállást a kristály előlapján elhelyezett hegyes érintkező és a nagy felületen fémmel bevont hátlap között mérik.Az elrendezés tulajdonképpen egy kondenzátor, ahol a dielektrikumnak hőmérsékletfüggő ellenállása van.Amíg a hegyes érintkező „d” csúcsátmérője a kristály „D” vastagságához és a fémbevonat felületéhez képest kicsi, addig az ellenállás értéke csak a fajlagos ellenállástól és a csúcssugártól függ. Enyhén görbült jelleggörbével és pozitív hőmérsékleti együtthatóval rendelkezik 150 °C-nál nagyobb hőmérsékleten szabad töltéshordozók képződnek és vezetővé válik.

Ellenállás- hőmérséklet karakterisztika




Nagy előnye a termisztorokkal szemben:- hasonló meredekség mellett linearitása lényegesen jobb - olcsóbb ezt az biztosítja, hogy planáris technológiával gyártható- a hozzávezetések helyének megváltoztatásával az ellenállás értéke széles határok között megváltoztatható.

A terjedési ellenállás elvén alapuló eszközök

dR

2

ρ - linearis függvény a –50 … +120 °C tartományban.

Érzékenysége ~ 0,7%/°C

Automatikai építőelemek 5.Elektrolitos átalakítókElektrolitos átalakítók

Elektrolitos átalakító blokkvázlata

Elektrolitok a savak, sók és lúgok vizes oldatai, amelyek vezetők. Az elektrolitok többféle mennyiséget, így elmozdulást, szögelfordulást, hidrogénion koncentráció változást alakít át ellenállássá. A elektrolit ellenállása:

CR 1

ahol: „κ” - elektrolit fajlagos vezetőképessége, „C” - cellaállandó, amely a geometriai elrendezéstől függ.

Kétféle módon változhat az ellenállás értéke: - Változik a cellaállandó, amely akkor következik be, ha az átalakítót elmozdulásra vagy szögelfordulásra használjuk. Ekkor a fajlagos vezetőképesség állandó. - Változik a fajlagos vezetőképesség, amely akkor következik be, ha változik az ionkoncentráció. Ekkor változatlan a cellaállandó.


Elektrolitos átalakítókElektrolitos átalakítók

Elektrolitos átalakítók elvi kialakítása

Az elektrolitos jelátalakítók fő hibája, hogy a fajlagos vezetőképessége erősen hőmérsékletfüggő, helyzet és rázás érzékeny.Előnye viszont, hogy egyszerű felépítésű, kis méret és kis mérőteljesítmény.


Fotóellenállásos átalakítókFotóellenállásos átalakítók A fotóellenállások a megvilágítás változásait alakítják át ellenállás változássá. A működési elvének alapját a fotoemisszió jelensége képezi, amelynek lényege, hogy +elektronok lépnek ki. A másik alapvető fizikai hatás az ún. fotokonduktív hatás. Itt a félvezető ellenállása változik meg a fény hatására, mert töltések szabadulnak fel a félvezetőben. - Fotoemisszión alapuló eszközök a fotocellák.

Fotocella felépítése

cIahol: „I” - fotocella árama, „c” - arányossági tényező, „Φ” – fényfluxus.

A kilépő elektronok száma még függ a fény hullámhosszától és ettől függ a „c” arányossági tényező is. A katód anyaga ezüstoxidra felvitt céziumréteg, vagy bizmutoxidra felvitt ezüst-cézium ötvözet, stb Működése a látható fénytől az ultraibolya tartományig minden tartományban lehetséges. Az átfolyó áram μA nagyságú. Kétféle fotocellát különböztetünk meg; vákuum és gáztöltéses változatot.

A fotocellás átalakító karakterisztikája lineáris, az átfolyó áram – így a kilépő elektronok száma is – a megvilágítástól függ.


Fotóellenállásos átalakítókFotóellenállásos átalakítók

Karakterisztikái az alábbi ábrákon. Hibaforrást jelent, hogy van ún. sötétárama – vagyis teljesen sötétben is folyik áram illetve kis áramok miatt zajos. Előnyei: üzembiztos (régebben ez volt az egyetlen használható eszköz). Hátrányai közé tartozik a kis érzékenység, viszonylag nagy méret, kis sávszélesség és a nagy tápfeszültség.



A fotóellenállások működése a fotokonduktív jelenségen alapul, amelynek alapja az ún. belső vezetés. Anyaga lehet szelén, germánium, szilícium, ólomszulfid stb. A fotóellenállás főbb tulajdonságait a táblázat tartalmazza:

Se Ge Si Ólomszulfid

Kadmiumszul-fid

Átlagos érzékenység mA/lumen

0,1…3 30 0,06 3 2…3

Érzékenység hőmérséklet

függése[% / oC]

-0,4 - - -1,5 -0,2

Sötétellenállás [Mohm]

0,01…10 - - 0,1…10 1…1000

Automatikai építőelemek 5.Fotóellenállásos átalakítókFotóellenállásos átalakítók

- a, Szelén (Se): Széles hullámhossztartomány, jelleggörbe nemlineáris, tehetetlensége elég nagy.- b, Kadmium-Szulfid (CdS): Napjaink leggyakrabban alkalmazott anyaga, amelynek monokristályos és polikristályos változata létezik. Az előbbi szűkebb, az utóbbi szélesebb tartományban mutat jelentősebb érzékenységet. A polikristályos változat jó fedésben van az emberi szem hullámhossz érzékenységével. Karakterisztikája széles tartományban lineáris. Hátránya, hogy kis megvilágításnál elég nagy az időállandója, tehát néhány száz Hz-nél nagyobb frekvenciával nem modulálhatóak.- c, Kadmium-Szelenid (CdSe) : Az infravörös tartományban mutatnak nagy érzékenységet. Meredekségük a CdS-hez képest 5…10 – szeres. Viszonylag nagy a hő-mérséklet függése. Az átviteli görbéje nemlineáris. A tehetetlenségi időállandójaelfogadható értékű.- d, Ólom-Szulfid: Többnyire az ipari méréstechnikában alkalmazzák, mert gyors működésűek. Spektrális érzékenysége főként az infravörös tartományba esik. Az ólomszulfidnak van egy különleges tulajdonsága, a hőmérséklet érzékenysége nem csak az amplitúdóra vonatkozik, hanem a hullámhosszra is kihat, ezért pirotechnikai alkalmazásoknál termosztátba kell helyezni. e, Ólom-Szelenid: Az infravörös tartomány legjobb tulajdonságú optikai érzékelője. Időállandója kicsi. A jelleggörbének két maximuma van.



A fotóellenállás elvi vázlata és elvi kialakítások



A fotóellenállások ellenállása annál kisebb, minél nagyobb a megvilágítás, ami azért lehetséges, mert a félvezető rétegben töltéshordozók száma a megvilágítás nagyságával nő. Minden fotóellenállás egy adott hullámhosszon éri el a legnagyobb érzékenységet. A hullámhossztól függő érzékenységet spektrális érzékenységnek nevezzük.

Fotoellenállások spektrális érzékenysége



s

e

e

s

I

I

R

RK

Vannak olyan fotóellenállások, amelyek a kék, zöld, narancs, vagy éppen a vörös tartományban érzékelnek, de vannak olyanok is, amelyek az infra tartományban. Katalógusok megadják a sötét és világosellen-állás értékét. A világos ellenállást 1000 lx. megvilágításhoz adják meg. Előnyei: a kis méret, viszonylag nagy áram, elég nagy sászélesség és jó illeszthetőség a félvezető elektronikához, Hátrány? Nemlineáris karakterisztika.A rezisztencia-változási tényezőt a sötétellenállás és világos ellenállás arányával fejezzük ki. Az „s” index a sötét állapotra, az „e” index az üzemi feszültség melletti állapotra vonatkozik.



Fotodiódák

A fotodióda félvezető dióda, amelynek pn-átmenete jól átereszti a fényt. Gyártanak szilícium és germánium fotodiódát. Viszonylag széles tértöltési zóna keletkezik, és ha a tértöltési zónát nem éri fény, akkor csak nagyon kicsi zárási áram folyik. A zárási áram nagysága sötétben a zárótartományban normális Si-, ill. Ge-diódák zárási áramának felel meg. Fény hatására kötéseikből elektronok szabadulnak fel. Ahol a kristálykötés felszakad, egy szabad elektron és egy lyuk, azaz két szabad töltéshordozó keletkezik. A zárási áram néhány nagyságrenddel növekszik. A zárási áram és a beeső fény között lineáris összefüggés áll fenn

Zárási áram beeső fény karaterisztika

Fotodióda elvi felépítése



A fotodiódák ezért különösen jól alkalmazhatók fénymérésre. A zárási áram a megvilágítás erősségének változásaival majdnem egyidejűleg változik. Fő jellemző adat a fényérzékenység. Azt adja meg, hogy az „IR” zárási áram hány nA-rel növekszik a megvilágítás 1 lx-os növekedése hatására.Megadják katalógusban: - maximális fényérzékenység „λES” hullámhosszát. - „fg” határfrekvencia - „CS” zárórétegkapacitás - „Id” sötétáram, amelyet meghatározott zárófeszültségre adnak meg. - (AL ) még fontos jellemző a fényérzékeny felület nagysága A fotodiódákat a zárási áram és a megvilágítás erőssége közötti lineáris összefüggés miatt túlnyomórészt mérési célokra alkalmazzák. Nagyon kisméretűek lehetnek, így alkalmazásukkal nagy alkatrészsűrűség érhető el. A fotodiódák további alkalmazási területe a vezérlés- és szabályozástechnika. Ott, ahol a fotoellenállások nagy tehetetlenségük miatt nem építhetők be, fotodiódákat alkalmaznak.Ha a Si fotoelemeket és fotodiódákat összehasonlítjuk, sok hasonlóságot fedezhetünk fel közöttük. A fotodiódák fotoelemként is alkalmazhatók, ha nem helyezzük feszültség alá, így világítás hatására feszültséget képesek leadni, hatásfokuk azonban rosszabb, mint a fotoelemeké.



Fototirisztorok

Fototirisztor elvi felépítése

A négyrétegű pnpn fotodióda (fototirisztor) felépítését, helyettesítő modelljét láthatjuk

Telepet kapcsolva a kivezetésekre, a feszültség viszonyok olyanok lesznek, hogy a két külső átmenet nyitóirányban, míg a belső átmenet záróirányban polarizálódik. A belső átmenet nagy ellenállást képvisel mindaddig, amíg az alkalmazott feszültség el nem éri a letörési feszültséget. A két állapot: a szakadás és a rövidzár, valamint a kettő közötti éles átmenet, kapcsolókhoz teszi hasonlóvá a négyrétegű diódát, amely kikapcsolt állapotban végtelen nagy ellenállást és bekapcsolt állapotban rövidzárt jelent.

A kétféle állapot közötti átbillenést nem csak a letörési feszültség elérésével lehet megvalósítani, hanem úgyis, hogy a tirisztorba töltéshordozókat injektálunk, amelyek hatására a belső átmenet megnyit. A fototirisztoroknál az injektálás fénnyel történik, az eszköz tehát fényjellel vezérelhető kapcsolónak fogható fel.


Mágneses ellenállásos átalakító (mágnestérlemezek) (MDR)

Olyan félvezető ellenállások, amelyeknek az ellenállása mágneses térrel vezérelhető.

Mágnestérlemez felépítése

A térlemezek lehetnek:- fémes típusúak (E típus) - műanyag típusúak (K típus). Az E típus hordozóanyaga nagy permeabilitású ferromágneses anyag. Az ebből készült hordozóalapra szigetelőanyagot visznek fel, és ezen van a félvezető réteg. A K típus hordozóanyaga műanyag vagy kerámia. A hordozóra, amely rendesen kb. 0,1 mm vastagságú, indium-antimonid réteget visznek fel (szokásos rétegvastagság 25 µm). Az indium-antimonid nikkel-antimonid szálakat tartalmaz, amelyek nagyon jó vezetőképességűek.


A méretek megválasztásától függően az ellenállás értéke mágneses tér nélkül néhány ohm-tól néhány kohm-ig terjed. - Ha nincs jelen mágneses tér, akkor az áramútja egyenes vonalú. - Mágneses tér hatására a töltéshordozók lefelé kényszerülnek Az egyik fémes vezetőszálról a másikra ferde pályán lépnek át. A vezetőszálak rövidzárási hidakat képeznek.- A fluxussűrűség növekedésével az áram útja egyre ferdébb lesz, az út hossza pedig egyre nagyobb. Az áram úthosszának növekedése azonban a térlemez ellenállásának növekedését jelenti. A mágneses tér irányának az ellenállás nagyságára nincs hatása. Jellemző adatok: - „R0” az alapellenállás mágnestér nélkül, - „RB” az ellenállás mágnestér hatására, - RB/R0 a relatív ellenállás változás - hőmérsékleti tényező 25 °C-on.

Áramút mágnestér nélkül

Áramút kis B értéknél

Áramút nagy B értéknél

Mágneses ellenállásos átalakító (mágnestérlemezek) (MDR)

Automatikai építőelemek 5.Mágneses ellenállásos átalakító

Mágnesdiódák

A mágnesdiódák olyan diódák, amelyeknek az ellenállását külső mágneses térrel változtatni tudjuk. A mágnesdiódák germániumból és szilíciumból készített félvezető elemek. A kis germániumlap egyik végébe „p” zónát, a másikba pedig „n” zónát visznek be dotálással. A kettő közötti vezetőzóna egyik szélét oly módon szennyezik, hogy ott a töltéshordozóknak erős rekombinációja mehessen végbe. Ez az un. rekombinációs zóna (R zóna) elnyeli a töltéshordozókat Az „R” zónában kerülő töltéshordozók rekombiálódnak, azaz az elektronok és lyukak egyesülve megsemmisítik egymást. Minél több szabad töltéshordozó tűnik el, annál nagyobb lesz a mágnesdióda ellenállása. A „B” mágneses fluxussűrűséggel a rekombináció gyakorisága vezérelhető. A rekombináció gyakoriságának növekedése töltéshordozóritkuláshoz és ezáltal a mágnesdióda ellenállásának növekedéséhez vezet.

Mágnesdióda felépítése


Feszültségfüggő ellenállások(VDRFeszültségfüggő ellenállások(VDR))

A VDR (másként még elektromos tér vezérelt) ellenállások (varisztorok) sziliciumkarbidból, vagy cinkoxidból (ZNR-Zinc Oxide Nonlinear Resistor) készített ellenállástárcsák, amelyek jelleggörbéje nemlineáris. Az ellenállásérték növekvő feszültséggel csökken.

1

C

UI

feszültségfüggő ellenállás karakterisztikája

Jellemző adatok: - „C” - az alapellenállás jellemzője, - „β” - az áramnövekedés meredekségének mértéke (0,3…0,5),- „Pmax” - maximális terhelés.

Automatikai építőelemek 5. Kapacitív jelátalakítókKapacitív jelátalakítók..

Kapacitív érzékelő blokkvázlata

A kapacitív jelátalakítók feladata az elmozdulás, hosszúság, szögelfordulás átalakítása kapacitássá.

4.2 ábra.Néhány kapacitív megoldás.

ε 0 = 8,85 . 10 -12 [A.s / V.m]

ε = ε r . ε 0 ”A” a kondenzátor felülete (m2)„δ” delta a lemezek távolsága (m)C = ε . G „G” geometriai tényező

A permittivitást az anyag azon képessége határozza meg, hogy az mennyire képes polarizálódni a tér hatására, és így csökkenteni a teljes elektromos teret az anyagon belül. Úgy is mondhatjuk, hogy a permittivitás megmutatja az anyag képességét az elektromos mező átadására.A relatív permittivitás másik elnevezése a dielektromos állandó egy kondenzátor kapacitásának aránya ahhoz képest, hogy ha ugyanez a kondenzátor lemezei között vákuum lenne, azaz a relatív dielektromos állandó azt mutatja meg, hányszorosára nő egy kondenzátor kapacitása, ha a fegyverzetei közötti teret vákuum helyett a vizsgált dielektrikummal töltjük ki.

Az SI rendszerben a permittivitás (ε) egysége a (F/m)

A

C

Automatikai építőelemek 5.Kapacitív jelátalakítókKapacitív jelátalakítók..

Rétegkapacitások típusai

Az ipari méréstechnikában gyakran alkalmazzák a dielektrikumok rétegzésével kialakított kapacitív átalakítókat.

2211 AA

C

- hosszirányú rétegződés esetén:

- keresztirányú rétegződés esetén:

212211 CCEEU

2

2

1

12211

A

QEEU

212

2

1

1 111

CCAAC

Villamos térerő: „E” az a fajlagos erő, amely a villamos mező különböző pontjaiban lévő egységnyi töltésre hat Elterjedten alkalmazzák a geometriai tényező változásán alapuló kapacitás változásán alapuló átalakítókat. A „G” geometriai tényező: vagyis láthatóan ennek változása a felület és az elektródák távolságának változtatásával idézhető elő.


A gyakorlatban alkalmazott kapacitív átalakítók


A gyakorlatban alkalmazott kapacitív átalakítók


1. Egyszerű síkkondenzátorA kapacitás az alábbi kifejezés szerint számítható. Ez azonban valójában csak közelítés, mert az elektromos tér a széleken nem homogén, hanem szóródik. A karakterisztika nemlineáris, pontosabban hiperbolikus, ezért ezt a megoldást hiperbolikus átalakítónak is nevezik.

1. Elmozdulásmérő hiperbolikus kapacitív átalakítók

Hiperbolikus kapacitív érzékelő

Alkalmazásának két fő területe van:

1. kis elmozdulások érintkezés nélküli leképezése 2. nyomás/nyomáskülönbség leképezése

Olyan síkkondenzátorok, amelyeknek egyik – rögzített – fegyverzetét a mérendő mozgó géprész előtt adott távolságra helyezik el a másik fegyverzet, pedig maga a mozgó géprész Az ebben az esetben a kondenzátor fegyverzetei párhuzamosak maradnak egymással, így leképzést kizárólag a kondenzátor villamos tere valósítja meg. A hiba általában kisebb 1%-nál. Karakterisztika linearizálás!

A

C


2. Nyomásmérő hiperbolikus kapacitív átalakító

Hiperbolikus kapacitív nyomásérzékelő

Működése: Az 1 fémmembrán terheletlenül párhuzamos a 2-es ellenfegyverzettel. A köztük levő távolság” x0”. Ha a 3-nyiláson a 4-mérőkamrába „p” nyomást vezetünk, akkor az 1-es membrán deformálódik és csökken a távolság az 1 és 2 fegyverzet között, így a kapacitás is változik. Megjegyezzük, hogy nyomáskülönbség is mérhető, ha a 6 ellennyomás kamrába is vezetünk nyomást

R

r

R

rfx

drrC

0

22

00

0

1

2

pkareathp

kC r

2

1

3

2

01

1

16

3

x

x

E

k

30

2

211

16

3

hxEk

Célszerű a közvetlen hitelesítés!

A karakterisztika!

A teljes kapacitás!

22

24

3

21

1

16

3

R

rR

hEpf

A membrán lehajlása!


Síkkondenzátor

Síkkondenzátor

A

C r 088,0

A síkkondenzátor kapacitását a következő gyakorlati módon is számíthatjuk

A

C 088,0

Az egyszerű síkkondenzátor működését légrés változás esetében az ábra mutatja


Egyszerű differenciálkondenzátor

Az ábra jelölései: „d0” közepes nyugalmi elektróda távolság, a „d1” és a „d2” adott elektródatávolságok - amelyek változnak – és „C1”, „C2” kapacitások. Ezt a változatot mindig hídkapcsolásba kötjük, két azonos nagyságú impedanciát is alkalmazva hídban.

0

20

0000

00

21

21

2

2)(

22 d

dd

dddd

ddU

dd

ddUUT

ahol: „δ”- a középhez viszonyított elmozdulás.

A híd kimenő feszültsége


Változó felületű differenciálkondenzátor

Változó felületű differenciálkondenzátor

Kialakítása az ábrán látható, ahol „A1” és „A2” az álló elektródának a mozgó elektródával szemben álló felületét, „φ” a szögelfordulást és „C1” ill. „C2” a kapacitásokat és „d” a lemezek közötti távolságot jelentik. A széleknél a mező inhomogén ezért ezt egy szórt kapacitással vesszük figyelembe.

sCd

AC

212 AAAeff

eff

eff

eff

effT A

AAU

A

AAAUU

111

22

2

2

2. Az „Aeff” a mozgó elektróda hasznos felülete

A híd kimenő feszültsége


Forgókondenzátor

Forgókondenzátor

Felépítése az ábrán látható, amely jelölései: „d” lemezek távolsága, „A” a lemezek szembenálló felü-lete, „φ” szögelfordulás és „n” a légrések száma.

sCd

AnC

d

sf

d

rr

d

AC 1

16ln

ahol: A = r2 . π, „r” - elektróda sugara, „s” - lemezek távolsága és f (s/d) az 1. táblázat

s/d F(s/d)

0,02 0,098

0,06 0,23

0,1 0,335

0,4 0,84

1,0 1,39

1,4 1,63


Hengerkondenzátor

Hengerkondenzátor

A hengerkondenzátor közös jellemzője, hogy az elektródák állnak és a köztük lévő teret mozgó folyadék tölti ki. Elvi felépítése az ábrán látható.

Dielektromos tényező változásán alapuló átalakító


Forgókondenzátor


Köszönöm a megtisztelő figyelmetKöszönöm a megtisztelő figyelmet

Documents

Automatikai építőelemek 5